氮化硅结合碳化硅制品系列技术指标
碳化硅砖以SiC为主要原料制成的耐火材料技术指标
产品性能及应用
产品名称
SiO2结合SiC
氧氮化合物结合SiC
莫来石结合SiC
Al2O3％
≥10
SiO2％
≤8
Fe2O3％
≤1
≤0.6
≤1
SiC％
≥90
≥80
≥85
显气孔率％
≤18
≤18
≤18
体积密度g/cm3
≥2.56
≥2.60
≥2.56
常温耐压强度Mpa
≥80
≥100
≥70
荷重软化温度 ℃
碳化硅砖以SiC为主要原料制成的耐火材料。含SiC72％～99％。分为黏土结合、Si3N4结合、Sialon结合、β-SiC结合、Si2ON2结合和重结晶等碳化硅砖。
碳化硅砖热导率高，有良好的耐磨性、抗热震性、耐侵蚀性。可用于铝电解槽内衬、熔融铝导管和陶瓷窑用窑具、大中型高炉炉身下部、炉腰和炉腹、550
热震稳定性(水冷)次/850℃
≥40
≥40
≥35
导热系数w/(m·k)
≥8
常温抗折强度Mpa
≥25
≥30
≥25
高温抗折强度Mpa(1250℃×1h)
≥20
≥25
≥20
最高使用温度℃
1400
1500
1400
应用
用作陶瓷棚板,隔热板,推板以及垃圾焚烧炉内衬材料,以及有色冶金工业窑炉内衬和铜流槽.
碳化硅结合氮化硅制品的发展现状
碳化硅结合氮化硅制品的发展现状氮化硅结合碳化硅制品是近30年发展起来的一种高科技耐火材料。
1955年，美国Casrborunduln公司在生产硅酸盐结合碳化硅制品的基础上研制成功，并获得了专利权。
1960年日本TKR公司引进美国的此项技术并成功应用[1～2]。
氮化硅和碳化硅均为共价键极强的化合物，有相似的物理和化学性能，在高温状态下仍保持较高的键合强度。
硅粉均匀包围碳化硅，经过高温氮化反应，形成致密的网络结构，因此氮化硅结合碳化硅制品具有耐高温、耐腐蚀、耐磨损、耐冲刷、抗氧化等一系列优异性能，且对氢氟酸以外的所有无机酸都具有良好的抵抗性，不被金属液尤其是非铁金属液润湿，能耐大部分有色金属熔融液的侵蚀。
作为高级耐火材料在各种气氛中正常使用温度可达1500 ℃左右，广泛用于陶瓷、有色冶金、钢铁冶金、粉末冶金、化工等行业。
1 氮化硅结合碳化硅制品的主要制备方法氮化硅的制备方法包括：硅粉直接氮化法、碳热还原二氧化硅法、Si（NH）2热分解法、SiH4和NH3气相反应法。
通常情况下，反应烧结氮化硅结合碳化硅制品中氮化硅生成方法为硅粉直接氮化法，高温下通过氮向硅粉粒子内部扩散，化合生成氮化硅[6～7]。
氮化硅结合碳化硅制品制备经过七个步骤：原料处理、配料、混料、成型、干燥、氮化烧成、产品检验。
氮化原料主要采用工业用绿碳化硅和硅粉，经破碎、水洗等方法进行原料预处理，根据配方（表1）称量碳化硅砂及硅粉，按要求把不同粒度的碳化硅原料放入混料机内干混，然后加入有機结合剂温混，充分搅拌15～20 min，过筛后，放入料仓进行闷料储存24 h。
将闷好的料准确称量后，均匀放入模具中，振动加压成型，再经真空吸盘转移到储坯车上，放入干燥室内干燥，干燥温度以100℃～120℃为好。
干燥过程中应严格控制升温速度，以免坯体出现变形或开裂。
坯体一般干燥时间为3天，干燥完成后经精修坯体和生坯检测，合格的进入氮化炉烧成。
氮化过程中，当温度升至700℃～1450℃进行抽真空后向氮化炉中充入纯度为99.99%以上的氮气直至反应完成。
大型高炉用高性能氮化硅结合碳化硅的研制和使用
