怎样看懂内存条芯片的参数
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下：
1〃HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。
2〃内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）
3〃处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）
4〃芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）
5〃内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）
6〃内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）
7〃接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8〃内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）
9〃能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）
10〃封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））
11〃封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP （UTC））
12〃封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）
13〃速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）
14〃工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））
由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实
际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。
常见SDRAM 编号识别
维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★-7 标记的SDRAM 符合PC143 规范,速度为7ns.
★–75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★–8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★–7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★–10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
(3) 编号形式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面，0—LVTTL；1—SSTL（3）；2—SSTL_2.
g表示版本号，B—第三代。
h表示电源功耗，L—低功耗；空白—普通型。
ii表示封装形式，TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1）HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为：SDRAM，3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为：SDRAM，3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：
序号品牌国家/地区标识备注
1 三星韩国SAMSUNG
2 现代韩国HY
3 乐金韩国LGS 已与HY合并
4 迈克龙美国MT
5 德州仪器美国Ti 已与Micron合并
6 日电日本NEC
7 日立日本HITACHI
8 冲电气日本OKI
9 东芝日本TOSHIBA
10 富士通日本F
11 西门子德国SIEMENS
12 联华台湾UMC
13 南亚台湾NANYA
14 茂矽台湾MOSEI
教你如何调整DDR内存参数
教你如何调整DDR内存参数 日期：2006-07-08 上传者：赵磊来源：https://www.360docs.net/doc/2d16902409.html, 同样的CPU，同样的频率设置，为什么别人的运行效率就比我的高呢？为什么高手能以较低CPU频率跑出更好的测试成绩呢？问题的关键就是内存参数的调校。在一般的超频中，只会调整一些基本参数，比如某超频报告中会说到内存运行状态为“520MHz、3-4-4-8 1T”，那么除频率外后5个数字就是基本参数。还有一系列参数被称之为“小参”，能起到辅助调节作用，当调节基参后仍无法提高频率，或者性能提升不明显后，调整“小参”往往会得到令人意外的惊喜。以下我们根据基本参数与小参分别介绍调校方法。 基本参数介绍 目前的内存还是使用类电容原理来存储数据，需要有充放电的过程，这个过程所带来的延迟是不可避免的。在BIOS中，所有关于内存调节的参数其实都是在调整这个充放电的时序。受颗粒品质影响，每种内存的参数几乎都不完全一样。面对这些参数，我们必须先了解其原理才能在以后的调节中做到信手拈来。以下我们讲解一些重点参数的含义。 CL CL全称CAS Latency，是数据从存储设备中输出内存颗粒的接口之间所使用的时间。一般而言是越短越好，但受于制造技术和内存控制器所限，目前的最佳值是2。
从图中，我们能够直观的看到CL值变化，对数据处理的影响。虽说在单周期内的等待的时间并不长；但在实际使用时，内存每秒要400M次以上的周期循环，此时的性能影响就相当明显了。 RAS与CAS 内存内部的存储单元是按照行（RAS）和列（CAS）排成矩阵模式，一个地址访问指令会被解码成行和列两个信号，先是行地址信号，然后是列地址信号，只有行和列地址都准备好之后才可以确定要访问的内存单元。因此内存读写第一个延迟是RAS到CAS的延迟，从行地址访问允许到读、写数据还有一个准备时间，被称为RAS转换准备时间。这也就是为什么RAS to CAS参数对性能影响要大于RAS Precharge的原因。 Tras
