塑封器件失效机理及其可靠性评估技术
塑封IC失效分析及对策
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现代激 烈的市场竞争 中, 量是企业 的生命 。 质 当产 品在 使 用 中 由 于 自身质 的 变 化 导 致 产 品丧 失 了 预 定 的 工作 能 力 或 其 性 能 己劣 化 成 不 合 格 的 状 态 时 , 们 通 常 称 产 品 失效 。 我 电子 器 件 的 失 效 随 着 时 间 的变 化 可 分 为 早 期 失 效 、 正 常 失效 和 退 化 失
Ab t a t sr c :De c i e h al r f p a t C c mm o h n me o n d ti s v r l o l si I s r d t e f i e o l si I o b u c n p e o n n i e al e e a f P a t C c f i r n lssm eh d n n l ss e h i u sd a r t e n e u o wa d t e s p lsi C al e a ay i t o sa d a ay i c n q e o n rai ,a d t n p t r r t sP a t I u t v h f h e c
收 稿 日期 : 0 11 . 7 2 1 - 22
伤 、 芯 金 属 化 腐蚀 、 属 化 变 形 、 合 金 丝 弯 曲、 管 金 键 金 丝 键 合 焊 盘 凹 陷 、 合 线 损 伤 、 合 线 断裂 和 脱 键 键 落 、 合 引线和焊 盘腐蚀 、 线框架腐 蚀 、 键 引 引线 框
12 塑 封 I 失 效 分 析 方 法 . C
常 用 失 效 分 析 的 方 法 有 :A S 格 ( g r E 一奥 Au e)
电子 分 光 显微 镜 、 S A — 化 学 分 析 用 的 电子 波 EC —
塑料封装可靠性问题浅析
![塑料封装可靠性问题浅析](https://img.taocdn.com/s3/m/43d81ded5ef7ba0d4a733b48.png)
塑料封装可靠性问题浅析1、引言塑料封装器件很容易由于多种原因而导致早期失效。
这些缺陷产生的根源很多, 他们能够导致在塑封体各个部位产生一系列的失效模式和失效机理。
缺陷的产生主要是由于原材料的不匹配、设计存在缺陷或者不完善的制造工艺。
塑料封装器件同样也存在着非缺陷机理性失效, 比如PEM在空气中吸潮, 所吸收的潮气将会导致很多的问题出现, 包含在这一类失效中的就是所谓的磨损型失效机理。
这些类型的失效在后面将会进行详细的论述。
同时也将讨论避免产生缺陷的各种方法以及生产过程的优化和完善的设计。
这些都是为了保证最后成品的质量和可靠性。
2、塑料封装器件的缺陷及其预防有些缺陷很自然地归类于热机性能造成的, 而其他的缺陷通常和一些特殊的制成有关系, 比如芯片的制造、芯片的粘接、塑封、芯片的钝化、引线框架芯片基板的制造、焊丝或者后道成品包装。
这些都将在下面的讨论中看到, 同时其中的某些缺陷在分类上还是相互交叉的。
2.1、热机缺陷某些缺陷能够导致失效, 而这些缺陷都与热以及微观物质的移动有密切关系, 产生的主要原因就是环氧塑封料和不同接触界面材料的线膨胀系数不一致比如说, 当EMC固化时, 热收缩应力也随之产生这些应力将会导致巨大的拉伸和剪切应力, 作用于直接接触的芯片表面特别是在邑片的角部, 应力将会成几何级数增长, 很容易导致芯片薄膜钝化层或者芯片焊接材料以及, 芯片本身的破裂。
这些应力同样也容易导致EMC和芯片/芯片基板/引线框架之间出现分层断裂以及分层将会导致电路断开、短路以及间歇性断路问题出现。
同样它们也为潮气和污染源更容易进人塑封体内部提供了通路。
这些类型的缺陷可以通过以下措施来避免:在选择塑封料、引线框架、芯片焊接剂以及芯片钝化层的原材料时, 所有材料的线膨胀系数必须尽可能地相互匹配;芯片上部和下部塑封料的厚度应该尽可能地接近;尽量避免在设计和排版过程中出现边缘尖端以及尖角, 这样可以防止出现应力集中, 从而避免断裂的出现;最后, 提倡使用低应力塑封料以及低应力芯片焊接剂, 可以最大限度防止在封装的过程中出现多余应力。
塑封器件常见失效模式及其机理分析总结
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塑封器件常见失效模式及其机理分析总结塑封器件(Plastic Encapsulation Device,PED)是指使用塑料作为封装材料的电子器件。
由于其低成本、轻量化、易加工等优势,塑封器件被广泛应用于各种电子设备中。
然而,塑封器件也存在一些常见的失效模式,本文将对这些失效模式及其机理进行分析总结。
1.温度失效:在高温环境下,塑封器件的封装材料容易发生老化和变形,导致器件性能下降或失效。
该失效模式的机理主要是材料的热老化,其中塑料封装材料中的添加剂如稳定剂、防护剂等会因长时间高温作用而分解或迁移,导致封装材料的物理和化学性质的变化。
2.湿气失效:湿气失效是指器件在高湿环境中发生导电路径或绝缘破坏而失效。
该失效模式的机理主要是由于湿气中的氧化物、离子等与器件内部的金属导线、介质等发生化学反应,导致电阻降低、绝缘性能下降。
3.机械失效:机械失效是指塑封器件在受到机械应力、振动等外力作用下,发生封装裂纹、金属引脚断裂等损坏而失效。
该失效模式的机理主要是由于材料的强度不足、结构设计不合理等导致的。
4.电气失效:电气失效是指器件在使用过程中发生电性能下降或功能失效。
该失效模式的机理主要包括电极与封装材料之间的接触不良、氧化等导致电阻增加;电容器内部介质的老化和损坏导致容量减小或绝缘性能下降等。
5.化学失效:化学失效是指塑封器件在受到化学物质(酸、碱、溶剂等)侵蚀或与化学物质发生反应而失效。
该失效模式的机理主要是材料与化学物质发生化学反应,导致封装材料的物理性质变化或金属导线的腐蚀等。
针对上述失效模式,可以采取以下措施来减少或避免塑封器件的失效:1.选择合适的封装材料,考虑其在高温、高湿等环境下的稳定性和耐候性。
2.优化封装结构设计,增强塑封器件的抗机械振动和应力能力,避免封装裂纹和金属引脚断裂等机械失效。
3.采取防湿措施,如封装材料添加防湿剂、采用防潮包装等,以防止湿气失效的发生。
4.优化金属电极的表面处理和封装材料的加工工艺,提高接触质量和电阻、容量的稳定性,减少电气失效的可能。
SMD塑封半导体器件失效分析方法及机理分析
![SMD塑封半导体器件失效分析方法及机理分析](https://img.taocdn.com/s3/m/dfbf9a60561252d380eb6e65.png)
摘要: 本文针 对 S ( 面贴 装 器件 ) MD 表 塑封 半 导体 器件在 生产 和应 用 中常 见的 一 些故 障 , 器件 生 产工 艺过 程及 器件 结 构 原理 角 从 度, 结合 工作 实践 分析 经验 , 进行 失效机 理 分析 , 出有 一 定针对 性的 的分析 流程 及方 法。 提
