矽创芯片产品介绍

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电阻式、电容式、压电式触摸屏优劣简单介绍

首先介绍备受推崇的电容屏电容技术触摸屏CTPCapacity Touch Panel是利用人体的电流感应进行工作的。

电容屏是一块四层复合玻璃屏玻璃屏的内表面和夹层各涂一层ITO纳米铟锡金属氧化物最外层是只有0.0015mm厚的矽土玻璃保护层夹层ITO 涂层作工作面四个角引出四个电极内层ITO为屏层以保证工作环境。

电容屏工作原理当用户触摸电容屏时由于人体电场用户手指和工作面形成一个耦合电容因为工作面上接有高频信号于是手指吸收走一个很小的电流这个电流分别从屏的四个角上的电极中流出且理论上流经四个电极的电流与手指头到四角的距离成比例控制器通过对四个电流比例的精密计算得出位置。

可以达到99的精确度具备小于3ms的响应速度。

电容屏主要有自电容屏与互电容屏两种以现在较常见的互电容屏为例内部由驱动电极与接收电极组成驱动电极发出低电压高频信号投射到接收电极形成稳定的电流当人体接触到电容屏时由于人体接地手指与电容屏就形成一个等效电容而高频信号可以通过这一等效电容流入地线这样接收端所接收的电荷量减小而当手指越靠近发射端时电荷减小越明显最后根据接收端所接收的电流强度来确定所触碰的点。

电容屏要实现多点触控靠的就是增加互电容的电极简单地说就是将屏幕分块在每一个区域里设置一组互电容模块都是独立工作所以电容屏就可以独立检测到各区域的触控情况进行处理后简单地实现多点触控。

电容式触摸屏的构造主要是在玻璃屏幕上镀一层透明的薄膜体层再在导体层外加上一块保护玻璃双玻璃设计能彻底保护导体层及感应器同时透光率更高。

代表产品就是苹果iPod touch和iPad系列产品拥有其他产品难以超越的非凡触控体验为电容屏的成功推广立下了汗马功劳。

电阻式触摸屏因为电容屏已经被苹果抬高地位加上本身成本确实低于电容屏比较常出现在中低端产品上所以电阻屏也无奈屈尊于低配系列。

电阻屏是一种传感器其屏体部分是一块多层复合薄膜加上玻璃的结构薄膜和玻璃相邻的一面上均涂有ITO纳米铟锡金属氧化物涂层当触摸操作时薄膜下层的ITO会接触到玻璃上层的ITO经由感应器传出相应的电信号经过转换电路送到处理器通过运算转化为屏幕上的坐标值从而完成选点的动作并呈现在屏幕上。

8002音频功放IC规格书矽源特科技

Tel: 0755-27595155 27595165 Fax:0755-27594792

DIP-8
1 .5 5 0 .1
3 .3 0 2
1 .2 7 4 .9 0 .4 2
2 .4 1 3
3 .9
6 .0
8002 V1.1
0 .2 1
Tel: 0755-27595155 27595165 Fax:0755-27594792
类型 I I I I O
POWER POWER
O
说明关断端口电压基准端正向输入端反向输入端音量输出端 1 电源端接地端音量输出端 2
¾ 桥路设置 8002 内部共有 2 个运放工作，但 2 个运放的设置却有所不同。第一个运放增益可在外部用 RF 和 RJ 两个电阻进行设置（＋IN 和－IN 端口），而第二个运放的增益则固定
四、管脚排列及说明
管脚排列图
S HU TD OW N
1
8
V O2
B YP AS S
2
7
G ND
+ IN
3
6
V DD
- IN
4
5
V O1
注：I：输入；O：输出；POWER：电源。
五、功能说明
序号 1 2 3 4 5 6 7 8
名称 SHUTDOWN
BYPASS +IN -IN VO1 VDD GND VO2
在很多应用场合，关断端的电平转换都是由处理器来完成的。当使用单向闸刀开关实现电平转换时，可以在
关断端加上拉电阻，这样当开关关断时，因上拉电阻的作用，使得 8002 关断端的电平处于一个正确的状态，以保证 8002 不会进入错误的工作状态。

矽恩LED驱动IC简介

LED驱动分类
高压
矽恩产品分类
矽恩6款老产品简介
• • • • • • SN3350 SN3360 SN3380 SN3135 SN3352 SN3910
以后填表申请样品需要填写完整的型号名，请注意
关于矽恩IC命名后缀的定义
1.SN3350
（现有三种封装形式）输入电压范围：DC6-40V 电流精度：±5% 效率：95% 内置40V低压mos管支持PWM及模拟调光
对于升压产品，当输出电压最接近输入电压的时候，电源可达到最高的效率。升压倍数越小，驱动电流越大。输出电压升的越高，输出电流就越小。两者成反比关系。
6.SN3919 即将推出的高压隔离方案，可以连接可控硅调光器进行调光。
案例客户
1.SN3350，SN3360，SN3380
MR16射灯：主要商用为主，针对于中高端的客户，要求品质比较高。
目前SN3910有四种方案：单电压220V及全电压应用各两种 1.低成本：单电压220V，批量生产电流偏差大，需逐个调节，不能通过EMI测试。24串10并，14W。采用2N60 mos。 2.全电压方案，成本较高，输出端采用两个EFD15电感或1个 ER2010变压器。可以通过EMI测试。输出端接光耦，精度在±3%内。12串24并，16W。110V效率88%，220V 效率86%。PF值都达到0.9。 3.原厂单电压方案：24串12并，18W，从AC180~240V 变化，效率在90%左右，PF值从0.82到0.8. 可以通过EMI测试。 4.原厂全电压方案：12串24并，16W。从AC90~240V 变化，效率在86%~88%，PF值最高0.88，最低0.8. 可以通过EMI测试。
3.SN3380ID08E

ev1527中文资料

ev1527中文资料1、概述EV1527 是一片由CMOS设计制造的可预烧内码的学习码编码IC，由软件解码；内码共有20个位元可预烧1048576组（220）内码组合，降低使用上编码重复的机率。

其主要特点如下：●低功耗静态电流<1.0uA ● 工作电压VCC=3.0-13V ● 四个按键输入，最多可组合至15个按键●内含振荡线路，只需外接一个电阻（推荐值330K）●EV1527 可代替RT1527 ● 小体积8脚贴片封装。

是PT2260、PT2262理想的升级换代产品●生产极为方便，无须在PCB上编码●封装形式：SOP8CMOS（全称：Complementary Metal Oxide Semiconductor，中文：互补金属氧化物半导体）是一种集成电路的设计工艺，可以在硅质晶圆模板上制出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS。

CMOS一般的工艺上，可用来制作电脑电器的静态随机存取内存、微控制器、微处理器与其他数字逻辑电路系统、以及除此之外比较特别的技术特性，使它可以用于光学仪器上，例如互补式金氧半图像传感装置在一些高级数码相机中变得很常见。

缩写辨析在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。

有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行FLASH芯片，是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。

