半导体照明术语及定义(芯片外延片)

外延术语

1、外延生长（Epitaxy）

2、量子阱（Quantum Well）

3、能带工程（Energyband engineering）

4、半导体发光二极管（Light Emitting Diode）

5、PN结的击穿（PN junction Striking）

6 Deposition）

7、异质结构（Heterogeneous Structure）

8、量子阱半导体激光器（Quantum Well Laser）

9、超晶格（Super Lattice）

Epitaxy

GaP：磷化镓

n-GaN：N型氮化镓

p-GaN：P型氮化镓

GaAs：砷化镓

GaN：氮化镓

AlInGaP：磷化铝镓铟（铝铟镓磷）

AlGaAs：砷化铝镓（铝镓砷）

InGaN 铟镓氮

AlGaN 铝镓氮

Wafer：晶片、外延片

分析仪器

1、XRD：X射线衍射仪，主peak GaN分析仪器

2、PL：荧光光谱仪（或光致发光光谱仪），Peak强度越强，FWHM越窄，表示有

较佳的QW。

3、Hall：霍尔测试仪，利用霍尔效应测量载流子（对n-GaN载流子为电子，对p-GaN,载流子为空穴）迁移率（mobility）以及Sheet Resistance，分析时同结构若有相同的掺杂（Doping），若是量测的迁移率mobility较小，可以推测此结构有较多的缺陷（Defects）。

4、SEM（Scanning Electron Microscopy）：扫描式电子显微镜，测量刻蚀深度、

及刻蚀截面状况。

5、Microscope：显微镜

6、Differential Microscopy（Nikon-OPTI PHOT）：晶相（金相）显微镜，用

morphology）。

7、EDS EDS之仪器构造主要是由一个硅(锂)固态侦测器为

核心，它是由硅单晶参杂锂原子而成的。

8、：金属有机化学汽相

9、TEM

10、SIMS：二次离子质谱仪，测量每层的掺杂状况，可测量P-GaN以及N-GaN

的掺杂状况，以及掺杂载子的浓度以及扩散距离等测量。

芯片（Chip）

1、LED（Light Emitting Diode）：发光二极管

2、reverse mounting type 薄芯片LED：反向粘着型薄芯片LED（倒装芯片）

3、GaN LED：氮化镓发光二极管

4、UV LED：紫外线二极管（紫外发光二极管）

5、Chip Processing：芯片制程

6、

7、Photoresist

很硬而不溶解于腐蚀剂。其作用是将Pattern

上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。（第13条与此条合并）

8、Etching：蚀刻

9、

程前所沈沉积的薄膜，把没有被光阻覆盖及保护的部分，利用化学溶液与芯片表面产生氧化还原作用的化学反应的方式加以去除，以完成转移光罩图案（掩膜版图形）到薄膜上面的目的。

10、Dry Etching

11、Evaporation：蒸镀，利用电子枪所射出的电子束轰击待镀材料，将高能电

子射束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使其局部熔化。

12、blue tape（蓝膜）把金属弄走。

14、Mask是一石英玻璃，上面會鍍上一層影像。(e.g. TCL,

p-pad, n-pad)

15、Photoresist Coating

16、Soft Bake：软烤，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并

控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。

17、Hard Bake：硬烤，是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，

并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。

18、Exposure：曝光，是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩

（掩膜版）上的图形传递到Wafer上的过程。

19、PEB（Post Exposure Bake）：是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake

的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。

20、Development：显影，类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过

程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。

21、Nozzle：喷嘴

22、BARC（Bottom Anti Reflective Coating）：是被涂布在光阻下面的一层减

少光的反射的物质。

23、TARC（Top Anti Reflective Coating）：是被涂布在光阻上表面的一层减

少光的反射的物质。

24、Iline：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，

其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。

25、DUV：曝光过程中用到的深紫外光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝

光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。

26、Exposure Field：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域。

27、Stepper：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure

field,一個一個曝過去。

28、Scanner：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個

exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field。

29、Energy：曝光量

30、Focus：焦距

31、Reticle Mask，曝光过程中的原始

图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。

32、上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落

33、

0.18微米以下的Poly,

Metal layer就是OPC

34、PSM (Phase Shift Mask)：不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前

大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1

35、CR Mask只是利用光訊0與1干涉成像,主要

應用在較不Critical 的layer

36、Track：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，

Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。

37、Wafer Edge Exposure（WEE）：由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，

因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。

38、Post Exposure Bake（PEB）：其功能在于可以得到质量较好的图形。（消

除standing waves）

39、Overlay：迭对测量仪