碳材料的拉曼光谱

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实用干货丨解析常见碳材料的拉曼光谱`

实用干货丨解析常见碳材料的拉曼光谱`
TO
1550 1540 1530 1520
0.8 1.0
G+ G-
Semiconducting
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Diameter (nm)
Metallic tubes: G-→LO & G+→TO Semiconducting tubes: G- →TO & G+ →LO
G- diameter dependence → TO circumferential
做计算 找华算
Raman Shift (cm-1)
1600 1590 1580 1570 1560 1550 1540 1530
TO LO
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱG+ G-
Metallic
1600 1590
LO
1580 1570 1560
c. Illustration of the relationship between angles and the chiralities of
the adjacent edges.
做计算 找华算
当两相邻边缘的夹角是30°,90° 时,两边缘有不同的手性,一个是 armchair,一个是zigzag。
做计算 找华算
2D-BAND
层 数 依 赖 性
激发光能量依赖性
1. e excitation
2. e-phonon scattering
3. Phonon with opposite momentum 4. E-hole recombination
做计算 找华算
石墨的拉曼光谱
不同点不同偏振方向的 拉曼光谱 (a)完美石墨晶体 (b)有缺陷的石墨

碳量子点拉曼光谱

碳量子点拉曼光谱

碳量子点拉曼光谱
碳量子点拉曼光谱是一种表征碳量子点结构和性质的技术手段。

拉曼光谱是利用物质分子在散射光中发生频率变化的现象进行分析的方法。

对于碳量子点而言,它们的尺寸通常在纳米级别,因此其电子结构和振动模式与大尺寸的碳材料有所不同,这也导致了其特殊的光学性质。

通过测量碳量子点的拉曼光谱,可以获得关于其晶格结构、表面化学组成以及内部电子行为等方面的有价值信息。

拉曼光谱图可以反映出碳量子点的振动模式,如D带、G带和2D带等。

其中,D带代表着碳材料的缺陷或杂质引起的结构失序,而G带则代表着碳材料的有序晶格振动。

2D带则是二维材料独有的特征,代表了由双层碳原子组成的振动模式。

通过对碳量子点拉曼光谱的分析,可以确定其结晶度、尺寸分布、表面功能化基团以及纳米结构等信息。

此外,拉曼光谱还可以用于研究碳量子点的光学性质,如发光机制和能带结构等。

通过对这些信息的获取和分析,可以为碳量子点的合成方法优化、表面修饰以及在光电器件等领域的应用提供重要的指导。

综上所述,碳量子点拉曼光谱是一种非常有用的技术手段,可以帮助我们深入了解碳量子点的结构和性质,并且在材料科学和纳米技术研究中具有广泛的应用前景。

拉曼光谱 炭黑

拉曼光谱 炭黑

拉曼光谱炭黑
拉曼光谱是一种分析技术,通过测量散射光的频率变化来提供关于分子振动和转动的信息。

对于炭黑(Carbon Black),拉曼光谱可以用来研究其分子结构和振动模式。

炭黑是一种由碳原子构成的黑色颗粒,通常用作橡胶、沥青、颜料等的添加剂。

在拉曼光谱中,可以观察到与碳原子振动和结构相关的峰值和谱带。

一些可能出现在炭黑拉曼光谱中的特征包括:
1.G带(G band):代表石墨晶格振动,与碳原子的平面振动
有关。

2.D带(D band):代表非晶形碳或缺陷,通常与炭黑中的结
构缺陷相关。

通过分析这些峰值和其他特征,可以获取关于炭黑样品的结构信息。

需要注意的是,拉曼光谱也受到样品制备和实验条件的影响,因此在解释结果时需要考虑这些因素。

常见碳材料及其拉曼光谱(精)

常见碳材料及其拉曼光谱(精)

