士兰微电子推出高压MOS管的原
20120210 士兰分立器件产品介绍
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Return
芯片产能 (pcs) 40K/M 4K/M 50K/M 4K/M 0.1K/M 2K/M 18K/M 5.5K/M 2K/M 8K/M
Company Confidential, don’t copy
Page 8
热情
Enthusiasm
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Return
S-RinTM 表示采用了比前几代高压HVDMOS更小尺寸的GR环的新一代士兰 VDMOS器件。
• •
S-RinTM 系列高压VDMOS同时采用了优化后的条形元胞结构。 控制和调节J-FET注入的深度和浓度来改善Rdson 参数.
Silan 士兰微电子 分立器件产品封装 • • • • • •
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Return
目前,已在士兰集成芯片厂完成建立了分立器件产品封装净化厂房 (主要针对高压 MOS管/FRD/SBD等产品) 2011年3月开始批量封装FRD/SBD产品; 2011年7月开始批量封装HVMOS产品; 目前批量生产的封装形式有TO-220-3L/TO-220F-3L/TO-3PN这3种; 后续会根据具体需求有计划的增加TO-252-2L/TO-251-3L/ TO-263-2L/TO-262-3L等; 目前封装厂的产能已扩展到15KK/M; 我们正在成都建立功率半导体封装基地用来扩展更大产能和降低成本.
士兰微SVF5N60规格书(最新版)
EAS测试电路及波形图
L
EAS =
1 2
LIAS2
BVDSS BVDSS - VDD
BVDSS
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t) tp
VDS(t) Time
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第6页
封装外形图
TO-220F-3L(1)
SVF5N60T/F/D/MJ 说明书
单位: mm
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V VDS
12V
200nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS VGS RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG 10V
tp
VDS ID
1. VGS=0V 2. f=1MHz
1
10
100
漏源电压 – VDS(V)
栅源电压 – VGS(V)
反向漏极电流 – IDR(A)
漏极电流 – ID(A)
图2. 传输特性 100
-55°C 25°C 150°C
10
1
注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
TO-220F-3L(2)
单位: mm
版本号：1.2 2011.09.13 共10页 第7页
士兰微电子 SD6952CS 说明书
内置高压三极管的原边控制开关电源控制器描述SD6952CS是内置高压三极管的原边控制模式的开关电源控制器（PSR），内置线损补偿和峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。
采用SD6952CS设计系统，无需光耦和Y电容，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低成本。
SD6952CS在AC85~264V范围内推荐5W功率。
主要特点♦内置高压三极管♦原边控制模式♦低启动电流♦前沿消隐♦PFM调制♦过压保护♦欠压锁定♦短路保护♦过温保护♦环路开路保护♦线损电压补偿♦峰值电流补偿♦逐周期限流应用♦手机充电器♦小功率适配器♦MP3及其它便携式设备充电器♦待机电源产品规格分类内部框图管脚排列图GNDVCC ISEN OCCDC OCFB管脚说明极限参数（除非特殊说明，T amb=25︒C）三极管电气参数（除非特殊说明，T amb=25︒C）电气参数（除非特殊说明，VCC =18V，Tamb=25︒C）参数温度特性-4.0-2.004.06.08.0温度(°C)启动电流 - I S T (μA )-40-2020406080100启动电流vs. 温度12.013.015.016.018.0温度(°C)启动电压 - V S T(V )-40-20020406080100启动电压vs. 温度14.017.03.05.06.07.09.0温度(°C)关断电压 - V S P (V )-40-2020406080100关断电压vs. 温度3.403.603.804.004.404.60温度(°C)恒压阈值 -V C V (V )-40-2020406080100恒压阈值vs. 温度2.08.04.0 4.20功能描述SD6952CS 是离线式开关电源集成电路，内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。
士兰微电子 SD8583S 说明书 内置高压MOS管的原边控制开关电源 说明书
内置高压MOS管的原边控制开关电源描述SD8583S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源（PSR），采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流（CV/CC）控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。
