电子技术课后习题详解
电子技术第1章课后答案
第1章半导体存器件1。
1 在如图1.4所示的各个电路中，已知直流电压V，电阻kΩ,二极管的正向压降为0.7V,求U o。
图1.4 习题1.1的图分析U o的值与二极管的工作状态有关,所以必须先判断二极管是导通还是截止。
若二极管两端电压为正向偏置则导通，可将其等效为一个0.7Ｖ的恒压源；若二极管两端电压为反向偏置则截止，则可将其视为开路。
解对图1。
4（a）所示电路,由于V，二极管VD承受正向电压，处于导通状态，故:（V）对图1.4（b）所示电路，由于V,二极管VD承受反向电压截止，故：（V）对图1.4（c）所示电路，由于V，二极管VD承受正向电压导通，故：（V）1.2 在如图1.5所示的各个电路中，已知输入电压V，二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出各电路的输入电压u i和输出电压u o的波形.分析在u i和5V电源作用下，分析出在哪个时间段内二极管正向导通，哪个时间段内二极管反向截止。
在忽略正向压降的情况下，正向导通时可视为短路，截止时可视为开路,由此可画出各电路的输入、输出电压的波形。
图1。
5 习题1.2的图解对图1。
5（a）所示电路,输出电压u o为:u i≥5V时二极管VD承受正向电压导通,U D=0，u o=5V；u i〈5V时二极管VD承受反向电压截止，电阻R中无电流，u R=0，u o=u i。
输入电压u i和输出电压u o的波形如图1.6（a）所示。
图1。
6 习题1.2解答用图对图1。
5（b）所示电路,输出电压u o为:u i≥5V时二极管VD承受正向电压导通,U D=0,u o= u i；u i〈5V时二极管VD承受反向电压截止，电阻R中无电流,u R=0,u o=5V。
输入电压u i和输出电压u o的波形如图1。
6（b）所示。
对图1。
5（c）所示电路,输出电压u o为：u i≥5V时二极管VD承受反向电压截止，电阻R中无电流，u R=0，u o= u i；u i〈5V时二极管VD承受正向电压导通，U D=0,u o=5V。
电子电力技术课后习题解答（王兆安第五版）
电力电子技术答案第二章2-1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才使得其具有耐受高压和大电流的能力？答：1.电力二极管大都采用垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，显著提高了二极管的通流能力。
2.电力二极管在P区和N区之间多了一层低掺杂N区，也称漂移区。
低掺杂N区由于掺杂浓度低而接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，由于掺杂浓度低，低掺杂N区就可以承受很高的电压而不被击穿。
2-2. 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
2-3. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
2-4 图2-27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。
解：a) I d1=Im2717.0)122(2Im)(sinIm214≈+=⎰πωπππtI1=Im4767.021432Im)()sin(Im2142≈+=⎰πϖπππwtdtb) I d2=Im5434.0)122(2Im)(sinIm14=+=⎰wtd tππϖπI 2=Im6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈+=⎰πϖπππwt d t c) I d3=⎰=20Im 41)(Im 21πωπt d I 3=Im 21)(Im 21202=⎰t d ωππ2-5上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?解：额定电流I T(AV)=100A 的晶闸管，允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) I d1≈0.2717I m1≈89.48AI m1≈I0.4767≈329.35Ab) I d2A I m 56.1265434.02≈≈I m2≈I0.6741≈232.90Ac) I m3=2I=314 I d3=5.78413=m I 2-6 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答：GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构，由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
数字电子技术基础(第4版)课后习题答案详解
(b)当v i＝0V时， vB为负值 ∴ T截止 vo＝5V
当
v
i＝5V时，
I
＝
B
5－0.7 54。7
−
8.7 18
=
0.42 mA
I BS
≈
5 50 × 2
= 0.05mA <
IB
∴ T饱和
vo ≈ 0.2V (0 ~ 0.3V都行）
悬空时，
I
＝
B
5－0.7 4.7
−
8.7 18
=
0.08 mA
I BS
(5)Y =1
2
Y = ABC + ABC + ABC
(2)Y = CD + ACD (4)Y = BC + B D
(2)Y = B + AD + AC (4)Y = A + B D (6)Y = CD + B D + AC
数字电路 习题答案 （第二章）
第二章
2.1 解:
2
数字电路 习题答案 （第二章）
2.10 (1) vi2 = 1.4V (2) vi2 = 0.2V (3) vi2 = 1.4V (4) vi2 = 0.2V (5) vi2 = 1.4V
2.11 各种情况均为 1.4V 2.12 解：