在今日，CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件，尤其是片幅规格较大的单反数码相机。

另外，CMOS同时可指互补式金氧半元件及制程。

因此时至今日，虽然因为工艺原因，都叫做CMOS，但是CMOS在三个应用领域，呈现出迥然不同的外观特征：一是用于计算机信息保存，CMOS作为可擦写芯片使用，在这个领域，用户通常不会关心CMOS的硬件问题，而只关心写在CMOS上的信息，也就是BIOS的设置问题，其中提到最多的就是系统故障时拿掉主板上的电池，进行CMOS放电操作，从而还原BIOS设置。

最好的语音IC,语音OTP,录音IC,音乐IC,

深圳奥尔伟业电子有限公司--李卫华 13828715022 邮编 518000 阿里旺旺 yongtedianzi 联系人;蔡元军 13670027962 QQ：892987040
Tel:+86-0755-82718050 Fax:+86-0755-82718085
HR4BZ-035 俄文大哥大A 0.00 HR6BZ-029 J05號大哥大 0.00
HR4BZ-036 J09大哥大二號 0.00 HR6BZ-030 槍聲大哥大 0.00
HR4BZ-037 西文巴拉賽黑大哥大 0.00 HR6BZ-031 瘋狂青蛙 0.00
HR4BZ-038 Happy Halloween 0.00
HR7BZ-014 環遊世界 0.00
HR7BZ-016 YHF054-2 0.00
HR7BZ-017 YHF054-2 0.00
HR7BZ-018 Remix 0.00
HR7BZ-019 四聲火車 0.00
HR7BZ-020 C2 0.00
7秒歌名 HR7BZ-021 新童音槍 0.00
HR4BZ-056 母雞叫 0.00
HR4BZ-057 Kiss三遍 0.00
HR4BZ-058 蛙叫3遍 0.00
HR4BZ-059 公雞叫3遍 0.00
HR4BZ-060 羊叫3遍 0.00
HR4BZ-061 馬叫3遍 0.00
2002年，奥尔伟业电子有限公司创立于中国的“硅谷”－深圳市，是希格玛（SIGMACHIP）、台湾义隆(ELAN)MCU、松翰(SONIX)语音IC、佑华(ALPAH)语音IC、矽创（SITRONIX）、十速（TENX）、华邦(WINBOND)在深圳最大的通路商，全系列产品符合RoHS认证，在语音玩具IC、MCU和LCD领域有着悠久的历史，6年来，奥尔电子一直以“以人为本,科技创新”为使命，不断通过科技创新推出产品，应用范围广泛，性能稳定可靠，价格合理，被越来越多的玩具，家电生产厂商所接受。

手机参数

随着手机彩屏的逐渐普遍，手机屏幕的材质也越来越显得重要。

手机的彩色屏幕因为LCD 品质和研发技术不同而有所差异，其种类大致有TFT 、TFD、UFB、STN和OLED几种。

一般来说能显示的颜色越多越能显示复杂的图象，画面的层次也更丰富。

除去上面这几大类LCD外，还能在一些手机上看到其他的一些LCD，比如日本SHARP 的GF屏幕和CG（连续结晶硅）LCD。

两种LCD相比较属于完全不同的种类，GF为STN 的改良，能够提高LCD的亮度，而CG则是高精度优质LCD可以达到QVGA（240×320）像素规格的分辨率。

UFB、STN、TFT比较STN是早期彩屏的主要器件，最初只能显示256色，虽然经过技术改造可以显示4096色甚至65536色，不过现在一般的STN仍然是256色的，优点是：价格低，能耗小。

TFT的亮度好，对比度高，层次感强，颜色鲜艳。

缺点是比较耗电，成本较高。

UFB是专门为移动电话和PDA设计的显示屏，它的特点是：超薄，高亮度。

可以显示65536色，分辨率可以达到128×160的分辨率。

UFB显示屏采用的是特别的光栅设计，可以减小像素间距，获得更佳的图片质量。

UFB结合了STN和TFT的优点：耗电比TFT少，价格和STN差不多。

相关术语：STN屏幕STN（Super Twisted Nematic）屏幕，又称为超扭曲向列型液晶显示屏幕。

在传统单色液晶显示器上加入了彩色滤光片，并将单色显示矩阵中的每一像素分成三个像素，分别通过彩色滤光片显示红、绿、蓝三原色，以此达到显示彩色的作用，颜色以淡绿色为和橘色为主。