内存型号说明
Samsung 具体含义解释 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A 代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit 的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第8位——为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量＝数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存 16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。 第9位——由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-1.8V （1.8V，1.8V）。与DDR的2.5V电压相比，DDR2的1.8V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。 第10位——由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M 表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。 第11位——连线“-”。 第12位——由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。 第13位——由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的1.8V电压标准；“L”表示Commercial Temp.( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，
全面教你认识内存参数
全面教你认识内存参数 内存热点 Jany 2010-4-28
内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存 第二代DDR内存
DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。 三种类型DDR内存之间，从内存控制器到内存插槽都互不兼容。即使是一些在同时支持两种类型内存的Combo主板上，两种规格的内存也不能同时工作，只能使用其中一种内存。 内存SPD芯片 内存SPD芯片
内存芯片参数介绍
内存芯片参数介绍 具体含义解释： 例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 主要含义： 第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。 第2位——芯片类型4，代表DRAM。 第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。 第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit 的容量；56、55、57、5A代表256MBit的容量；51代表512Mbit的容量。 第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。 第11位——连线“-”。 第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C 为7.5ns (CL=2) ；80为8ns；10 为10ns (66MHz)。 知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。 注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。 Hynix(Hyundai)现代 现代内存的含义： HY5DV641622AT-36 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V 4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref； 257=256Mbits、8K Ref 5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、
内存篇-三个影响内存性能的重要参数
内存篇-三个影响内存性能的重要参数 组装电脑选购内存时，还有一些影响其性能的重要参数需要注意，比如容量、电压和CL 值等。 ◎容量：容量是选购内存时优先考虑的性能指标，因为它代表了内存可以存储数据的多少，通常以GB 为单位。单根内存容量越大则越好。目前市面上主流的内存容量分为单条（容量为2GB、4GB、8GB、16GB）和套装（容量为2×2GB、2×4GB、2×8GB、8×4GB、4×4GB、16×2GB）两种。 ◎工作电压：内存的工作电压是指内存正常工作所需要的电压值，不同类型的内存电压不同，DDR2 内存的工作电压一般在1.8V 左右；DDR3 内存的工作电压一般在1.5V 左右；DDR4 内存的工作电压一般在1.2V 左右。电压越低，对电能的消耗越少，也就更符合目前节能减排的要求。 ◎CL 值：CL（CAS Latency，列地址控制器延迟）是指从读命令有效（在时钟上升沿发出）开始，到输出端可提供数据为止的这一段时间。对于普通用户来说，没必要太过在意CL 值，只需要了解在同等工作频率下，CL 值低的内存更具有速度优势。 小知识： 什么是内存超频？内存超频就是让内存外频运行在比它被设定的更高的速度下。一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频，使之与CPU同频工作。内存超频技术目前在很多DDR4内存中应用，比如金士顿内存的PnP和XMP就是目前使用较多的内存自动超频技术。 CL值的含义 内存CL值通常采用4个数字表示，中间用“-”隔开，以“5-4-4-12”为例，第一个数代表CAS(Column Address Strobe)延迟时间，也就是内存存取数据所需的延迟时间，即通常说的CL值；第二个数代表RAS(Row Address Strobe)-to-CAS延迟，表示内存行地址传输到列地址的延迟时间；第三个数表示RAS Prechiarge延迟（内存行地址脉冲预充电时间）；最后一个数则是Act-to-Prechiarge延迟（内存行地址选择延迟）。其中最重要的指标是第一个参数CAS，它代表内存接收到一条指令后要等待多少个时间周期才能执行任务。 1