采用SD8583S设计系统，无需光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低系统成本。
SD8583S适用8W输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能。
主要特点♦内置高压MOS管功率开关♦原边控制模式♦低启动电流♦前沿消隐♦逐周期限流♦PFM调制♦降峰值模式♦过压保护♦欠压锁定♦环路开路保护♦最大导通时间保护♦过温保护♦线损电压补偿♦峰值电流补偿应用♦充电器♦适配器♦待机电源产品规格分类内部框图管脚排列图CDC ISEN DrainDrain管脚说明管脚号 管脚名称 I/O 功 能 描 述1 VCC P 供电电源；2 FB I 反馈电压输入端；3 CDC I 输出线损补偿端；4 ISEN I 峰值电流采样端； 5、6 Drain O 高压MOS 管漏端； 7GNDG地。
极限参数（除非特殊说明，T amb=25°C）MOS管电气参数（除非特殊说明，T amb=25°C）电气参数（除非特殊说明，VCC =18V，Tamb=25°C）参数温度特性-12.0-8.0-4.0012.0温度(°C)启动电流 (μA )-40-2020406080120启动电流vs. 温度温度(°C)启动电压(V )启动电压vs. 温度温度(°C)关断电压 (V )关断电压vs. 温度温度(°C)恒压阈值 (V )恒压阈值vs. 温度1008.04.015.016.017.018.020.021.0-40-20020*********1006.07.08.09.011.012.0-40-2020406080120100 3.303.503.904.104.50-40-20020*********10019.010.0 3.704.30功能描述SD8583S是离线式开关电源集成电路，是内置线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器。
士兰微电子 SDH698XR 说明书
内置高压MOSFET、高PFC、高恒流精度、非隔离LED照明驱动芯片描述SDH698XR是一款专用于非隔离LED驱动的控制芯片，外围应用采取浮地Buck架构, 内置高压功率MOSFET和高压耗管。
在该架构下，芯片采样电感电流进入内部，并利用内部误差放大器形成闭环反馈网络，从而达到高恒流精度和高输入/输出调整率。
同时，芯片自带PFC控制，自动实现全电压范围高PF值。
芯片的临界导通模式减小开关损耗，提高系统转换效率。
SDH698XR无需外围积分电容状态下，实现高功率因数。
SDH698XR内置VCC稳压管和高压供电控制模块，在一定VCC范围内对VCC电容进行供电，外围供电及高压启动线路可以省去，节约成本和面积。
SDH698XR内部集成各种保护功能，包括输出开路保护，输出短路保护，逐周期过流保护，过温保护等。
SDH698XR具有超低的启动电流和工作电流，可在全电压输入范围内高效驱动高亮度LED。
特性♦恒流控制模式（专利）♦外围无补偿电容下实现高功率因数（专利）♦内置高压供电♦内置VCC稳压管♦内置高压功率MOSFET和高压耗管♦精确恒定电流（<±3%）供给LED♦全电压输入范围PF>0.9♦临界导通模式♦LED短路保护♦LED开路保护♦VCC欠压保护♦过温保护♦过电流保护♦内部高温降电流功能应用♦球泡灯♦T5/T8 LED灯具♦各式LED照明应用场合产品规格分类内部框图极限参数电气参数（除非特别说明，VCC =16V，Tamb=25︒C）管脚排列图管脚描述功能描述SDH698XR是一款利用BUCK原理搭建的非隔离LED照明驱动芯片。
以下是对芯片各功能的具体描述。
1.高压启动及高压供电SDH698XR内置高压启动及高压供电控制电路。
启动时，AC输入电压从DRAIN端通过内置高压耗管，对VCC端外置电容进行充电，充电电流为8mA，使得VCC电压上升，当升至启动电压时，系统开启；VCC电压继续上升，当升至供电关闭点时，高压耗管关闭，DRAIN端对VCC端停止充电。
士兰微电子 SDH7611AS 说明书
SDH7611AS 说明书
带格式的: 字体: (默认) Arial Rounded MT Bold, (中文) 黑体, 小二, 字体颜色: 绿色, 加宽量 16.55 磅
参 数 范围
650 ±30 2.5 0.6 0.4 30
5 -0.3~6 -40~150 -55~150
2500Biblioteka 单位V V AA mJ
士兰微电子
SDH7611AS 说明书
内置高压启动无VCC电容隔离型LED恒流驱动芯片
描述
SDH7611AS 是一款高精度、低成本的原边反馈 LED 恒流驱动芯片， 应用于反激隔离 LED 照明。
芯片工作在电感电流断续模式，适用于 90Vac~265Vac 输入电压、 5W 输出功率。
SDH7611AS 集成 650V 高压功率 MOS，内置高压启动电路，无需启动 电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电。
6.0±0.2 0.4～1.27
3.9±0.2
1.8MAX 1.25~1.65
0.15±0.1
1.27BSC 4.9±0.2
注意！
静电敏感器件 操作 ESDS 产品应采取
防护措施
MOS电路操作注意事项：
静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：
2. 恒流控制
LED输出电流计算公式为：
ILED
=
4
VCS ∗ RCS
∗
NP NS
其中Np是变压器源边匝数；Ns是副边匝数。Vcs为内部基准电压，0.6V。Rcs为电流采样电阻。
3. 保护功能