STN屏幕属于反射式LCD，它的好处是功耗小，但在比较暗的环境中清晰度较差。

STN也是我们接触得最多的材质类型，目前主要有CSTN和DSTN之分，它属于被动矩阵式LCD器件，所以功耗小、省电，但么应时间较慢，为200毫秒。

CSTN一般采用传送式照明方式，必须使用外光源照明，称为背光，照明光源要安装在LCD 的背后。

微片微电子MSC017SMA120S 1200V 17mΩ SiC MOSFET 产品概述说明书

Product OverviewThe silicon carbide(SiC)power MOSFET product line from Microsemi increases the performance over siliconMOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost of ownership for high-voltage applications.The MSC017SMA120S device is a1200V,17mΩSiC MOSFET in a TO-268(D3PAK)package.FeaturesThe following are key features of the MSC017SMA120S device:•Low capacitances and low gate charge•Fast switching speed due to low internal gate resistance(ESR)•Stable operation at high junction temperature,T J(max)=175°C•Fast and reliable body diode•Superior avalanche ruggedness•RoHS compliantBenefitsThe following are benefits of the MSC017SMA120S device:•High efficiency to enable lighter,more compact system•Simple to drive and easy to parallel•Improved thermal capabilities and lower switching losses•Eliminates the need for external freewheeling diode•Lower system cost of ownershipApplicationsThe MSC017SMA120S device is designed for the following applications:•PV inverter,converter,and industrial motor drives•Smart grid transmission and distribution•Induction heating and welding•H/EV powertrain and EV charger•Power supply and distributionThis section shows the specifications of the MSC017SMA120S device.Absolute Maximum RatingsThe following table shows the absolute maximum ratings of the MSC017SMA120S device.Table1•Absolute Maximum RatingsSymbolParameterRatingsUnitV DSSDrain source voltageV1200Continuous drain current at T C=25°CI DA100Continuous drain current at T C=100°C71I DM280Pulsed drain current1V GSGate-source voltage23to–10VTotal power dissipation at T C=25°CP D357WLinear derating factor3.33W/°CNote:1.Repetitive rating:pulse width and case temperature limited by maximum junction temperature. The following table shows the thermal and mechanical characteristics of the MSC017SMA120S device. Table2•Thermal and Mechanical CharacteristicsCharacteristicMinSymbolTypMaxUnitRθJCJunction-to-case thermal resistance0.280.42°C/W Operating junction temperatureT J–55175°CT STG–55150Storage temperatureT LSoldering temperature for10seconds(1.6mm from case)300WtPackage weight0.14ozg4.0Electrical PerformanceThe following table shows the static characteristics of the MSC017SMA120S device.T J =25°C unless otherwise specified.Table 3•Static CharacteristicsUnit MaxTypMin Test Conditions CharacteristicSymbol V 1200V GS =0V,I D =100µA Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS mΩ2217.6V GS =20V,I D =40A Drain-source on resistance 1R DS(on)V 2.71.9V GS =V DS,I D =4.5mA Gate-source threshold voltage V GS(th)mV/°C –4.6V GS =V DS ,I D =4.5mA Threshold voltage coefficient ΔV GS(th)/ΔT J µA100V DS ,=1200V,V GS =0V Zero gate voltage drain currentI DSS500V DS =1200V,V GS =0V T J =125°CnA±100V GS =20V/–10VGate-source leakage currentI GSSNote:1.Pulse test:pulse width <380µs,duty cycle <2%.The following table shows the dynamic characteristics of the MSC017SMA120S device.T J =25°C unless otherwise specified.Table 4•Dynamic CharacteristicsUnit MaxTyp MinTest Conditions Characteristic Symbol pF5280V GS =0V,V DD =1000V V AC =25mV,ƒ=1MHzInput capacitanceC iss 12Reverse transfer capacitance C rss 265Output capacitance C oss nC249V GS =–5V/20V,V DD =800V I D =40ATotal gate charge Q g 63Gate-source charge Q gs 32Gate-drain charge Q gd ns52V DD =800V,V GS =–5V/20V,I D =50A,R g(ext)=4.0Ω,Turn-on delay time t d(on)21Voltage fall time t f Freewheeling diode =MSC017SMA120S (V GS =–5V)49Turn-off delay timet d(off)UnitMax Typ Min Test Conditions Characteristic Symbol 16Voltage rise time t r µJ1677Turn-on switching energy E on 395Turn-off switching energy E off ns49V DD =800V,V GS =–5V/20V,I D =50A,R g(ext)=4.0ΩTurn-on delay time t d(on)19Voltage fall time t f Freewheeling diode =MSC050SDA120B49Turn-off delay time t d(off)14Voltage rise time t r µJ1329Turn-on switching energy E on 429Turn-off switching energy E off Ω0.71f =1MHz,25mV,drain short Equivalent series resistance ESR µs 3V DS =960V,V GS =20V Short circuit withstand time SCWT mJ3500V DS =150V,I D =30AAvalanche energy,single pulseE ASThe following table shows the body diode characteristics of the MSC017SMA120S device.T J =25°C unless otherwise specified.Table 5•Body Diode CharacteristicsUnit MaxTyp MinTest Conditions Characteristic Symbol V 3.5I SD =40A,V GS =0V Diode forward voltageV SDV 3.9I SD =40A,V GS =–5Vns40I SD =50A,V GS =–5V,Drive Rg =4ΩReverse recovery time t rr nC 490Reverse recovery charge Q rr V DD =800V,dl/dt =–2500A/µsA22Reverse recovery currentI RRMTypical Performance CurvesThis section shows the typical performance curves of the MSC017SMA120S device.Figure2•Drain Current vs.V DS Figure1•Drain Current vs.V DSFigure4•Drain Current vs.V DS Figure3•Drain Current vs.V DSFigure5•RDS(on)vs.Junction TemperatureFigure6•Gate Charge CharacteristicsFigure8•I D vs.V DS3rd Quadrant Conduction Figure7•Capacitance vs.Drain-to-Source VoltageFigure10•Switching Energy Eon vs.V DS&I D Figure9•I D vs.V DS3rd Quadrant ConductionFigure11•Switching Energy Eoff vs.V DS&I DFigure12•Switching Energy vs.R gFigure13•Switching Energy vs.TemperatureFigure14•Switching Energy Eon vs.V DS&I DFigure16•Switching Energy vs.R gFigure15•Switching Energy Eoff vs.V DS&I DFigure17•Threshold Voltage vs.Junction Temp.Figure18•Forward Safe Operating AreaFigure19•Maximum Transient Thermal ImpedanceThis section shows the package specification of the MSC017SMA120S device.Package Outline DrawingThe following figure illustrates the TO-268package outline of the MSC017SMA120S device.Figure20•Package Outline DrawingThe following table shows the TO-268dimensions and should be used in conjunction with the package outline drawing.Table6•TO-268DimensionsSymbolMin(mm)Min(in.)Max(mm)Max(in.)4.90A5.100.1930.201B15.850.63816.200.624C18.7019.100.7520.7361.00D1.250.0490.03913.80E14.000.5510.543F13.300.5240.53513.60Min(mm)Min(in.)Max(mm)G2.700.1060.1142.90H1.151.450.0570.045I1.950.0772.210.087J0.940.0550.0371.40K2.400.1060.0942.70L0.400.0240.600.016M1.450.0630.0571.60N0.000.0070.180.00012.40O12.700.4880.500P5.45BSC(nom.)0.215BSC(nom.)GateTerminal1DrainTerminal2SourceTerminal3DrainTerminal4Microsemi's product warranty is set forth in Microsemi's Sales Order Terms and rmation contained in this publication is provided for the sole purpose of designing with and using Microsemi rmation regarding device applications and the like is provided only for your convenience and may be superseded by updates.Buyer shall not rely on any data and performance specifications or parameters provided by Microsemi.It is your responsibility to ensure that your application meets with your specifications.THIS INFORMATION IS PROVIDED "AS 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damages,claims,suits,or expenses resulting from such use.No licenses are conveyed,implicitly or otherwise,under any Microsemi intellectual property rights unless otherwisestated.Microsemi2355W.Chandler Blvd.Chandler,AZ 85224USAWithin the USA:+1(480)792-7200Fax:+1(480)792-7277 ©2020Microsemi andits corporate affiliates.All rights reserved.Microsemi and the Microsemi logo aretrademarks of Microsemi Corporation and itscorporate affiliates.All other trademarks andservice marks are the property of theirrespective owners.Microsemi Corporation,a subsidiary of Microchip Technology Inc.(Nasdaq:MCHP),and its corporate affiliates are leading providers of smart,connected and secure embedded control solutions.Their easy-to-use development tools and comprehensive product portfolio enable customers to create optimal designs which reduce risk while lowering total system cost and time to market.These solutions serve more than 120,000customers across the industrial,automotive,consumer,aerospace and defense,communications and computing markets.Headquartered in Chandler,Arizona,the company offers outstanding technical support along with dependable delivery and quality.Learn more at .050-7781|October 2020|Preliminary11050-7781MSC017SMA120S Datasheet RevisionA Legal。

