中科院微电子所复试真题
电子科技大学微机原理复试试题题库
电子科技大学微机原理复试试题微机原理第一章练习题及解一：单项选择题●若二进制数为010111.101，则该数的十进制表示为（ B ）。
A：23.5 B：23.625C：23.75 D：23.5125●若无符号二进制数为11000110，则该数的十进制表示为（ A ）。
A：198 B：70C：126 D：49●十进制数81的8421BCD码为（ A ）。
A：81H B：51HC：18H D：15H●11000110为二进制原码，该数的真值为（ A ）。
A：-70 B：+70C：-198 D：+198●11000110为二进制补码，该数的真值为（ D ）。
A：+198 B：-198C：+58 D：-58●01000110为二进制补码, 该数的真值为（ A ）。
A：+70 B：-70C：+58 D：-58●字符A的ASCII码为41H，字符a的ASCII码为（ C ）。
A：41H B：42HC：61H D：62H●字符A的ASCII码为41H，字符B的ASCII码为（ B ）。
A：41H B：42HC：61H D：62H●字符9 的ASCII码为（ C ）。
因为9与A之间有7个字符A：09H B：9C：39H D：99●8位二进制数的原码表值范围为（ C ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的反码表值范围为（ C ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的补码表值范围为（ B ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的无符号数表值范围为（ A ）。
即无符号位A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●n+1位符号数X的原码表值范围为（ A ）。
2006年中国科学院大学复试专业综合试题【圣才出品】
2006年中国科学院大学复试专业综合试题必答题（共60分）1．请解释下列概念（5分）杨氏模量；居里温度；布拉格衍射；布拉菲点阵；吉布斯自由能；2．12126 C 及C ＝12.011各表示什么意义。
（5分） 3．一个盛半杯水的杯子放在天平的左端，右端放砝码使其平衡。
将一个体积为10立方厘米重50克的石头放入这杯水中，这时为使其平衡右端应放多大砝码？如果用绳子将石头吊在架上，再将其浸入这杯水中，使其平衡右端应放多大砝码？（6分）4．某年级60人中有2/3的同学爱打乒乓球，3/4爱踢足球，4/5的同学爱打篮球，这三项运动都爱好的有22人。
这个年级中三项运动都不爱好的最多有多少人？请说明理由。
（4分）5．很多景区里设有供游人休息的水泥桌凳或铸铁桌凳，在炎热阳光的照射下，用手摸户外的水泥桌凳和铸铁桌凳，会感到铸铁桌凳比水泥桌凳烫手，请解释该现象的原因？（6分）6．一个直角三角形的斜边用一条直角锯齿线代替，并使锯齿线长等于两直角边长之和。
当锯齿趋向无穷多个时，锯齿线长等于斜边长。
进而推论出斜边长等于两直角边长之和的谬论。
请解释该推论出错的原因。
（6分）7．温度计中的测温介质通常选择汞、酒精等，而不是选用水，请说明原因。
（6分）8．在托盘天平上，用四只砝码可以一次称量一个在1－40克间具有任意整数质量的物体，这四只砝码的质量（克）应为： （4分）A ．1，7，11，21B ．1，5，7，27C ．1，3，9，27D ．2，3，11，249．金属块体M 表面氧化反应后形成MO （2M ＋O 2＝2MO ），使M 的质量增加，如果单位面积增重为△W ，且符合（△W ）2＝kt 。
k 为常数，t 为时间，)exp(0T k Q k k B -=。
k 0为常数，Q 为激活能，k B 为玻耳兹曼常数，T 为绝对温度。
请写出确定k 和Q 值的具体试验方案和步骤（包括主要仪器或测量工具）。
（8分）10．写一篇短文（500字左右），论述国家创新能力与下列因素的关系：①综合国力；②人员素质；③政策与法规；④仪器、设备；⑤文化与社会环境；或其它你认为重要的因素。
微电子笔试（笔试和面试题）有答案
微电子笔试（笔试和面试题）有答案第一部分：基础篇（该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。
若不清楚就写不清楚）。
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。
数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。
