模拟电子技术试卷及答案

《模拟电子技术》试卷

一.填空题(每空1分,共30分)

1．P型半导体掺入三价元素，多子是自由电子，少子是空穴。

2．PN结主要特性是具有单向导电性，即正导通，反向截止。

3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在截止区或饱和区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。6．功率放大电路的主要作用是向负载上提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入 a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电路、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电压串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为PMOS 和NMOS 型。二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

C D A B

1．常温下，硅二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V；锗二极管的开启电压约______V，导通后在较大电流下的正向压降约______V。C

A) 0.3，0.5，0.5，0.7 B) 0.5，0.7，0.3，0.5

C) 0.5，0.7，0.1，0.2 D) 0.3，0.5，0.1，0.2

2．下图中的3种特性曲线，依次属于哪种场效应管？正确的说法是（ D ）

A) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

B) P沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；结型N沟道耗尽型

C) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道结型；N沟道增强型MOSFET

D) N沟道耗尽型MOSFET；N沟道增强型MOSFET；N沟道结型

3．在共射基本放大电路中，当β一定时，在一定范围内增大I E，电压放大倍数将（ A）

A) 增加B) 减小

C) 不变D)不能确定

4．如图所示差分放大电路中，为提高抑制零点漂移的能力，试问采用下列（ B ）措施好。

A) 提高电源电压B) 采用恒流源差分电路

C) 减小工作点电流D)加大R C

5．功率放大电路按（ A ）原则分为甲类，甲乙类和乙类三种类型。 A) 按三极管的导通角不同 B) 按电路的最大输出功率不同 C) 按所用三极管的类型不同 D) 按放大电路的负载性质不同 6．理想集成运算放大器的放大倍数A u ，输入电阻R i ，输出电阻R o 分别为（ C ）

A) ∞，0，∞ B) 0，∞，∞ C) ∞，∞，0 D) 0，∞，0 7．正弦波振荡电路的起振条件是（ B ）。 A)

；1>F A

B) πϕϕn 2=+f a ；1>F A C) πϕϕn f a 2=+；1=F A

D) ；1=F A

8．共模抑制比K CMR 是（ D ）

A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值

B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值 9．下列说法中正确的是（ D ） A) 任何放大电路都有功率放大作用

B) 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真 C) 若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈

D) 若放大电路引入电压负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变

10．放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。 A) 耦合电容和旁路电容的存在 B) 半导体管极间电容和分布电容的存在 C) 半导体管的非线性特性 D) 静态工作点不合适

三．（8分）计算下图放大器的静态工作点及电压放大倍数，已知Ucc=12V ，Rb1=20K ，Rb2=10K ，Re=2K ,Rc=2K ，R L =6K ，β=40,r be =1K 。

四．（6分）设硅稳压管D 1和D 2的稳定电压分别为5V 和10V ，正向压降均为0.7V ，求：

①稳压管接法如图，求输出电压O U 。

②若两只稳压管方向均相反，求O U 。 ③若D 1方向不变，D 2方向相反，求O U 。

U o V

D 2

251k D 1

五．（9分）下图中三极管均为硅管，R

B 和R

C

的电阻值选取合适，从偏置情

况分析判断下图中各三极管的工作状态。

（1）（2）（3）

六、（9分）设图中的运算放大器都是理想的，试写出u o1、u o2和u o的表达式。

七．(10分)计算下图二级放大器的电压放大倍数，输入、输出电阻。已知：Rb1 = Rb2 = 280K ，Rc1 = Rc2 = 3K ，R L = 3K ，U CC = 12V ，β= 50，r be1 = r be2 = 950Ω。

八．（8分）在图示的单相桥式整流电路中，分析：

①如果VD 3接反，则会出现什么现象? ②如果VD 3被开路, 则会出现什么现象?

u 2

R L

u o

VD1

VD4

VD3

VD2u 1

《模拟电子技术》试卷答案

一.填空题(每空1分,共30分)

1．P型半导体掺入 3 价元素，多子是自由电子，少子是空穴。2．PN结主要特性是单向导电性，即正向导通，反向截止。3．三极管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。4．在模拟放大电路中，三极管一般工作在输出特性的放大区；在数字电路中三极管一般工作在饱和区或截止区，此时也称它工作在开关状态。

5．幅度失真和相位失真统称为频率失真，它属于线性失真。6．功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的输出功率，乙类功率放大电路的效率最高。

7．放大电路中为了稳定静态工作点，应引入a （a.直流负反馈，b.交流负反馈）。

8．三极管串联型稳压电路由取样电路、基准电压、比较电路和调整电路四大环节组成。

9．分压式偏置电路具有稳定静态工作点作用，其原理是构成电流串联负反馈。

10．集成运算放大器是直接耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为同相输入端和反相输入端，前者的极性与输出端同相；后者的极性同输出端反相。

11．根据MOS管导电沟道的类型，可分为NMOS 和PMOS 型。二、单项选择题（每题2分，共20分，将答案填在下表中）