矽创芯片产品介绍

62 2.7V~5.5V 2.7V~5.5V
B type x2 C×2 ~7V 0D
ST7038/38S
Product Resolution CGROM Size
ST7038S
80x8+80 ICON 80x16+80 ICON 80x24+80 ICON
256 chars
DDRAM Siห้องสมุดไป่ตู้e
80 characters
• Green Driver
•
, FPC
ST7032/32S
Product
Resolution
CGROM Size DDRAM Size CGRAM Size
Interface PAD Pitch
VDD VDD2 Driving Waveform Pump Component VLCD
ST7032S 80x8+80 ICON 80x16+80 ICON
ST7571
ST75256
Character Driver Product Line
MP
New
Planning
Type
Resolution
P/N
Next Gen. Advantage
2012 Plan
Character Type Drivers
40x16
80x16
80x16 + 80 ICON 80x24 + 80 ICON 100x16 + 80 ICON 80x24 + 80 ICON 100x16 + 80 ICON
96x32
ST7066U ST7070 ST7032 ST7036 ST7038 ST7920 ST7921

Microchip以晶圆级芯片封装和TO-92封装扩展UNI／OEEPROM产品线

们提出宝贵的改进意见。
童整塑塑兰！生曼困篁塑
Ｅ园Ｅ嘲
霸
－【ｌ哩
● 一ｊｊ．： ● 一Ｉ】
全球领先的单片机和模拟半导体供应商 — — ＭｉｒｃｉＴｅｈｏｏｙＣ．美国微芯科技公司）前ｃｏｈＰｃｎｌｇｊ（Ｆ／日宣布推出单ＩＯ总线ＵＮＩＥＥＰＲＯＭ器件并且开始供／／Ｏ货，除了采用３脚ｓ０Ｔ一２封装，还提供微型晶圆级芯引３片封装和Ｔ０－９封装。规格为０８２．５×１３ｍｍ的晶圆级．８芯片封装（ｃＳＰ）为一颗裸片大小，并能支持使用标ｗＬ约
小的封装实现。由于ＵＮＩＯ器件只需一个单ｌＯ端口与单／／片机（ＭｃＵ）信，选择一个芯片规模封装的元件就能进通
一
步减小整体产品尺寸。不仅小尺寸是任何设计中必须考
虑的因素，手工组装工序较低的整体制造成本也促使选择
的３ｖ产品。０
ＮＦＳ、ＮＴＦＳ４８９８ＮＦ及ＴＭ４８９７ＮＦＭ
括用于服务器、电信网络设施、个人计算机（ＰＣ）、笔记
本电脑及游戏机的直流一直流（ＤＣ—ＤＣ）换、负载点转
ＮＴＭＦ￥４９ＮＦ均采用符合ＲＯ８９ＨＳ指令、低热阻抗的紧凑型５ｍｍｘｍｍＳＯ－ＦＬ装。６８封

移动硬盘盒芯片介绍

移动硬盘盒芯片介绍目前在市面上最常见的解决方案有，凌阳（Sunplus）SPIF225A/SPIF215A，台湾创惟（Genesys logic）GL830，智微（Jmicron）JM20329，旺玖（PROLIFIC）PL-2571和INITIO的INIC-1610系列。

■ 凌阳 SPIF225A凌阳是一大厂，进入SATA时代，凌阳优势没有得到最好的延续，目前市场上能找到解决方案仅有SPIF215A和SPIF225A。

从官方提供的资料来看，凌阳SPIF215A采用1.8V/3.3V180nm生产工艺，64pin LQFP封装，能够支持1.5GbpsSATAI 标准，而SPIF225A则采用48pin封装，并支持最高3.0Gbps的SATAII接口标准。

比如我店现在有销售的图美M16/GS3381等都是用的凌阳的方案。

■ 创惟 GL830创惟GL830一共有3个版本其中LQFP 48pin，成本最廉价，也是目前最常见的解决方案，64pin封装则是针对中高阶应用市场，提供SATA及eSATA, hot plug等功能；而128pin封装则是针对高端应用市场，提供ATA/ATAPI，SATA，Programmable AP以及hot plug等功能。

芯片整合5V to 3.3V及3.3V to 1.8两组电源整流器，可以将成本降到最低。

比如我店现在有销售的飚王黑鹰、星光、星威等都是用的创惟的方案。

GL830还通过了USB-IF(USB Implementers Forum)认证，符合SATA版本2.6规格，支持外部eSATA接口，传输速率支持3.0Gbps规格。

■ 智微JM20329系列(奈雷特SATA接口的移动硬盘盒大多用此芯片，而IDE接口的硬盘盒则用CY7C68300A及CY7C68300B的芯片，都属于中高端芯片)智微（Jmicron）也是最早推出USBtoSATA解决方案的台系厂商之一，J-MICRO20336/20337/20339 智微公司出品，高性能SATA TO USB控制芯片，大品牌里最常见，价格适中，功能强大。

智能锂电池充电控制芯片

智能锂电池充电控制芯片SMC401 产品规格书v1.0 (2005.12.20)上海贝岭矽创微电子有限公司Shanghai Belling-Systron Microelectronics Co., Ltd.智能锂电池充电控制芯片SMC4011．概述本产品主要用于手机锂电池的充电器，也可以用于其他锂离子或锂聚合物电池的充电控制场合。

采用本芯片设计的充电器能够充分贴合锂电池的充电曲线在不同阶段进行精确恒流或恒压充电，并能对过放电的锂电池进行补偿充电和电气性能修护，从而提高锂电池的充电饱和度，延长锂电池使用寿命。

此外，芯片还能通过补偿锂电池内阻的方式缩短充电时间。

2．主要特点● 内嵌8位MCU，提供全程的智能检测和智能控制● 根据锂电池充电曲线在不同阶段进行精确恒流或恒压充电● 具有智能过流保护功能● 具有过放电涓流预充功能● 具有电池放置检测功能● 具有温度检测及保护功能● 三色LED状态指示● DIP18封装、SOP16封装● 超低系统成本3．管脚排列4．管脚功能说明SMC401 DIP18脚封装引脚功能说明表编号引脚名方向功能描述1 LED1 O 充电状态指示1，接3色LED的红灯2 LED2 O 充电状态指示2，接3色LED的绿灯3 NC - 空接4 RST I 复位，“0”有效5 GND - 地6SMC401 SOP16脚封装引脚功能说明表编号引脚名方向功能描述1 VLOW I 低电压检测2 LED1 O 充电状态指示1，接3色LED的红灯3 LED2 O 充电状态指示2，接3色LED的绿灯4 GND - 地5 OPTION1 I 上拉管脚，不能空接6 OPTION2 I 上拉管脚，不能空接7 ILOW I 充电截止电流检测8 TS I 温度检测，如不用则应接电源9 IMAX I 恒流检测10 OPTION3 I 上拉管脚，应通过一个上拉电阻拉到2.5V，不能空接11 BAT I 电池放置检测，如不用则应接地12 PWM O PWM充电脉冲输出13 VDD - 5V电源14 NC - 空接15 OSCI I 振荡输入16 VMAX I 恒压检测5．功能简述SMC401系统框图5.1 充电流程SMC401的充电分为三个阶段：预充、恒流充电及恒压充电。

st77903手册

st77903手册ST77903是一款LCD驱动IC，由矽创科技为穿戴和移动应用开发。

它是一款具有特色的高性价比显示屏驱动芯片。

以下是ST77903的手册概述：一、简介ST77903是一款专为穿戴和移动设备设计的LCD驱动器IC。

它具有高性价比，能够驱动各种尺寸和分辨率的显示屏。

ST77903的主要特点包括：-支持SPI或QSPI接口-支持多种分辨率从128x128到400x400-支持RGB565和RGB888颜色格式-集成度高，简化硬件设计二、工作原理ST77903通过SPI或QSPI接口与主机进行通信。