常见碳材料及其拉曼光谱陈翠红 200& 12.02三维的石金刚石 二维的石9烯・碳纳米带 一维的《纳米管•《纳米线 *维的富《烯(Ceo)S 筑学家理査《 •巴克明斯特•富«(Richard Buckminster Fuller) 设计的美国万国席览馆球形n 顶»壳<氛.常见的碳材料有:占::石墨的拉曼光谱自然界中并不存在宏观尺寸的石S单晶,而是含有许许多多任《取向的微小晶粒(HHIuni) •高定向热解石星(HOK;)是人工生长的一种石星.其碳平面几乎完美地沿其垂直方向堆*.然而沿着石星平面内・晶粒仍然存在任竜取向但非常小•CMfMM(I)结构不Ph拉曼光谱不同(2) G-band(*l580cm M是由碳环或长»中的所有原子对的拉伸运动产生的.(3)缺陷和无序诱#n-band (-•I360vm ')的产生•blc)Amorpboin Cwtx>n (a very broadpMk)(4) 我们用D峰与G峰的强度比来衡*碳材料的无序度・Highly oriented pyrolytic graphite (No D❻and) at 1582 cnrJActivated Charcoal (D and G bands ot I3eo. lUOcm')Ramon Spoctmm of OraphlteK T・4Krv・A・ A・fe> I la KMAXUt<Kpe»4v*d U1969)Wfcr**1355CB-1峰的出现归结于微晶尺寸效应使得没有拉*活性的某些声子在选择定W改变后变得有了拉*活性•发现D模对于拉曼活性0«的相对强度与样品中石》微晶尺寸的大小相关.Mbaud的发现及其研究1970年量先报道了无序诱导的I)模.19X1年.一些人利用不同的激发光能量研究了石《的拉*光谱,得出D 模频率随激发光能童的线性移动.斜率在4(450an.1/tY之间.1990年,一些人通过实验总结了D模强度和样品中各种无序或峡陷的相互关系,证明无论石®存在任何形式的无序,D模都会出现•无序诱导的D-band 的产生一双共提拉曼散射D,2D-Band-Double ResonanceD-BandG-Band1 ・ e excitation2. e ・phonon scattering3. defect scattering 4・ E-hole recombination伴随着层数的增加强度提高2D-Bandf■H E(C)Rwran V fl (cm**)-- A r*-才—n2700 2*00AOCn<» fthW (CP'*'}L c excilatian 2. c-phonon scuitcring 3. Phonon uHh uppusilvrocmenluin4. E-hoIe reconibinution激发光能*依聯性石墨的拉曼光谱111«111 K|><-*<• (, r<>w<-<>1 >v <>r111<-*It V S r I : I- It A N I I : Ic I ,l< Ip A N |> C II It IM I I A r< *]' II <T M ?< I :/•/ 小w”・,丿化/ 「“♦"如”切八 / "力. "/< <F«| J71>< <<«iau.4 ik >2/八Af4/u/ E cf 川初”•"山紹•次・ 77管/“n ・Ar Z7f r Z A /«."桁./yr#7l/>. fitrtuttuy不同点不同《«方向的拉曼光谱 (a) 完美石ft 晶体 (b) 有缺陷的石《激发光能«增加. 向离能方向移动・激发光波长衽近任外到近紫外是 性的・ «»4O'S0ca -7er2D 的大*是D 的两俗(a) D 模的相对强度与石ft 微晶尺寸La 的 相互关系-(b) 石》—阶和二阶拉*模的激发光能 *依義性.r IKIUV 7・(11) talMlMl I I M UMII Cur thv D UB O J W Ul tut tlliw tlftUvf will liWM©tMWg. (*> O«lcwlnt«-<l {full «qiBAXM> and v»cMiirv*1 (vp«ti •vmhc4«) frc>qiicntic» of th* t> n>o<1<» M0. U I AA' 4 jg Jj JvM,»1'3 Jk' r'*7;-'iT'~7KwMtMllKPuM b/fu/nnn epcHr 已gy <J / QfTupfuh■ 抄 粒l.MV l-MM> I5«K»lO<A)M fiUMitott u< uxjcii*!kM* vt*v«v<\\ Fiuiii Tl)o«u*vb Xr (Uah I2UUU). ilkv uwuujvu»vi«t* i«Jkvu from rf n/ (IO?KI). P6o«tk rf n l. (I W>H) And Mfhcf </. { VW>J小结療石4「532啊光学膜的拉曼峰强不依说曼实脸中激发光偵抿孚款字詮為谱睑垂亶和平行值摄配.下的蟹度不同’说明石■微晶的尺G*的频率比G 的两倍大・可能是纵向光学声子支的过度弯曲导致•一般来说・非拉曼活性舉动倍頻模的二阶拉《散射在石■中是允许的•爲群欝歸舉番雜盜蠶皺評于与石稣其他SP"*碳材碎石》烯是一种其禁带宽度几乎为寒的半金属/半导体材料 在2006 - 200M 年阖■石•烯已被制成弹道输运A 体伸bidlkw IransiMoDt 平面场效应管(FieW-EfTevI rransislorsh 并且吸引了大批科学家的兴ft■>石ft 烯的手性 Graphene 的结构及其拉曼光谱半金属性ZIGZAGrn V sK'AL Hr VIEWII T M H S石a 烯的拉曼光谱KMitiMit Sprrla-um IB T CU'MphriK' omi < ^ritpIx-iBr t.a'ufA.<7 IcfKirt?'