光明光电材料对照表
光明光电光学玻璃产品数据库 环保玻璃对照表 CDGM HOYA SCHOTT OHRAR CODE TYPE CODE TYPE CODE TYPE CODE TYPE 470668H-QK1471673FC1471673FK1471674FSL1 487700H-QK3 487704H-QK3L487704FC5487704N-FK5487702S-FSL5 497816H-FK61497816FCD1497816N-PK52497816S-FPL51 500660H-K2500660BSC4500658BK4500600BSL4 505647H-K3 510634H-K5510634BSC1510635BK1510636BSL1 511605H-K6511605C7511604K7511605NSL7 515606H-K7 517522H-KF6517522E-CF6517524S-NSL36 517642H-K9L517642BSC7517642N-BK7516641S-BSL7 518590H-K10518590E-C3518590S-NSL3 519617H-K16 522595H-K50522595C5522595N-K5522598S-NSL5 523586H-K51A523586C12523585NSL51 526602H-K11526601BACL1526600NSL21 530605H-BaK1 532488H-QF6532488E-FEL6532489N-LLF6532489S-TIL6 534555H-K12534554ZNC5534553ZK5534555ZSL5 540597H-BaK2540597BAC2540597N-BAK2 540595S-BAL12 541472H-QF8541472E-FEL2541472S-TIL2 547628H-BaK3548628BAL21 548458H-QF1548458E-FEL1548458N-LLF1548458S-TIL1 552634H-BaK4552634PCD3552635N-PSK3552638BAL23 561583H-BaK5 564608H-BaK6564608BACD11564608N-SK11564607S-BAL41 567428H-QF56567428E-FL6567428S-TIL26 569560H-BaK7569560BAC4569560N-BAK4 569563S-BAL14 569629H-ZK1569631PCD2569631PSK2569631S-BAL22 571530H-BaF53571530S-BAL3 573575H-BaK8573575BAC1573576N-BAK1573578S-BAL11 575415H-QF3573415S-TIL27 580537H-BaF3580537BAFL4580537BAL4 581409H-QF50581409E-FL5581409N-LF5581407S-TIL25 583595H-ZK2583595BACD12583595SK12583594S-BAL42 589613H-ZK3589613BACD5589613N-SK5589612S-BAL35 596392H-QF14596392E-F8596392S-TIM8 603380H-F1603380E-F5603380S-TIM5 603606H-ZK14603607BACD14603606N-SK14603607S-BSM14 607567H-ZK50607567BACD2607567N-SK2607568S-BSM2 607595H-ZK15607595BACD7607595SK7607594BSM7 609589H-ZK4609589BACD3609589SK3609590BSM3 611558H-ZK5611558BACD8611559SK8611559BSM8 613586H-ZK6613586BACD4613586N-SK4613587S-BSM4 613606H-ZK7
DDR 内存参数
一、CAS、RCD、RP是内存芯片的重要参数，它们表示内存工作的延迟时间，当延迟时间越短，其内存的工作效率就越高，其性能也就越好。 CAS：CAS Latency，列地址脉冲选通潜伏期（又可简称为CL） RCD：RAS-to-CAS Delay，行寻址至列寻址延迟时间 RP：RAS Precharge Time，“行预充电时间” 二、 DDR400是JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council：联合电子设备工程协会）承认最高的DDR内存标准，而针对它以其工作时序参数划分了三个等级： DDR400A级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：2.5-3-3 DDR400B级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-3-3 DDR400C级的CAS-RCD-RP工作参数规定为：3-4-4 三、 SPD（Serial Presence Detect）其实是一片EEPROM电可擦写可编程只读存储器，它一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压、行/列地址带宽等十分重要的参数信息。当计算机开机工作时的BIOS就会自动读取内存SPD中的记录信息，以获让内存运行在规定的工作频率上 内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，而目前CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此很多情况下CPU都需要等待内存提供数据，这就是常说的“CPU等待时间”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。 在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。 上面只是给大家建立一个基本的CL概念，而实际上内存延迟的基本因素绝对不止这些。内存延迟时间有个专门的术语叫“Latency”。要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。内存工作时，在要读取或写入某数据，内存控制芯片会先把数据的列地址传送过去，这个RAS信号（Row Address Strobe，行地址信号）就被激活，而在转化到行数据前，需要经过几个执行周期，然后接下来CAS信号（Column Address Strobe，列地址信号）被激活。在RAS信号和CAS信号之间的几个执行周期就是RAS-to-CAS延迟时间。在CAS信号被执行之后同样也需要几个执行周期。此执行周期在使用标准PC133的SDRAM大约是2到3个周期；而DDR RAM则是4到5个周期。在DDR中，真正的CAS延迟时间则是2到2.5个执