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号： 共 11 页 第 5 页
士兰微电子 SD8666QS 开关电源控制器说明书
内置高压功率MOSFET的多重模式控制器产品规格分类典型输出功率能力内部框图电气参数(内置功率MOSFET部分，除非特殊说明，T=25︒C)amb重模式控制，具有抖频、峰值电流补偿、软启动功能，还集成各种异常状态的保护功能。
SD8666QS可减少外围元件，增加效率和系统的可靠性，适用于反激式变换器。
多种控制模式SD8666QS具有多重模式控制。
在重载条件下（VFB>2V），系统会有两种工作状态，当输入电压低时，工作在CCM 模式，此时为PWM控制，固定频率55KHz，当输入电压高时，工作在DCM模式，此时工作在QR模式，可以减小开关损耗，最大频率限制在69KHz。
随着负载降低，在中载和轻载条件下（1.3V<VFB<2V），工作在QR+PFM模式，最大限制频率开始降低直到最低频率23KHz，期间谷底开通仍然存在，可以提高转换效率。
在空载和极轻负载条件下（VFB<1V），进入打嗝模式，有效地降低待机功耗。
SD8666QS具有低压重载升频功能，输入电压低于100V时，重载条件下，（VFB>2.4V），频率随FB电压增加而升高，提高低压的极限输出功率。
如图1所示。
过图 2. VCC过压保护的波形图输出过载保护当输出发生过载时，FB电压会升高，当升到FB过载保护点4.2V时，且再经过过载保护延时90ms后，功率MOSFET 关断，VCC电压开始下降；当VCC电压降到关断电压8V时，电路重新启动。
输出过载保护的波形如图3所示。
滤波4上的电阻上的CS电压连续4个周期都大于1V时，就判定输出二极管短路。
此时功率MOSFET关断，且进入锁定状态。
当AC输入电压断开，VCC电压下降至锁定点5V时，才能解除锁定状态；当AC输入电压重新上电后，系统将重新启动。
AC输入电压欠压保护在功率MOSFET导通时，辅助绕组电压为负，DEM管脚钳位为0V。
SD8666QS通过设定外部检测电阻，检测DEM 管脚流出的电流。
士兰微电子 内置MOSFET的单节锂电池保护芯片SC8821 说明书
SC8821
过充电状态→负载放电→正常状态
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.2 2009.05.05 共10页 第5页
过放电状态→充电器正常充电→正常状态
SC8821
过放电状态→充电器异常充电→正常状态
杭州士兰微电子股份有限公司
充电器时， VDD电压大于VOCU，且延迟时间超过TOC，则电池电压进入到过充电状态，VBAT端电流为0，停止对电池充电。
杭州士兰电子股份有限公司
版本号：1.2 2009.05.05 共10页 第3页
SC8821
释放过充电状态 进入过充电状态后，要解除过充电状态，返回正常状态，有两种方法。 • 如果电池自我放电，并且VDD<VOCR ，返回到正常状态。 • 在移去充电器，连接负载后，如果VOCR<VDD<VOCU且VCSI>VOI1，返回到正常状态。
则返回到正常状态。
异常充电检测 当电池在正常状态时，VBAT+与VBAT-之间接充电器，若VCSI<VCH ，延迟时间超过TOC，
则VBAT-端电流为0，停止对电池充电。
过电流/短路电流检测 在正常状态下，VBAT+与VBAT-之间接负载，当放电电流太大时，检测到CSI端电压大于
VOIX(VIO1或VIO2)，并且延迟时间大于TOIX (TIO1或TIO2)，则代表过电流（短路）状态，CSI端 通过内部电阻RCSIS拉到VSS，VBAT-端电流为0，VBAT-端电压由于负载的原因而拉到VDD。
SC8821
内置MOSFET的单节锂电池保护芯片
描述
SC8821是内置MOSFET的单节锂电池保护芯片，为避 免锂电池因过充电、过放电、电流过大导致电池寿命缩短或 电池被损坏而设计的。SC8821具有高精确度的电压检测与 时间延迟功能。
士兰微电子 SDH2103 说明书 - 高压半桥驱动电路
高压半桥驱动电路描述SDH2103DA / SDH2103SA是用作N型功率MOSFET和IGBT等高压功率器件的半桥驱动电路。
它内置欠压保护，防止功率管在低的控制电压下工作；具有高低侧输入信号互锁保护功能及内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。
特性♦高侧浮动偏移电压600V♦输出电流+0.25A / -0.65A♦输入逻辑兼容3.3V / 5V / 15V♦内置死区时间♦高低侧输入信号互锁保护♦低侧欠压（UV）保护♦dV/dt误动作防止功能v 应用♦马达驱动♦高亮度放电灯具♦开关电源♦空调、等离子电视等家电产品规格分类产品名称封装形式打印名称材料包装SDH2103DA DIP-8-300-2.54 SDH2103DA 无卤料管SDH2103SA SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤料管SDH2103SATR SOP-8-225-1.27 SDH2103SA 无卤编带内部框图极限参数(除非特别注明，否则T amb =25°C)推荐工作条件电气参数（除非特别说明，否则T amb =25°C ，V CC =V BS （=V B -V S ）=15V ）管脚排列图HINLOV S HO V BGND LIN V CC管脚描述功能描述SDH2103DA/SDH2103SA 是用于N 型功率MOSFET 和IGBT 等高压功率器件的半桥驱动电路，正常工作时输出HO 与输入HIN 保持逻辑同相，输出LO 与输入LIN 保持逻辑反相。
SDH2103DA/SDH2103SA 具有输入信号死区时间，该功能防止被驱动的两个MOSFET 或IGBT 因同时导通而产生大电流，有效保护功率器件。