11材 料 因 素 . 1芯 片 : 纹 、 片 、 裂 、 层 、 敷 层 厚 度 、 散 缺 陷 、 ) 裂 碎 割 分 金 扩 氧 化 缺 陷 、 面 污 染 、 刻 蚀 ( 欠 刻 蚀 )搭 接 划 痕 和 空洞 等 。 表 过 或 、 2框 架 : 寸 偏 差 、 料 成 分 、 形 缺 陷 、 层 缺 陷 、 面 ) Байду номын сангаас 材 外 镀 表 氧化 、 面污染等 。 表
2 MI塑封半导体器件故障分析流程及常用分析方法 S }
故 障分 析的最 终 目的是 要 准确 确 定 故 障 的起 因 。在
电 子 元 器 件 故 障 分 析 中 , 部 分 工 作 必 须 进 行 破 坏 性 测 大
1 影响 S D塑 封半 导体 器件 可靠性 的主 要 因素 1 M
・
35 ・
文 章 编 号 :0 2 8 6 20 )6 0 5 0 1 0 —6 8 ( 0 8 0 —0 3 — 2
S MD 塑 封 半 导 体 器 件 失 效 分 析 方 法 及 机 理 分 析
王 强
( 中国振 华 集 团永光 电子有 限公 司, 州 贵 阳 5 0 1) 贵 5 0 8
0 引 言
半导体器件失 效原 因大 体分 为两种 情况 : 一 , 第 前期 生 产 因素导致 的失效 , 即器件本身 固有缺 陷导致 的失 效 ; 二 , 第 后期使用不 当或使用 中的异常因素导致的失效。
塑封半导体器件的可靠性保证措施
![塑封半导体器件的可靠性保证措施](https://img.taocdn.com/s3/m/5d9aa81b5f0e7cd18425369d.png)
塑封半导体器件的可靠性保证措施作者:张臻鉴,刘文媛来源:《现代电子技术》2010年第16期摘要:为了降低塑封半导体器应用于高可靠性产品领域中的质量风险,采用质量细化分析方法,针对塑封半导体器件本身在材料、结构等方面的特点,做了塑封半导体器件失效模式与机理的原理探讨。
得出器件应用于产品前,应该进行温度适应性评估、二次筛选以及破坏性物理分析等先期工作。
关键词:塑封半导体器件; 可靠性; 温度适应性评估; 二次筛选; 破坏性物理分析中图分类号:TN304.05-34文献标识码:B文章编号:1004-373X(2010)16-0164-02Assurance Measures for Reliability of Plastic Semiconductor ComponentsZHANG Zhen-jian, LIU Wen-yuan(China Aeronautical Computing Technique Research Institute,Xi’an 710068,China)Abstract:In order to reduce the application risk of the plastic semiconductor components used in the field of high-reliability products, the method of detailed analysis of quality is adopted, aiming at the material and structure characteristics of semiconductor components, somefailure modes and principles of plastic semiconductor components are discussed. The conclusion is as follows: before thesecondary screening and destructive physical analysis should be conducted.Keywords:plastic semiconductor component; reliability; temperature adaptability evaluation; secondaryscreening;destructive physical analysis收稿日期:2010-03-19由于塑封半导体器件的体积、重量、价格等方面的优势,近年来广泛应用于国民生产的各个方面[1]。
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进
![塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进](https://img.taocdn.com/s3/m/e5329f07e418964bcf84b9d528ea81c759f52e4a.png)
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进【引言】塑封功率器件在现代电子设备中有着广泛的应用,其性能和可靠性对整个系统的稳定运行至关重要。
然而,塑封功率器件在长时间使用过程中,容易出现分层失效现象,严重影响器件的性能和寿命。
本文针对这一问题,对塑封功率器件的分层失效机理进行了深入研究,并提出了相应的工艺改进措施。
【塑封功率器件分层失效机理分析】塑封功率器件的分层失效主要与材料性质、封装过程影响和器件工作环境因素密切相关。
1.材料性质:塑封材料的选择对器件的可靠性具有重要影响。
不同的塑封材料具有不同的热膨胀系数和力学性能,容易在温度变化和机械应力作用下产生分层。
此外,塑封材料中的杂质和气泡也会降低其粘结性能,加速分层失效的产生。
2.封装过程影响:封装过程对塑封器件的可靠性也有很大影响。
封装过程中,塑封材料与器件引脚、芯片之间的界面结合力不足,容易导致分层。
此外,封装过程中的温度控制和压力分布对分层失效也有重要影响。
3.器件工作环境因素:长时间处于高温、高湿、高压等恶劣环境下的塑封器件,容易出现分层失效。
这是因为这些环境条件会加速塑封材料内部应力的累积和材料性能的退化。
【塑封功率器件分层失效的预防措施】针对塑封功率器件分层失效的机理,本文提出以下预防措施:1.材料选择:选用热膨胀系数匹配、力学性能优良且杂质含量低的塑封材料。
同时,尽量减少材料中的气泡和缺陷,提高其粘结性能。
2.封装工艺改进:优化封装过程中的温度控制和压力分布,提高塑封材料与器件引脚、芯片之间的界面结合力。
此外,采用分层失效敏感性低的封装工艺,如湿法分层封装工艺。
3.工作环境优化:尽量降低器件工作环境中的温度、湿度和压力等参数,以减缓塑封材料性能的退化和应力的累积。
【分层失效对器件性能的影响及评估】塑封器件的分层失效会导致其性能下降,甚至失效。
为评估分层失效对器件性能的影响,可通过电学测试、力学测试和热学测试等方法,对器件的导通特性、击穿电压、热稳定性等性能指标进行评估。
军用塑封器件失效机理研究和试验流程
![军用塑封器件失效机理研究和试验流程](https://img.taocdn.com/s3/m/9b55332b192e45361066f579.png)
入侵 、腐蚀 、开 裂 和 内部 分层 使得 塑封 器件 最初 被
认 为是 较容 易失 效 的产 品 .而这些 因素 恰恰 使得 塑
封 器件 被 限制 用 于高 应力 和高 可靠 的环境 中 于对潮湿 敏感 的非气 密性器 件 .