模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。
例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。
数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。
这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。
在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。
FPGA是英文Field－Programmable Gate Array的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD 等可编程器件的基础上进一步发展的产物。
它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。
2、你认为你从事研发工作有哪些特点？3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。
基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。
欧姆定律: 电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。
4、描述你对集成电路设计流程的认识。
模拟集成电路设计的一般过程：1.电路设计依据电路功能完成电路的设计。
2.前仿真电路功能的仿真，包括功耗，电流，电压，温度，压摆幅，输入输出特性等参数的仿真。
中国科学院微电子研究所 2009年真题
中国科学院微电子研究所2009年招收攻读硕士学位研究生入学统一考试试题科目名称：半导体物理、器件及集成电路考生须知：1.本试卷满分为150分,全部考试时间总计180分钟。
2.所有答卷必须写在答题纸上,写在试题纸上或草稿纸上一律无效。
一、（40分）解释下列名词及概念1．空穴2．杂质补偿作用3．本征半导体4．热载流子5．非平衡载流子的寿命6．隧道击穿7．欧姆接触8．表面态二、（50分）简答题1．简述禁带变窄的原因；2．画出NMOSFET的剖面图和管芯顶视图；3．画出双极性npn晶体管、横向pnp晶体管和衬底pnp晶体管的剖面图；4．简述霍耳效应；5．画出CMOS反相器的电路图并简述其性质。
科目名称：半导体物理、器件及集成电路共2 第1页三、（20分）在实际的硅、锗中，价带中起作用的能带是极值相重合的两个能带，与两个能带相对应的轻空穴有效质量为pl m ，重空穴有效质量为ph m 。
证明：硅、锗中价带顶空穴有效质量为=*p m 322323])()[(ph pl m m +四、（20分）已知锗中本征电阻率为cm i ⋅Ω=9.44ρ。
现在锗中掺入施主杂质和受主杂质，其浓度分别为31410-=cm N D 和313107-⨯=cm N A ，加一定电场强度的电场后电流密度为2/40cm mA j =。
求所加电场强度E 的大小。
)/(39002s V cm u N ⋅=)/(19002s V cm u p ⋅= 五、（20分） 用光照射N 型硅的半导体表面，在表面处均匀地产生非平衡载流子的浓度为31310)0(-=∆cm p ，已知迁移率)/(13502s V cm u N ⋅=、)/(5002s V cm u P ⋅=，非平衡载流子的寿命为s p 610-=τ。
求：（1）少子扩散长度；（2）在离表面两个扩散长度处的少子浓度；（3）在离表面两个扩散长度处的空穴扩散电流密度；科目名称：半导体物理、器件及集成电路 共2 第2页。
2019年中国科学院微电子研究所科教中心培训主管招聘试题及答案解析 .doc
2019年中国科学院微电子研究所科教中心培训主管招聘试题及答案解析1、下列选项中，最能体现出法定公文的“规范性”的是（）。
单项选择题A、由法定机关或组织制发B、从文种名称到行文关系等，国家有关部门都作出严格规定C、内容必须完全符合党和国家的各项方针、政策D、针对公务活动中的某个问题而制发【答案】A【解析】公文是国家机关、团体及企事业单位在行使职权和实施管理的过程中形成的具有法定效力与规范体式的文书，是进行公务活动的重要工具。
最能体现出法定公文的“规范性”的是公文是由法定机关或组织制发。
2、衡量一台计算机优劣的主要技术指标通常是指（）。
单项选择题A、所配备的系统软件的优劣B、CPU、运算速度和存储容量等C、显示器的分辨率、打印机的配置D、硬盘容量的大小【答案】B【解析】衡量—台计算机优劣的主要技术指标通常是看电脑的CPU、运算速度和存储容量。
故本题答案选B。
3、浏览器软件浏览网站时，“收藏夹”的作用是（）。