制品在以 硅铂棒作为发热体的氮化炉内， 在抽真空、 氮气气氛（ ｑ＞５ｐ ）微正 ｐｍ ，
压（ ００５ ． ａ下进行烧成， ＋ １－ ０ＭＰ ） ． ０ ４ 升温速率 ３ ／ ｉ． ＇ ｍｎ。在 １８℃和 １８℃两个反 Ｃ １０ ２０ 应高峰期应增加保温时间（ ＞４小时）以确保破化硅充分氮化。烧成温度在 １０℃左 ， ４０
２２２１４ 加入另一半结合１， ５ ． ．．．． １ 搅拌 分钟。 １ ２２２１５ 加入 Ｓ粉， １ ０ ．．．． ｉ 搅拌 ５ 分钟。 －２
２２２２ 出料过筛。 ．．．． ２２２３ 困料 ２ ．．．． ４小时。
２２ ３ 成型 ： ．． ．
半干法成型， ６Ｋ 用 １０ Ｎ振动加压机， 振动时间６ 秒。随着抽查， 检查半成品外观
大型高炉用高性能氮化硅结合碳化硅的研制和使用
— 兼谈 Ｓａ ｎ结合碳化硅和 Ｓａ ｎ结合刚玉制品 ｉｏ ｌ ｉｏ ｌ
宜兴市枉玺窑业有限公司 蒋玉清
２０ ０ ２年 １ １月
１前言 ： ．
高炉中 高炉的炉腹、 部（ 炉腰和炉身下部） 为高温区， 是耐火材料内衬的关键部位 之一。该部位炉衬作业条件十分恶劣， 承受极大的热负 荷冲击（ 高温负 荷最大、 温度波 动大） 、 化学浸性（ 碱金属富集区 铁水、 域、 初渣大量形成） 和机械冲刷（ 煤气和炉料的冲
体积密 度
常温耐压强度 常ｉ抗折强度 Ｒ
高温杭折强度
热震稳定性
留ｒ ＞２ ６ Ｃ ｃ３ ．２ ｍ ｎ
５ ＭＰ 妻１０ ａ ５ ＭＰ 妻３ ａ
７ ＞２ ７ ２． ８ ．０
Ｇ ／２９ 一 ００ ＢＴ ９７ ２０ Ｇ ／５７ 一１８ ＢＴ ０２ ９５
Ｇ ／３０ 一 ００ ＢＴ ０ １ ２０
氮化硅喷涂陶瓷的技术参数
氮化硅喷涂陶瓷的技术参数
氮化硅喷涂陶瓷技术参数
一、技术参数
材料：氮化硅（Si3N4）
密度：约为3.15-3.35g/cm³
硬度：洛氏硬度在9-10之间
弹性模量：约为300GPa
热膨胀系数：约为3.2×10^-6/℃
熔点：约为2850℃
化学稳定性：具有极佳的化学稳定性，能耐受各种酸、碱、盐等腐蚀性介质
抗氧化性：可在高温下长时间保持其性能，适用于各种高温环境
喷涂工艺：采用等离子喷涂或火焰喷涂技术，将氮化硅粉末熔融并喷涂在陶瓷基体上涂层厚度：可根据需要调整，通常在50-100μm之间
涂层结合力：应大于25MPa，以确保涂层与基体具有良好的结合力
使用温度：可在高温下使用，最高使用温度可达1200℃
二、应用领域
氮化硅喷涂陶瓷广泛应用于航空航天、石油化工、汽车工业、电力能源等领域。
主要作为耐磨、耐腐蚀、耐高温等场合的零部件表面防护和修复材料。
三、注意事项
在进行氮化硅喷涂陶瓷施工时，应确保工作环境的清洁，防止杂质和污染物对涂层质量的影响。
在施工过程中，应严格控制喷涂参数，如喷涂距离、喷涂角度、喷涂时间等，以保证涂层的均匀性和致密性。
在使用过程中，应避免涂层受到剧烈的机械冲击和摩擦，以防止涂层剥落和损坏。
碳化硅和氮化硅
碳化硅和氮化硅
碳化硅和氮化硅是两种重要的功能性陶瓷材料。
碳化硅是一种高硬度、高强度和高温稳定性的材料，广泛应用于制造切削工具、磨料和陶瓷材料等领域。
氮化硅是一种高温、高硬度和高耐腐蚀性能的材料，常用于制造电子元件、陶瓷材料和结构材料等领域。
碳化硅和氮化硅的制备方法不同。
碳化硅可通过热反应或化学气相沉积等方法制备。
氮化硅则可通过化学气相沉积、热反应或离子束沉积等方法制备。
此外，碳化硅和氮化硅也可以通过加工方法得到，例如烧结、热压、注射成型等。