SDH2103DA/SDH2103SA 同时具备欠压（UV ）保护功能，当V CC 的电压低于欠压保护检测电压时，LO 和HO 均输出低电平。
该功能防止被驱动的MOSFET 或IGBT 工作在高电压大电流状态下，有效保护功率器件并避免后续设备在低效率下工作。
SD6620说明书
外置高压MOS管的原边控制开关电源描述Array SD6620是驱动高压MOS管的原边控制模式的开关电源控制器（PSR），内置高低压峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒流控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。
采用SD6620设计系统，无需光耦和Y电容，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路、降低成本。
内部框图极限参数（除非特殊说明，T amb=25°C）典型特性曲线启动电流vs. 温度启动电压vs. 温度SD6620是离线式开关电源集成电路，是内置峰值电流补偿的高端开关电源控制器。
通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压，控制系统的输出电压和电流，达到输出恒压或者恒流的目的。
完整的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测：当MOS管导通，通过采样电阻检测原级线圈的电流，此时FB端电压为负，输出电容对负载供电，输出电压V O下降；当原级线圈的电流到达峰值时，MOS管关断，FB端电压检测开始。
存储在次级线圈的能量对输出电容充电，输出电压V O上升，并对负载供电。
当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后，MOS管才开启。
随之，芯片再次进入峰值电流检测。
1.电路启动和欠压锁定系统上电，电路由高压直流母线通过启动电阻对VCC 管脚外置的电容充电。
当VCC 上升到17.8V ，电路开始工作；在电路正常工作过程中，由启动电阻和辅助线圈共同供电来维持VCC 电压；当VCC 下降到8.8V 进入欠压锁定状态，启动电阻对VCC 电容供电，VCC 上升到17.8V ，电路启动重新工作。
2.峰值电流检测当驱动为高电平，MOS 管导通，通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流，当达到设定的电流限制值即峰值电流，MOS 管关断。
在MOS 管导通时会产生一个瞬间的毛刺，如果该毛刺的幅度超过峰值电流阈值V，即会导致驱动关断。
因此设根据当当当当当3. SD6620利用反馈电压FB 管脚的负电平来检测交流输入电压，根据检测到的负电压产生一个恒流源，叠加到峰值电流检测ISEN 端，使不同输入电压下的峰值电流基本保持不变，改善输出电流的调整率。
nldmos耐高压原理
nldmos耐高压原理
nldmos耐高压原理是指针对MOS管的一种技术方案，通过改变材料、工艺和结构等方面来提高MOS管的耐压性能。
其中，nldmos 耐高压原理主要是通过将MOS管的N型漂移区域改为低掺杂的P型区域，从而增加了PN结的垂直耐压能力，使得MOS管的耐压性能得到了显著提升。
具体来说，nldmos耐高压原理的实现需要考虑以下几个方面： 1、选择合适的P型区域掺杂浓度和厚度，以保证PN结的耐压性能。
2、采用适当的工艺措施，包括通道长度控制、边缘场控制、源漏极区域的优化等，以提高MOS管的电流承受能力和耐高压能力。
3、结合材料和器件结构的优化设计，如采用低介电常数材料、优化封装结构等，可以进一步提高MOS管的耐压性能和稳定性。
总之，nldmos耐高压原理是一种重要的技术方案，可以为MOS 管的应用提供更加可靠的保障，同时也为电子行业的发展带来了新的机遇和挑战。
- 1 -。
士兰微电子 SVS70R900S(D)(MJ)E3 说明书
5A, 700V 超结MOS功率管SVS70R900S(D)(MJ)E3 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS70R900S(D)(MJ)E3应用广泛。
如，适用于硬/软开关拓扑。
特点♦5A，700V，R DS(on)(typ.)=0.8Ω@V GS=10V♦创新高压技术♦低栅极电荷♦较强的雪崩能力♦较强的dv/dt能力♦较高的峰值电流能力♦100%雪崩测试♦无铅管脚镀层♦符合RoHS环保标准关键特性参数产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T=25︒C)A热特性电气参数(除非特殊说明，T=25︒C)J注：1. 脉冲时间5µs；2. 耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25︒C时耗散功率值随着温度每上升1度减少：0.56W/︒C(TO-263-2L)/ 0.45W/︒C(TO-252-2L)(TO-251J-3L)；3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；4. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线典型特性曲线典型特性曲线（续）典型测试电路V DSV GS 10V栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图DDV V E AS 测试电路及波形图V DDV BV DSSI ASV DDtpTimeV DS(t)I D(t)E AS =12LI AS 2BV DSS BV DSS V DD封装外形图封装外形图(续)重要注意事项：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。