单项选择题A、记住某些网站的地址B、复制网页上的内容C、打印网页中的内容D、隐藏网页中的内容【答案】A【解析】浏览器软件浏览网站时，“收藏夹，，的作用是记住用户常用网站的地址。
故本题答案选A。
4、各级机关公文处理的管理机构是（）。
单项选择题A、办公厅(室)B、收发室C、人事处D、档案室【答案】A【解析】《党政机关公文处理工作条例》第7条规定，各级党政机关办公厅（室）主管本机关的公文处理工作，并对下级机关的公文处理工作进行业务指导和督促检査。
故本题答案选A。
5、《XX市人民政府关于控制烟花爆竹销售燃放的通告》的主要特点是（）。
单项选择题A、被动服从性B、知照性，需要人们周知的事情C、教育性，以引起人们的警觉和注意D、较强的时效性【答案】B【解析】《党政机关公文处理工作条例》第8条规定，通告适用于在一定范围内公布应当遵守或者周知的事项。
故本题答案选B。
6、我国事业单位管理制度改革的基本方式是进行（）。
微电子学面试试题
模拟电路1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子）2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。
（未知）3、最基本的如三极管曲线特性。
（未知）4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。
（仕兰微电子）5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性和非线性失真，有效地扩展放大器的通频带，自动调节作用）（未知）6、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？（仕兰微电子）7、频率响应，如：怎么才算是稳定的，如何改变频响曲线的几个方法。
（未知）8、给出一个查分运放，如何相位补偿，并画补偿后的波特图。
（凹凸）9、基本放大电路种类（电压放大器，电流放大器，互导放大器和互阻放大器），优缺点，特别是广泛采用差分结构的原因。
（未知）10、给出一差分电路，告诉其输出电压Y+和Y-,求共模分量和差模分量。
（未知）11、画差放的两个输入管。
（凹凸）12、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。
并画出一个晶体管级的运放电路。
（仕兰微电子）13、用运算放大器组成一个10倍的放大器。
（未知）14、给出一个简单电路，让你分析输出电压的特性（就是个积分电路），并求输出端某点的rise/fall时间。
(Infineon笔试试题)15、电阻R和电容C串联，输入电压为R和C之间的电压，输出电压分别为C上电压和R 上电压，要求制这两种电路输入电压的频谱，判断这两种电路何为高通滤波器，何为低通滤波器。
当RC<<T时，给出输入电压波形图，绘制两种电路的输出波形图。
（未知）16、有源滤波器和无源滤波器的原理及区别?（新太硬件）17、有一时域信号S=V0sin(2pif0t)+V1cos(2pif1t)+V2sin(2pif3t+90),当其通过低通、带通、高通滤波器后的信号表示方式。
（未知）18、选择电阻时要考虑什么？（东信笔试题）19、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P 管还是N管，为什么？（仕兰微电子）20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。
中科院微电子所,面试
竭诚为您提供优质文档/双击可除中科院微电子所,面试篇一：我的面试经历我今年面试的设计，进去面试自我介绍时把自己的研究方向说一下，一般有设计、器件和工艺三种。
也可以说细一点，比如说器件想做gaas之类的，但需要对这方面有一定了解，别到时候弄巧成拙。
如果暂时还没有方向，可以不说那么细。
我进去之后，自我介绍完，老师跟我闲聊了3到4分钟，然后开始问我专业课了，一般都会问毕设，关于毕设，建议面试前找老师或者学长详细了解其中的过程，以及其中一些关键的东西。
设计的还会问有没有做过什么项目或者课程设计之类的东西。
我的话，老师问了我毕设和课程设计，刚开始问了我一个概念，我也忘了具体是什么了，我不会，我当时就跟老师这个我不会，后来在问课程设计的过程中问了我nmos和pmos谁的迁移率大？大多少？我的面试就这些了。
我们学校其他同学的一些面试情况。
一个面试设计的女生，问了信号系统的几个问题，一个是什么是线性时不变系统，还有一个是抽样定理是什么，为什么是2倍以及对于一个正弦波对其进行抽样后，要想无失真恢复其波形，最少应该在一个周期内采样几点。