碳化硅和氮化硅材料的特性和应用也有所不同。
碳化硅具有高硬度、高强度、高温稳定性和耐腐蚀性等特点，在制造切削工具、磨料和陶瓷材料等领域有广泛应用。
氮化硅具有高温、高硬度和高耐腐蚀性能等特点，在制造电子元件、陶瓷材料和结构材料等领域有广泛应用。
总之，碳化硅和氮化硅是两种重要的功能性陶瓷材料，具有不同的特性和应用。
对于人们的生活和工作，它们发挥着重要的作用。
- 1 -。
氮粘结碳化硅与烧结碳化硅材质区别
下列两种碳化硅陶瓷产品的理论数据对比，请需方参考：氮化硅结合碳化硅陶瓷产品的主要性能产品描述该产品是一种全新的结构陶瓷材料。
他具有良好的高温强度的抗氧化能力、高温承载力和良好的耐碱腐蚀性。
因此，这种材料可制成各种几何形状空心但需要厚壁的产品及不同用途的结构件等。
氮化硅结合碳化硅陶瓷产品的主要技术参数体积密度g/cm3 >2.75气孔率 % <1320C°时>10抗折强度 Mpa1200C°时>120导热系数 W/mk 1200C°>20热膨胀系数 ×10-6/C° 4.7最高使用温度 C° 1200氮化硅结合碳化硅陶瓷主要产品这种材料根据其所具有的特性可制成如：棚板、异形件、喷嘴、高温炉管、密封件以及特殊形状、特殊要求的结构件等。
尤其是铝液中使用的护套管、低压铸造用的升液管、铝金属熔液,铜金属熔液,锌金属熔液的加热管(加热器壳体,加热器护套,加热坩埚);盛放金属熔液的坩埚等,使用效果好,寿命长.反应烧结碳化硅陶瓷产品性能产品描述反应烧结碳化硅陶瓷产品性能反应烧结碳化硅陶瓷产品具有高强度、高硬度、高耐磨、耐高温、耐腐蚀、抗热震性好、导热系数大以及良好的抗氧化性等优越的性能。
因此这种材料可制成多种几何形状和不同用途的产品。
反应烧结碳化硅陶瓷产品的主要技术参数体积密度 g/cm3 >3.20气孔率 % <0.1抗折强度 Mpa 1200C°时>280弹性模量 Gpa >280导热系数 W/mk 1200C°>41热膨胀系数 a×10-6/C 1200C°时 4.5莫氏硬度 13最高使用温度 C° 1380耐酸碱性非常好反应烧结碳化硅陶瓷产品主要有：脱硫喷嘴、方梁、辊棒、喷火嘴、辐射管、热电偶保护套管、喷砂嘴、耐磨件、匣钵、坩埚、密封件以及特殊形状的耐温、耐氧化、耐磨损的结构件等。
氮化硅结合碳化硅材料的特性及应用范围
氮化硅结合碳化硅材料的特性及应用范围作者：王军来源：《卷宗》2018年第29期摘要：时代的发展，促进了各个行业领域的迅速发展，尤其是工业化进程迅速，让矿山行业得到了进步和发展。
从目前我国的现状来看，矿山机械制造行业存在诸多的问题，尤其是机械材料材质不耐腐蚀、不耐磨问题最为突出，对矿山和选厂设备使用寿命有着严重的影响。
氮化硅结合碳化硅耐磨材料有着良好的性能，而且可根据使用要求成型各种尺寸，最重要的是有着极高的耐腐蚀性、耐磨性等。
将氮化硅结合碳化硅耐磨材料运用到矿山机械当中，可以优化产品结构连接性，提升产品的品质性，这样才能让使用效果更佳理想。
本文针对氮化硅结合碳化硅材料的特性及应用范围进行了论述，希望有一定的参考价值。
关键词：矿山；氮化硅结合碳化硅材料；应用从我国目前矿山作业的现状来看，依然以机械工作为主，所以，机械长期的处于作业状况，从而导致磨损迅速失效情况比较突出，另外，因为磨损后产生的残渣不小心掉入到材料当中，最终给产品质量造成直接的影响。
想要让矿山设备的使用寿命能够增加，需要进一步的研发新的耐磨材料，这对矿山行业的发展具有深远意义。