主机可以通过发送命令或参数来控制ST77903的工作模式和行为。

ST77903支持写命令模式和写像素数据模式，以便高效地控制LCD显示屏。

三、命令和参数ST77903使用特定的命令和参数来控制其工作模式和行为。

在写命令模式下，主机可以通过发送命令或参数来配置ST77903的参数，例如选择工作模式、配置分辨率和颜色格式等。

在写像素数据模式下，主机可以发送像素数据来更新显示屏内容。

四、硬件接口ST77903通过SPI或QSPI接口与主机进行通信。

接口包括SCK（串行时钟）、MOSI（主输出/从输入）和MISO （主输入/从输出）等信号线。

此外，ST77903还需要一些控制信号，例如CSX（片选信号）、RSTX（复位信号）和SCL（串行时钟）。

五、编程示例下面是一个简单的示例程序，用于通过SPI接口控制ST77903驱动一个128x128的RGB565分辨率的LCD显示屏：1.初始化SPI接口，设置SCK、MOSI和MISO信号线的时序和速率。

2.配置ST77903的命令和参数，例如选择工作模式、配置分辨率和颜色格式等。

3.发送像素数据到ST77903，更新显示屏内容。

4.重复步骤3，以不断更新显示屏内容。

注意：具体编程方法和代码实现会因不同的开发环境和编程语言而有所不同。

建议参考相关文档和开发指南，以获得更详细的编程指导和示例代码。

台湾矽创微电子LCD驱动IC ST7528 用于128128LCD点阵参考程序

台湾矽创微电子LCD驱动IC ST7528 用于128*128点阵参考程序主程序//CONTROL IC ST7528//DESIGNED LIUKING#include<reg52.h>#include<intrins.h>#include "test.h"#include "logo.txt"#include "logo_pic.txt"#define nop _nop_()#define uchar unsigned char#define uint unsigned int#define com 128#define seg 128#define ADDMAP 0x08 //P2^3#define SUBMAP 0x04 //P2^2#define ADDVOP 0x02 //P2^1#define SUBVOP 0x01 //P2^0#define mapmax 9#define KEY_IN P2sbit a0=P3^3;sbit rw=P3^2;sbit e=P3^1;sbit reset=P3^4;sbit cs1=P3^5;void delay_10us(void);void delay_n_ms(uint n);void wrcmd(uchar cmd);void wrdata(uchar Data);void init(void);void gray(void);void display_all(void);void display_off(void);void display_fl1(void);void display_fl2(void);uchar VOP=0x1a;uchar MAP_ID=0;void init(void){cs1=0;nop;reset=0;delay_n_ms(200);reset=1;delay_n_ms(200);/////////////////////EXT=0/////////////////////////wrcmd(0x38);wrcmd(0xf4);//2byte instruction set mode:123HZ and EXT=0 delay_n_ms(10);delay_n_ms(10);wrcmd(0x40);wrcmd(0x00);//set initial display line registerdelay_n_ms(10);wrcmd(0x44);wrcmd(0x00);//set initial display com0 registerdelay_n_ms(10);wrcmd(0xab);//oscillator onwrcmd(0x27);//set Rb,Rawrcmd(0x81);wrcmd(0x3f);//set referencewrcmd(0x54);//set 1/11biasdelay_n_ms(10);wrcmd(0xc8);//com reversewrcmd(0xa0);//normal seg//wrcmd(0x64);//set 3times boosterdelay_n_ms(200);//wrcmd(0x2c);//set power control;all onwrcmd(0x67);//set 6times boosterdelay_n_ms(200);//wrcmd(0x2e);delay_n_ms(10);wrcmd(0x2f);delay_n_ms(200);wrcmd(0xbf);//set 4FRC and 60PWM}void display_all(){uchar i,j,page=0;//wrcmd(0x40);//wrcmd(0x00);//set initial display line registerfor(i=16;i>0;i--){wrcmd(0xb0+page); //set page addresswrcmd(0x10);wrcmd(0x00); //set colume addressfor(j=0;j<128;j++){wrdata(0xff);wrdata(0xff);wrdata(0xff);wrdata(0xff);}page++;}wrcmd(0xaf);}uchar code graycode[ ]={0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0xff,0x00,0xff,0xff,0x00,0xff,0xff,0xff,0x00,0x00,0xff,0x00,0xff,0xff,0xff,0x00,0xff,0x00,0xff,0x00,0x00,0xff,0xff,0x00,0x00,0x00,0x00,0xff,0xff,0xff,0x00,0xff,0xff,0x00,0x00,0xff,0x00,0xff,0x00,0xff,0x00,0x00,0x00,0x00,0xff,0xff,0x00,0x00,0xff,0x00,0x00,0x00,0x00,0xff,0x00,0x00,0x00,0x00 };void graytest2(void){uchar i,j,m,column,page=0;//wrcmd(0x40);//wrcmd(0x00);//set initial display line registerfor(i=17;i>0;i--){wrcmd(0xb0+page); //set page addresscolumn=0;for(m=0;m<16;m++){wrcmd(0x10+column/16); //set column high addresswrcmd(0x00+column%16); //set column low addressfor(j=0;j<10;j++){wrdata(graycode[4*m+0]);wrdata(graycode[4*m+1]);wrdata(graycode[4*m+2]);wrdata(graycode[4*m+3]);}column=column+10;}page++;}wrcmd(0xaf);}void display_off(){uchar i,j,page=0;//wrcmd(0x40);//wrcmd(0x00);//set initial display line registerfor(i=com/8+1;i>0;i--){wrcmd(0xb0+page); //set page addresswrcmd(0x10);wrcmd(0x00); //set colume addressfor(j=0;j<seg;j++){wrdata(0x00);wrdata(0x00);wrdata(0x00);wrdata(0x00);}page++;}wrcmd(0xaf);}void display_fl1(void){uchar i,j,page=0;//wrcmd(0x40);//wrcmd(0x00);//set initial display line registerfor(i=com/8+1;i>0;i--){wrcmd(0xb0+page); //set page addresswrcmd(0x10);wrcmd(0x00); //set colume addressfor(j=0;j<seg/4;j++){wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);}page++;}wrcmd(0xaf);}void display_fl2(void){uchar i,j,page=0;//wrcmd(0x40);//wrcmd(0x00);//set initial display line registerfor(i=com/8+1;i>0;i--){wrcmd(0xb0+page); //set page addresswrcmd(0x10);wrcmd(0x00); //set colume