内存参数
内存 内存的主流品牌 目前市场上的主流品牌有金士顿（Kingston）、金邦（GEIL）、宇瞻（Apacer）、微刚（ADATA）、刚胜（Kingmax）、现代（Nynex）、三星（Samsung）、海盗船（Corsair）、芝奇（G.skill）、OCE、金泰克等。这些内存采用的工艺略有不同，性能上也多少有些差异。 内存的分类 现在市场上内存可以分为两种。 ①SDRAM： SDRAM又称为同步动态存储器，可以与CPU外频同步运作，有PC100、PC133、PC150等规格，目前的SDRAM都是以168Pin DIMM的内存模块出现。 ②DDR SDRAM： DDR是指Double Data Rate，它的传输速率是SDRAM的两倍，DDR标准包括DDR I、DDRII和DDRIII。DDR插槽与SDRAM插槽两侧的线数不同，DDR应用184pins（针脚）。因此，DDR内存和SDRAM的内存不能换插。 DDR I的主要型号有DDR266，工作频率为133MHz；DDR333，工作频率从为166MHz；DDR400，工作频率为200MHz。 现在DDRII正在逐渐占领主流市场，其频率在533MHz以上。从长远来说，DDRII最终会取代DDR 1，但就目前来说，DDRII的优势还不是特别明显，虽然在频率上有很大提高，但是在时间延迟上却长于DDR400，所以目前的DDR400和DDRII（533）性能差不多，除非选择高端的DDR II（800）。 预计DDRIII将在不久的将来正是面世，工作电压将下降，并且将会使用更
新的信号技术，实现更高的宽带，初始频率预计将达到800MHz，甚至更高。 内存的主要性能参数 ①容量 每个时期的内存条的容量都多种规格、例如，早期的30线内存条有256KB、1MB、4MB等容量，后来72线的EDD内存有4MB、8MB、16MB等容量，目前流行的168线SDRAM内存常见的内存容量有32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GB等。 数据带宽 数据带宽指内存的数据传输速度，是衡量内存性能的重要指标。PCI00 SDRAM在额定频率（100MHz）下工作时，其峰值数据传输速度可以达到800MB/s。而PCI33SDRAM其峰值数据传输速度可达1.06GB/s，比PCI00内存提高了200MB/s。对于DDR DRAM,由于在同一个时钟周期的上升和下降沿都能传输数据，所以工作在133MHz时，实际传输速度可达2.1GB/s。 ②时钟周期 时钟周期代表了SDRAM所能运行的最大频率。显然，这个数字越小，说明SDRAM芯片所能运行的频率越高。对于一普通的PC 100 SDRAM来说，它芯片上的标识“-10”代表了它运行的时钟周期为10ns，即可以在100MHz的外频下正常工作。为什么说SDRAM 的时钟周期代表可它能运行的最大频率呢？SDRAM时钟周期的单位是ns（纳秒），而其最大工作频率则为MHz（兆赫兹），这两者有何关联呢？两者的关系其实很简单，遵循了“频率=1/周期”的原理。由于ns时10-9秒，而MHz是106Hz，因为以ns为单位的周期数值与以MHz为单位的频率数值的乘积应为1 000。所以说时钟周期为10ns的SDRAM可以在100MHz的外频下工作。根据同样的道理，我们可以算出各个时钟周期下的
内存规格参数
内存规格参数 内存这样小小的一个硬件，却是PC系统中最必不可少的重要部件之一。而对于入门用户来说，可能从内存的类型、工作频率、接口类型这些简单的参数的印象都可能很模糊的，而对更深入的各项内存时序小参数就更摸不着头脑了。而对于进阶玩家来说，内存的一些具体的细小参数设置则足以影响到整套系统的超频效果和最终性能表现。如果不想当菜鸟的话，虽然不一定要把各种参数规格一一背熟，但起码有一个基本的认识，等真正需要用到的时候，查起来也不会毫无概念。 内存种类 目前，桌面平台所采用的内存主要为DDR 1、DDR 2和DDR 3三种，其中DDR1内存已经基本上被淘汰，而DDR2和DDR3是目前的主流。 DDR1内存 第一代DDR内存 DDR SDRAM 是 Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM 的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 DDR2内存
第二代DDR内存 DDR2 是 DDR SDRAM 内存的第二代产品。它在 DDR 内存技术的基础上加以改进，从而其传输速度更快（可达800MHZ ），耗电量更低，散热性能更优良。 DDR3内存 第三代DDR内存 DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit 预读升级为8bit预读。DDR3目前最高能够1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
DDR系列内存详解及硬件设计规范-Michael
D D R 系列系列内存内存内存详解及硬件详解及硬件 设计规范 By: Michael Oct 12, 2010 haolei@https://www.360docs.net/doc/2d16902409.html,