陶瓷材料的形成，是由氮化硅结合碳化硅耐磨材料制造产生的，该产品结构非常优异，有着很强的强度及硬度，线性膨胀系数比较低，抗高温氧化能力、抗高温蠕变性非常良好，因此，在多个行业当中对氮化硅结合碳化硅耐磨材料进行了充分的运用。
氮化硅结合碳化硅耐磨材料在矿山机械当中的运用将会越来越多。
1 氮化硅结合碳化硅耐磨材料的特性1.1 抗折强度较强氮化硅结合碳化硅耐磨材料和粘土碳化硅制品相比，在抗折强度方面，氮化硅结合碳化硅耐磨材料是后者的两倍。
这是由于通过高温烧接成形后，应用温度范围在1200-1400℃，不会影响其的强度，是粘土碳化硅强度的九倍[1-2]。
1.2 良好的抗氧化性，极强的耐腐蚀性和耐磨损性对于金刚石、碳化硼等物质来讲，氮化硅、碳化硅的显微粒度比较小，另外，氮化硅本身摩擦系数也比较小，更存在相应的白润滑性，所以，氮化硅结合碳化硅材料有着良好的化学性能，对于一般的无机酸及碱液腐蚀具有一定的承受能力，当然，其中不包括氢氟酸，和粘土碳化硅制品相比，氮化硅结合碳化硅材料有着良好的抗氧化性。
硅粉氮化法制备的氮化硅粉体指标
氮化硅（Si3N4）是一种重要的结构陶瓷材料，具有优异的耐热、耐腐蚀和机械性能，被广泛应用于工业、航空航天和电子等领域。
硅粉氮化法是一种常用的制备氮化硅粉体的方法，通过对氨气和硅粉进行反应，可以得到高纯度的氮化硅粉体。
这种方法制备的氮化硅粉体具有一定的指标，包括颗粒大小、比表面积、化学成分等。
本文将就硅粉氮化法制备的氮化硅粉体的指标进行详细介绍。
一、颗粒大小1.1 颗粒大小分布氮化硅粉体的颗粒大小是其性能的重要指标之一。
硅粉氮化法制备的氮化硅粉体，其颗粒大小分布应符合特定的要求。
通常要求氮化硅粉体的颗粒大小分布均匀，无明显的聚集和堆积现象。
颗粒大小分布的均匀性直接影响到氮化硅制品的性能和加工工艺。
1.2 颗粒平均直径氮化硅粉体的颗粒平均直径也是重要的指标之一。
硅粉氮化法制备的氮化硅粉体，其颗粒平均直径应符合特定的要求，一般在数十微米至数百微米之间。
二、比表面积2.1 比表面积的确定方法比表面积是氮化硅粉体的重要物理性能之一，直接影响其在陶瓷材料中的应用效果。
硅粉氮化法制备的氮化硅粉体，其比表面积可以通过比表面积仪等仪器进行测试，得到粉体样品的比表面积值。
2.2 比表面积的稳定性氮化硅粉体的比表面积稳定性也是重要的指标之一。
在实际应用中，氮化硅粉体的比表面积随着储存时间的增加可能会发生变化，其比表面积的稳定性也需要得到重视和研究。
三、化学成分3.1 氮化硅含量氮化硅粉体的化学成分是其质量和性能的基础。
硅粉氮化法制备的氮化硅粉体，其氮化硅含量应符合特定的要求，通常要求氮化硅含量高于99.5。
3.2 杂质含量另外，氮化硅粉体中的杂质含量也是重要的指标之一。
杂质对氮化硅粉体的性能和应用效果有着重要影响，因此需要对氮化硅粉体中的杂质含量进行严格控制和测试。
硅粉氮化法制备的氮化硅粉体的指标包括颗粒大小、比表面积、化学成分等多个方面，这些指标直接影响着氮化硅粉体的质量和性能。
为了获得高质量的氮化硅粉体，需要通过严格的工艺控制和检测手段来保证氮化硅粉体的各项指标符合要求。
氮化硅结合碳化硅操作程序及温度控制标准
900℃
停止通氮气
900℃以下
打开抽风机，抽30分钟后停止抽风。
700℃
打开炉盖、炉门
400℃
去掉耐火棉，封口砖
300℃
出炉
1250℃～1350℃
升温5小时，炉压、氮气流量同上
1350℃
保温8小时，炉压、氮气流量同上
1350℃～1450℃