还有就是问了她关于课程设计的一些东西。
一个男生也是面试设计，问了信号系统的问题，dFt与z变换的关系。
我们三个初试考的都是信号与系统，我的话老师就没问我信号系统的问题，问的问题一般来说随机性很大，老师想到什么了，就问什么了，但是问的问题跟你之前说的方向有关。
还有一个面试设计的同学，老师问了数字电路跟模拟电路的区别，d触发器的建立时间和保持时间是什么。
其他一些面试器件跟工艺的同学，器件类的,老师问了空穴与空位的区别，散射机构有哪些，这些机构的原理又是什么。
说说能带论，迁移率与什么有关，为什么。
能想起来的就这么多了。
如果面试器件的话，把半导体物理好好看一下，基本都能答出来，问的问题都很常规，复习的时候不要想着老师问的问题你都会，也不可能让你都答出来，答出个大概就行。
工艺的，问了为什么现在的半导体其材料大部分都是si以及si有哪些特性。
中兴通讯微电子研究院社会招聘面试题库（数字硬件）
中兴通讯微电子研究院社会招聘面试题库（数字硬件）中兴通讯微电子研究院社会招聘面试题库数字硬件本题库主要是面向2010年微电子研究院数字硬件社会招聘人员。
要求人员的基本素质为：A有一定的逻辑推理能力B掌握基本的数字电路知识C了解集成电路行业的基本术语D有项目的团队合作工作经历使用时请务必删除红色字体，红色字体为答案，以及该题对应的难度等级说明。
使用时从目前题库中选择。
建议分值设置：单选题2分，判断题1分，逻辑推理题2分，简单问答题3分1单选题（每题2分，共30题）1、以下哪个不是理想设计具有的特征（C ）中级A．最小的复杂度B．易于维护C．紧耦合D．可扩展性E．可重用性F．层次性2、以下哪个不是代码实现的外在质量要求（A ）高级A．可读性B．完整性C．可靠性D．健壮性E．可用性3、关于总线说法错误的是（C ）中级A．总线是多个器件互联的一些连线的总称B．总线上一定存在主控制器和从控制器C．总线上连接的器件必须实现总线要求的全部时序D．总线之间的互联需要桥设备进行通信4、关于总线主器件说法正确的是（B ）初级A．谁接收请求谁就是主器件B．谁发送请求谁就是主器件C．谁仲裁请求谁就是主器件5、下列哪个是常用的TTL逻辑电平（B）A．0.1VB． 1.2VC． 4.8VD．5V6、为了实现逻辑（A XOR B）OR （C AND D），请选用以下逻辑中的一种（D ）A．INVB．ANDC．ORD．NANDE．NORF．XOR7、IC前端设计中的电路仿真工具是（C）A．Spectre micro microwaveB．ProtelC．synopsys vcsD．Mentor renior8、为提高运算速度，当前DSP采用（B）结构A．冯．诺依曼B．哈佛C．多核D．非堆成多处理器（ASMP）9、VHDL是（A）的英文缩写：A．VHIC Hardware Description LanguageB．Visual Hardware Description LanguageC．Verilog Hardware Description LanguageD．Vera Hardware Description Language10、在数字IC设计中，RTL的含义是：（C）初级A．Real Time LogisticsB．Real Time LanguageC．Register Transfer LevelD．Real-Time Link11、下列不属于硬件设计语言的是：（D）初级A．VerilogB．VHDLC．System VerilogD．System C12、关于验证测试的目的描述，错误的是：（A ）高级A．通过测试可以确保交付的产品没有缺陷B．测试的最终目的是确保交给用户的产品符合用户的需求C．检查被测试对象是否做了规定要做的事D．检查被测试对象是否做了没有规定要做的事13、用硬件描述语言设计编码时，如果if语句后面没有跟else，下列描述正确的是：（C）高级A．会有语法错误B．任何情况下都没有影响C．在组合逻辑中会产生锁存器D．在时序逻辑中会产生锁存器14、请阅读下面的代码：初级module count(out,data,load,reset,clk);output[7:0] out;input[7:0] data;input load,clk,reset;reg[7:0] out;always @(posedge clk)beginif (!reset) out = 8'h00;else if (load) out = data;else out = out + 1;endendmodule请问，上述代码描述的模块是：（D）A．异步清零，异步置数计数器B．同步清零，异步置数计数器C．异步清零，同步置数计数器D．同步清零，同步置数计数器15、以下哪个不是配置管理软件？（D ）初级A．