addressfor(j=0;j<seg/4;j++){wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0x33);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);wrdata(0xcc);}page++;}wrcmd(0xaf);}uchar code a[ ]={0x03,0x0F,0x1F,0x1E,0x3C,0x38,0x38,0x38,0x38,0x38,0x3D,0x1F,0x1F,0x3F,0x7B,0x30, 0xF0,0xFC,0xFE,0x1E,0x0F,0x07,0x07,0x07,0x07,0x87,0xCF,0x9E,0xFE,0xFC,0xF0,0x00};void gray_setmode(void){delay_n_ms(30);graywhite();gray1();gray2();gray3();gray4();gray5();gray6();gray7();gray8();gray9();gray10();gray11();gray12();gray13();gray14();grayblack();delay_n_ms(30);}void whrite_data(uchar page,uchar code_com){uchar t,y;wrcmd(0xb0+page); //set page addresswrcmd(0x10);wrcmd(0x00); //set colume addressfor(t=0;t<128;t++){for(y=0;y<4;y++){wrdata(code_com);}}}void com_scan(uint speed){uchar s,x,page=0,code_com=0x01,mark;for(x=0;x<8;x++){for(s=0;s<8;s++){whrite_data(page,code_com);whrite_data(page+8,code_com);if(mark==1){whrite_data(page-1,0x00);whrite_data(page+8-1,0x00);mark=0;}code_com*=2;if(s==7){whrite_data(page-1,0x00);whrite_data(page,0x80);whrite_data(page+8-1,0x00);whrite_data(page+8,0x80);mark=1;}delay_n_ms(speed);}code_com=0x01;page++;}wrcmd(0xaf);}void whrite_data_seg(uchar NO,uchar code_com,uchar page){uchar t,y;wrcmd(0xb0+page); //set page addresswrcmd(0x10);wrcmd(0x00); //set colume addressfor(t=0;t<64+NO;t++){if((t==NO-1)||(t>=(NO-1+64))){for(y=0;y<4;y++){wrdata(code_com);}}else if((t<NO-1)||(t<(NO-1+64))){for(y=0;y<4;y++){wrdata(0x00);}}}}void seg_scan(uint speed){uchar i,j;for(i=0;i<64;i++){for(j=0;j<16;j++){whrite_data_seg(i,0xff,j);}delay_n_ms(speed);}}void graphic_change(uchar *p){uchar i,j,y,code_logo;for(i=0;i<16;i++){wrcmd(0xb0+i); //set page addresswrcmd(0x10);wrcmd(0x00); //set colume addressfor(j=0;j<128;j++){code_logo=p[(j*16)+15-i];for(y=0;y<4;y++){wrdata(code_logo);}}}wrcmd(0xaf);}main(){delay_10us();init();gray_setmode(); //灰度程式设置while(1){display_off();display_all();delay_n_ms(2000);display_off();delay_n_ms(1000);display_fl1();delay_n_ms(2000); //黑白方格测试部分display_fl2(); //黑白方格测试部分delay_n_ms(2000);display_off();seg_scan(1);display_off();com_scan(200);graphic_change(logo_pic);delay_n_ms(2000);}}以下是库程序：#include<intrins.h>#include<reg52.h>#define nop _nop_()#define uchar unsigned char#define uint unsigned int#define com 128#define seg 128#define ADDMAP 0x08 //P2^3 #define SUBMAP 0x04 //P2^2 #define ADDVOP 0x02 //P2^1 #define SUBVOP 0x01 //P2^0 #define mapmax 9#define KEY_IN P2sbit a0=P3^3;sbit rw=P3^2;sbit e=P3^1;sbit reset=P3^4;sbit cs1=P3^5;void delay_10us(){uchar i;for(i=1;i>0;i--){}}void delay_n_ms(uint n){uint i,j;for(j=n;j>0;j--){for(i=86;i>0;i--){}}}void wrcmd(uchar cmd){a0=0;rw=0;cs1=0;nop;e=1;nop;nop;P1=cmd;nop;nop;e=0;//cs1=1;//rw=1;}void wrdata(uchar Data){a0=1;rw=0;cs1=0;nop;e=1;nop;nop;P1=Data;nop;nop;e=0;//cs1=1;//rw=1;}void gray1(void){wrcmd(0x38);wrcmd(0xf5);//2byte instruction set mode:64HZ and EXT=1 delay_n_ms(200);wrcmd(0x84);wrcmd(3);wrcmd(0x85);wrcmd(3);wrcmd(0x86);wrcmd(3);wrcmd(0x87);wrcmd(3);wrcmd(0x38);wrcmd(0xf4); //2byte instruction set mode:64HZ and EXT=0; }void gray2(void){wrcmd(0x38);wrcmd(0xf5);//2byte instruction set mode:64HZ and EXT=1 delay_n_ms(200);wrcmd(0x88);wrcmd(6);wrcmd(0x89);wrcmd(6);wrcmd(0x8a);wrcmd(6);wrcmd(0x8b);wrcmd(6);wrcmd(0x38);wrcmd(0xf4); //2byte instruction set mode:64HZ and EXT=0; }void gray3(void){wrcmd(0x38);wrcmd(0xf5);//2byte instruction set mode:64HZ and EXT=1 delay_n_ms(200);wrcmd(0x8c);wrcmd(9);wrcmd(0x8d);wrcmd(9);wrcmd(0x8e);wrcmd(9);wrcmd(0x8f);wrcmd(9);wrcmd(0x38);wrcmd(0xf4); //2byte instruction set mode:64HZ and EXT=0; }void gray4(void){wrcmd(0x38);wrcmd(0xf5);//2byte instruction set mode:64HZ and EXT=1 delay_n_ms(200);wrcmd(0x90);wrcmd(12);wrcmd(0x91);wrcmd(12);wrcmd(0x92);wrcmd(0x93);wrcmd(12);wrcmd(0x38);wrcmd(0xf4); //2byte instruction set mode:64HZ and EXT=0; }void gray5(void){wrcmd(0x38);wrcmd(0xf5);//2byte instruction set mode:64HZ and EXT=1 delay_n_ms(200);wrcmd(0x94);wrcmd(15);wrcmd(0x95);wrcmd(15);wrcmd(0x96);wrcmd(15);wrcmd(0x97);wrcmd(15);wrcmd(0x38);wrcmd(0xf4); 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//2byte instruction set mode:64HZ and EXT=0;}。