输出为高电平时：Vo = Vcc − (0.2 × 2 − iL )RL = 4.6 + iL RL
114化简下列逻辑函数bdce120将下列函数化为最简与或式wwwplczonecom数字电路习题答案第二章第二章213010截止负值悬空时都行饱和悬空时都行饱和截止为负值200200ililil1010ihccihccih2002ohol系数输出为高电平时扇出系数输出为低电平时扇出所以n2025为输入端的个数分母中的系数输出为高电平时扇出系数输出为低电平时扇出2imaxohol所以n5wwwplczonecom数字电路习题答案第二章26解
数字电子技术基础第三版课后习题解答与第章
【题3-2】 解：),=(A田B) C=A⑥B+C}、=AB+(AB)C=AB+(AB+AB)C=AB+ABC+ABC=AB+BC+AC)=A B CY,=AB+(A B)C=AB+BC+AC两个电路功能相同，均为全加器。
14
(2) CDAB 00 01 11o0[ X0111 1 1 X10 1 1
A₃B₃…A₀B₀ 91A₃B₃…A₀B₀A<B.A>R低位 A=B74LS85Fg FxBF,A>B
A₂B₇…A₄B₄A=B74LS85FAn FxnF
【题3-9】 解：连线图如图3-26所示。
图3 - 26
27
【题3-10】 解：A=A₃A₂A₁A₀ 8421BCD 码 B=B₃B₂B₁B₀ 余3 BCD 码C=C₃C₂C₁C₀ 2421BCD 码 D=D₃D₂D₁D₀ 余 3 循环码(1)卡诺图如图3 - 27所示。B₃=A₃+A₂A₁+A₂A₀=A₂A₂A₁A₂A₀
2
A
B
A
Y'
2
0
0
0
1
0
0
1
1
0
0
1
0
0
0
1
1
1
0
1
)
3-2 解：(1)X=AB;Y=AB+AB=AB+AB;Z=AB。真值表如表3-10所示。表3-10
(2)实现1 位数值比较功能。
3
Y₀=X,④X 。 Y₀=Y₁X₀=X₂X₇X。若令 X₂=B₂ 、X₁=B₁ 、λ₀=B, 则当 K=1 时电路可正确地实现3位二进制码到3位循环码的转换，即有 Y₂=G₂ 、Y,=G₁ 、Y₀=G₀ 。 若 令X₂=G₂ 、X,=G₁、X₀=G₀, 则当 K=0 时，通过比较可明显看出，只要去掉一个反相器便可实现3位循环码到3位二进制码的转换，即有 Y₂=B₂ 、Y₁=B₁ 、Y₀=B₀。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。
2数制21.2。
2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。
718）D=(10。
1011)B=（2。
54)O=(2.B)H1。
4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。
4。
3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。
6逻辑函数及其表示方法1。
6.1在图题1。
6。
1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
《电子技术基础》第五版高教康华光版部分课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB 解：真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
数字电子技术基础. 第四版. 课后习题答案详解
(1)Y=A+B
(2)YABCABC
解：BCABCCABC（A＋A＝）
(5)Y=0
(2)(1101101)2=(6D)16=(109)10
(4)(11.001)2=(3.2)16=(3.125)10
(2)(127)10=(1111111)2=(7F)16
(4) (25.7)10(11001.1011 0011)2(19.B3)16
1.12
将下列各函数式化为最大项之积的形式
(1)Y(ABC)(ABC)(ABC)
(3)YM0⋅M3⋅M4⋅M6⋅M7
(5)YM0⋅M3⋅M5
(2)Y(ABC)(ABC)(ABC)
(4)YM0⋅M4⋅M6⋅M9⋅M12⋅M13
1.13
用卡诺图化简法将下列函数化为最简与或形式：
(3)Y(AB)(AC)ACBC
(2)Y
ACD
解：(AB)(AC)ACBC[(AB)(AC)AC]⋅BC
(ABACBCAC)(BC)BC
(5)YADACBCDC
解：Y(AD)(AC)(BCD)CAC(AD)(BCD)
ACD(BCD)ABCD
(4)YABC
(6)Y0
1.11
将函数化简为最小项之和的形式
(3)Y=1
(4)YAB CDABDAC D
解：YAD(B CBC)AD(BCC)AD
(7)Y=A+CD
(6)YAC(C DA B)BC(BADCE)
解：YBC(B⋅ADCE)BC(BAD)⋅CEABCD(CE)ABCDE
（8）YA(BC)(ABC)(ABC)
解：YA(B⋅C)(ABC)(ABC)A(AB CB C)(ABC)
《数字电子技术基础》课后习题及参考答案
第1章习题与参考答案【题1-1】将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数。
（1）25；（2）43；（3）56；（4）78解：（1）25=（11001）2=（31）8=（19）16（2）43=（101011）2=（53）8=（2B）16（3）56=（111000）2=（70）8=（38）16（4）（1001110）2、（116）8、（4E）16【题1-2】将下列二进制数转换为十进制数。
（1）10110001；（2）10101010；（3）11110001；（4）10001000 解：（1）10110001=177（2）10101010=170（3）11110001=241（4）10001000=136【题1-3】将下列十六进制数转换为十进制数。
（1）FF；（2）3FF；（3）AB；（4）13FF解：（1）（FF）16=255（2）（3FF）16=1023（3）（AB）16=171（4）（13FF）16=5119【题1-4】将下列十六进制数转换为二进制数。