尽 管在 包封 材料 、芯 片钝 化 、加工 工 艺方 面 已取 得
验或 筛选试 验 因此很 难保 证采 购质 量等 级有保 障
的型 号批 塑封 器件 :另 外 .由于种种 原 因 ,国 内军
当吸 收 了潮气 的塑封 器件 暴露 在 回流焊 的高 温 下或 如果 封装 融人熔 融 焊料或 波 峰焊料 中 。内部 潮
气就 变成蒸 汽 .并迅 速地 膨胀 .很 容易 发生各 种 作
1 温度 形变 造成 的失效 . 3 塑 封器 件采 用整体 模 塑封装 结构 .包 括金 属框 架 、芯片 、芯 片与基 板 的粘接材 料 、内引线 以及塑
巨大 的进步 .随着 时间 的推移 .塑料封 装体 都将 从 大 气 中吸 收潮气 当封装 材料 中含有任 何 离子 杂质
时 ,就可 能产 生对 芯片 金属 化 的侵蚀 这 种情 况发
第 2期
盛念 :军 用 塑 封 器 件 失 效 机 理 研 究 和试 验 流 程
断 完 善器件 功 能设计 和 封装技 术 .掌握 如何 为 高成 品率 而控制 生产 工艺 的技 术 .却把 产 品的 、长期 的 质 量 与可靠 性 验证 留给 最终 用户 。特 别是 对于 购买 量少 的用 户包 括 国 内军 工用 户一 般不 在制 造商 中直
工用 户很难 采 购 到高等 级 的产 品 .能够采 购 到的高
等级 产 品在功 能上 很多 时候 又满 足不 了设 计师 的要
塑封器件常见失效模式及其机理分析
![塑封器件常见失效模式及其机理分析](https://img.taocdn.com/s3/m/cc8abb51dcccda38376baf1ffc4ffe473368fd8a.png)
塑封器件常见失效模式及其机理分析摘要:集成电路塑封器件的早期失效一般由设计或工艺失误所致,通过常规电性能检测和筛选可判别这些失效的器件。
而使用期失效则是由于器件的潜在缺陷引起,潜在缺陷的行为与时间和应力有关。
分析塑封器件常见失效模式及其机理,有助工程师在设计时充分考虑使用环境的特性,提高塑封器件的可靠性。
自1962年开始出现塑封半导体器件,因其在封装尺寸、重量和成本等方面的优势性,用户愈来愈多的采用塑封器件代替原先的金属、陶瓷封装器件。
但塑封器件在发展初、中期可靠性水平较低,在80年代之后,随着高纯度、低应力的塑封材料的使用,高质量的芯片钝化、芯片粘接、内涂覆材料、引线键合、加速筛选工艺及自动模制等新工艺技术的发展,使得塑封器件的可靠性逐步赶上金属封装与陶瓷封装的器件。
一般塑封器件的失效可分为早期失效和使用期失效,前者多是由设计或工艺失误造成的质量缺陷所致,可通过常规电性能检测和筛选来判别。
后者则是由器件的潜在缺陷引起的,潜在缺陷的行为与时间和应力有关,经验表明,受潮、腐蚀、机械应力、电过应力和静电放电等产生的失效占主导地位。
1 失效模式及其机理分析塑封器件,就是用塑封料把支撑集成芯片的引线框架、集成芯片和键合引线包封起来,从而为集成芯片提供保护。
塑封器件封装材料主要是环氧模塑料。
环氧模塑料是以环氧树脂为基体树脂,以酚醛树脂为固化剂,再加上一些填料,如填充剂、阻燃剂、着色剂、偶联剂等微量组分,在热和固化剂的作用下环氧树脂的环氧基开环与酚醛树脂发生化学反应,产生交联固化作用使之成为热固性塑料。
塑封材料不同于陶瓷材料和金属材料,它是一种高分子复合材料,其固有的有机大分子结构,使其本身存在较高的吸湿性,是一种非气密性封装。
塑封材料主要失效模式为:开路,短路,参数漂移,烧毁。
由于塑封器件是非气密性封装,在封装方面就存在一些缺点,最主要的缺点就是对潮气比较敏感。
受潮。
塑封材料会从环境中吸收或吸附水气,特别是当塑封器件处于潮湿环境时,会吸收或吸附较多的水气,并且在表面形成一层水膜。
IC失效分析(塑封体分层)
![IC失效分析(塑封体分层)](https://img.taocdn.com/s3/m/cc4c273d4b73f242336c5f43.png)
塑封器件常见失效模式及其机理分析1、受潮腐蚀对塑封器件而言,湿气渗入是影响其气密性导致失效的1)由于树脂本身的透湿率与吸水性,水气会直接通过塑封料包封层本体扩散到芯片表面;2)通过塑封料包封层与金属框架间的间隙,然后再沿着内引线与塑封料的封接界面进入器件芯片表面。
当湿气通过这两条途径到达芯片表面时,在表面形成一层导电水膜,并将塑封料中的Na+、CL-离子也随之带入,在电位差的作为下,会加速对芯片表面铝布线的电化学腐蚀,最终导致电路内引线开路。
随着电路集成度的不断提高,铝布线越来越细,因此,铝布线腐蚀对器件寿命的影响就越发严重。
其腐蚀机理均可归结为铝与离子沾污物的化学反应:由于水汽的浸入,加速了水解物质 (Na+、CL-)从树脂中的离解,同时也加速芯片表面钝化膜磷硅玻璃离解出(PO4)3-。
腐蚀过程中离解出的物质由于其物理特性改变,例如脆性增加、接触电阻值增加、热膨胀系数发生变化等,在器件使用或贮存过程中随着温度及加载电压的变化,会表现出电参数漂移、漏电流过大,甚至短路或开路等失效模式,且有些失效模式不稳定,在一定条件下有可能恢复自1962年开始出现塑封半导体器件,因其在封装尺寸、代替原先的金属、陶瓷封装器件。
但塑封器件在发展初、中期可靠性水平较低,在80年代之后,随着高纯度、低应力的塑封材料的使用,高质量的芯片钝化、芯片粘接、内涂覆材料、引线键合、加速筛选工艺及自动模制等新工艺技术的发展,使得塑封器件的可靠性逐步赶上金属封装与陶瓷封装的器件。
一般塑封器件的失效可分为早期失效和使用期失效,前者多是由设计或工艺失误造成的质量缺陷所致,可通过常规电性能检测和筛选来判别;后者则是由器件的潜在缺陷引起的,潜在缺陷的行为与时间和应力有关,经验表明,受潮、腐蚀、机械应力、电过应力和静电放电等产生的失效占主导地位。
塑封器件,就是用塑封料把支撑集成芯片的引线框架、塑封器件封装材料主要是环氧模塑料。
环氧模塑料是以环氧树脂为基体树脂,以酚醛树脂为固化剂,再加上一些填料,如填充剂、阻燃剂、着色剂、偶联剂等微量组分,在热和固化剂的作用下环氧树脂的环氧基开环与酚醛树脂发生化学反应,产生交联固化作用使之成为热固性塑料。
封装可靠性及失效分析(共66张PPT)
![封装可靠性及失效分析(共66张PPT)](https://img.taocdn.com/s3/m/a2eedf380622192e453610661ed9ad51f11d5449.png)
封装可靠性及失效分析
1.1芯片键合
失效机理
扩散 化学失效 热失配和热疲劳
影响芯片键合热疲劳寿命的因素
• 焊点形状对疲劳寿命的影响
• 焊点界面的金属间化合物
• 老化时间对接头强度的影响 ACF键合的剥离强度失效