矽创芯片产品介绍

256 chars 80 characters 8 characters 80, 68, 4/3SPI, and I2C
35 1.8V~3.3V 2.7V~3.3V Green Driver
x5 C×2 ~6.6V 1A
ST7032 80x8+80 ICON 80x16+80 ICON
256 chars 80 characters 8 characters 68, 4/3SPI, and I2C
Product Name Resolution Display RAM Interface VDDI VDDA Vop (max) Driving Method COM sequence Pad Pitch Component (pcs) Package Type
ST7527 Features
ST7527 132 x 80 + 1 ICON 132 x 81=10,368bits 4SPI (read and write), 68-8bit and 80-8bit 1.8V ~ 3.3V 2.8V ~ 3.3V 8V ~ 10V Green Driver Interlace 27um (width:14um, space:13um) 3C COG
Product Name Resolution Display RAM Interface VDDI VDDA Vop (max) Driving Method COM sequence Pad Pitch Component (pcs) Package Type
ST7539 Features
ST7539 192x64 + 1 ICON 192x65 I2C, 3SPI, 68-4/8bit and 80-4/8bit 1.8V ~ 3.3V 2.7V ~ 3.3V 4.78~11.5V Green Driver Interlace 27um 1C COG

国内外电能计量芯片产品简介

国内外电能计量芯片产品简介供稿人：吕玉洁供稿时间：2007-4-24 关键字：电能计量电子电度表国外发达国家上世纪80年代起开始使用电子电度表，90年代后，我国开始引进电子电度表技术。

与机械感应式电度表相比，电子电度表具有计量准确、性能稳定、量程扩展方便、防窃电和方便以后的智能化管理（如预付费、电子抄表等）优点。

目前，国际上电子式电表中的电能计量芯片市场一直由ADI、Cirrus Logic、SAMES、TDK等国际公司占据。

美国模拟器件公司ADI（）的电能计量芯片内核包括有功功率、无功功率和视在功率的电能计算，以及电压和电流有效值的测量。

该内核还具有几种集成的电源监视功能，例如SAG检测、峰值检测和过零点检测。

ADI最新的ADE71xx和ADE75xx（ADE是Analog Devices Energy的缩写）系列产品是完整的SoC解决方案。

如ADE7100和ADE7500电能表系统芯片把电能测量内核与微处理器、片内闪存、LCD驱动器、实时时钟和智能电池管理电路结合在一起，允许电能表保持时间、检测温度变化、读出LCD数据并且完成其它的重要系统功能。

另外，还支持远程抄表系统、计时收费以及卸负载（当电源超载时切断某条输电线的电流）等高级服务。

/en/subCat/0,2879,760_790_0__0_,00.htmlCirrus Logic公司（/en/）是一家开发高精度模拟和混合信号集成电路的半导体公司。

它的电能计量芯片主要有CS5451A、CS5461A、CS5462、CS5463、CS5464、CS5466、CS5467等。

/en/products/pro/techs/T14.html其中CS5467集成了四个Sigma-Delta模数转换器（Σ-ΔADC）、电能计算引擎、能量频率转换器及三个数字串行接口；能精确测量瞬时电流和电压，计算电压和电流有效值、瞬时功率、有用功率、视在功率以及无功功率；CS5467可为并发的两相测量提供两个电流通道和两个电压通道，并有系统电平校准、温度感应、电压骤降、电流错误监测以及相位补偿等特性。

上海海栎创微电子有限公司 Hynitron Microelectronics CST340 高性能互

上海海栎创微电子有限公司Hynitron MicroelectronicsCST340高性能互电容多点触控芯片Shanghai Hynitron Microelectronics Co.,Ltd1．概要CST340系列多点电容触控芯片，支持单层，多层模组及多种图案，采用10V 以上高压驱动，实现高性能，高灵敏度，低功耗的真实多点触摸(带压力检测)。

相较传统的低压驱动可提供更高的信噪比和抗干扰能力。

同时，芯片内部自互一体电容感应模块，结合智能扫描算法，在实现快速反应的同时，具有优异的抗噪、防水、低功耗表现。

2．特性高性能电容检测电路及DSP 模块自互一体检测模块；高压驱动，实现高灵敏度，高信噪比采样；支持被动电容触摸笔；支持待机手势唤醒功能；支持在线编程；内置看门狗；多个按键支持。

性能指标典型刷新率100Hz ；带水操作，大拇指识别及大手掌抑制；动态模式下典型功耗：4mA ；监控模式下典型功耗：350uA ；睡眠模式下典型功耗：50uA 。

电容屏支持最多支持40个驱动/感应通道，并支持TX/RX 互换；通道悬空/下拉设计支持；支持传统的DITO 和SITO 及各种图案；模组参数自动调校，最大支持阻抗达120K ；Cover Lens 厚度支持，玻璃<=2mm 亚克力<=1mm 。

通讯接口I2C 主/从通讯接口，速率10Khz~1Mhz 可配置；GPIO 支持多种工作模式可配，内置上拉电阻模式；内置1.8V LDO ，兼容1.8V/VDDA 接口电平可配。

芯片运行后VDD18输出1.8V ，VDDHV 输出驱动高压6~12V 。

电源供电单电源供电2.7V ~3.6V ，电源纹<=50mv ；少量的外围器件。

封装类型：QFN526mm*6mm 。

3．应用手机，平板，笔记本，触摸板等。

4．典型应用电路图C1 2.2uF/10VC2: 0.1uF ~ 1uF/10VC310nF ~ 100nF/16VR3: 200VDDIO VDDA VDD18R1/R2I2C 5K Sensor ID TX RX GND5．引脚排列X 2X 1X 0S S AX 25X 24X 23X 22X 21X 20X 19X 18X 17V D D 18N C I R Q N C N C S D A S C L V D D H V R S T n T X 0T X 1T X 2T X 36．引脚描述14VDD18PWR/O 1.8V，0.1~1.0uF40TX17I/O电容Tx/Rx通道15NC NC空脚41TX18I/O电容Tx/Rx通道16IRQ I/O中断42TX19I/O电容Tx/Rx通道17NC NC空脚43TX20I/O电容Tx/Rx通道18NC NC空脚44TX21I/O电容Tx/Rx通道19SDA I/O I2C数据信号45TX22I/O电容Tx/Rx通道20SCL I/O I2C时钟信号46TX23I/O电容Tx/Rx通道21VDDHV PWR/O max12V，10~100nF47TX24I/O电容Tx/Rx通道22RST n I复位引脚，低有效48TX25I/O电容Tx/Rx通道23TX0I/O电容Tx/Rx通道49VSSA GND模拟地24TX1I/O电容Tx/Rx通道50RX0I/O电容Rx/Tx通道25TX2I/O电容Tx/Rx通道51RX1I/O电容Rx/Tx通道26TX3I/O电容Tx/Rx通道52RX2I/O电容Rx/Tx通道I Input Only仅输入O Output Only仅输出I/O Input And Output输入和输出7.订购信息料号封装表面印字包装CST340QFN52-6*6(P0.40T0.55)方向点+LOGO+CST340+PO2500/盘，编带出货8.极限参数表9.电气特性9.1直流(DC)电气特性环境温度25 C，VDDA=2.8V。