（1）11；（2）9C；（3）B1；（4）AF解：（1）（11）16=（00010001）2（2）（9C）16=（10011100）2（3）（B1）16=（1011 0001）2（4）（AF）16=（10101111）2【题1-5】将下列二进制数转换为十进制数。
（1）1110.01；（2）1010.11；（3）1100.101；（4）1001.0101解：（1）（1110.01）2=14.25（2）（1010.11）2=10.75（3）（1001.0101）2=9.3125【题1-6】将下列十进制数转换为二进制数。
（1）20.7；（2）10.2；（3）5.8；（4）101.71解：（1）20.7=（10100.1011）2（2）10.2=（1010.0011）2（3）5.8=（101.1100）2（4）101.71=（1100101.1011）2【题1-7】写出下列二进制数的反码与补码（最高位为符号位）。
《电子技术基础》第五版(数字部分)高教版课后答案
1．1 数字电路与数字信号第一章 数字逻辑习题1.1.2 图形代表的二进制数MSBLSB 0 1 211 12（ms ）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10% 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于 2 （2）127 （4）解：（2）（127）D=27-1=（）B-1=（1111111）B =（177）O=（7F ）H （4）（）D=B=O=H 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码： （1）43 （3） 解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASC Ⅱ码的表示：P28 （1）+ （2）@ （3）yo u (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASC Ⅱ码，然后将二进制码转换为十六进制 数表示。
（1）“+”的 ASC Ⅱ码为 0101011，则（00101011）B=（2B ）H （2）@的 ASC Ⅱ码为 1000000,(01000000)B=(40)H(3)you 的 ASC Ⅱ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43 的 ASC Ⅱ码为 0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为 34,33 逻辑函数及其表示方法解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式(3) A⊕B AB AB（A⊕B）=AB+AB解：真值表如下A B A⊕BAB AB A⊕BAB+AB0 0 1 11111111111A (1BC ) ACDCDEA ACDCDEACD CDEACD E2.1.4 用代数法化简下列各式(3) ABC B C)A⋅B A⋅B(A B)(A B)1BAB ABABBABAB(9) ABC DABD BC D ABCBD BC解： ABC DABDBC DABCBD BCB ( ACD )L D ( AC)2(3)(L AB)(C D)2.2.2 已知函数 L（A，B，C，D）的卡诺图如图所示，试写出函数 L 的最简与或表达式解：L( A, B, C, D) BC D BCD B C D ABD2.2.3 用卡诺图化简下列个式（1）ABCD ABCD AB AD ABC3解：ABCD ABCD AB AD ABCABCD ABCD AB CC DDAD B B CCABC D D)()()()()(ABCD ABCD ABC D ABCD ABC D ABC D ABC D（6）L( A, B, C, D ) ∑m解：(0, 2, 4, 6,9,13)∑d(1, 3, 5, 7,11,15)L AD（7）L( A, B, C , D )∑m 解: (0,13,14,15)∑d(1, 2, 3, 9,10,11)L AD AC AB42.2.4 已知逻辑函数L AB BC C A，试用真值表,卡诺图和逻辑图（限用非门和与非门）表示解:1>由逻辑函数写出真值表A11112>由真值表画出卡诺图B1111C1111L1111113>由卡诺图,得逻辑表达式L AB BC AC 用摩根定理将与或化为与非表达式L AB BC AC AB⋅B C⋅AC4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图5第三章习题MOS逻辑门电路3.1.1 根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数，试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。
电力电子技术课后习题及解答
《电力电子技术》习题及解答第1章思考题与习题晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A决定。
晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A减小，I A下降到维持电流I H以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A决定。
温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g=0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
电子技术(数字部分)第二版课后习题参考答案
& 1
& 1
& Y
B
C
1.12 用代数法化简下列各式
（1）AB BC A(