铜引线上镀锡层的Whisker生长机理 铜引线上镀锡层的Whisker生长机理 焊点界面的金属间化合物 桥连过程的结果-能量变化 由热失配导致的倒装失效 桥连过程的结果-能量变化 由热失配导致的倒装失效 由热失配导致的倒装失效 老化时间对接头强度的影响 热膨胀系数不匹配导致的Whisker 焊点形状对疲劳寿命的影响 钎料合金的力学性能对寿命的影响 扩散引起的失效-电位移 老化时间对接头强度的影响 焊点形状对疲劳寿命的影响 桥连过程的结果-能量变化 钎料合金的力学性能对寿命的影响 焊点形状对疲劳寿命的影响 钎料合金的力学性能对寿命的影响
• 电位移引起的失效评估-防治措施
• 电位移导致的晶须短路
铜引线上镀锡层的Whisker生长机理
引线桥连缺陷
• 桥连发生的过程
• 桥连发生的过程解析
• 桥连过程的结果-能量变化
• 焊盘宽度的设计准则
• 墓碑缺陷
• 热膨胀系数不匹配导致的Whisker
钎料合金的力学性能对寿命的影响 老化时间对接头强度的影响 封装可靠性及失效分析 钎料合金的力学性能对寿命的影响 铜引线上镀锡层的Whisker生长机理 由热失配导致的倒装失效 影响芯片键合热疲劳寿命的因素 老化时间对接头强度的影响 1芯片键合 1芯片键合 ACF键合的剥离强度失效 焊点界面的金属间化合物 1芯片键合 桥连过程的结果-能量变化 桥连过程的结果-能量变化 ACF键合的剥离强度失效 疲劳寿命与应力和应变的关系 焊点形状对疲劳寿命的影响 疲劳寿命与应力和应变的关系 扩散引起的失效-电位移
元器件损伤以及失效风险评估
![元器件损伤以及失效风险评估](https://img.taocdn.com/s3/m/d3d1d04477232f60ddcca1cb.png)
元器件损伤以及失效风险评估声学成像结合电学测试,提供了探索塑料封装电学失效原因的方法。
为了确定塑封微电路(PEM)在使用过程中是否会失效,首先在NXP实验室中采用声学成像方法检测封装内部像裂痕这样的缺陷。
随后,元器件先后经历烘烤、浸湿、三次回流、电学测试、第二次声学成像以及物理检测。
对于适当的器件还需要进行额外的测试。
我们测试了上千种类型的元器件,包括:塑料四方扁平封装(PQFT)的变种,四方扁平无引线封装(QFN),球栅阵列(BGA)以及其它一些众所周知的PEM。
在回流焊后进行测试和声学成像的目的在于确定湿气敏感性等级(MSL),根据IPC/JEDEC标准,元器件的每一个部分都要设定该参数。
收集完整的测试数据,可以帮助我们全面地了解元器件内部损伤和可靠性之间的关系。
回流焊工艺中将塑封集成电路置于而不是键合在,没有键合点及走线的裸电路板上。
该电路板进行3次回流焊来模拟常规2次(因为电路板上既可能包含无铅器件,也可能包含有铅器件)回流焊,随后进行返工。
之所以没有将元器件键合到电路板之上,是因为随后还需要将其取下进行后续测试。
声学成像所观察到的内部损伤通常是由于PEM从大气中吸收湿气所造成的。
在回流焊过程中,湿气受热变成水蒸气,导致体积膨胀约1600倍。
所产生的压力通过封装内的裂痕释放,这样,该裂痕可能会导致元器件的电学失效。
电学失效可能由裂痕直接产生,也可能由裂痕引起的侵蚀间接产生,该失效可能立即发生,也可能经历一段时间发生。
测试最主要的目的是为每一种元器件建立合格标准,例如:器件存在2级(车间寿命为1年)裂痕,而不是2a级裂痕(车间寿命为4周)。
对于给定的PEM,测试经常可以预示损伤的程度,损伤的类型以及电学失效前可以承受的损伤量。
三次回流焊周期后,首先对每一个元器件进行电学测试,因为电学测试能够识别出那些由于足够的内部损伤所产生的开路或短路。
随后,对所有元器件,也包括那些电学失效的器件,进行声学成像。
塑封器件无损检测技术探讨
![塑封器件无损检测技术探讨](https://img.taocdn.com/s3/m/d81ad87331b765ce05081410.png)
Ke r s Pat n asltd y wo d : l i E cpuae Mi oi ut ( E ; l e t eet nn d s c v et sc c cr i r c s P M) a n d fc; o — et t ets t u r i
tc n lg e h oo y
D| ANz| CHANPI KE N KAoxt NG Yu A NG HU “l SHI AN Y
电 子产 品可 靠 性 与环 境 试 验
2 0 正 08
中的应 用 问题 进行 探讨
采购 过程 中 .混 批情 况时有 发生 .而且 发生混批 的
2 塑封 器 件 无 损 检 测技 术
V1 6N . e.2 0 o. o6D e 0 8 2 ,
塑封器件 无损检测技术探讨
林 湘 云 .徐 爱斌
( 业 和 信 息 化 部 电 子第 五 研 究 所 ,广 东 广州 5 0 1 ) 工 16 0
摘 要 :塑封器件由于其结构和材料等因素的影响>存在一些特有的潜在缺陷, 在其装入整机之前必须经过检
S u y o h n e t u tv s c n l g f t d n t e No -d sr c i e Te tTe h o o y o
Pl si c p u a e M i r cr u t a tc En a s l td c o i c i
L N a g y n, XU —b n I Xi n - u Ai i
收稿 日期 :2 0 — 8 2 080—6
作者 简 介 :林 湘 云 (9 1 ) 18 一 ,女 ,广 西玉 林人 ,工 业和信 息 化部 电子 第五研 究所 可靠性 研究 分析 中心 、 电子元 器件 可 靠性物 理及 其应 用技 术 国 家级 重点 实验 室助理 工程 师 。从 事 电子元 器件 D A、F P A和 元器件 质量 与可 靠性技 术工 作。
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进
![塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进](https://img.taocdn.com/s3/m/7e1fdc26c381e53a580216fc700abb68a982addb.png)
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进
塑封功率器件的分层失效是指器件塑封层在使用过程中发生分层、剥落或脱落的现象。
该现象会导致器件性能下降甚至失效,严重影响器件的可靠性和使用寿命。
塑封功率器件的分层失效机理主要有以下几个方面:
1. 温度应力:功率器件在工作状态下会产生较高的温度,而塑封层的热膨胀系数较高,容易导致塑封层与芯片之间的应力积累。
长期高温下的热循环会使得应力积累加剧,导致塑封层分层。
2. 湿热环境:湿热环境会导致塑封层与芯片之间的黏结强度降低,使得塑封层容易剥落和脱落。