* J <' Meyr 」V ' <? C AMi4<hi * M丿、<«"仇K. S N lum.』i4Mtl A. K-Ckuvi"*Ci4M^W|cr祕rvnnmuviwwr Z? A 冷*W *・ Ctvn/vAAv* CA> A 仏WMT %•从/ 5fM«r 敞 VMV ・Jk MWW^" <J*7wrw<- /idTJi A rr 究 /rf ;r /■*»* 〜4 7W/ ♦彳 I(a) Comparison of Raman spectra at 514 nm for bulk graphite and graphene. They are scaled to have similar height of the 2D peak at 2700 enrV(b) Evolution of the spectra at 514 nm with the number of layers. (c) Evolution of the Raman spectra at 633 nm with the number o( layers.(d) Comparison of the D band at 514 nm at the edge ol bulk graphite and single layer graphene. The fit of the D1 and D2 components ol the D band of bulk graphite is shown. fe) The four components of the 2D band in 2 layer graphene at 514 and 633 nm.mvMv Aar.*«.w Av^rrp Mm Ar4i*< A|/< WV Jm 2lHH»c p«Hi*«hod 34» tKiolwram me we严41*000no! \ 心序W«,3”K I \23 LZ J__ ■ 亠g ―R«nw Sign 、M» ano MM zzn me sm(d) D 峰的产生及峰位的不W (e) 2layer 2D 峰由四个组成Gniphrar 中 f 心无缺IB 存在7ZTDO 2*00^*>3e8wA JMiMfrmam2000B "声子支的分«<1.5cm'' 所以归因为电子能级的分裂电子《带的分 便bilayer 分裂为四个带FIG. X r>R f« the 2D peak in <«* single layer and 1b> hla’crAfTLKL> PHYSICS LETItRS ■、・ 16311}小MM)Edge chirality determination of graphene by Raman spectroscopyYuMeng You, ZhenHua Na, Tina Yu. and ZeXlaog Shen**Abitri aW flbsfi, ScAorM 今 Hbwwrt/ 耐 MarArmuiirtf/ $d<wrx AAhowgt/iwrfTOjy, Siiguptyr 27S7t ・ (fUceived 21 July 2a»: iMxepiAXi 30 ScpKinbcr 2WJ8. pubiubed uohoe 22 (Xtuber 200»>SCBVSSS一%Bilayer graphene单层及双层graphene2D 峰的双共撮过程%a*r * A■ 1才(C) 3(r• 1 ZigjagFIG. b Color onhnvOpikal Inwge <W * l> pkul MCG S I KT I and the angles between cdgc»・b The statislkat rvsulls oT the anglemeasunments. rhe standard deviation Is 5-4* •c Illustration of the rclatlonship between angles and the chlruUtks of the adjwtnl rdges>...WJArmchaw • •:『::::: a*-f :■:-:■ N->:■:-:■当两相邻迦》的夹角是30- • 90-时. 两边缘有不同的手性• 一个是armchair, 一个是zigzag.无序诱导的口峰的拉曼强度与边^* 手性有关, 在armchair edge 的边缘D 峰强度较强. 在zigzag边缘较弱.nC. J ICJur Rioua l ua hi tni “o di|iln W MT, (H flfr 〈rogX W. and (di <Mr TW wiugvi<inci«* 时 th* ◎ bod tmtwif ・kw ■ fnMww ml 2聘的 «<tW SLC sheet*. TV bur ■ adu -«*nJ 忖 ihr tvm imwv The w|«*-iinpM«J frMTViWi* b yuig X ibr 忙 mdx<hng Ar edfe <lutaJ<> K«e tkM the vbrabty <■< IMi*l) *<feJcieUMaed ” the obM — uf Ek toi< *wa| ■m W/W <« Oe iMC rvtr ■ 5L J C Dr wnk ta H I MO .小结(;2p hem;—般出现三个峰l )X>«2l);SLG 的2D 峰是尖悦的融峰,BLG 的2D 峰有四个组成,其他的都是两个组 成・可用来区分石星烯单层与多层・2D 峰起源于动量相反的两个声子參与的双共振拉S 过程.在所有sp2 碳材料中均有发现.石星烯根据边缘的不同・具有不同的手性.用fe*光谱.根据n-band 的拉曼强度可以识别graphene ed 跳的手性・对数百MCG 的研究表明,MCGiiat 夹角是30-的倍»・两相邻边缘的夹角是30- , 90。