升温5小时，炉压、氮气流量同上
1450℃
保温8小时，炉压、氮气流量同上
1450℃～1250℃
保温结束后，停止加热；
压差为180mmH2O,氮气流量为上部2 m3/h，中部6 m3/h，下部2 m3/h
1000℃～1150℃
压差为60-80 mmH2O,氮气流量为上部7.5 m3/h，中部17.5 m3/h，下部5.5 m3/h
1150℃
压差为100 mmH2O,氮气流量为上部6 m3/h，中部16 m3/h，下部5 m3/h
1150℃～1250℃
升温5小时，炉压、氮气流量同上
1250℃
保温6小时，压差为200mmH2O,氮气流量为上部6 m3/h，中部16 m3/h，下部5 m3/h
氮化硅结合碳化硅操作程序
温度
操作程序
室温
窑车进氮化炉，闭炉门，送电升温，开抽风机抽风
室温～400℃
升温时间6小时
400℃
盖上炉盖
400℃～700℃
升温时间5小时，炉内压差为－200mmH2O
700℃
停止抽气，开始通氮气,调节减压阀压力为0.4MPa
700℃～1000℃
升温5小时，压差为20 mmH2O,氮气流量为上部10 m3/h，中部5 m3/h，下部10m3/h
氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结方法
氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结方法一、概述氮化硅结合碳化硅陶瓷具有高温强度、耐热震性好、抗氧化性能高等优点，因此在航空航天、电子、冶金等领域得到广泛应用。
在制备氮化硅结合碳化硅陶瓷时，烧结工艺是至关重要的环节。
本文将介绍氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结方法，包括烧结工艺的基本参数、影响因素以及改进方法。
二、烧结工艺的基本参数1. 温度：烧结温度是影响氮化硅结合碳化硅陶瓷物理性能的关键参数之一。
通常，烧结温度应控制在氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结温度范围内，一般为2000~2200摄氏度。
2. 压力：烧结过程中的压力控制对于陶瓷的致密化程度和晶粒的长大至关重要。
一般情况下，烧结压力应在10~30MPa之间。
3. 时间：烧结时间是影响氮化硅结合碳化硅陶瓷烧结质量的关键参数之一，通常烧结时间应在数小时到数十小时之间。
三、影响因素1. 原料的选择及配比：氮化硅结合碳化硅陶瓷的原料选用及配比是影响烧结效果的关键因素，其中氮化硅和碳化硅的粒度、纯度以及配比均需严格控制。
2. 烧结气氛：烧结气氛是影响氮化硅结合碳化硅陶瓷质量的重要因素之一，通常应选择不含氧气的惰性气体作为氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结气氛。
3. 烧结工艺的参数设置：包括烧结温度、压力、时间等参数的设置对烧结质量影响较大，应根据具体情况进行合理设定。
四、改进方法1. 提高原料的粒度及纯度，合理配比，以提高烧结物理性能。
2. 优化烧结气氛，减少氧气含量，避免氧化物的生成。
3. 对烧结工艺参数进行精确控制，以提高氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结质量。