3. 化学腐蚀:某些环境中的化学物质如气体、液体等会对塑封层产生腐蚀作用,引起塑封层分层失效。
为了改善塑封功率器件的可靠性和使用寿命,可以从以下几个方面进行工艺改进:
1. 优化塑封材料的选择:选择具有较高黏结强度和耐高温、耐湿热性能的塑封材料,以提高塑封层的抗剥落和抗分层能力。
2. 加强界面黏合强度:采取适当的工艺措施,如提高芯片表面的粗糙度、表面处理、引入黏合剂等,增加塑封层与芯片之间的黏合强度,防止塑封层分层。
3. 引入应力缓解结构:在芯片和塑封层之间引入应力缓解结构,通过设计合理的几何形状和结构以及材料选择,减少应力积累,降低分层失效的发生率。
4. 提高生产工艺控制水平:严格控制塑封功率器件的封装过程,包括温度、湿度、压力、时间等参数的控制,以及质量检测的加强,确保塑封层的质量稳定性。
通过以上的研究和工艺改进,可以提高塑封功率器件的可靠性和使用寿命,降低塑封层分层失效的风险,满足功率器件在各种工作条件下的可靠性要求。
塑封半导体器件的质量与可靠性
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塑封半导体器件的质量与可靠性【摘要】本文主要介绍了塑封半导体器件的运用情况、供应质量水平、主要失效模式,结合实际工作经验,通过对塑封器件失效原因进行统计分析,提出了开展塑封器件可靠性保障工作的建议。
【关键词】塑封;器件;质量与可靠性引言塑封半导体器件特别是贴片塑封半导体器件以其体积小、重量轻的优势,满足了航天武器系统小型化的需求,逐渐被用来替代金属或陶瓷封装的分立半导体器件。
受到封装材料、禁运和进货渠道的限制,装机的塑封半导体器件(以下简称塑封器件)质量等级多为工业级。
器件小型化和高集成度的飞速发展,受到质量保证能力的局限和滞后的影响,有许多器件在装机之前还没有手段进行相关的可靠性工作,其质量存在较大隐患。
近年来,国内元器件可靠性机构逐渐意识到塑封半导体器件的质量对整机的影响,开展了专题研究和试验,结合试验情况参考国际行业标准,对GJB4027-2000《军用电子元器件破坏性物理分析方法》进行了修订,在GJB4027A-2006中增加了贴片塑封电路的DPA,重要武器型号的质量保证大纲中都明确了对不能进行补充筛选的低等级器件(包括塑封器件)要制定相应的质量保证方案,通过一些可行的试验项目来考核器件的可靠性,考核合格的器件才允许装机使用,避免有质量隐患的器件使用到武器系统上,提高了武器系统的质量与可靠性。
1 塑封器件的供应质量水平塑封器件从价格、体积与金属和陶瓷封装相比都存在巨大的优势,但塑封器件的供应质量水平不能完全按照常规的质量等级来进行衡量。
在IPC-M-109中定义了潮湿敏感性元件,规定了由潮湿可透材料所制造的非气密性包装的分类程序,塑料器件为潮湿敏感器件。
在IPC/JEDEC J-STD-033标准中,潮湿敏感器件从低到高共分为8级,分级、储存环境和寿命如下:1级:温度≤30℃、湿度85%,无限;2级:温度≤30℃、湿度60%,1年;2a级:温度≤30℃、湿度60%,4周;3级:温度≤30℃、湿度60%,168h;4级:温度≤30℃、湿度60%,72h;5级:温度≤30℃、湿度60%,48h;5a级:温度≤30℃、湿度60%,24h;6级:温度≤30℃、湿度60%,时间在标签上。
IC失效分析 塑封体分层
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塑封器件常见失效模式及其机理分析1、受潮腐蚀对塑封器件而言,湿气渗入是影响其气密性导致失效的1)由于树脂本身的透湿率与吸水性,水气会直接通过塑封料包封层本体扩散到芯片表面;2)通过塑封料包封层与金属框架间的间隙,然后再沿着内引线与塑封料的封接界面进入器件芯片表面。
当湿气通过这两条途径到达芯片表面时,在表面形成一层导电水膜,并将塑封料中的Na+、CL-离子也随之带入,在电位差的作为下,会加速对芯片表面铝布线的电化学腐蚀,最终导致电路内引线开路。
随着电路集成度的不断提高,铝布线越来越细,因此,铝布线腐蚀对器件寿命的影响就越发严重。
其腐蚀机理均可归结为铝与离子沾污物的化学反应:由于水汽的浸入,加速了水解物质 (Na+、CL-)从树脂中的离解,同时也加速芯片表面钝化膜磷硅玻璃离解出(PO4)3-。
腐蚀过程中离解出的物质由于其物理特性改变,例如脆性增加、接触电阻值增加、热膨胀系数发生变化等,在器件使用或贮存过程中随着温度及加载电压的变化,会表现出电参数漂移、漏电流过大,甚至短路或开路等失效模式,且有些失效模式不稳定,在一定条件下有可能恢复自1962年开始出现塑封半导体器件,因其在封装尺寸、代替原先的金属、陶瓷封装器件。
但塑封器件在发展初、中期可靠性水平较低,在80年代之后,随着高纯度、低应力的塑封材料的使用,高质量的芯片钝化、芯片粘接、内涂覆材料、引线键合、加速筛选工艺及自动模制等新工艺技术的发展,使得塑封器件的可靠性逐步赶上金属封装与陶瓷封装的器件。
一般塑封器件的失效可分为早期失效和使用期失效,前者多是由设计或工艺失误造成的质量缺陷所致,可通过常规电性能检测和筛选来判别;后者则是由器件的潜在缺陷引起的,潜在缺陷的行为与时间和应力有关,经验表明,受潮、腐蚀、机械应力、电过应力和静电放电等产生的失效占主导地位。
塑封器件,就是用塑封料把支撑集成芯片的引线框架、塑封器件封装材料主要是环氧模塑料。
环氧模塑料是以环氧树脂为基体树脂,以酚醛树脂为固化剂,再加上一些填料,如填充剂、阻燃剂、着色剂、偶联剂等微量组分,在热和固化剂的作用下环氧树脂的环氧基开环与酚醛树脂发生化学反应,产生交联固化作用使之成为热固性塑料。
塑封器件失效机理及其可靠性评价技术
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塑封器件失效机理及其可靠性评估技术1引言塑封器件是指以树脂类聚合物为材料封装的半导体器件,其固有的特点限制了塑封器件在卫星、军事等一些高可靠性场合的使用。
虽然自70年代以来,大大改进了封装材料、芯片钝化和生产工艺,使塑封器件的可靠性得到很大的提高,但仍存在着许多问题。
这些潜在的问题无法通过普通的筛选来剔除,因此,要研究合适的方法对塑封器件的可靠性加以评定。
2失效模式及其机理分析塑封器件在没有安装到电路板上使用前,潮气很容易入侵,这是由于水汽渗透进树脂而产生的,而且水汽渗透的速度与温度有关。
塑封器件的许多失效机理,如腐蚀、爆米花效应等都可归结为潮气入侵。
2.1腐蚀潮气主要是通过塑封料与外引线框架界面进入加工好的塑封器件管壳,然后再沿着内引线与塑封料的封接界面进入器件芯片表面。
同时由于树脂本身的透湿率与吸水性,也会导致水汽直接通过塑封料扩散到芯片表面。
吸入的潮气中,如果带有较多的离子沾污物,就会使芯片的键合区发生腐蚀。
