显影液和蚀刻液

显影液

AZ300 MIF生产商

安智电子材料有限公司（AZ Electronic Materials）作为业界领头羊，一直为平板显示器和录音磁头市场提供电子材料，其投资方为喀莱尔集团（Carlyle Group）。

AZ EM在50年代第一个开始正光阻蚀刻液的开发，先进的生产和研究能力，其产品质量引领世界先进水平。以在美国和日本的研究所为中心在德国、法国设立服务中心，并在美国国内、中国大陆和台湾、韩国设立生产基地，将销售和技术支持中文设立在用户附近。

公司的主要产品是光阻蚀刻液，是一种电子感光材料，应用在电子线路图形印刻等方面，另外AZ还提供电绝缘材料，光膜材料和硅制品等。

AZ300 MIF其最小精度打到0.25μm，基本成分是四甲基氢氧化铵（tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH)），其电子等级达到2.38，是一种活性较高的电子材料。

在一般的菲林胶片中则多用到温水、无水亚硫酸钠、无水碳酸钠、溴化钾

米吐尔（甲基-4-氨基苯酚硫酸盐(CH3NHC6H4OH)2·H2SO4）

几奴尼（对苯二酚）

蚀刻液

CR-7T生产商：

帆宣系统科技股份有限公司于1988年由高新明董事长暨执行长所创立。成立以来，一向专注于半导体、平面显示器设备及耗材代理，厂务系统TURNKEY服务等业务；近年来帆宣公司更进一步跨入LED、OLED等光电制程设备与技术开发，并进入微机电及生技等产业，朝多元化方向发展。

帆宣公司业务领域包括：代理销售CMP、光罩等半导体之制程及检测机台与耗材，SOI Wafer，LCD制程及检测设备及材料等；客户委托之设备组装制造；以及专业之无尘室及机电统包工程，包括设计、安装、采购、工程管理、施工、测试，纯水、气体及化学品供应系统设计执行、废气废水废溶剂处理和监控系统等。

帆宣公司企业总部设于台北，全省北中南据点包括新竹、湖口、台中、台南及高雄；海外服务点遍布于中国大陆、新加坡、韩国及美国。

Etching rate: CR-3S (Angstrom per Second);

CR-7S 24 (Angstrom per Second)

主要由双氧水和盐酸构成形成的过氯酸来腐蚀铬，因为各厂家技术要求指标不同，所以其中相关化学成分的配比也有所不同。（由HCLO4+Ce(NH4)2(NO3)6+H2O组成反应物质）

特点:

高纯度6

高稳定性

高洁净度

SPC 生产控制

蚀刻技术及蚀刻液的分析

蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可分为湿蚀刻和干蚀刻，在湿蚀刻中使用化学溶液，经由化学反应以达到蚀刻的目的，而干蚀刻通常是一种等离子体蚀刻，其作用可能是等离子体撞击芯片表面的物理作用，或者可能是等离子体活性基与

芯片表面原子间的化学反应，甚至也可能是两者的复合作用。

1. 晶圆蚀刻

在集成电路制造过程中，常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案，它们的形成可以借由蚀刻技术完成。早期半导体制程中所采用的蚀刻方式为湿蚀刻，主要是借由溶液与待蚀刻材质间的化学反应，因此可借由调配与选取适当的化学溶液，得到所需的蚀刻速率，以及待蚀刻材料与光阻及下层材质良好的蚀刻选择比。但是随着集成电路中组件尺寸越做越小，由于化学反应没有方向性，而湿蚀刻是等向性的，此时当蚀刻溶液做纵向蚀刻时，侧向的蚀刻将同时发生，进而造成底切现象，导致图案线宽失真。因此湿蚀刻在次微米组件（3微米以下）的制程中已被干蚀刻所取代。

半导体制程中常见的几种物质的湿蚀刻是硅、二氧化硅、氮化硅及铝。单晶硅与复晶硅的蚀刻通常是利用硝酸与氢氟酸的混合液来进行，此反应是利用硝酸将硅表面氧化成二氧化硅，再利用氢氟酸将形成的二氧化硅溶剂去除，反应如下：

Si + HNO3 + 6HF = H2SiF6 + HNO2 + H2 + H2O

二氧化硅的湿蚀刻通常采用氢氟酸溶液加以进行，反应如下：

SiO2 + 6HF = H2 + SiF6 + 2H2O

实际应用上是用稀释的氢氟酸或添加氟化铵作为缓冲剂来控制蚀刻速率。

氮化硅可利用加热至180°C的磷酸溶液(85%)来进行蚀刻。

铝或铝合金的湿蚀刻主要是利用磷酸、硝酸、醋酸及水的混合溶液加以进行，典型的比例为80％的磷酸、5％的硝酸、5％的醋酸及10％的水。由硝酸将铝氧化成氧化铝，接着再利用磷酸将氧化铝予以溶解去除，如此反复进行以达到蚀刻的效果。

2. PCB蚀刻

目前用作蚀刻溶剂的有：氯化铁（Ferric Chloride）、氯化铜（Cupric Chloride）、碱性氨（Alkaline Ammonia）、硫酸加过氧化氢（Sulfuric Acid + Hydrogen Peroxide）、硫酸－铬酸蚀刻液、过硫酸铵蚀刻液。

蚀刻液主要有氯化铜液、三氯化铁液、碱性蚀刻液、硫酸/过氧化氢（双氧水）系蚀刻液。氯化铜蚀刻液由氯化铜(CuCl2･2H2O)+盐酸(HCl)+过氧化氢(H2O2)+水(H2O)组成；三氯化铁蚀刻液是由三氯化铁(FeCl３)+盐酸(HCl)+水(H2O)组成的；碱性蚀刻液的主要成分是有铜氨络离子；硫酸/过氧化氢（双氧水）蚀刻液以硫酸与过氧化氢（双氧水）为主成分。

以蚀刻液氯化铜及氯化铁的市场使用情况，PCB厂商约有95%使用氯化铜(CuCl2)，IC载板厂商约80%使用氯化铁(FeCl3)，20%使用氯化铜(CuCl2)