)
（2）(A B AB
（3）ABC B C( ) （5）AB AB AB AB
)
4 ABABCABAB (
)
（6）(A B
) (A B) (AB AB)()
7
（7）B ABC AC AB BC
（8）ABC ABC ABC A
8
(
1)
() (1 C B
ABCD ABD BC D ABD DC BC BD ABD C BC BD ()
ABD ABC BC BD BD DA BC CA BD BA BC BA ()
AB BC BD
（10） AC ABC BC ABC AC ABC BC ABC (A C A B C BC ABC AB AC CA CB C BC ABC)(
2-4 ) ：
（l）43 (2)127 （3 ) 254.25 (4 ) 2.718
解：（1）
2 43 1 2 21 1 2 10 0
25 1 22 0 21 1
0
43=(101011)B (101 011)B=(53)O (0010 1011)B=(2B)H
（2）
2 127 1 2 63 1 2 31 1 2 15 1
10
通止止通通止止通通止 0
11
通止通止通止通止止通 1
同或 L AB AB A B
2.4 试分析图题 2.4 所示的 CMOS 电路，说明它们的逻辑功能。
解：
EN 1 EN 0 L 高阻 L A ( )a
EN=1，TN2、TP2 截止，电路不工作，L=高阻；EN=0，TN2、TP2 导通，TN1、TP1 为反相
电工电子技术课后习题与答案
电工电子技术课后习题与答案(a)(b)图4-24 习题4、1的图解（a）(b)4、2 在图4-25所示电路中，已知I =10mA，R1 =3kΩ，R2 =3kΩ，R3 =6kΩ，C =2μF，电路处于稳定状态，在时开关S合上，试求初始值(0+)，(0+)。
图4-25解对点写结点电压方程有将有关数据代入有4、3 图4-26所示电路已处于稳定状态，在t = 0时开关S闭合，试求初始值(0+)、(0+)、(0+)、（0+）、(0+)。
图4-26解对结点写KCL方程有4、4 如图4-27所示电路，在t = 0时开关S由位置1合向位置2，试求零输入响应(t)。
图4-27 解开关合向位置1后有零输入响应为4、5 在图4-28所示电路中，设电容的初始电压为零，在t = 0时开关S闭合，试求此后的(t)、(t)。
图4-28解已知，开关在时合上，电路的响应是零状态响应，首先利用戴维南定理对电路进行化简4、6 如图4-29所示电路，开关S在位置a时电路处于稳定状态，在 t = 0时开关S合向位置b，试求此后的(t)、(t)。
图4--29解此时电路的响应是全响应开关由位置a合向位置 b后，零输入响应为零状态响应为全响应为4、7 图4-30所示电路在开关S打开前处于稳定状态，在t = 0时打开开关S，求(t)和t =2ms时电容储存的能量。
图4--30解零输入响应零状态响应全响应当时，4、8 电路如图4-31所示，设电感的初始储能为零，在t = 0时开关S闭合，试求此后的(t)、(t)。
解已知，开关合上后，利用戴维南定理对电路进行化简有图4-31已知，开关合上后，利用戴维南定理对电路进行化简有4、9 图4-32所示为一个继电器线圈。
为防止断电时出现过电压，与其并联一放电电阻，已知V,，线圈电感H，,试求开关S断开时(t)和线圈两端的电压(t)、。
设S断开前电路已处于稳定状态。
解4、10 电路如图4-33所示，在t = 0时开关S合上，试求零输入响应电流(t)。
电子技术第三章课后习题答案
第三章习题参考答案3-1 电路如图3-40所示，设40=β，试确定各电路的静态工作点，指出晶体管工作于什么状态？b) d)图3-40 题3-1图解 a）AIBQμ5.71102007.0153=⨯-=mAICQ86.20715.040=⨯=VUCEQ14.12186.215=⨯-=晶体管工作于放大状态。
b）AIBQμ8010]1)401(200[7.0203=⨯⨯++-=mAICQ2.308.040=⨯=VUCEQ39.10)12(2.320=+⨯-=晶体管工作于放大状态。
c）设晶体管工作在放大状态。
mAIBQ257.010757.0203=⨯-=mAICQ3.10257.040=⨯=VUCEQ9.1533.1015-=⨯-=+15Vk200+15V+15V+20Vk200说明晶体管已经深度饱和。
d) 由于发射结反偏，晶体管工作于截止状态。
3-2 试判断图3-41中各电路能否放大交流信号，为什么？a ） b) c)d) e) f) 图3-41 题3-2图解 a) 晶体管的发射结正偏，集电结反偏，故可以放大交流信号。
b) 缺少直流负载电阻C R ，故不能放大交流信号。
c) 晶体管为PNP 型，偏置电压极性应为负，故不能放大交流信号。
d) 电容C1、C2的极性接反，故不能放大交流信号。
e) 缺少基极偏置电阻B R ，故不能放大交流信号。
f) 缺少直流电源CC V ，故不能放大交流信号。
3-3 在图3-42中晶体管是PNP 锗管，（1）在图上标出CC V 和21,C C 的极性；（2）设V 12-=CC V ，k Ω3=C R ，75=β，如果静态值mA 5.1=C I ，B R 应调到多大？（3）在图3-42 题3-3图调整静态工作点时，如果不慎将B R 调到零，对晶体管有无影响？为什么？通常采取何种措施来防止这种情况发生？（4）如果静态工作点调整合适后，保持B R 固定不变， 当温度变化时，静态工作点将如何变化？这种电路能否稳定静态工作点？ 解 1)CC V 和21,C C 的极性如题3-3解图所示。
《电子技术基础》数电部分课后习题解答
数字电子部分习题解答第1章 数字逻辑概论1.2.2 将10进值数127、2.718转换为2进制数、16进制数解：(2) (127)D = (1111111)B 此结果由127除2取余直至商为0得到。
= (7F)H 此结果为将每4位2进制数对应1位16进制数得到。
(4) (2.718)D = (10.1011)B 此结果分两步得到:整数部分--除2取余直至商为0得到;小数部分—乘2取整直至满足精度要求.= (2.B)H 此结果为以小数点为界,将每4位2进制数对应1位16进制数得到。