如果芯片表面的钝化层存在缺陷,则潮气会侵入到芯片的金属化层。
无论是键合区的腐蚀还是金属化层的腐蚀,其机理均可归结为铝与离子沾污物的化学反应:由于水汽的浸入,加速了水解物质(Cl -,Na+)从树脂中的离解,同时也加速了芯片表面钝化膜磷硅玻璃离解出(PO4)3-。
(1)在有氯离子的酸性环境中反应2Al±6HClf 2AlCl3±3H 2Al+3Clf AlCl3+3e-AlC13fAi(OH)2 +HCl(2)在有钠离子的碱性环境中反应2Al+2NaOH+2H20f 2NaAlO 2+3H2Al+3(0H)- f Al(OH)3+3e-2Al(OH)3fAi2 O3+3H2O腐蚀过程中离解出的物质由于其物理特性改变,例如脆性增加、接触电阻值增加、热膨胀系数发生变化等,在器件使用或贮存过程中随着温度及加载电压的变化,会表现出电参数漂移、漏电流过大,甚至短路或开路等失效模式,且有些失效模式不稳定,在一定条件下有可能恢复部分器件功能,但是只要发生了腐蚀,对器件的长期使用可靠性将埋下隐患。
塑封器件中高聚物的失效分析
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电
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总
第9 7期
ELECTRONI CS & P ACKA GI NG
2 1 5月 01 年
封 析
郝 秀云 ,杨 洁
中也是极 为重要 的封 装材料 。这类聚 合物材料 常常
1 引言
半导 体集 成 电路 I C技 术是 电子信 息 技术 的基
石 ,I c封装测试是 半导体产业的三大 支柱之一 ,I C 封装材 料是其 中的重要 因素 。热 固性聚 合物 作为重
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塑封装材料 ,在倒装焊芯片 F i C i l hp中作为硅芯片 p 与 P B基板之 间的填 充胶 Un ef l C d r l,在芯片级封装 i
2 失 效 分析
封装材 料的破 坏失效是 微 电子 器件失效及 可靠
CP S 、塑封球阵 列 P G B A及系统芯片 S C等封装形式 O
( 京 信 息职 业 技 术 学 院机 电学 院 ,南 京 2 4 ) 南 0 6 1 0
摘
要 :文章 分析 了塑封 器件中高聚物在封 装 固化过 程 中和使 用过程 中常 见的损伤或失效 ,结果表
明 :封 装 固化过程 中,当高聚物材料 收缩 受到周 围材料 的约束 时, 由于残 余应 力的存在 ,可引起 气
H i h Po y e iu eA n l ssi a tcPa ka i gD e ie g l m rFa l r a y i n Pl si c g n v c
HA O Xi— u , ANG Je uy n Y i
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进
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塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进(原创版)目录一、引言二、塑封功率器件的分层失效机理1.器件可靠性的重要性2.塑封功率器件的失效模式3.分层失效机理的研究三、工艺改进方法1.材料选择与优化2.封装设计与优化3.工艺参数的控制四、总结与展望正文一、引言随着科技的快速发展,电子器件在各个领域得到了广泛应用。
其中,塑封功率器件在高功率、高压、高频等应用场景中具有优势,其可靠性对整个应用系统的稳定性至关重要。
然而,在实际应用中,塑封功率器件的失效问题时有发生,影响了设备的正常运行。
因此,研究塑封功率器件的分层失效机理并提出相应的工艺改进方法具有重要意义。
二、塑封功率器件的分层失效机理1.器件可靠性的重要性在分析塑封功率器件的失效机理之前,首先要强调器件可靠性的重要性。
器件可靠性是指器件在规定的工作条件和规定的时间内,能够正常完成其功能的概率。
对于高功率、高压、高频应用场景,器件的可靠性尤为关键,因为它直接关系到整个应用系统的稳定性和安全性。
2.塑封功率器件的失效模式塑封功率器件在失效过程中,可能会出现多种失效模式,如电气失效、机械失效、热失效等。
这些失效模式可能导致器件性能下降、工作不稳定,甚至引发火灾等严重后果。
因此,研究塑封功率器件的失效模式,有助于我们更好地了解器件的失效机制,从而采取有效的预防措施。
3.分层失效机理的研究分层失效是指塑封功率器件在失效过程中,由于各种原因导致器件内部结构分层,从而引发失效。
常见的分层失效机理包括材料疲劳、热应力、界面反应等。
研究分层失效机理,有助于我们深入了解塑封功率器件失效的原因,从而为器件的优化设计提供理论指导。
三、工艺改进方法1.材料选择与优化材料是影响塑封功率器件失效的重要因素。
通过选择高可靠性的材料和优化材料的性能,可以有效提高器件的可靠性。
例如,选用具有良好热稳定性、高导热性能和低热膨胀系数的材料作为封装材料,可以降低器件的热失效风险。
2.封装设计与优化封装设计是影响塑封功率器件失效的另一个重要因素。
塑封IC常见失效及对策
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塑封IC常见失效及对策1 引言在现代激烈的市场竞争中,质量是企业的生命。
当一种产品的性能不合格时,我们通常称产品失效。
电子器件的失效可分为早期失效和使用期失效,前者多是由设计或工艺失误造成的质量缺陷所致,可以通过常规电参数检验和筛选进行检测,后者则是由器件中的潜在缺陷引起的,潜在缺陷的行为与时间和应力有关,经验表明,潮汽吸附、腐蚀和热机械应力、电过应力、静电放电等产生的失效占主导地位。
2 塑封IC常见失效塑封IC是指以塑料等树脂类聚合物材料封装的集成电路。
由于树脂类材料具有吸附水汽的特性,故限制了其在航天、航空等领域的应用。
其常见的失效有:(1)芯片破裂;(2)管芯钝化层损伤;(3)管芯金属化腐蚀;(4)金属化变形;(5)键合金丝弯曲;(6)金丝键合焊盘凹陷;(7)键合线损伤;(8)键合线断裂和脱落;(9)键合引线和焊盘腐蚀;(10)引线框架腐蚀;(11)引线框架的低粘附性及脱层(12)包封料破裂;(13)包封材料疲劳裂缝;(14)封装爆裂(“爆米花”)(15)电学过载和静电放电;(16)焊接点疲劳。
3 塑封IC失效分析中的理化分析方法理化分析是搞清失效机理的最先进的分析方法,以下简要介绍一些理化分析方法的基本原理及其在失效分析中的应用。
3.1 扫描电子显微镜扫描电子显微镜是运用电子束在样品上逐点扫描,引起二次电子发射,再将这些二次电子等信息转换成随试样表面形貌、材料等因素而变化的放大了的信息图像。
