半导体物理学刘恩科习题答案权威修订版(DOC)
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
半导体物理学 刘恩科第七版习题答案
---------课后习题解答一些有错误的地方经过了改正和修订!
第一章 半导体中的电子状态
1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别
为:
2
20122021202236)(,)(3Ec m k m k k E m k k m k V -
=-+= 0m 。试求:为电子惯性质量,nm a a
k 314.0,1==π
(1)禁带宽度;
(2)导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量;
(4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:10
9
11010
314.0=-⨯=
=π
π
a
k (1)
J m k m k m k E k E E m k k E E k m dk E d k m k
dk dE J m k Ec k k m m m dk E d k k m k k m k dk dE V C g V V V V c C 17
31
210340212012202
1210
12202220
21731
2
103402
12102
02022210120210*02.110
108.912)1010054.1(1264)0()43(6)(0,0600610*05.310108.94)1010054.1(4Ec 430
382324
3
0)
(232------=⨯⨯⨯⨯==-=-==
=<-===-==⨯⨯⨯⨯===>=+==
=-+= 因此:取极大值处,所以又因为得价带:
取极小值处,所以:在又因为:得:由导带:
04
32
2
2*8
3)2(1
m dk E d m
k k C nC
=== s N k k k p k p m dk E d m
k k k k V nV
/1095.71010054.143
10314.0210625.643043)()
()4(6
)3(2510349
3410
4
3
002
2
2*1
1
----===⨯=⨯⨯⨯=⨯⨯
⨯⨯=-=-=∆=-
==ππ 所以:准动量的定义:
2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别计算电子自能
带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k
qE f ∆∆==
得qE
k t -∆=∆ s a t s a t 137
19282
199
3421911028.810106.1)
0(1028.810106.11025.0210625.610106.1)0(-------⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯-⨯-⨯⨯=⨯⨯--=∆π
π
ππ
第二章 半导体中杂质和缺陷能级
7. 锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV ,相对介电常数εr =17,电子的有效质量
*n m =0.015m 0, m 0为电子的惯性质量,求①施主杂质的电离能,②施主的弱束缚电子基态轨道半径。
nm r m m m q h r nm
m q h r eV E m m q m E eV J q m E n r
n r r n r n D 60053.010108.9)10602.1(10854.8)10*625.6(101.717
6
.13015.0)4(26.1310602.11018.21018.21075.21099.5)10*054.1()10854.84(2)10602.1(10108.9)4(20*0*2023121912
2340202042
200*2204*19
18
18
8810623421241931220400====⨯⨯⨯⨯⨯⨯==⨯=⨯===∆=⨯⨯=⨯=⨯⨯=
⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯⨯==--------------επεεππεεεπεππε :
解:根据类氢原子模型
8. 磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV ,相对介电常数εr =11.1,空穴的有效质量m *p =0.86m 0,m 0为电
子的惯性质量,求①受主杂质电离能;②受主束缚的空穴的基态轨道半径。
eV E m m q m E r P r P A 096.01
.116
.1386.0)4(22
200*
2204*=⨯===∆εεπε :
解:根据类氢原子模型
nm r m m m q h r nm m q h r P
r P r 68.0053.010108.9)10602.1(10854.8)10*625.6(0*0*202
31
2191223402020====⨯⨯⨯⨯⨯⨯==----ε
πεεππε
第三章 半导体中载流子的统计分布
1. 计算能量在E=E c 到2
*n
2
2C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。 解:
3. 当E-E F 为1.5k 0T ,4k 0T, 10k 0T 时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占
据各该能级的概率。
3
2
2
22
33
*22100E 21
2
33
*
22100E 002
1
2
33*
2310002100)(32221)(221)(1
Z V
Z Z )(Z )(22)(232
2C
2
2C L E l m E E E m dE E E m dE E g V
d dE
E g d E E m V E g c
n c C n
l
m E C n
l
m E C n
n c n c πππππππ=
+-=-=
=
=
=-=*+
+
⎰
⎰
)()
(单位体积内的量子态数)
(