subversionB．cvsC．clearcaseD．flowtracer16、在电信传输中，往往在传输前进行加扰，加扰操作的主要作用是：（B ）中级A．有利于减少传输过程中的差错率B．有利于接收端的时钟恢复C．有利于保密D．有利于采用更高的传输速度17、在OSI七层模型中，第1层是物理层，第7层是应用层，第4层是：（D ）初级A．会话层B．网络层C．数据链路层D．传输层E．表示层18、计算机的内存储器一般可分为RAM和ROM，掉电后，描述正确的是（D ）初级A．RAM和ROM中的数据都丢失B．RAM中的数据保留，ROM中的数据丢失C．RAM和ROM中的数据都保留D．RAM中的数据丢失，ROM中的数据保留19、时序电路中不可缺少的部分为（C ）初级A．组合电路B．记忆电路C．同步时钟信号D．组合电路和记忆电路20、双向数据总线常采用下列哪个构成（B ）初级A．数据分配器B．三态门C．数据选择器D．译码器路21、关于ASIC和FPGA的描述，错误的是（C ）初级A．FPGA是可编程ASICB．ASIC是专用集成电路C．FPGA是综合后的网表文件D．FPGA和ASIC是有区别的22、下列不属于数字前端仿真工具的是（D ）初级A．vcsB．modelsimC．nc-verilogD．verdi23、下列状态变化过程属于格雷码(Gray code)的是（A ）初级A．4’b0101 → 4’b0100 → 4’b1100 → 4’b1101B．4’b1000 → 4’b0001 → 4’b0010 →4’b0011 C．4’b0000 → 4’b1000 → 4’b0100 → 4’b1100 D．4’b1000 → 4’b0100 → 4’b0010 → 4’b0001 24、下列哪个语句是不可综合的：（C ）初级A．function;B．for循环C．initialD．casex25、下列软件中哪一项不是仿真工具：（C ）初级A．VCS;B．ncsimC．nLintD．modelsim26、V ertex5系列是那家FPGA供应商的芯片（B ）初级A．Lattice;B．XilinxC．Altera;D．Actel.27、FPGA芯片里面的PLL是用于（C ）初级A．信号延时;B．布局布线C．时钟锁定D．IO锁定28、跨越异步时钟域传输数据时，易产生下列问题（B ）初级A．毛刺;B．亚稳态；C．串扰D．信号完整性差29、下列描述哪一项不正确（C ）初级A．时序逻辑在任何条件下都能稳定工作；B．组合逻辑的功能依赖于器件的延迟；C．时序逻辑的输出只取决于当前输入D．设计组合逻辑应避免组合逻辑反馈环。
微电子面试试题
中科院考研复试真题
中科院考研复试真题中科院考研复试是众多研究生考生梦寐以求的考试机会，通过其中考核能够进入中国科学院的研究领域深造。
本文将就中科院考研复试的真题进行详细的分析和解读，为考生提供准确的备考指导。
第一部分：综合素质面试题（一）业务课面试题1. 请结合自己的研究课题，谈谈你对该课题的研究动机和研究目标。
研究动机：作为一个科学家，我一直对自然界的奥秘充满好奇心。
通过对XXX现象的研究，我希望能够揭示其中的规律，推动相关领域的发展。
研究目标：通过深入研究，我希望能够在XXX方面取得重要突破，为解决XXX问题提供有效的解决方案，并为相关行业发展做出贡献。
（二）综合素质面试题1. 请列举你感兴趣的科研项目，并谈谈你对这些项目的理解与看法。
感兴趣的科研项目：- 人工智能在医学诊断中的应用：我认为人工智能在医学领域的发展将对疾病的早期诊断和治疗起到重要作用，提高医疗水平和患者的生活质量。
- 新材料的研究与应用：新材料的研究有助于推动能源领域的发展，提高能源的利用效率和环境友好性，为可持续发展做出贡献。
对这些项目的理解与看法：- 人工智能在医学诊断中的应用：人工智能的算法模型可以快速、准确地分析和判断医学影像或其他医疗数据，帮助医生提高诊断效率和准确性。
- 新材料的研究与应用：新材料的研究可以开发出更轻、更强、更耐用的材料，使得能源设备更高效稳定，减少能源的浪费和环境污染。
（三）学科面试题1. 请简要介绍你的研究方向，并谈谈你对该学科的认识和看法。
我的研究方向是XXX。
该学科是研究XXX的学科，主要关注XXX现象背后的原理和机制，探索其中的规律性和应用价值。
我对该学科有着浓厚的兴趣和深入的研究，认为该学科在科技创新和产业发展方面具有重要的作用。
通过我对该学科的不断学习和实践，我相信可以在研究领域发挥自己的才能，推动该学科的进步与发展。
第二部分：学术能力面试题（一）科研经历与成果请简要介绍你的科研经历，并重点介绍你的科研成果。
中科院微电子所考研复试疑问解答