1.4.1 将10进值数127、2.718转换为8421码。
解：(2) (127)D = (000100100111)8421BCD 此结果为将127中每1位10进制数对应4位8421码得到。
(4) (2.718)D = (0010.0111 0001 1000)8421BCD 此结果为将2.718中每1位10进制数对应4位8421码得到。
第2章 逻辑代数2.23 用卡诺图化简下列各式。
解：(4) )12,10,8,4,2,0(),,,(∑=m D C B A LD C AB D C B A D C B A D C B A D C B A D C B A +++++= 对应卡诺图为:化简结果: D B D C L +=解：(6) ∑∑+=)15,11,55,3,1()13,9,6,4,2,0(),,,(d m D C B A L对应卡诺图为:化简结果: D A L +=第4章 组合逻辑电路4．4．7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,(4．4．7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,(。
解：将输入变量低3位B 、C 、D 接至74HC138的地址码输入端A 2、A 1、A 0 ，将输入变量高位A 接至使能端E 3，令012==E E ，则有：i i i Am m E E E Y ==123。
电子技术课后习题详解
习题解答【1-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。
11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，，应保证和。
13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
解：1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2.杂质浓度，温度。
3.少数载流子，(内)电场力。
4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z）6.增大;7.NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。
8.结型，绝缘栅型，多数，单极型。
9.电压，电流。
10.变大，变大，变小。
11.各管脚对地电压;12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。
13.左移，上移，增大.。
【1-2】在图1-2的各电路图中，E =5V ，u i =10t ωsin V ，二极管D 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。
电子技术(数字部分)第二版课后习题参考答案
（4）L A B C D( ,
,, )
m(0,2,4,8,10,12)
（5）Y A B C D( ,
,, )
m(0,1,2,5,6,8,9,10,13,14)
（6）Y A B C D( , d(1,3,5,7,11,15)
,, )
m(0,1,4,6,9,13)
（7）Y A B C D( , m(0,13,14,15)
,)
10
0000 1001
CD AB 00 01 11 10
00
1
1
01
1
1
11
1
1
10
1
1
（6）Y A B C D( ,
,
m(0,1,4,6,9,13)
CD AB 00 01 11 10
00
1
0
1100
01
1
11
1
0
10
1
0
d(3,5,7,11,15)
AB AC
（7）Y A B C D( ,
,
m(0,13,14,15) d(1,2,3,9,10,11)
（42077.0459）D 1.5 写出下列十进制数的 842lBCD 码。
( l ) ( 2008 ) D ( 2 ) ( 99）D ( 3 ) ( 48.5 ) D ( 4 ) (12.08 ) D 解： ( l ) ( 2008 ) D=（0010000000001000）8421BCD ( 2 ) ( 99）D=（10011001）8421BCD ( 3 ) ( 48.5 ) D=（01001000.0101）8421BCD
（d）F AB1
(A B C)
F2
数字电子技术基础课后习题及答案
第1章习题与参考答案【题1-1】将以下十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数。
〔1〕25；〔2〕43；〔3〕56；〔4〕78解：〔1〕25=〔11001〕2=〔31〕8=〔19〕16〔2〕43=〔101011〕2=〔53〕8=〔2B〕16〔3〕56=〔111000〕2=〔70〕8=〔38〕16〔4〕〔1001110〕2、〔116〕8、〔4E〕16【题1-2】将以下二进制数转换为十进制数。
〔1〕10110001；〔2〕10101010；〔3〕11110001；〔4〕10001000解：〔1〕10110001=177〔2〕10101010=170〔3〕11110001=241〔4〕10001000=136【题1-3】将以下十六进制数转换为十进制数。
〔1〕FF；〔2〕3FF；〔3〕AB；〔4〕13FF解：〔1〕〔FF〕16=255〔2〕〔3FF〕16=1023〔3〕〔AB〕16=171〔4〕〔13FF〕16=5119【题1-4】将以下十六进制数转换为二进制数。
〔1〕11；〔2〕9C；〔3〕B1；〔4〕AF解：〔1〕〔11〕16=〔00010001〕2〔2〕〔9C〕16=〔10011100〕2〔3〕〔B1〕16=〔1011 0001〕2〔4〕〔AF〕16=〔10101111〕2【题1-5】将以下二进制数转换为十进制数。