它与光学显微镜等相比,具有聚焦景深长、视野大、不破坏样品,并富有立体感,分辨率高,能观察lOnm以下的细节,放大倍数可以方便地在20-10万倍连续变化等优点,是目前最有效的一种失效分析工具。
3.2 电子微探针电子微探针是利用细电子束作为X射线的激发源,打在要分析的样品表面(穿透深度一般约1-3μm),激发产生出与被打击的微小区域内所包含元素的特征X射线谱,通过对特征X射线波长和强度的分析,来判断样品的成分和数量情况,对硅中缺陷、pn结区重金属杂质沉淀,半导体材料微区域杂质及扩散层剖面杂质等进行分析,以确定潜在的失效模式。
塑封 料、封装材料、环氧 塑封 料简介和 塑封 IC常见失效及对策
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塑封料、封装材料、环氧塑封料简介和塑封IC常见失效及对策塑封料、封装材料、环氧塑封料简介和塑封IC常见失效及对策上海常祥实业以"做您身边最卓越的电子防护融合方案服务伙伴"为公司的终极目标,公司本着"和谐互动全为您"的服务宗旨,为世界级的客户提供优质服务。
上海常祥实业有限公司结合自己的经验,再结合世界顶级客户的实践,对塑封料做了简单的介绍和在塑封IC的过程中常见的失效现象以及对策做了总结,提出以下看法,供爱好者参考.塑封料,又称环氧塑封料(塑封料,EpoxyMoldingCompound)以其高可靠性、低成本、生产工艺简单、适合大规模生产等特点,占据了整个微电子封装材料97%以上的市场。
现在,它已经广泛地应用于半导体器件、集成电路、消费电子、汽车、军事、航空等各个封装领域。
环氧塑封料作为主要的电子封装材料之一,在电子封装中起着非常重要的作用,封装材料除了保护芯片不受外界灰尘、潮气、离子、辐射、机械冲击外,还起到了机械支撑和散热的功能。
随着芯片的设计业、制造业和封装业的发展,环氧塑封料也得到了快速的发展。
先进封装技术的快速发展为环氧塑封料的发展提供巨大的发展空间的同时也给环氧塑封料的发展提出了很大的挑战。
塑封料专家刘志认为:满足超薄、微型化、高性能化、多功能化,低成本化、以及环保封装的要求,是当前环氧塑封料工艺所面临的首要解决问题。
一塑封料发展状况1环氧塑封料的发展历程早在20世纪中期,塑料封装半导体器件生产的初期,人们曾使用环氧、酸酐固化体系塑封料用于塑封晶体管生产。
但是由于玻璃化温度(Tg)偏低、氯离子含量偏高等原因,而未被广泛采用。
1972年美国Morton化学公司成功研制出邻甲酚醛环氧-酚醛树脂体系塑封料,此后人们一直沿着这个方面不断地研究、改进、提高和创新,也不断出现很多新产品。
1975年出现了阻燃型环氧塑封料,1977年出现了低水解氯的环氧塑封料,1982年出现了低应力环氧塑封料,1985年出现了有机硅改性低应力环氧塑封料,1995年前后分别出现了低膨胀、超低膨环氧塑封料,低翘曲环氧塑封料等,随后不断出现绿色环保等新型环氧塑封料。
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塑封器件失效机理及其可靠性评估技术1 引言塑封器件是指以树脂类聚合物为材料封装的半导体器件,其固有的特点限制了塑封器件在卫星、军事等一些高可靠性场合的使用。
虽然自70年代以来,大大改进了封装材料、芯片钝化和生产工艺,使塑封器件的可靠性得到很大的提高,但仍存在着许多问题。
这些潜在的问题无法通过普通的筛选来剔除,因此,要研究合适的方法对塑封器件的可靠性加以评定。
2 失效模式及其机理分析塑封器件在没有安装到电路板上使用前,潮气很容易入侵,这是由于水汽渗透进树脂而产生的,而且水汽渗透的速度与温度有关。
塑封器件的许多失效机理,如腐蚀、爆米花效应等都可归结为潮气入侵。
2.1 腐蚀潮气主要是通过塑封料与外引线框架界面进入加工好的塑封器件管壳,然后再沿着内引线与塑封料的封接界面进入器件芯片表面。
同时由于树脂本身的透湿率与吸水性,也会导致水汽直接通过塑封料扩散到芯片表面。
吸入的潮气中,如果带有较多的离子沾污物,就会使芯片的键合区发生腐蚀。
如果芯片表面的钝化层存在缺陷,则潮气会侵入到芯片的金属化层。
无论是键合区的腐蚀还是金属化层的腐蚀,其机理均可归结为铝与离子沾污物的化学反应:由于水汽的浸入,加速了水解物质(Cl -,Na+)从树脂中的离解,同时也加速了芯片表面钝化膜磷硅玻璃离解出(PO4)3-。
(1)在有氯离子的酸性环境中反应2Al±6HCl→2AlCl3±3H 2Al+3Cl→AlCl3+3e-AlCl3→Al(OH)2 +HCl(2)在有钠离子的碱性环境中反应2Al+2NaOH+2H2O→2NaAlO 2+3H2Al+3(OH)- →Al(OH)3+3e-2Al(OH)3→Al2 O3+3H2O腐蚀过程中离解出的物质由于其物理特性改变,例如脆性增加、接触电阻值增加、热膨胀系数发生变化等,在器件使用或贮存过程中随着温度及加载电压的变化,会表现出电参数漂移、漏电流过大,甚至短路或开路等失效模式,且有些失效模式不稳定,在一定条件下有可能恢复部分器件功能,但是只要发生了腐蚀,对器件的长期使用可靠性将埋下隐患。
2.2 爆米花效应塑封器件在焊接期间传导到器件上的热有三种来源:红外回流焊加热、气相回流焊加热和波峰焊加热。
红外加热的峰值温度是235~240 ℃,时间10 s;气相加热温度215±5 ℃,40 s;波峰焊加热温度260±5 ℃,5 s。
在器件受热过程中,由于管壳中所吸附的水分快速汽化,内部水汽压力过大,使模制材料(环氧树脂化合物)膨胀,出现分层剥离和开裂现象,俗称“爆米花”效应。
管壳开裂既可在膨胀过程中出现,也可在冷却和收缩到其正常尺寸过程中发生。
这些裂缝会给水分和污染物的侵入提供通道,从而影响长期可靠性,而且在模制材料膨胀过程中,内部产生的剪切应力会影响焊线的完好性,特别是在芯片角应力最大时,会导致键合线翘起、键合接头开裂和键合引线断开,引起电失效。
这一现象与焊接过程的温度变化范围、封装水分含量、封装尺寸和模压材料粘合力有关。
这种效应在大管脚数的塑封器件上更为强烈。
2.3 低温/温冲失效通常由元器件生产厂商提供的塑封器件对温度要求不高,能满足如下三种温度范围的要求即可:0~70 ℃(商业温度)、-40~85 ℃(工业温度)、-40~125 ℃(汽车温度),这些范围比传统的军用温度范围(-55~125 ℃)要窄。
但大量的失效案例表明,即使在这三种温度范围内,失效的塑封器件比例依然很高,对失效的器件失效分析表明,外界温度冲击或低温环境造成的塑封材料对芯片的应力是主要机理。
(1)封装分层。
在从室温到极端寒冷环境的热循环过程中,模压复合物与基片或引线框之间的热膨胀系数差异可造成分层和开裂。
在极端低温下,由于贮存操作温度和密封温度之间的差异很大,因此导致分层和开裂的应力也非常大。