中科院微电子所考研复试疑问解答1 复习时候要看哪几本书？复试指定的教材是有《数电》《模电》《信号与系统》《半导体物理》《晶体管原理》《半导体电路》这几本书，但是如果要看完的话会非常吃力，而且效果也不会好。
策略是：（1）要与你想做的方向相联系，如果你要做设计，那么就要把《数电》《模电》《信号与系统》看好，把这三本书看好以后再看半导体物理，如果你想做工艺，那就要把《半导体物理》《晶体管原理》《半导体电路》看完在看《数电》《模电》《信号与系统》（2）复试时候老师在问你问题之前都会要你一个简要的介绍，要求你把你在行的东西说出来，这个时候你就要引导老师来问你，比如你信号比较好，你就要引导老师尽量朝信号方面出题。
（3）如果没有时间肯定会有的书来不及看，那么如果老师问到这方面的问题，那你就老老实实地告诉他你没有学过，老师会理解你的。
至于这几本书以外的书会不会问，当然会，但是很少，而且不固定，没法准备，这就是要看你平时的积累，又是老师会看着你的成绩单提问一些你学过的科目。
不过这些问题一般都很简单、很常识性的。
准备复试时，无需将太多的精力放在这上面。
关键还是要看复试指定的教材。
2 复试时候的流程是怎样的复试时候一般会根据初试排名分上下午考，上午一般是1，3，……单数名次的按顺序入场，下午是2，4……双数名次的顺序入场，不过有时也会打乱顺序。
先考口语，后考专业课，但是口语不计入总分，不用害怕，从来没有人因为口语被淘汰的，口语只是一个过场，拼的还是专业课。
口语分为两个部分，首先3到5分钟的自我介绍（下面准备好），然后是老师给你一个题目让你做演讲，会给你3分钟的准备时间，自我介绍和演讲都有老师会问你一些问题，演讲的题目很固定，去年一共就准备了3个题目，所以重复几率很高，提前问一下你前面的人的题目。
英语口语考完后就是重头戏――专业课测试了，这时候你要去一楼的一个会议室，记住，从你进入老师的视线开始考试已经开始，你的一举一动都是老师判断的标准，所以尽量显得镇定而有风度，进去后是一个自我介绍，主要是你来自哪个大学，学什么专业，对哪部分学的比较好，完了老师开始提问，老师问题的个数和你的初试排名有关，第一名一般不问问题，就拉拉家常就让出来了，前10名一般不会被淘汰，所以问的问题很少，2到3个，而且都不难，很多都很家常，10名以后的中间的大约10个问题，最后的十几名问题会非常多，会把你往死里问，反正你也不能说我没给你机会，当然也又例外，如果你本科学校很好，比如清华北大，就算你排名靠后，也会很容易过关，如果你本科学校连重点都不是，那你很危险了，哪怕你排名很靠前，老师也会使劲问你的。
中科院微电子所考研复试真题100道
中科院微电子所考研复试真题100道1。
运算放大器原理，一个好的运算放大器考虑什么因素？2。
镜像电流元的工作原理及其注意的因素。
3。
正反馈与负反馈的区别和原理。
4。
加法器有几种，半加和全加的区别。
（数字电路上有）5。
信号系统有多少种变换，区别于联系，各自的优缺点。
6。
TTL与CMOS工艺的区别与各自的优缺点。
（主要从速度和功耗方面分析）7。
晶体管VT影响因素（就是通常说的阀值电压，分清Si管和Ge管的区别。
看看工艺方面的书，温度影响较大）8。
集成设计需要注意什么（这个问题比较大，你可以充分发挥想象力，最好了解一下所谓的设计“八角图”）可参考拉扎维的《coms集成电路设计》第三章9。
差分放大器的原理及其作用是什么（特别注意运算放大器）10。
同异步电路的区别（数字电路上有，时钟信号的区别）11。
Pn结的vt性质（半导体物理上有）12。
系统的可观测性和可预测性（信号与系统，郑君里的那本上有讲，在状态分析部分，就是几个矩阵的运算）13。
有几种功率放大器，工作原理（甲乙丙丁等，非线电内容，了解导通角的影响）14。
SETUP_TIME，HOLD_TIME（这个不是数字电路里讲的建立时间和保持时间，我们没有学过，在网上搜一下）15。
如果你要查资料的话，如何利用图书馆？（自由发挥）16。
COMS的英文全称（金属氧化物半导体：）17。
FF是什么？（Flip-Flop，就是触发器）18。
什么是拴锁效应？（比较重要，在半导体物理上，周玉梅每次都问）19。
双极和MOS的主要特点，各自的优缺点及应用范围（主要是压控和流控的区别，看看半导体器件物理）20。
CMOS功耗问题（没有静态功耗，因为它是压控型元件）21。
PN结击穿的形式和因素（齐纳击穿，雪崩击穿以及是否可逆等等）22。
三极管的四种工作形式（放大，饱和，截至，反向并知道它们各自的主要应用）23。
锁存和触发的区别（看看数字电路部分）24。
电流镜的基本结构和电路图，电流大小如何控制，由什么决定（这个好像比较难，不知是线电上讲的内容，上网搜搜）25。
2015年中科院微电子研究所考研院校介绍、专业目录、招生人数、参考书目、历年真题、复试安排