〔1〕1110.01；〔2〕1010.11；〔3〕1100.101；〔4〕1001.0101解：〔1〕〔1110.01〕2=14.25〔2〕〔1010.11〕2=10.75〔3〕〔1001.0101〕2=9.3125【题1-6】将以下十进制数转换为二进制数。
〔1〕20.7；〔2〕10.2；〔3〕5.8；〔4〕101.71解：〔1〕20.7=〔10100.1011〕2〔2〕10.2=〔1010.0011〕2〔3〕5.8=〔101.1100〕2〔4〕101.71=〔1100101.1011〕2【题1-7】写出以下二进制数的反码与补码〔最高位为符号位〕。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
解:图解3.1.7所示电路中L1= ,L2= ,L3= ,L4实现与功能,即L4=L1 L2 L3,而L= ,所以输出逻辑表达式为L=
3.1.9图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图，图中n个三态门的输出接到数据传输总线，D1，D2，……Dn为数据输入端，CS1，CS2……CSn为片选信号输入端.试问:
= — =0.8V—0.4V=0.4V
同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:
=1V
=0.4V
=1V
=0.6V
电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C
3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种逻辑门性能最好
表题3.1.3逻辑门电路的技术参数表
逻辑门A
1
1.216Biblioteka 逻辑门B56
8
逻辑门C
10
10
1
解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即
DP=tpdPD
根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为
= = *16mw=17.6* J=17.6PJ
同理得出: =44PJ =10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的性能最好.
3.1.5为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0: (1)输入端接地; (2)输入端接低于1.5V的电源; (3)输入端接同类与非门的输出低电压0.1V; (4)输入端接10kΩ的电阻到地.
解:对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:
《电子技术基础》数电部分课后习题解答
数字电子部分习题解答第1章数字逻辑概论1.2.2 将10进值数127、2.718转换为2进制数、16进制数解：(2) (127)D = (1111111)B 此结果由127除2取余直至商为0得到。
= (7F)H 此结果为将每4位2进制数对应1位16进制数得到。
(4) (2.718)D = (10.1011)B 此结果分两步得到:整数部分--除2取余直至商为0得到;小数部分—乘2取整直至满足精度要求.= (2.B)H 此结果为以小数点为界,将每4位2进制数对应1位16进制数得到。
1.4.1 将10进值数127、2.718转换为8421码。
解：(2) (127)D = = (000100100111)(000100100111)8421BCD 此结果为将127中每1位10进制数对应4位8421码得到。
(4) (2.718)D = (0010.0111 0001 1000)8421BCD 此结果为将2.718中每1位10进制数对应4位8421码得到。
第2章逻辑代数2.23 用卡诺图化简下列各式。
解：(4) )12,10,8,4,2,0(),,,(å=m D C B A L D C AB D C B A D C B A D C B A D C B A D C B A +++++=对应卡诺图为: 化简结果: DB DC L +=解：(6) åå+=)15,11,55,3,1()13,9,6,4,2,0(),,,(d m D C B A L 对应卡诺图为: 卡诺图化简原则: 1. 每个圈包围相邻1单元(每个1对应1个最小项)的个数为2n (1,2,4,8,16); 2. 每个圈应包围尽量多的1单元; 3. 同一个1单元可以被多个圈包围; 4. 每个1单元均应被圈过; 5. 每个圈对应一个与项; 6. 化简结果为所有与项的或(加). 化简结果: D A L +=第4章 组合逻辑电路组合逻辑电路4．4．7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,( 4．4．7 试用一片74HC138实现函数ACD C AB D C B A L +=),,,(。
电子技术课后习题集详解
习题解答【1-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。
11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，，应保证和。
13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
解：1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2.杂质浓度，温度。
3.少数载流子，(内)电场力。
4. 单向导电性，正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z ），工作电流（I Emin ），最大管耗（P Zmax ）和动态电阻（r Z ）6. 增大;7. NPN ，PNP ，自由电子，空穴(多子，少子)。
8. 结型，绝缘栅型，多数，单极型。
9. 电压，电流。
10. 变大，变大，变小。