五、结论氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结工艺对其性能具有重要影响。
通过合理控制烧结工艺的基本参数，精确控制影响因素，并采取科学的改进方法，可以提高氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结质量，满足不同领域对氮化硅结合碳化硅陶瓷性能的要求。
六、烧结工艺的优化在氮化硅结合碳化硅陶瓷的烧结过程中，为了进一步提高陶瓷的性能和质量，烧结工艺的优化显得尤为重要。
碳化硅和氮化硅的物理学和应用
碳化硅和氮化硅的物理学和应用摘要碳化硅（SiC）和氮化硅（GaN）是两种重要的半导体材料，具有许多优异的物理和化学特性。
在本文中，我们将讨论它们的物理学和应用。
我们将首先介绍它们的基本结构和特性，然后讨论它们在电子、光电、能源和生物医学领域的应用。
我们将重点讨论它们的优点、挑战和未来发展方向。
引言碳化硅和氮化硅是两种广泛应用的半导体材料。
它们具有优异的物理和化学特性，如高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、宽带隙和高硬度等。
它们的物理性质可以根据晶体结构、晶体缺陷和表面形貌等因素进行调控，从而满足不同应用需求。
本文将对碳化硅和氮化硅的物理学和应用进行介绍和讨论。
碳化硅2.1 基本结构碳化硅是一种化合物半导体，由硅和碳元素组成。
它的晶体结构有两种常见的形式：立方晶系（3C-SiC）和六方晶系（6H-SiC和4H-SiC）。
其中，4H-SiC和6H-SiC是最常用的两种多晶形式，具有层状结构和非常优良的电学性能。
4H-SiC和6H-SiC的晶体结构如图1所示。
图1. 4H-SiC和6H-SiC的晶体结构。
2.2 物理特性碳化硅具有一系列优异的物理特性，如高硬度、高热导率、高击穿场强和高电子迁移率等。
这些特性使其在电子、光电、能源和生物医学等领域得到广泛应用。
2.2.1 电学性能碳化硅具有宽带隙（约3.2 eV），因此可以在高温和高电场下工作。
同时，碳化硅的电子迁移率比硅高3倍以上，使得其在高频和高功率应用中具有较好的性能。
此外，碳化硅的击穿场强比硅高10倍以上，使其在高电压应用中具有较好的可靠性和稳定性。
2.2.2 光学性能碳化硅的宽带隙使其具有优异的光学性能，可以在紫外光至红外光谱范围内工作。
其高透过率、低损耗和高辐射抗性等特性使得碳化硅在高功率激光器、紫外光电探测器和太阳能电池等领域得到广泛应用。
2.2.3 热学性能碳化硅的热导率比硅高4倍以上，可以在高温下快速散热。
同时，碳化硅的热膨胀系数低，可以减小温度变化对器件的影响。
氮化硅陶瓷吊管的技术参数
氮化硅陶瓷吊管的技术参数氮化硅无机非金属材料都有什么氮化硅是一种无机非金属材料氮化硅陶瓷高温陶瓷材料，硬度大、熔点高、化学性质稳定工业上常常采用纯Si和纯N2在1300度制取得到。
瓷器的浸蚀基本上全是晶界的浸蚀以便扩张Si3N4瓷器的主要用途，最先务必使目前Si3N4陶瓷产品的品质更为平稳提升氮化硅陶瓷的耐腐蚀性，一是要严控晶界的构成和构造，二是要对于不一样的浸蚀自然环境采用适合的结构陶瓷。