碳材料拉曼分峰拟合

碳材料拉曼分峰拟合

碳材料拉曼分峰拟合
碳材料拉曼分峰拟合是一种常用的方法,用于分析和表征碳材料的结构和物理性质。

拉曼分光光谱是一种非常敏感的分析技术,能够探测和分析材料的微观结构和振动特性。

拉曼光谱图可以通过拟合各种谱峰来解析材料的结构和化学组成。

在碳材料的拉曼光谱中,常见的谱峰有D带、G带和2D带,它们分别对应于材料的结构和振动特性。

通过拉曼分峰拟合,可以准确地确定这些谱峰的位置、形状和强度,并进一步分析材料的结构和性质。

此外,拉曼分峰拟合还可以用于研究碳材料的缺陷、应力和表面性质等方面,具有重要的应用价值。

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碳的拉曼光谱

碳的拉曼光谱

碳的拉曼光谱是一种用于研究碳材料和碳结构的分析技术。

它利用拉曼散射的物理现象,其中光在碳材料上散射时,会与碳原子的振动和旋转模式相互作用,从而产生特定的拉曼光谱。

拉曼光谱的优点包括高灵敏度、高分辨率和无损检测。

这些特性使得拉曼光谱在许多科学领域中得到广泛应用,包括材料科学、化学、生物学和医学。

在碳材料的研究中,拉曼光谱可以提供关于碳原子结构和化学键信息的重要线索。

例如,石墨烯和碳纳米管的拉曼光谱具有非常特征的峰,可以用来区分和识别这些材料。

此外,拉曼光谱还可以用来研究碳材料的光学性质、电子结构和化学反应性。

总的来说,拉曼光谱是一种强大的工具,可以提供关于碳材料和碳结构的有价值的信息,帮助科学家和研究人员深入了解碳材料的性质和行为。

raman拉曼光谱碳缺陷电催化

raman拉曼光谱碳缺陷电催化

raman拉曼光谱碳缺陷电催化
拉曼光谱是一种非常重要的光谱分析技术,可以用来研究材料的结构和性质。

在碳材料的研究中,拉曼光谱可以用来检测和表征材料中的缺陷和电子激发态。

对于碳材料中的缺陷,例如碳纳米管和石墨烯中的缺陷,拉曼光谱可以提供它们的特征峰位置和峰形信息。

碳纳米管中的缺陷可以导致峰位的红移和峰形的变化,通过拉曼光谱可以定性和定量地分析这些缺陷。

另外,拉曼光谱还可以用于研究碳材料中的电子激发态,例如电子激发态下的局域振动模式。

在碳材料中,具有特定的电子激发态的缺陷可以导致拉曼光谱中新的特征峰的出现或者原有特征峰的变化。

通过分析这些特征峰的位置和峰形,可以了解材料中的电子激发态和缺陷的性质。

综上所述,拉曼光谱是一种非常有效的技术,可以用来研究碳材料中的缺陷和电子激发态,并且在碳缺陷电催化方面具有重要的应用价值。

炭材料的拉曼

炭材料的拉曼

炭素材料的拉曼光谱 (Raman spectrum of carbon materials)光通过介质后产生散射光;散射光的波数改变在10~4000cm-1范围内,这部分散射光所形成的光谱称为拉曼光谱。

l928年印度物理学家拉曼(C.V.Raman)首先用苯在实验上证实了这种散射的存在,因而得名。

前苏联物理学家兰茨贝格等在研究石英晶体的散射谱时也观察到这一现象。

20世纪60年代激光问世后,为拉曼技术提供了单色性、偏振性、方向性极好的强光源。

拉曼技术获得了迅速发展,成为材料科学研究中的重要手段之一。

在炭素材料的研究和鉴定中拉曼光谱的应用也日益广泛。

拉曼光谱的产生可用经典图像加以简单说明。

分子振动时各原子问的相对位置发生变化,其电极化率α可写成:(1)式中α0为原子在平衡位置时的电极化率,α1为电极化率随位置变化的部分,ν是原子简正振动频率。

在频率为v的外电场E的作用下,如外电场E的振动为:则分子感生的偶极矩P为:所以,感生偶极矩不但以外电场频率v振动产生弹性散射,而且频率振动产生非弹性散射,并在v的两侧对称分布。

这就是拉曼光谱。

同样,分子转动也可能产生频率改变的拉曼散射。

拉曼散射的频率与入射光频率之差叫拉曼位移,通常也称为拉曼光谱频率。

石墨具有六角碳网结构,网面内晶格振动具有拉曼活性。

这种振动称为E2g 型振动。

E2g型振动有两种E2g (1)和E2g(2).网面的相互振动,称为层面之间的剪切振动模式。

由于石墨网面之间的相互作用很弱,与这种振动相对应的拉曼谱频率很小,只为42cm-1。

E2g为石墨晶格网面内的伸缩振动,有时又称为高频面内振动模式。

这种振动较为强烈,在拉曼谱上对应的频率为l580cm。

结构良好的石墨晶体,在这一频率附近有一尖锐的特征峰,特称为G线或G 带,表征碳的sp2键结构。

结构完美的天然石墨的G线位于1575cm-1。

含有畸变结构的石墨微晶常常还有一条谱线在1350cm-1附近,称为D带。

tem表征碳材料

tem表征碳材料

tem表征碳材料
对碳材料进行表征的方法中,拉曼光谱无疑是一种非常重要的手段。

通过拉曼光谱分析,我们可以深入了解碳材料的内部结构和性质。

在拉曼光谱中,碳材料的特征表现得尤为明显。

其中,1590 cm-1附近的G带和1350 cm-1附近的D带是碳材料的典型标识。

D带和G带的强度比(ID/IG)能够直观地反映出碳材料的缺陷程度。

具体来说,石墨烯作为一种典型的碳材料,其结构中的碳原子排列方式对其整体性能起着决定性作用。

在石墨烯中,存在着基面sp2碳原子和缺陷sp3碳原子两种形式。

这些sp3能级的变化正是石墨烯缺陷程度的直接反映。

为了制备出富含边缘且无掺杂剂的石墨烯,科研人员常常采用Ar等离子体蚀刻技术。

而通过这一技术得到的石墨烯样品,其边缘缺陷位点的存在则可以通过X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱以及高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等多种表征手段进行证实。