并且,随着塑料在极端低温下耐开裂强度的下降,开裂的可能性也随之增加(封装经过-55~125 ℃的热循环时,引线框尖锐边缘处就会出现开裂和分层)。
另外,潮湿对低温下关键基片,即封装材料界面上的分层还会产生加速效应。
这种加速效应可由封装内凝结水汽的冻结和解冻所引起。
(2)对芯片的机械应力。
由于塑封料和硅的线性热膨胀系数相差一个数量级,可使器件在温度变化的环境里,塑封料在芯片上移动。
这种应力对芯片表面结构构成一种剪切力,它首先使芯片上附着力弱的金属化层向芯片中心滑移,造成金属化铝条间开路或短路;也可能造成钝化层或多晶硅层破裂,多层金属化上下层间短路。
另外,塑封料在工作温度下会对芯片有一个压应力。
温度越低,压应力越大。
同时塑封料中加了石英砂填料,以其尖锐的角尖接触芯片,塑封料的压力传递到芯片上,刺破钝化层和金属层造成开路或短路,也会造成IC中的元器件参数变化。
2.4 闩锁或EOS/ESD因电路闩锁或EOS/ESD损伤,会造成芯片上局部高温区塑料碳化的现象,这是因通过导电塑料的电流旁路过热而引起的。
由于这种失效机理使封装剂退化,使其绝缘电阻受到损耗而导电。
大电流沿着这条导电通道并通过塑料从电源输送到地线,不断使塑料发热,最终使塑封器件烧毁。
2.5 生产工艺缺陷(1)芯片粘接缺陷。
这些缺陷包括芯片与其基片粘接不良、粘接材料中有空洞,造成热分布不均(局部热点)、芯片剥离或裂纹,此外,空洞还可截留潮气和沾污物。
这些缺陷可导致致命失效。
(2)封装缺陷。
常见的封装缺陷包括气泡、粘接不良(剥离)、芯片的基片位移和引线弯曲不当。
此外,模制化合物含有杂质或沾污物。
这些缺陷可造成塑封开裂、金属化层变形、焊头翘起、互连线腐蚀断开、电气开路、短路或中断等等,因而使器件失效;粘接不良(剥离)是由于引线框架表面受到沾污或在键合温度下受到氧化而造成的。
其他原因还包括应力消除不足和脱模剂过量等。
(3)钝化层缺陷。
钝化层缺陷包括开裂、孔隙和粘接不良。
这些缺陷会造成电气开路、中断或漏电流大。
3 塑封器件可靠性评价对于塑封器件的可靠性评价主要方面是缺陷暴露技术,而缺陷在器件使用前很难通过常规的筛选来发现,一旦器件经过焊接或实际工作时就会显露出来,造成组件的故障。
3.1可靠性试验项目、试验目的及试验方法:(1)高温反偏试验目的:评定二极管在长时间电应力(电压、电流)和温度应力(包括电负荷造成的温升)作用下的承受能力。
质量差的原件在这种条件下较容易失效,以此可判定此批产品性能的优劣,一般二极管采用80%额定击穿电压,125℃环境温度试验判断。
工作原理图如下:(2)电耐久试验目的:评定三极管在长时间电应力(电压、电流)和温度应力(包括电负荷造成的温升)作用下的承受能力。
质量差的原件在这种条件下较容易失效,以此可判定此批产品性能的优劣。
工作原理图如下:(3)高温储存试验目的:二、三极管或电路器件长时间高温储存,可通过热应力加快管体的化学、物理反应,使潜在的失效因素提早暴露,从而达到试验目的。
(4)低温储存试验目的:考核器件承受低温而不改变其特性的能力,由于各种材料的收缩率各有不同,如器件长时间处于低温状态会造成应力集中,可能会使其参数发生变化,低温储存试验便是用来考核器件的这些特性。
(5)稳态湿热试验目的:器件在高温高湿情况下,封装结构或材料缺陷处会有潮气和杂质侵入,从而影响器件的电性和结构性能,此试验主要考核器件的密封性能。
潮气的入侵是与时间相关的,时间越长,湿度越大,则塑封器件内潮气达到饱和的时间越短。
同时这种失效还会受到温度、湿度共同作用的影响,因此采取温度、湿度综合应力,开展加速试验。
针对不同的塑封器件,可以制定相应的试验方案,也可以采用经验值,即85℃,85%RH,500 h进行高温潮热试验。
经过稳态湿热试验后的塑封器件经过焊接工艺后取下,进行声学扫描检查,分析其引线框架与封装材料、芯片与封装材料的分层情况,做出此批器件是否通过高温潮热试验的判断。
(6)温度循环试验目的:器件从二个不同温度的储存箱中交替存放很短的时间,考验器件对温度循环的承受能力和器件内部不同材料热膨胀系数的匹配情况。
(7)热冲击试验目的:为了确定器件经受突然暴露到剧烈变化的温度中的能力。
(8)正向浪涌试验目的:测试器件的抗大电流冲击能力。
(9)高压蒸煮试验目的:测试器件的耐热、耐潮湿特性以及其可靠性(10)可焊性试验目的:测试器件的易焊性试验方法:a小球平衡法(适用于贴片封装器件):Ⅰ将一定量的锡球放在测试台上加热熔化,产品置于测试探针的下方,调节产品管脚与锡球在同一垂直面上。
Ⅱ测试时设备自动将产品压向熔化的锡球,当产品引脚与锡球接触时,测试仪器开始计时Ⅲ测量过程中,当引脚与锡球接触并继续插入时,样件会受到浮力作用,随着锡对引脚的逐渐润湿,浮力逐渐被表面张力低消,曲线有负向正变化,当合力为零时,记录的时间称为过零时间;测试继续进行,合力值增大,当合力不再随时间而变化时,此时刻的润湿力最大。
Ⅳ设备继续自动将产品上移,此时样件同样受到向上的浮力及表面张力,合力慢慢减小,当合力减小到零时,记录时间为上升时间。
Ⅴ过零时间和上升时间越短,说明润湿过程发生越迅速,Fmax越大,说明润湿过程中对引脚的润湿程度越大,沾锡量越多。
Ⅵ标准:过零时间T0:<1s 上升时间T:<3s 安定度Sb:〉0.8 b润湿法:(适用于中大功率器件):Ⅰ将温度恒温在255℃±5℃;Ⅱ用镊子夹住一端管脚,将测量另一端浸入助焊剂中,浸至管脚与胶体相接处为止,浸泡3秒钟后取出;Ⅲ将浸泡过助焊剂的管脚以每秒1cm的速度浸入焊锡槽中,至引线与胶体相连处为止;Ⅳ 3秒钟后,以每秒1cm之速度垂直取出;Ⅴ用酒精将管子清洗干净后,目视管脚,以胶体与管脚交接处1.27mm以外面积需有95%以上附有焊锡为合格,针孔面积≤3%。
(11)耐焊接热试验目的:测试器件在260℃左右的焊接高温下的承受能力。
试验方法:将器件固定夹具上,垂直插入锡槽,锡液面距塑封体1mm,保持10SEC 后迅速取出。
(12)MSL湿度敏感性等级试验试验目的:鉴别非气密性固态表面贴装器件对潮气产生的应力的敏感度分级,使塑料封装产品可以被正确地包装、贮存和搬运,以免其在回流焊贴装和/或修理操作中引起损伤。
试验流程:潮气敏感度级别分级表:失效标准在试验样品中,如一个或大于一个失效,这种封装形式将被认为预定的试验级别失效。
若存在下例任一情况,则认为样品失效:在40倍光学显微镜下看到外部开裂;·电性能测试失效;·贯穿一焊接的金丝、金球压点或楔形压点的内部开裂;·内部开裂延伸从任意引线脚到其他内部的界面(引线脚、芯片、芯片托板);·内部开裂延伸从任意内部的界面到塑封体的外部大于2/3的长度;·通过裸视,明显的看到塑封体平面的变化是由于翘曲、肿胀或膨胀,如样品仍然满足共平面和下沉尺寸的话,可认为通过。