特性：超高频绝缘陶瓷，微观结构：单晶，形状：片形功能：加工用陶瓷，产品参数：φ125*20*15MM，价格：60元/件，产地：贵州安顺市氮化硅陶瓷吊管工业陶瓷加工过程加工流程及方法：热压铸成形是用含蜡料浆加温融化后具备流通性和塑性变形,制冷后能在金属模中凝结成一定样子的特性来成形的,我热压铸成形,其生产流程以下:调料→予热→除气→热铝压铸机成形→拌和→石腊→洗出蜡饼储放→表层活性化学物质此方法适用的矿物质原材料,金属氧化物,金属氧化物等为原材料的新式瓷器的成形,特别是在对外观设计繁杂,精度高的中品更加适合,不适合于薄壁,大而长的制取生产制造。
烧结工艺氮化硅陶瓷耐热，在常压下，Si3N4没有熔点氮化硅具有耐磨，耐热性，用作蒸汽喷嘴，在800℃的锅炉工作半年后无明显损坏，其他耐热蚀合金喷嘴在同样条件下只能使用1-2个月。
,与基本氮化硅陶瓷对比,纳米技术氮化硅陶瓷的耐热震性较弱Hoffmann等的科学研究得出结论,当热震温度差为700时,小晶体Si3N4瓷器比较严重无效,而大晶体原材料仅仅慢慢缺失原来抗压强度;在1000的温度差下,粗晶体Si3N4瓷器比细晶体Si3N4瓷器的残留抗压强度高二倍[9,10],这与文中的科学研究結果一致。
氮化硅在半导体应用在哪些方面氮化硅 (Si3N4)陶瓷是无机非金属强共价键化合物 , 其基本结构单元为[SiN4]四面体, 硅原子位于四面体的中心,四个氮原子分别位于四面体的四个顶点, 然后以每三个四面体共用一个硅原子的形式在三维空间形成连续而又坚固的网络结构 , 氮化硅的许多性能都是因为其具有这种特殊的结构,因此Si3N4结构中氮原子与硅原子间结合力很强, 其作为一种高温结构陶瓷,素有陶瓷材料中的“全能冠军”之称。
氮化硅陶瓷平衡盘的技术参数
氮化硅陶瓷平衡盘的技术参数氮化硅陶瓷平衡盘的加工工艺加工流程及方法：车削加工主要是用金刚石刀具(或其涂层刀具)切削高硬度、高耐磨性的工程陶瓷多晶金刚石刀具难以产生光滑的切削刃,一般只用于粗加工;对工程陶瓷材精车削时,使用天然单晶金刚石刀具,切削时采用微切削方式由于工程陶瓷材料硬度和脆性非常大,车削加工难以保证其精度要求,故车削加工应用不多,基本上还处于研究阶段国内外究的重点主要是在工程陶瓷车削机理的研究及车削方法的研究目前对工程陶瓷的切削机理还没有形成统一的认识。
加工报价：115元/件氮化硅是什么材料做的超微粉体一般就是指粒度在μm级或氧化硅的颗粒和块状基本原材料对比具备更大堆积密度、表层活性及高些的表面，因此主要表现出出色的光、热、电、磁、催化反应等特性超微粉体做为一种新型功能材料近几年来获得大家的普遍科学研究，并在社会经济发展趋势各行业获得愈来愈普遍的运用殊不知因为超微粉体特有的团圆及分散化难题使其失去很多出色特性，比较严重牵制了超微粉体的现代化运用因而，怎样防止超微粉体的团圆无效已变成超微粉体发展趋势运用所遭遇的难点根据对超微粉体开展一定的表层包复，使颗粒物表层得到新的物理学、有机化学以及他新的作用，进而大大的改进了颗粒的渗透性及与别的物氮化硅陶瓷（Si3N4）的高温蠕变率很低，这些都是由si3N4的强共价键本质所决定的氮化硅的高温力学性能在很大程度上取决于晶界玻璃相为了改善氮化硅的烧结性能在原料中加入烧结助剂，高温时烧结助剂形成玻璃相，冷却后玻璃相存在于晶界处，必须经过品界工程处理才能保持和发挥氮化硅的这一高温特性，否则晶界玻璃相在高温下软化造成晶界滑移，对高温强度、蠕变和静态疲劳中的缓慢裂纹扩展都有很大的影响。
晶界滑移速度同玻璃相的性质(如粘度等)、数量及分布有关氮化硅的硬度高，Hv=18GPa～21Gpa，HRA=91～93，仅次于金刚石、立方BN、B4C等少数几种超硬材料摩擦系数小(O．1)，有自润滑性，与加油的金属表面相似。
氮化硅砖技术性能介绍及理化指标
理化指标