这些表征结果不仅证明了Ar等离子体蚀刻技术制备石墨烯的有效性,还为我们进一步研究石墨烯的结构与性能关系提供了坚实的实验依据。

总而言之,通过拉曼光谱等表征手段对碳材料进行深入分析,我们可以更好地理解其内部结构和性质,为进一步优化碳材料的性能和应用领域提供有力支持。

同时,这些表征结果也是检验制备技术是否有效的关键依据,为推动碳材料研究领域的持续发展提供了不可或缺的实验依据和数据支撑。

拉曼光谱 生物质炭

拉曼光谱 生物质炭

拉曼光谱生物质炭
拉曼光谱是一种分析物质结构和化学成分的光谱技术。

它基于拉曼散射现象,当激光束照射到物质上时,部分光子会与物质中的分子发生相互作用,导致光子的频率发生变化。

这种频率变化与分子的振动模式和化学键有关,因此可以提供关于物质结构和化学组成的信息。

生物质炭是由生物质(如植物、木材、农业废弃物等)在缺氧条件下经过热解和碳化过程制成的炭材料。

生物质炭具有高比表面积、多孔性和丰富的表面官能团,因此在环境修复、能源储存和催化等领域具有广泛的应用前景。

通过拉曼光谱分析可以研究生物质炭的结构特征、表面官能团以及炭化过程中发生的化学变化。

拉曼光谱可以提供关于生物质炭中碳原子的振动模式、化学键的信息,帮助了解生物质炭的石墨化程度、表面性质和官能团类型等。

拉曼光谱技术在生物质炭的研究中具有快速、无损和高分辨率的优点,可以帮助深入了解生物质炭的结构和性质,为其应用和优化提供重要的参考依据。

碳材料的拉曼光谱

碳材料的拉曼光谱

无序诱导的D band的产生---双共振拉曼散射 无序诱导的D-band的产生---双共振拉曼散射 的产生---
D,2D-Band-Double Resonance
D-Band G-Band
K
≈ 1580cm −1
1. 2. 3. 4.
e excitation e-phonon scattering defect scattering E-hole recombination
Graphene的结构及其拉曼光谱 的结构及其拉曼光谱
石墨烯的手性 半金属性
石墨烯是一种其禁带宽度几乎为零的半金属/ 石墨烯是一种其禁带宽度几乎为零的半金属/半导体材料 在2006 – 2008年间 石墨烯已被制成弹道输运晶体管(ballistic transistor), 年间, 石墨烯已被制成弹道输运晶体管 , 年间 平面场效应管(Field-Effect Transistors),并且吸引了大批科学家的兴趣 平面场效应管 ,
(d)D峰的产生及峰位的不同 ) 峰的产生及峰位的不同 (e)2layer 2D峰由四个组成 ) 峰由四个组成
(d) Comparison of the D band at 514 nm at the edge of bulk graphite and single layer graphene. The fit of the D1 and D2 components of the D band of bulk graphite is shown. (e) The four components of the 2D band in 2 layer graphene at 514 and 633 nm.
商用石墨 1355cm1355cm-1峰的出现归结于微晶尺寸效应使得没 有拉曼活性的某些声子在选择定则改变后变得 有了拉曼活性。 有了拉曼活性。 发现D模对于拉曼活性G 发现D模对于拉曼活性G模的相对强度与样品中 石墨微晶尺寸的大小相关。 石墨微晶尺寸的大小相关。

碳材料的拉曼光谱及其应用

碳材料的拉曼光谱及其应用

双层石墨烯:AB堆垛
Malard et al. Physics Reports 473, 51 (2009)
双层石墨烯:Twisted
He et al. Nano Lett. 13, 3594 (2013)
双层石墨烯中出现的新拉曼模式: LBM呼吸峰 C/ZO峰 R和R’峰
掺杂以及功能化
The cutting lines on the two Dirac cones give the energy band by the dispersion relation at around K point.
Saito R., et al. Physical properties of carbon nanotubes, Imperial College Press (1998)
Raman spectra of polyynes
1/N
The longer the polyyne, the lower the Raman frequency. So it is possible to estimate the length of polyyne by its Raman frequency.
• 变温,变压,磁场…
Lapin et al. Faraday Discussions, 2015
拉曼光谱和红外的区别与联系
• 红外是分子的振转吸收(透射); • 拉曼是光子与分子发生非弹性碰撞(散射);
红外和拉曼互补,很多情况下红外活性和拉曼 活性并不同时存在。
拉曼光谱的强度,峰形和分辨率
Tabata et al. Carbon, 44, 3168 (2006) Yang et al. J. Phys. Chem. A 111, 2434 (2007)