11. 各管脚对地电压;12. 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。
13. 左移，上移，增大.。
【1-2】在图1-2的各电路图中，E =5V ，u i =10t sin V ，二极管D 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。
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习题解答【1-1】填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，与此有关的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型晶体管是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性晶体管的β将，反向饱和电流I CEO将，正向结压降U BE将。
11．用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证和；在饱和区，应保证和；在截止区，，应保证和。
13．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
解：1.完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。
2.杂质浓度，温度。
3.少数载流子，(内)电场力。
4.单向导电性，正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
5.反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（U Z），工作电流（I Emin），最大管耗（P Zmax）和动态电阻（r Z）6.增大;7.NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。
8.结型，绝缘栅型，多数，单极型。
9.电压，电流。
10.变大，变大，变小。
11.各管脚对地电压;12.发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。
13.左移，上移，增大.。
【1-2】在图1-2的各电路图中，E =5V ，u i =10t ωsin V ，二极管D 视为理想二极管，试分别画出输出电压u o 的波形。
u i u oRD Eu iu oR DE(a) (b)图1-2 题1-2电路图解：波形如图1-2（a ）（b ）u i /Vtωu i /Vt ωu o /V t ωu o /Vtω图1-2 (a) (b)【1-3】 在图1-3中，试求下列几种情况下输出端对地的电压U Y 及各元件中通过的电流。
（1）U A =10V ，U B =0V ；（2）U A =6V ，U B =5V ；（3）U A =U B =5V 。
设二极管为理想二极管。
UYD U A U B图1-3 题1-3电路图解：（1）A VD 导通，B VD 截止 DB DA R 10V0,1mA (19)(k )I I I ====+ΩY R 9V U I R =⋅=（2）A VD 导通，B VD 截止DB DA R 6V0,0.6mA 10k I I I ====ΩY R 5.4V U I R =⋅= （3）A VD B VD 均导通R 5V0.53mA 9.5k I =≈Ω R DA DB 0.26mA 2I I I =≈=Y R 4.74V U I R =⋅=【1-4】设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V 和10V ，正向压降均为0.7V 。
求图1-4中各电路的输出电压U O 。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-4 题1-4电路图解：图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V.【1-5】有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压值分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。
如果要得到3V 的稳定电压，应如何连接？解：连接方法如图1-5。
D Z1D Z2U O1k ΩU I图1-5【1-6】 有两个晶体管分别接在电路中，已知它们均工作在放大区，测得各管脚的对地电压分别如下表所列。
试判别管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管?是NPN 型还是PNP 型?解：晶体管Ⅰ为NPN 型硅管，1、2、3管脚依次是B 、E 、C ； 晶体管Ⅱ为PNP 型锗管，1、2、3管脚依次是C 、B 、E 。
【1-7】 如何用指针式万用表判断出一个晶体管是NPN 型还是PNP 型？如何判断出管子的三个管脚？锗管硅管又如何通过实验区别出来？ 解：(1) 先确定基极：万用表调至欧姆×100或×1k 挡，随意指定一个管脚为基极，把任一个表笔固定与之连接，用另一表笔先后测出剩下两个电极的电阻，若两次测得电阻都很大（或很小）。
把表笔调换一下再测一次，若测得电阻都很小（或很大），则假定的管脚是基极。
若基极接红表笔时两次测得的电阻都很大，为NPN 型，反之为PNP 型。
(2) 判断集电极：在确定了基极和三极管的类型之后，可用电流放大倍数β的大小来确定集电极和发射极。
现以NPN 型三极管为例说明判断的方法。
先把万用表的黑笔与假定的集电极接在一起，并用一只手的中指和姆指捏住，红表笔与假定的发射极接在一起，再用捏集电极的手的食指接触基极，记下表针偏转的角度，然后两只管脚对调再测一次。
这两次测量中，假设表针偏转角度大的一次是对的。