1、氮化硅结合碳化硅理化指标：（YB/T4035-2007）
项 目
指标
SiC , %
≥72
Si3N4,%
≥20
Fe2O3,%
≤0.3
显气孔率，％
≤17
体积密度 g/cm3
≥2.68
常温抗折强度，MPa
≥45
常温抗压强度，MPa
≥150
高温抗折强度（14000℃×0.5h）MPa
≥50
氮化硅砖技术性能介绍及理化指标
氮化硅结合碳化硅砖是以碳化硅为骨料加入工业硅粉，经混炼成型，通过氮化反应烧结，形成氮化硅为主要结合相，且氮化硅和碳化硅含量之和不小于90%的定型制品。我公司生产、检验执行的标准是国家标准YB/T4035-2007，具体的理化指标如下：
产品名称（name）
氮化硅结合碳化硅砖（silicon nitride bonded silicon carbide bricks）
导热系数W/m.k
1000℃
≥17
2、尺寸公差：
项目
厚
宽
高
尺寸
125±1.0mm
400±1.5mm
550±2mm
扭曲
1.0mm
1.5mm
2mm
必须保证所供产品为本厂生产。
高温抗折强度(Modulus rapture at elevated temperature)(1400℃)Mpa
≥45
热膨胀系数(Coefficient of thermal liner expansion) ×10-6/℃(1100℃)
≤4.18
导热系数(Thermal conductivity )w/(m·k) (350℃)
氮化硅结合碳化硅材料的特性及应用范围
氮化硅结合碳化硅材料的特性及应用范围
侯撑选
【期刊名称】《陶瓷》
【年(卷),期】2014(0)8
【摘要】介绍了氮化硅结合碳化硅制品的特性，它不仅具有密度大、强度高、热震稳定性好、荷重软化点高、导热性好、电阻值高等特点，并且还具有优良的抗冰晶石、氟化铝、氟化钠及氟化钙等熔化侵蚀性和抗氧化性。
主要应用于建筑卫生陶瓷，日用瓷，电瓷，炼铝、铜、锌，炼钢及轧钢，炼铁，金属热处理，环境保护等领域。
【总页数】2页(P13-14)
【作者】侯撑选
【作者单位】咸阳陶瓷研究设计院陕西咸阳 712000
【正文语种】中文
【中图分类】TQ175.71
【相关文献】
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氮化硅结合碳化硅制品系列技术指标
碳化硅是人工合成的高级无机非金属材料，由共价健结合，硬度仅次于金刚石，熔点2600℃，真密度3.21g/cm3。
热导率达8.37W/m·k ；氮化硅熔点1900℃，莫氏硬度9，真密度3.19 g/cm3，热导率15W/m·k（石墨为129 W/m·k），氮化硅结合碳化硅是结合双方性能研制的一种新型高性能的耐火制品，化学性能稳定，常温抗折强度是普通耐火材料的4~8倍，是传统碳化硅制品（粘土结合碳化硅）的2~3倍，导热系数是一般耐火材料的7~8倍，是传统碳化硅的倍，热膨胀系数是一般耐火材料的一半。
实践证明，氮化硅结合碳化硅制品（150×150×15）经1100℃直接水冷30次不出现裂纹，有较好的热震稳定性。
抗高温蠕变、抗酸性、抗碱性、抗氧化性能优异，抗铝（Al ）、铅（Pb ）、锡（Sn ）、锌（Zn ）、铜（Cu ）等熔融金属侵蚀，电绝缘性良好，常温比电阻高。
用氮化硅结合碳化硅代替传统的碳化硅制品，可减轻窑具重量50%，提高炉池装载率16%，节能15%以上，是企业提高产品质量，增加经济效益的理想耐火材料。