测碳材料拉曼激光波长

测碳材料拉曼激光波长

测碳材料拉曼激光波长拉曼光谱是一种非常重要的分析方法,尤其在研究碳材料方面起到了关键作用。

在碳材料研究中,拉曼光谱可以用来确定材料的晶体结构、官能团和晶格动力学性质,同时也可以探索该材料的光学、电子以及声子性质。

本文将结合生动的案例,全面地介绍测量碳材料拉曼激光波长的方法,并为研究者提供一些建议。

首先,测量拉曼激光波长的方法有很多,其中最常见的方法是使用激光拉曼光谱仪。

这种仪器通常包含一个激光器、一个样品台和一个光谱仪。

实验过程中,我们首先将碳材料样品放置在样品台上,并调整激光器的波长和功率,使其适合于我们的实验需求。

然后,我们通过调整样品的位置和角度,使激光束正好照射到样品的表面。

接下来,我们使用光谱仪收集样品所产生的散射光谱,并将其与基准光谱进行对比。

通过分析样品的拉曼光谱,我们就能得到所需的拉曼激光波长信息。

在实际测量中,研究者应遵循以下几点建议。

首先,要保证实验环境的稳定性。

拉曼光谱受到外界干扰的影响较大,如温度、湿度和振动等。

因此,选择一个稳定的实验室环境十分重要,可以减少干扰,提高测量精度。

其次,我们应该选择适当的激光器波长。

不同的碳材料可能对不同波长的激光有不同的响应,因此应灵活选择最适合的激光波长,以增强拉曼信号。

此外,合理选择激光功率也十分重要,过高的功率可能导致样品的烧毁或光谱的失真。

最后,我们应合理选择样品的制备方法。

不同的样品制备方法可能会导致样品的结构和形态发生改变,从而影响拉曼光谱的测量结果。

因此,在进行实验前应对样品进行充分的特性分析,并确保样品的制备方法符合实验要求。

总体而言,测量碳材料拉曼激光波长是一项重要而复杂的工作。

通过选择合适的实验设备和方法,并遵循实验建议,我们可以获得准确的拉曼激光波长信息。

这对于研究碳材料的结构和性质,以及应用于各种领域的开发具有指导意义。

希望本文所介绍的方法和建议能够对相关研究者提供实用的帮助,推动碳材料领域的进一步发展和应用。

炭材料的拉曼

炭材料的拉曼

炭素材料的拉曼光谱 (Raman spectrum of carbon materials)光通过介质后产生散射光;散射光的波数改变在10~4000cm-1范围内,这部分散射光所形成的光谱称为拉曼光谱。

l928年印度物理学家拉曼(C.V.Raman)首先用苯在实验上证实了这种散射的存在,因而得名。

前苏联物理学家兰茨贝格等在研究石英晶体的散射谱时也观察到这一现象。

20世纪60年代激光问世后,为拉曼技术提供了单色性、偏振性、方向性极好的强光源。

拉曼技术获得了迅速发展,成为材料科学研究中的重要手段之一。

在炭素材料的研究和鉴定中拉曼光谱的应用也日益广泛。

拉曼光谱的产生可用经典图像加以简单说明。

分子振动时各原子问的相对位置发生变化,其电极化率α可写成:(1)式中α0为原子在平衡位置时的电极化率,α1为电极化率随位置变化的部分,ν是原子简正振动频率。

在频率为v的外电场E的作用下,如外电场E的振动为:则分子感生的偶极矩P为:所以,感生偶极矩不但以外电场频率v振动产生弹性散射,而且频率振动产生非弹性散射,并在v的两侧对称分布。