客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。
♦我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。
♦在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。
mos管工作原理
mos管工作原理MOS管是一种重要的半导体器件，它的英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor，简称MOS。
一般人也称之为可控硅。
MOS 管具有体积小，功耗低，加压器件，以及高度集成化特点，更加适用于现代化的微电子技术应用。
它已经成为现代微电子元件的主要体系结构。
MOS管的组成MOS管是由掺杂层，金属层和氧化层三部分组成的。
其中，掺杂层（或叫导带层）是指由多层金属物质堆叠而成，在多层堆叠上形成一个特殊的金属掺杂层，给外界电子提供路径。
金属层由铝（Al）、铜（Cu）或其它金属物质制成，氧化层由氧化铝（Al2O3）组成。
现在常见的MOS管有N型MOS管和P型MOS管，由于N型MOS管掺杂层为n型，P型MOS管掺杂层为p型，所以它们的使用性质也存在差异。
MOS管的工作原理MOS管是一种晶体管，它的工作原理是通过控制掺杂层里的电子在金属层和氧化层之间运动来实现的。
当掺杂层的表面电荷偏低时，当外界加入负电荷时，由于运动，电荷会传导到金属层表面；当掺杂层的表面电荷偏高时，当外界加入正电荷时，电荷会传导到氧化层表面。
由于MOS管由金属层，掺杂层和氧化层构成，所以它的工作原理也因此受到金属层，掺杂层和氧化层的影响，因此它的特性是由三个层综合决定的。
MOS管的应用MOS管应用非常广泛，主要用于无源电子组件，包括：数字存储器，定时器，可调电阻，电流源，调节器和无源放大器，以及电动机控制器等。
它们在汽车电子，消费电子，家用电器，通信，移动网络，机器人，科研，军事等领域中都有着广泛的应用。
总结MOS管是一种重要的半导体器件，它的工作原理是通过控制掺杂层里的电子在金属层和氧化层之间运动来实现的。
MOS管的特性是由三个层综合决定的。
MOS管应用非常广泛，主要用于无源电子组件，在汽车电子，消费电子，家用电器，通信，移动网络，机器人，科研，军事等领域中都有着广泛的应用。
士兰微电子 SVF10N80F K 高压功率 MOS 场效应晶体管说明书
10A 、800V N 沟道增强型场效应管描述SVF10N80F/K N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥PWM 马达驱动。
特点♦ 10A ，800V ，R DS(on)(典型值)=0.92 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,10 代表 10A,08 代表 0.8A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V ，65表示650V 封装外形标识例如： F:TO-220FS V F X N E X X X沟道极性标识，N 代表N 沟道特殊功能、规格标识，通常省略例如：E 表示内置了ESD 保护结构产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C=25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明，T=25︒C)C源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH，I AS=7.50A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25︒C;2. V DS=0~400V，I SD<=10A，T J=25︒C;3. V DS=0~480V;4. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；5. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 – I D (A )0.111000.1100漏源电压 – V DS (V)漏极电流 – I D (A )24681013579栅源电压 – V GS (V)0.80212漏源导通电阻 – R D S (O N )(Ω)漏极电流 – I D (A)图3. 导通电阻vs.漏极电流00.20.40.6 1.2反向漏极电流 – I D R (A )源漏电压 – V SD (V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度1.20.1110060.11000.8 1.01100.981.11.04110101010图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(p F )020*******漏源电压 – V DS (V)栅源电压 – V G S (V )0540总栅极电荷 – Q g (nC)0.111000024681012301010020100010352515400典型特性曲线（续）0.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化） – R D S (O N )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21500.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5图9-1. 最大安全工作区域(SVF10N80F)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图9-2. 最大安全工作区域(SVF10N80K)10-110010110210101010310-2漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)图10. 最大漏极电流vs. 壳温漏极电流 - I D (A )壳温 - T C (°C)0102462550751001251508典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