【1-8】在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图1-8所示，试确定晶体管各电极的名称；说明它是NPN ，还是PNP 型；计算晶体管的共射直流电流放大系数β。
图1-8 题1-8晶体管电极电流图解：图中应改为I 1＝1.2mA, I 3＝－1.23mA 。
NPN 型①－c ，②－b ，③－eβ＝1.2mA0.03mA＝40【1-9】用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各极对地电压如图1-9所示，试判断晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、截止、放大)？+6V+12V---图1-9 题1-9晶体管对地电压图解：晶体管从左到右，工作状态依次为放大、饱和、截止、放大。
【2-1】 填空、选择正确答案13I =1．对于阻容耦合放大电路，耦合电容器的作用是A．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；√B．将输入交流信号耦合到晶体管的输入端；同时防止偏置电流被信号源旁路；C．将输入交流信号加到晶体管的基极。
2．在基本放大电路中，如果集电极的负载电阻是R c，那么R c中：A．只有直流；B．只有交流；√ C．既有直流，又有交流。
3．基本放大电路在静态时，它的集电极电流的平均值是（）；动态时，在不失真的条件下，它的集电极电流的平均值是（）。
（I CQ；I CQ）4．下列说法哪个正确：A．基本放大电路，是将信号源的功率加以放大；√ B．在基本放大电路中，晶体管受信号的控制，将直流电源的功率转换为输出的信号功率；C．基本放大电路中，输出功率是由晶体管提供的。
5．放大电路如图2.1.7所示，试选择以下三种情形之一填空。
a:增大、b:减少、c:不变（包括基本不变）(1) 要使静态工作电流I c减少，则R b1应。
（a）(2) R b1在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
（b；a；c）(3) R e在适当范围内增大，则电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。
（b；a；c）(4) 从输出端开路到接上R L，静态工作点将，交流输出电压幅度要。
（c；b）(5) V cc减少时，直流负载线的斜率。
（c）6．放大电路的输出电阻越小，放大电路输出电压的稳定性（）。
（越好）7．放大电路的饱和失真是由于放大电路的工作点达到了晶体管特性曲线的（）而引起的非线性失真。
（饱和区）8．在共射基本放大电路中，若适当增加β，放大电路的电压增益将（）。
（基本不增加）9．在共射基本放大电路中，若适当增加I E，电压放大倍数将如何变化（）。
（增加） 10．在共射基本放大电路中，适当增大R c，电压放大倍数和输出电阻将有何变化。
√ A．放大倍数变大，输出电阻变大B．放大倍数变大，输出电阻不变C．放大倍数变小，输出电阻变大D．放大倍数变小，输出电阻变小11．有两个电压放大电路甲和乙，它们的电压放大倍数相同，但它们的输入输出电阻不同。
对同一个具有一定内阻的信号源进行电压放大，在负载开路的条件下测得甲的输出电压小。
哪个电路的输入电阻大。
（对放大电路输出电压大小的影响，一是放大电路本身的输入电阻，输入电阻越大，加到放大电路输入端的信号就越大；二是输出电阻，输出电阻越小，被放大了的信号在输出电阻上的压降就越小，输出信号就越大。
在负载开路的条件下，也就是排除了输出电阻的影响，只剩下输入电阻这一个因素。
甲、乙两个放大电路电压放大倍数相同，甲的输出小，说明甲的输入电阻小，乙的输入电阻大。
）k负载电阻后，输出 12．某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为4V，接入3Ω电压的有效值降为3V，据此计算放大电路的输出电阻。
k；√ A．1ΩkB．1.5ΩkC．2ΩkD．4Ω13．有一个共集组态基本放大电路，它具有如下哪些特点：A．输出与输入同相，电压增益略大于1；√ B ．输出与输入同相，电压增益稍小于1，输入电阻大和输出电阻小； C ．输出与输入同相，电压增益等于1，输入电阻大和输出电阻小。
1. 为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用 耦 合方式。
2. 为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。
3. 若两个放大电路的空载放大倍数分别为20和30，则将它们级连成两级放大电路，则其放大倍数为 （a. 600，b. 大于600，c. 小于600）4. 在三级放大电路中，已知|A u1|=50，|A u2|=80，|A u3|=25，则其总电压放大倍数|A u |= ，折合为 dB 。
5. 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 ；前级对后级而言又是 ，而前级的输出电阻则也可视为后级的 。
解：1. 直接2. 变压器3. c 小于6004. 105，1005. 负载，后级的信号源，信号源内阻 【3-3】 填空1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 。
2．在相同的条件下，阻容耦合放大电路的零点漂移比直接耦合放大电路 。
这是由于 。
3．差分放大电路是为了 而设置的，它主要通过 来实现。
4．在电流源式差分电路中，R e 的主要作用是 。
5．抑制零漂的主要措施有 种，它们是 。
解：1. 环境温度变化引起参数变化；2. 小；零点漂移是缓慢变化的信号，阻容耦合可将其滤除掉；3. 克服（抑制）温漂，参数对称的对管；4. 抑制零漂；5. 3种，温度补偿元件、调制解调放大和差动放大电路。
习 题【5-1】填空题1．电压负反馈可以稳定输出_______，也就是放大电路带负载能力______，相当于输出电阻_______，输出电压在内阻上的电压降就_______，输出电压稳定性______。