这就是拉曼光谱。

同样,分子转动也可能产生频率改变的拉曼散射。

拉曼散射的频率与入射光频率之差叫拉曼位移,通常也称为拉曼光谱频率。

石墨具有六角碳网结构,网面内晶格振动具有拉曼活性。

这种振动称为E2g 型振动。

E2g型振动有两种E2g (1)和E2g(2).网面的相互振动,称为层面之间的剪切振动模式。

由于石墨网面之间的相互作用很弱,与这种振动相对应的拉曼谱频率很小,只为42cm-1。

E2g为石墨晶格网面内的伸缩振动,有时又称为高频面内振动模式。

这种振动较为强烈,在拉曼谱上对应的频率为l580cm。

结构良好的石墨晶体,在这一频率附近有一尖锐的特征峰,特称为G线或G 带,表征碳的sp2键结构。

结构完美的天然石墨的G线位于1575cm-1。

含有畸变结构的石墨微晶常常还有一条谱线在1350cm-1附近,称为D带。

单原子拉曼光谱碳缺陷

单原子拉曼光谱碳缺陷

单原子拉曼光谱碳缺陷
单原子拉曼光谱是一种分析表面结构和材料性质的技术,而碳缺陷通常指的是材料中存在的碳原子的缺失或缺陷。

在单原子拉曼光谱中,可以通过对材料进行激光散射来获取关于碳缺陷的信息。

对于碳缺陷的单原子拉曼光谱分析,以下是可能涉及的一些方面:
1.D带和G带:
•在碳材料的拉曼光谱中,通常会观察到D带和G带。

D 带代表了存在缺陷的振动模式,而G带代表了非晶碳或
结晶碳的振动模式。

碳缺陷通常会引起D带的出现。

2.D带的强度和形状:
•D带的强度和形状可以提供关于碳缺陷类型和程度的信息。

通过分析D带的特征,可以推断出缺陷的种类,例如
石墨烯中的碳缺陷或碳纳米管中的缺陷。

3.Raman-Active Mode的变化:
•碳材料的拉曼光谱中的Raman-Active Mode可以受到缺陷的影响而发生变化。

观察这些模式的频率和强度变化可
以提供有关碳缺陷性质的信息。

4.与其他峰的关联:
•单原子拉曼光谱的解析度高,能够捕捉到与碳缺陷相关的其他峰。

通过这些峰的位置、强度和形状的变化,可以更
全面地了解碳缺陷的性质。

需要指出的是,单原子拉曼光谱分析是一个高度专业的领域,需
要先进的仪器和专业的知识。

对于具体的实验和分析,建议参考相关文献和专业的研究领域。

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Hundreds of species depend on how it is folded.
奇妙的碳纳米管 “太空电梯”的绳 索
具有极好的可弯折性 密度小,硬度强,钢的100倍
最细的碳纳米管 (0.4 nm)
2000年,香港科技大学的汤子康博士即宣布 发现了世界上最细的纯碳纳米碳管0.4nm, 这一结果已达到碳纳米管的理论极限值。
CNTs的D-band的频率随激发光 能量的降低而减小
相同激发光能量下,DWNTs的D 峰频率最低。内外层作用力的影响。
线性关系
斜率~26.5cm-1/ev
CNTs:WD=W0+26.5Elaser
MWNTs W0=1285
DWNTs
1260
SWNTs
1270
结论
❖ 由于内外层相互作用,SWNTs与DWNTs的拉曼光谱不同。 ❖ 直径越小,弯曲度越大,π电子云形状变化越大,相反,直
b The statistical results of the angle measurements.The standard deviation is 5.4°.
c Illustration of the relationship between angles and the chiralities of the adjacent edges.
❖ 对无序石墨, E2g谱线在垂直和平行偏振配置下的强度不同,说明石墨微晶的尺 寸较小并任意取向。
❖ G*的频率比G的两倍大,可能是纵向光学声子支的过度弯曲导致。 ❖ 一般来说,非拉曼活性振动倍频模的二阶拉曼散射在石墨中是允许的。 ❖ 声子频率的激发光能量依赖性及其他效应都起源于与石墨和其他sp2键碳材料特
(d)D峰的产生及峰位的不同 (e)2layer 2D峰由四个组成
(d) Comparison of the D band at 514 nm at the edge of bulk graphite and single layer graphene. The fit of the D1 and D2 components of the D band of bulk graphite is shown. (e) The four components of the 2D band in 2 layer graphene at 514 and 633 nm.
❖ 对于不同类型的碳纳米管具有不同的m,n值。 ❖ m=n, θ=30o, 单臂纳米管。 Armchair ❖ n或m=0, θ=0o , 锯齿形纳米管。Zigzag ❖ θ处于0o 与30o之间,手性纳米管。chiral
Zigzag chiral
二维石墨片的卷曲,沿不同点阵方向卷曲可形成不同类型的碳纳米管
❖ 2D峰起源于动量相反的两个声子参与的双共振拉曼过程。在所有sp2 碳材料中均有发现。
❖ 石墨烯根据边缘的不同,具有不同的手性,用拉曼光谱,根据D-band 的拉曼强度可以识别graphene edge的手性。
❖ 对数百MCG的研究表明,MCG边缘夹角是30°的倍数。 ❖ 两相邻边缘的夹角是30°,90°和150°时,两边缘有不同的手性,一
❖ 自然界中并不存在宏观尺寸的石墨单晶,而是含有许许 多多任意取向的微小晶粒(100um)。
❖ 高定向热解石墨(HOPG)是人工生长的一种石墨,其碳 平面几乎完美地沿其垂直方向堆叠,然而沿着石墨平面 内,晶粒仍然存在任意取向但非常小。
(1)结构不同,拉曼光谱不同
(2)G-band(~1580cm-1)是由碳环或长链中 的所有sp2质
❖ 碳纳米管的性质强烈依赖于直径和手性,直径越小,电子的状态与sp2 差别越大,表现的量子效应越明显。