士兰微电子 SD6804AS 说明书 - 单级原边控制高功率因数LED驱动电路
单级原边控制高功率因数LED驱动电路描述SD6804AS是一款单级原边控制高功率因数LED驱动电路，内置650V 高压功率MOSFET，主要应用于反激式LED照明系统。
它采用固定导通时间控制来实现高功率因数。
SD6804AS能够提供精确的恒流控制，工作在临界导通模式，具有非常高的效率。
它工作在原边控制模式，可以省去光耦、次级反馈控制以及环路补偿，简化设计，降低成本。
SD6804AS带有完整的保护功能，例如LED短路保护，LED开路保护，过温保护，等等。
主要特点♦原边控制反激系统♦临界导通模式♦低启动电流♦内置650V高压功率MOSFET♦前沿消隐♦固定导通时间控制♦VCC过压保护♦VCC欠压锁定♦过温保护♦逐周期限流♦峰值电流补偿♦LED短路保护和LED开路保护应用♦LED灯泡♦AC输入LED照明产品规格分类产品名称封装形式材料包装SD6804AS SOP-7-225-1.27 无卤料管SD6804ASTR SOP-7-225-1.27 无卤编带内部框图极限参数参数符号参数范围单位漏源击穿电压BV DSS650V 栅源（地）电压V GS±30V 漏端电流脉冲注* I DM12A漏端连续电流(Tamb=25°C)I D 3.0A漏端连续电流(Tamb=100°C) 1.8信号脉冲雪崩能量EAS70 mJ 高压输入V DRAIN,MAX650V 电源电压V CC-0.3 ~ 26.5 V 模拟输入脚电压- -0.3 ~ 5.5 V 结温T j-40~+150 °C 贮存温度范围T stg-55~+150 °C *脉冲宽度由最大结温决定电气参数(内置MOSFET部分, 除非特别说明, Tamb=25°C)电气参数(除非特殊说明，VCC =18V，Tamb=25°C)管脚排列图COMP VCC SOURCE GNDDRAIN FB DRAIN管脚说明管脚号 管脚名称 I/O 功 能 描 述1 FB I 反馈电压检测脚2 COMP I/O 用RC 环路补偿，跨导放大器输出端3 VCC I/O 芯片供电脚4 SOURCE I/O MOSFET 的源端和控制芯片的电流采样脚56 DRAIN I/O MOSFET 的漏端 7GNDI/O地脚功能描述SD6804AS 是一款单级原边控制高功率因数LED 驱动电路，内置650V 高压功率MOSFET ，主要应用于反激式LED 照明系统。
士兰微电子 SDH7753 非隔离降压型LED恒流驱动芯片说明书
SDH7753说明书非隔离降压型LED 恒流驱动芯片描述SDH7753是一款高精度LED 恒流驱动控制芯片，适用于85VAC~265VAC 全范围交流输入电压的非隔离降压型LED 恒流电源系统。
SDH7753集成500V 高压功率MOS ，内置高压供电电路，无需启动电阻和辅助绕组即能实现芯片的自主供电，同时更省去了传统的外置电源电容，在加快系统启动的同时又极大地节省了系统成本。
SDH7753工作在电感电流临界导通模式，芯片采用特有的高精度电流采样技术，结合内部补偿，能获得高恒流精度和优异的线性/负载调整率。
SDH7753内部集成多种保护功能，包括输出短路保护、逐周期过流保护、过热调节、采样电阻开路保护等，增强了系统的安全性和可靠性。
特性♦ 内置500V 高压功率MOSFET ♦ 集成高压供电功能，无需外部电源电容 ♦ 精确恒定电流（<±3%）供给LED ♦ 输出短路保护 ♦ 过热调节功能♦ 逐周期过电流保护 ♦无辅助绕组应用♦ 球泡灯 ♦ 筒灯♦其他LED 照明应用产品规格分类内部框图CSGND极限参数=25°C）电气参数（除非特别说明，HV=30V，Tamb参数名称符号测试条件最小值典型值最大值单位电源芯片内部工作电压VCC V CC 6.8 V 工作电流I OP VH=30V 55 100 145 μA 电流采样电流检测阈值V cs_TH582 600 618 mV参数名称符号 测试条件最小值典型值 最大值单位芯片关断延时 T_DELAY200ns控制时间参数 最大导通时间 T ON,MAX 45 60 75 μs 前沿消隐时间 T LEB 0.5 μs 最大关断时间 T OFF,MAX 300 400 500 μs 最小关断时间 T OFF,MIN2.5μs功率管 导通电阻 R ON12 Ω 漏源击穿电压 BV DSSV GS =0V, I D =50uA500V温度特性 过热调节 T REG -- 140 -- °C 过温保护 T SD -- 160 -- °C 过温解除T RECOVERY--145--°C管脚排列图管脚描述管脚编号管脚名称I/O功能描述SDH7753SSDH7753J1 2 HV I 高压供电端 2~3 NC N 悬空4 4 CS O 采样脚、电流输出 5~6 3 GND G 地 71DRAINIMOS 漏端功能描述SDH7753是一款利用BUCK原理搭建的非隔离LED恒流驱动芯片，单芯片集成了500V高压功率MOSFET和高压启动电路。