2015年中科院微电子研究所考研院校介绍、专业目录、招生人数、参考书目、历年真题、复试安排一、中科院微电子研究所院校介绍中国科学院微电子研究所是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术总体和中国科学院EDA中心的依托单位。
微电子所本着“惟精惟一、求是求新”的办所精神，面向国家战略需求，积极承担重点科技攻关与产品开发任务，一方面拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向；同时通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化，推动产业发展。
微电子所致力于打造现代化的高技术研究机构，成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。
微电子研究所是国务院学位委员会批准的博士、硕士学位授予单位，2004年批准建立博士后流动站。
现有职工1090人，其中中国科学院院士2位，研究员72位，上岗研究生导师106名，在读研究生320余人。
主要研究方向：1.集成电路先导工艺与仪器装备技术；⒉集成电路与系统设计技术；3.高性能器件与电路集成技术；4.射频、微波器件与电路集成技术；5.三维集成与系统封装技术；6.新型纳米器件与集成技术；7.物联网与传感器技术。
为更好地适应国家经济社会发展对高层次、多类型人才的需要，增强研究生教育服务经济社会发展的能力，加快研究生教育结构调整优化的步伐，为国家经济社会发展培养应用型、复合型高层次工程技术人才，国家决定从2009年起招收全日制攻读硕士专业学位研究生。
我所已在电子与通信工程和集成电路工程两个专业领域招收专业学位硕士研究生。
微电子学与固体电子学专业一级学科为电子科学与技术。
作为一门交叉与综合性学科，跨专业学习具有极大的发展前景与潜力，因此微电子所欢迎并鼓励微电子专业及通讯与通信工程类、计算机类、自动化类、软件类、光电技术、物理与应用物理学、材料学等相关专业的同学报考。
科大复试试题.pptx
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科大复试试题
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电子科学微波技术基础复试笔试题目
电子科学微波技术基础复试笔试题目2014年电子科技大学微波技术基础复试笔试题目(电子工程学院回忆版)除了第四章和第七章（徐锐敏版教材）没考其他章节都考到了(全卷共200分) 填空题40分(20空每个2分)考查得很基础我只记住了几个我不会的第一个空是问你什么频率范围对应什么波段把那个表格看一下我记得是L 波段矩形波导主模圆波导主模微带线主模第六章我记得有个圆柱谐振腔的什么条件工作在什么模式就是2a/l那个貌似你翻书看看p172第八章把三个什么效应记一下有法拉第旋转效应什么的这是一个空 (第八章整张试卷只考了大概3个空另外两个我忘了)计算题是重头戏(共4题110分)第一题计算矩形波导的传输模式（40分）计算量很大有3小问第一小问能传输的模式太多了就是TE10 TE20 TE11 TM11……什么的实质上就是求各模式的截止波长还有就是要会画前几种(大概7种)模式的横截面图2,3小问简单第二题是同轴线(20或30分)比较简单记住传输主模时的截止波长pai(a+b)还是多少来着看清题目题目里给出的是直径还是半径第三题传输线(20或30分)比较简单需要记住反射系数驻波系数这些基本的公式就是计算太坑了(分式的复数计算) 很繁琐第四题(20分)微扰法就是在一个矩形谐振腔中竖直插进了一个介质棒好像是求谐振频率我不会你们把书上那块仔细看看简答题(50分共5题每题10分)我记得有正规模及其特性(主要是正交性完备性)矩形波导单模传输有什么好处在中央开口有什么好处波导的激励方法有哪些各有什么好处剩下两个想不起来了说明1.填空题很基本把书看仔细 40分能拿到35+吧2.千万千万要带上计算器！计算题要是没有计算器的话没法做3.有些题就算不会也千万别空着不写哪怕写上点相关的一些东西你写上就多少能给你点分空着一分没有例如那个矩形腔的谐振我不会就把相关公式写上了多少能给点分4.不要轻视笔试分数达不到120分的及格线就算初试成绩再高直接咔嚓2015年电磁场与微波技术复试笔试回忆填空题1、模式的三个特性：正交性、完备性、对称性2、电磁场的法拉第旋转效应的意思3、探针激励和孔耦合的原理是什么激励4、驻波系数等于阻抗圆图的什么线上的归一化阻值5、在什么强的地方加销钉，谐振腔频率升高6、已知频率，介电常数求波长7、当其他不变是，同轴线内半径增大对特性阻抗和波阻抗的影响8、在金属波导横截面加一个窗口，等效为电路9、终端加什么东西，反射系数为0；终端加电容，驻波系数计算题1、已知负载阻抗和传输线特性阻抗，求反射系数和驻波系数；然后问如何匹配阻抗2、矩形波导的各种模式的截止波长，已知介电常数并求工作波长（这题我没读懂意思），TE10和TE11模的横向场分布（画图）3、已知矩形波导的宽边，求TE10模和TE20模的截止波长，并求它们相位差为pi/2时的长度4、电子科技大学《微波技术基础》课本修订版，原题6.16简答题1、由矩形波导证明空腔谐振腔具有多谐性2、矩形谐振腔为什么类型的滤波器？为什么？3、电磁波在铁氧体中的传播特性，并说明它能做哪些微波器件。