❖ 美国C.T.White教授计算得出[n-m]=3q(q为整数), 碳管为金属性。其 他情况表现半导体性,并且禁带宽度正比于碳管直径的倒数。
❖ 单臂纳米管为金属性,锯齿形、手性碳管部分为金属,部分为半导体 性。
激发光能量增加,D模频率 向高能方向移动。 激发光波长在近红外到近紫外是 线性的,斜率40~50cm-1/ev 2D的大概是D的两倍
(a)D模的相对强度与石墨微晶尺寸La的 相互关系。 (b)石墨一阶和二阶拉曼模的激发光能 量依赖性。
小结
❖ 对完美石墨,~1580cm-1的E2g光学膜的拉曼峰强不依赖于拉曼实验中激发光偏振 方向。
碳纳米管的结构
沿不同点阵方向卷曲二维石墨烯可形成不同类型的碳纳米管
❖ 手性矢量Ch = na1+ ma2 ❖ a1和a2为单位矢量,n,m为整数,手性角θ为手性矢量与a1之间
的夹角。 ❖ 通常用(n,m) 表征碳管结构;也可用直径dt和螺旋角θ表示。
1
dt Ch / 3acc (n2 nm m2 )2 / tan1[ 3m /(m 2n)]
个是armchair,一个是zigzag。当夹角是60°和120°时,有相同的手性。
一维碳材料--碳纳米管
碳纳米管(Carbon nanotube)是1991年才被发现的一种碳结构。 理想纳米碳管是由碳原子形成的石墨烯片层卷成的无缝、中空的管体 SWNT的直径一般为1-6 nm,最小直径大约为0.5 nm,直径大于6nm 以后特别不稳定,会发生SWNT管的塌陷,长度则可达几百纳米到几个微米 MWNT的层间距约为0.34纳米,直径在几个纳米到几十纳米,长度一般在微 米量级,最长者可达数毫米 碳纳米管中的碳原子以sp2杂化,但是由于存在一定曲率 所以其中也有一小部分碳属sp3杂化
G- diameter dependence TO circumferential
Raman Shift (cm-1)
1600 1590 1580 1570 1560 1550 1540 1530
TO LO
G+ G-
Metallic
1600 1590
LO
1580 1570 1560
TO
1550 1540 1530 1520
❖ 随着半导体纳米管直径增加,带隙变小,在大直径情况下,带隙为零, 呈现金属性质。
CVD方法制备的单臂碳纳米管 SWNTs的平均直径1.85nm
普通的单个SWNTs的拉曼光谱有三 个峰,RBMs D G RBM的频率=A/dt 实验测定A=248cm-1nm,Si/SiO2上 生长的离散SWNTs比较准确。 D峰的频率依赖于激发光能量和直 径。
❖ 与缺陷石墨D-band相比:较小的线宽7—40,反应电子和声子的量子限 制效应。存在非对称展宽。 D谱带频率与直径有关,满足wD=wD0+C/dt
C对于双共振相关的过程是正的,强化了D普带频率。在弹性常数效应情况 下,wD0就是二维石墨中观察到的频率数值。 在实验中还发现扶手椅型与锯齿形的单臂碳纳米管的D普带有24cm-1 的频率差。
碳纳米管的拉曼光谱G-band
Graphite: G峰单一,尖锐 对应q==0, mode E2g
Nanotubes: 两个峰 G+ 和 G-. 起源于 graphite E2g Metallic semiconducting
G峰的振动模式及其性质
G+: no diameter dependence LO axial
殊的电子能带结构相关的双共振拉曼散射效应。
Graphene的结构及其拉曼光谱
半金属性
石墨烯的手性
石墨烯是一种其禁带宽度几乎为零的半金属/半导体材料
在2006 – 2008年间, 石墨烯已被制成弹道输运晶体管(ballistic transistor), 平面场效应管(Field-Effect Transistors),并且吸引了大批科学家的兴趣
当两相邻边缘的夹角是30°,90°时, 两边缘有不同的手性,一个是armchair, 一个是zigzag。
当夹角是60°时,有相同的手性。
无序诱导的D峰的拉曼强度与边缘 手性有关: 在armchair edge的边缘D峰强度较强, 在zigzag边缘较弱。
小结
❖ Graphene一般出现三个峰D,G,2D; D和2D峰具有激发光能量依赖性, SLG的2D峰是尖锐的单峰,BLG的2D峰有四个组成,其他的都是两个组 成,可用来区分石墨烯单层与多层。
D--band的发现及其研究
1970年最先报道了无序诱导的D模。 1981年,一些人利用不同的激发光能量研究了石墨的拉曼光谱,得出D 模频率随激发光能量的线性移动。斜率在40~50cm-1/ev之间。 1990年,一些人通过实验总结了D模强度和样品中各种无序或缺陷的相 互关系,证明无论石墨存在任何形式的无序,D模都会出现。
0.8 1.0
G+ G-
Semiconducting
1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Diameter (nm)
Metallic tubes: G-LO & G+TO
Semiconducting tubes: G- TO & G+ LO
无序诱导的D-band
❖ 在Si/SiO2衬底上CVD法生长的离散单臂碳纳米管的大量拉曼光谱中,有 一般有强度很弱的D-band信号
石墨烯的拉曼光谱
Graphene中 心无缺陷存在
(a) Comparison of Raman spectra at 514 nm for bulk graphite and graphene. They are scaled to have similar height of the 2D peak at 2700 cm-1. (b) Evolution of the spectra at 514 nm with the number of layers. (c) Evolution of the Raman spectra at 633 nm with the number of layers.
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