士兰微SVF12N65F K S 说明书
0.75
漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω)
0.50 0
注：TJ=25°C
5
10
15
20
漏极电流 – ID(A)
3000 2500
图5. 电容特性
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd
2000 1500 1000
500
Ciss Coss Crss
0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
源漏电压 – VSD(V)
图6. 电荷量特性 12
VDS=520V
10
VDS=325V
VDS=130V
8
6
4
2 注：ID=12A
0 0 5 10 15 20 25 30 35
总栅极电荷 – Qg(nC)
版本号：2.9 共 10 页 第 4 页
IS
MOS 管中源极、漏极构成的反偏
ISM
P-N 结
VSD
IS=12A，VGS=0V
Trr
IS=12A，VGS=0V，
Qrr
dIF/dt=100A/µS （注 2）
1. L=30mH，IAS=6.0A，VDD=100V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；
杭州士兰微电子股份有限公司
http: //
版本号：2.9 共 10 页 第 9 页
修改记录： 1. 修改“封装外形图”
版 本： 1.8 修改记录：
1. 修改典型特性曲线（续） 版 本： 1.7 修改记录：
1. 增加 TO-263-2L 封装 版 本： 1.6 修改记录：
士兰微电子 SVD50N06T D M MJ 说明书
50A、60V N沟道增强型场效应管描述SVD50N06T/D/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子新型平面低压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于电子镇流器，低功率开关电源。
特点♦50A，60V，R DS(on)（典型值）=18mΩ@V GS=10V♦低栅极电荷量♦低反向传输电容♦开关速度快♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰VDMOS产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4 代表 4A,10 代表 10A, 08 代表 0.8A额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V,65表示650V封装外形标识例如：T:TO-220; D:TO-252;M:TO-251D; MJ:TO-251JS V D X N E X X X沟道极性标识，N代表N 沟道特殊功能、规格标识，通常省略例如：E 表示内置了ESD保护结构产品规格分类产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包 装 SVD50N06T TO-220-3L SVD50N06T 无铅料管SVD50N06D TO-252-2L SVD50N06D 无卤料管SVD50N06DTR TO-252-2L SVD50N06D 无卤编带SVD50N06M TO-251D-3L SVD50N06M 无卤料管SVD50N06MJ TO-251J-3L SVD50N06MJ 无卤料管极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称符号参数范围单位SVD50N60T SVD50N60D/M SVD50N60MJ漏源电压V DS60 V 栅源电压V GS±20 V漏极电流T C=25°CI D50A T C=100°C 31.62漏极脉冲电流I DM200 A耗散功率（T C=25°C）- 大于25°C每摄氏度减少P D110 72 83 W0.88 0.58 0.66 W/°C单脉冲雪崩能量（注1）E AS272 mJ 工作结温范围T J-55～+150 °C 贮存温度范围T stg-55～+150 °C热阻特性参数名称符号参数范围单位SVD50N60T SVD50N60D/M SVD50N60MJ芯片对管壳热阻RθJC 1.14 1.74 1.51 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA62.5 62.0 62.0 °C/W电性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V，I D=250µA 60 -- -- V 漏源漏电流I DSS V DS=60V，V GS=0V -- -- 1.0 µA 栅源漏电流I GSS V GS=±20V, V DS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压V GS(th)V GS=V DS，I D=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻R DS(on)V GS=10V，I D=25A -- 18 23 mΩ输入电容C issV DS=25V，V GS=0V，f=1.0MHz -- 1375.8 --pF输出电容C oss-- 393.2 -- 反向传输电容C rss-- 102.6 --开启延迟时间t d(on)V DD=30V，I D=50A，R GS=25Ω-- 21.67 --ns开启上升时间t r-- 86.67 -- 关断延迟时间t