矽品晶圆级芯片高阶测试项

矽品晶圆级芯片高阶测试项矽品晶圆级芯片是一种高性能、高精度的芯片产品，广泛应用于电子、通信、汽车、工业控制等领域。

为了确保矽品晶圆级芯片的质量和可靠性，需要进行一系列精密的测试和检验。

本文将介绍矽品晶圆级芯片的高阶测试项，以及其在芯片设计和生产过程中的指导意义。

1.电气特性测试：电气特性测试是对晶圆级芯片进行电压、电流、功率等方面的测试。

其中包括输入输出特性测试、传输性能测试、噪声测试等。

通过电气特性测试，可以评估芯片的工作性能和能耗，确保其符合设计和制造要求。

2.封装测试：封装测试是将晶圆上的芯片封装为最终的产品，然后对其进行一系列测试。

封装测试包括焊接可靠性测试、尺寸、形状和引脚位置测试、对焊试验等。

通过封装测试，可以保证芯片在实际应用中具有良好的可靠性和稳定性。

3.可靠性测试：可靠性测试是评估芯片在长时间工作条件下的性能和稳定性。

主要包括温度循环测试、湿度循环测试、震动测试、老化测试等。

通过可靠性测试，可以判断芯片的使用寿命和抗干扰能力，为产品的长期稳定运行提供保障。

4.功能测试：功能测试是对晶圆级芯片的各项功能进行验证和检验。

包括芯片是否能够正常启动、各功能模块是否正常工作、外部接口是否稳定等。

通过功能测试，可以确保芯片的功能正常、性能稳定，并满足用户需求。

5.故障分析：故障分析是在测试过程中对出现的故障进行诊断和分析。

通过对故障进行详细分析，可以找出故障的原因和解决方案，提高芯片的质量和可靠性。

矽品晶圆级芯片的高阶测试对于芯片的设计和生产过程具有重要的指导意义。

通过测试，可以及时发现问题，调整设计和制造过程，提高芯片的质量和可靠性。

同时，测试还可以为用户提供有关芯片性能和特性的准确信息，帮助用户选择合适的芯片，提高产品的竞争力。

总之，矽品晶圆级芯片的高阶测试是确保芯片质量和可靠性的重要环节。

通过电气特性测试、封装测试、可靠性测试、功能测试和故障分析等测试项目，可以保证芯片的性能、稳定性和可靠性。

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Enterprise Development专业品质权威Analysis Report企业发展分析报告矽创精密智造（无锡）有限公司免责声明:本报告通过对该企业公开数据进行分析生成，并不完全代表我方对该企业的意见，如有错误请及时联系;本报告出于对企业发展研究目的产生，仅供参考，在任何情况下，使用本报告所引起的一切后果，我方不承担任何责任:本报告不得用于一切商业用途，如需引用或合作，请与我方联系:矽创精密智造（无锡）有限公司1企业发展分析结果1.1 企业发展指数得分企业发展指数得分矽创精密智造（无锡）有限公司综合得分说明：企业发展指数根据企业规模、企业创新、企业风险、企业活力四个维度对企业发展情况进行评价。

该企业的综合评价得分需要您得到该公司授权后，我们将协助您分析给出。

1.2 企业画像类别内容行业空资质空产品服务：半导体器件专用设备制造；半导体器件专用设1.3 发展历程2工商2.1工商信息2.2工商变更2.3股东结构2.4主要人员2.5分支机构2.6对外投资2.7企业年报2.8股权出质2.9动产抵押2.10司法协助2.11清算2.12注销3投融资3.1融资历史3.2投资事件3.3核心团队3.4企业业务4企业信用4.1企业信用4.2行政许可-工商局4.3行政处罚-信用中国4.4行政处罚-工商局4.5税务评级4.6税务处罚4.7经营异常4.8经营异常-工商局4.9采购不良行为4.10产品抽查4.11产品抽查-工商局4.12欠税公告4.13环保处罚4.14被执行人5司法文书5.1法律诉讼（当事人）5.2法律诉讼（相关人）5.3开庭公告5.4被执行人5.5法院公告5.6破产暂无破产数据6企业资质6.1资质许可6.2人员资质6.3产品许可6.4特殊许可7知识产权7.1商标7.2专利7.3软件著作权7.4作品著作权7.5网站备案7.6应用APP7.7微信公众号8招标中标8.1政府招标8.2政府中标8.3央企招标8.4央企中标9标准9.1国家标准9.2行业标准9.3团体标准9.4地方标准10成果奖励10.1国家奖励10.2省部奖励10.3社会奖励10.4科技成果11土地11.1大块土地出让11.2出让公告11.3土地抵押11.4地块公示11.5大企业购地11.6土地出租11.7土地结果11.8土地转让12基金12.1国家自然基金12.2国家自然基金成果12.3国家社科基金13招聘13.1招聘信息感谢阅读:感谢您耐心地阅读这份企业调查分析报告。

滚动码解码芯片SMC400

滚动码解码芯片SMC400 产品规格书v1.0 (2005.12.20)上海贝岭矽创微电子有限公司Shanghai Belling-Systron Microelectronics Co., Ltd.滚动码解码芯片SMC4001．概述SMC400 滚动码解码芯片针对滚动码无线遥控安全系统而开发，采用美国 Microchip 公司的 Keeloq 跳码加密技术原理，和 Microchip 公司的滚动编码芯片 HCS 系列配对使用。

不同生产商可通过不同的厂商/用户代码（16位），如：0123456789ABCDEF（4F123687E9765320）,同一厂家可用不同的序列号（7位）来区分不同的遥控器编码重码。

而同一遥控器发送重复码的概率在 Keeloq 技术下可保证 18 年不重复，以此来防止密码被破译。

相对固定码的解码的芯片地址编码数少的瓶颈和数据及易被破译的劣势，SMC400 是最为理想的升级换代的IC，它的使用和PT2272一样简单。

2．主要特点● 内部固化Keeloq 解码微程序代码的标准品 ● 可以对应的编码器有HCS300/HCS301 ● 具有学习接口方便与编码器配对 ● 能自动适应编码器的传输波特率 ● 具有删除所有发送器的功能● 外带E2PROM 可记忆1-12个编码器 ● 有四路输出控制（可根据客户定制）● 可以通过管脚接法实现输出状态锁存或暂存功能 ● 低价位有效降低产品成本3．管脚排列CODE NCRC LRN NC VSS B C VDD NC CLK DIOCS1CLKINSMC400引脚图4．管脚功能说明编号引脚名方向功能描述1 KEY 学习按键输入口2 LRN 学习模式指示 3CLKIN记时时钟输入45．功能详述SMC400的四位数据输出ABCD端VT端及学习模式端分别接入5个高亮度发光二极管，接通5V电源后，5只发光二极管均不亮，此时按动发射手机的任一按键，所有输出端、学习模式端的发光二极管均不亮，此时应该让接收机学习发射手机的信息，以便确认所拥有的发射手机的合法性，首先按下接收机学习按键K1，相应的学习模式端所接的发光二极管D2会发亮，若8秒内未松开按键则清除93C46存储器里的所有旧信息直到学习指示发光二极管灭，若8秒钟内松开按键K1学习指示等仍然亮表示接收机已经处于学习模式下此时可以学习手机信号了。

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