中科微精面试问题
中科微精面试问题中科微精面试问题1. 您觉得自己的创作能力有哪些特点？•解释说明：该问题旨在了解面试者对自己创作能力的认识和评价。
面试者可以从独创性、创意思维、表达能力等方面进行回答。
2. 请列举您过去创作的成功案例，并分享您在这些案例中所做的关键决策。
•解释说明：该问题旨在了解面试者的创作经验和创作过程中所面临的决策。
面试者可以结合具体的案例，讲述成功的创作经验，并阐述自己在关键决策上的思考和做法。
3. 您如何处理在创作过程中遇到的困难和挑战？•解释说明：该问题旨在了解面试者的应变能力和解决问题的方法。
面试者可以讲述自己在创作过程中遇到的困难和挑战，并阐述自己是如何克服这些困难和挑战的。
4. 您在创作过程中如何进行创意的融合和创新？•解释说明：该问题旨在了解面试者对创意融合和创新的理解和运用。
面试者可以从不同来源获取灵感、结合多个元素、进行反思和改进等方面进行回答。
5. 请描述一个自己创作的失败案例，并谈谈您从中得到了什么教训。
•解释说明：该问题旨在了解面试者对失败的反思和学习能力。
面试者可以讲述一个创作失败的案例，并反思其中的原因和教训，以展示自己从失败中成长和改进的能力。
6. 您认为创作者应具备哪些基本素质？•解释说明：该问题旨在了解面试者对创作者基本素质的认知和理解。
面试者可以从独立思考、创造力、沟通能力、学习能力等方面进行回答。
7. 您平时如何提升自己的创作能力？•解释说明：该问题旨在了解面试者的学习和成长态度。
面试者可以讲述自己平时如何进行学习和提升创作能力的方法和经验。
8. 请分享您对于未来创作的规划和期望。
•解释说明：该问题旨在了解面试者对未来创作发展的规划和期望。
面试者可以讲述自己对于自身创作能力的提高、作品风格的突破、与他人合作的展望等方面的规划和期望。
9. 您如何对待他人对您创作的批评和建议？•解释说明：该问题旨在了解面试者的接受批评和建议的态度。
面试者可以讲述自己的心态和处理方式，如如何从中吸取经验和改进自己的创作。
微电子面试题
微电子面试题微电子行业是指运用微观材料制备工艺和封装技术，设计和制造微米级以上的电子元件和集成电路的行业。
这个行业在现代科技领域中起着至关重要的作用。
在微电子行业中，有很多高科技公司和研究机构都在不断地进行创新和发展。
而在面试中，针对微电子行业的相关问题也是非常常见的。
本文将为您介绍一些常见的微电子面试题，并为您提供详细的答案。
1. 请介绍一下微电子行业的发展现状及趋势。
微电子行业近年来取得了长足的发展。
随着科技的进步和需求的增加，微电子行业在芯片设计、制造工艺、封装技术、尺寸缩小等方面都取得了重大突破。
目前，微电子行业的主要发展趋势包括以下几个方面：首先，芯片集成度的不断提高。
目前的芯片设计已经实现了先进的微米级别制造工艺，未来将进一步提高集成度，实现更小更高效的芯片设计。
其次，封装技术的创新。
封装技术是影响芯片性能和稳定性的重要因素之一，未来的封装技术将更加关注芯片的热散发和尺寸缩小。
此外，新材料的应用也是微电子行业的重要发展方向。
为了提高芯片性能和稳定性，微电子行业将积极研发新材料，应用于芯片设计制造中。
总的来说，微电子行业的发展前景广阔，未来将持续致力于提高芯片的集成度、封装技术和材料应用等方面的创新。
2. 请介绍一下微电子制造工艺中的一些关键步骤。
微电子制造工艺是指通过一系列步骤，将设计好的芯片从硅片上制备出来的过程。
常见的微电子制造工艺包括以下几个关键步骤：首先是晶圆制备。
晶圆是微电子芯片制造的基础材料，常用的材料有硅、蓝宝石和氮化硅等。
晶圆制备的关键就是将原始材料经过多个步骤加工和清洗，制成高纯度的晶圆。
其次是光刻。
光刻是一种通过光源、掩膜和光刻胶等材料将芯片的图案投影在晶圆上的技术。
通过光刻可以将芯片所需的图案刻画到晶圆上。
接着是沉积和蚀刻。
沉积是指将需要的物质沉积到晶圆上，如金属、氧化物等。
而蚀刻则是将不需要的物质去除，以达到芯片设计的要求。
接下来是离子注入。
离子注入是将离子束注入晶圆中，以改变晶圆的电子性能。