d(off)-- 32.33 -- 关断下降时间t f -- 93 --栅极电荷量Q gV DS=48V，I D=50A，V GS=10V -- 43.25 --nC栅极-源极电荷量Q gs-- 8.11 --栅极-漏极电荷量Q gd-- 23.76 --栅极电阻R G f=1MHz开漏，晶振电压：20mV -- 2.2 -- Ω源-漏二极管特性参数参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位源极电流I S MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结-- -- 50A源极脉冲电流I SM-- -- 200源-漏二极管压降V SD I S=50A，V GS=0V -- -- 1.5 V反向恢复时间T rr I S=50A，V GS=0VdI F/dt=100A/µs（注2）-- 67.2 -- ns反向恢复电荷Q rr-- 0.2 -- nC 注：1. L=0.1mH，I AS=53A，V DD=35V，R G=20Ω，开始温度T J=25°C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。
士兰微电子 SD4931 电流模式 PWM 控制器 说明书
100V电流模式PWM控制器描述SD4931 是用于开关电源的内置100V高压MOSFET的电流模式PWM 控制器。
SD4931 内置高压启动电路。
在轻载下会进入打嗝模式，从而有效地降低系统的待机功耗。
具有降频功能，进一步优化轻载条件下的转换效率。
具有软启动功能，能够减小器件的应力，防止变压器饱和。
有VDD打嗝功能，不仅防止V DD欠压重启，也有效地降低待机功耗。
SD4931内部还集成了各种异常状态的保护功能，包括：VDD欠压保护，VDD过压保护，前沿消隐，输出短路保护，过流保护，过温保护等。
触发保护后，电路会不断自动重启，直到系统正常为止。
主要特点♦20V至100V输入电压♦12~15V输出电压♦1A输出电流♦高压启动♦轻载打嗝♦降频♦软启动♦VDD打嗝♦VDD欠压保护♦VDD过压保护♦前沿消隐♦输出短路保护♦过流保护♦过温保护应用♦平衡轮♦以太网供电♦电动自行车♦电动工具产品规格分类内部框图极限参数电气参数(除非特别说明, VDD =12V；Tamb=25︒C)管脚排列图管脚描述功能描述SD4931是用于开关电源的内置高压MOSFET的电流模式PWM控制器，内置高压启动电路，在轻载下会进入打嗝模式，具有降频、软启动、VDD打嗝，还集成了VDD欠压保护、VDD过压保护、前沿消隐、输出短路保护、过流保护、过温保护等各种异常状态的保护功能。
高压启动SD4931内置高压启动电路。
启动时，输入电压从DRAIN端通过内置高压启动恒流源，对VDD端外置电容进行充电，充电电流为1mA，使得VDD电压上升，当升至启动电压14.3V时，将高压启动恒流源关断，则DRAIN端对VDD 端停止充电，转由电感电压通过二极管对VDD端进行供电；如果VDD电压降至欠压保护点8.9V，则将高压启动恒流源重新打开，又由DRAIN端对VDD端进行充电，使得VDD电压上升，升至启动电压14.3V。
恒压控制SD4931通过FB脚检测VOUT的变化，当VOUT变小，流入FB脚的电流减小，从而增大输出脉宽，使VOUT上升，使输出保持恒定，VOUT电压近似等于ZD1两端电压。
高压mos管工作原理
高压mos管工作原理
高压mos管是一种常见的半导体器件，用于高压、高功率、高频率的电路中。
高压mos管的工作原理是基于场效应管的原理，即通过控制栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
当栅极电压为零时，高压mos管处于截止态，电路中没有电流流过。
当栅极电压增加到一定值时，形成了一个电场，使得漏极和源极之间的耗散层变窄，从而允许电流流过。
当栅极电压继续增加时，漏极和源极之间的电流将随之增加，直到达到饱和状态。
在饱和状态下，漏极和源极之间的电流受到电源电压和电路负载的限制，不会继续增加。
因此，高压mos管的工作原理可以通过控制栅极电压来实现对电路中电流的控制。
- 1 -。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
士兰微电子推出高压MOS管的原
杭州士兰微电子公司在绿色电源控制器领域继续推出新品----内置
650V高压MOS管的原边控制开关电源SD6853/6854。
该产品带有可编程的
线损补偿和峰值电流补偿功能，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。
广泛适用于手机充电器、小功率适配器、待机电源、MP3及其他便携式设备。
SD6853/6854是离线式开关电源集成电路，内置高压MOS管、带有
线损补偿和峰值电流补偿的高端开关电源控制器，采用了士兰微电子自主知
识产权的专利技术。
通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈
电压，间接控制系统的输出电压和电流，从而达到输出恒压或者恒流的目的。
在一定的输出功率范围内，可通过反馈电阻设定输出电压;可通过峰值电流采样电阻设定输出电流。
也可以根据需要设置线损补偿和峰值电流补偿，以达
到最佳的输出电压、输出电流的调整率。
正常的工作周期分为峰值电流检测和反馈电压检测：当MOS管导通，通过采样电阻检测原级线圈的电流，输出电容对负载供电，输出电压VOUT
下降;当原级线圈的电流到达峰值时，MOS管关断，检测FB端电压，存储在次级线圈的能量对输出电容充电，输出电压VOUT上升，并对负载供电。
当同时满足恒压、恒流环路控制的开启条件后，MOS管才开启，芯片再次进入。