目录 1.概述 (3) 2.DDR的基本原理 (3) 3.DDR SDRAM与SDRAM的不同 (5) 3.1差分时钟 (6) 3.2数据选取脉冲（DQS） (7) 3.3写入延迟 (9) 3.4突发长度与写入掩码 (10) 3.5延迟锁定回路（DLL） (10) 4.DDR-Ⅱ (12) 4.1DDR-Ⅱ内存结构 (13) 4.2DDR-Ⅱ的操作与时序设计 (15) 4.3DDR-Ⅱ封装技术 (19) 5.DDR-Ⅲ (21) 5.1DDR-Ⅲ技术概论 (21) 5.2DDR-Ⅲ内存的技术改进 (23) 6.内存模组 (26) 6.1内存模组的分类 (26) 6.2内存模组的技术分析 (28) 7.DDR 硬件设计规范 (34) 7.1电源设计 (34) 7.2时钟 (37) 7.3数据和DQS (38) 7.4地址和控制 (39) 7.5PCB布局注意事项 (40) 7.6PCB布线注意事项 (41) 7.7EMI问题 (42) 7.8测试方法 (42)
摘要： 本文介绍了DDR 系列SDRAM 的一些概念和难点，并分别对DDR-I/Ⅱ/Ⅲ的技术特点进行了论述，最后结合硬件设计提出一些参考设计规范。 关键字关键字：：DDR, DDR, SDRAM SDRAM SDRAM, , , 内存模组内存模组内存模组, , , DQS DQS DQS, DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT , DLL, MRS, ODT Notes : Aug 30, 2010 – Added DDR III and the PCB layout specification - by Michael.Hao
教你看懂内存编码
教你看懂内存编码！ 内存大小识别方法(详) 内存芯片如按厂家所属地域来分主要有日，韩厂家，欧美及中国（含台湾省）厂家等等。看编号识内存芯片是了解内存的一个好方法，下面就是内存识别资料，供大家参考： 主要的内存芯片厂商的名称既芯片代号如下： 现代电子HYUNDAI：HY［注：代号］ 三星SAMSUNG：KM或M NBM：AAA 西门子SIEMENS：HYB 高士达LG-SEMICON：GM HITSUBISHI：M5M 富士通FUJITSU：MB 摩托罗拉MOTOROLA：MCM MATSUSHITA：MN OKI：MSM 美凯龙MICRON：MT 德州仪器TMS：TI 东芝TOSHIBA：TD 或TC 日立HITACHI：HM STI：TM 日电NEC：uPD IBM：BM NPNX：NN 一.日本产系列： 主要厂家有Hitachi［日立］，Toshiba［东芝］，NEC［日电］，Mitsubishi ［三菱］等等，日产晶圆的特点是品质不错，价格稍高。 1.HITACHI［日立］。1 日立内存质量不错，许多PC100的皆可稳上133MHz。它的稳定性好，做工精细，日立内存芯片的编号有HITACHI HM521XXXXXCTTA60或B60,区别是A60的CL是2，B60的CL是3。市面上B60的多，但完全可超133MHz外频， HITACHI的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到"F"了。 第6个X如果是字母"L"就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOII封装。 最后XX代表速度： 75：7.5ns［133MHz］ 80：8ns［125MHz］ A60：10ns［PC-100 CL2或3］ B60：10ns［PC-100 CL3］ 例如：HM5264805F-B60，是64Mbit，8位输出，100MHZ时CL是3。 2.NEC。 NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： μPD45 XX X X XG5-AXX X-XXX
光学玻璃对照表
光学玻璃牌号对照表一 CODE n d d CDGM SCHOTT OHARA HOYA SUMITA HIKARI QK 470668 1.4704766.83H-QK1FK1FSL1FC1 487700 1.4874670.04H-QK3 487704 1.4874970.44H-QK3L N-FK5S-FSL5FC5 E-FK5 K 500621 1.4996762.07K1K11 500660 1.5004766.02H-K2BK4BSL4BSC4 505647 1.5046364.72H-K3BK5 508611 1.5080261.05K4A ZKN7ZSL7ZNC7 ZK7 510634 1.5100763.36H-K5BK1BSL1BSC1 BK1 511605 1.5111260.46H-K6K7NSL7C7 K7 515606 1.5147860.63H-K7 516568 1.5160256.79K8 NSL2C2 K2 516642 1.516864.2H-K9L N-BK7S-BSL7BSC7 E-BK7 516642 1.5168 H-UK9L UBK7 518590 1.5181858.95H-K10 S-NSL3E-C3 E-K3 526602 1.5263860.61H-K11BALK1NSL21BACL1 534555 1.5335955.47H-K12ZK5ZSL5ZNC5 ZK5 519617 1.5187861.69H-K16 BACL3 BALK3 522595 1.5224959.48H-K50N-K5S-NSL5C5 E-K5 523586 1.5230758.64H-K51B270NSL51C12 KN1 BaK 530605 1.5302860.47H-BaK1 540597 1.5399659.72H-BaK2N-BAK2S-BAL12BAC2 E-BaK2 547628 1.5467862.78H-BaK3 BAL21 PSK1 552634 1.5524863.36H-BaK4N-PSK3BAL23PCD3 PSK3 561583 1.5606958.34BaK5 564608 1.5638860.76H-BaK6N-SK11S-BAL41BACD11 E-SK11 569560 1.5688356.04H-BaK7N-BAK4 S-BAL14BAC4 E-BAK4 573575 1.572557.49H-BaK8N-BAK1S-BAL11BAC1 E-BAK1 574565 1.5744456.45BaK9BAK6BAL16BAC6 560612 1.5596361.21BaK11SK20BAL50 SK20 ZK 569629 1.5688862.93H-ZK1PSK2BAL22PCD2 PSK2 583595 1.5831359.46H-ZK2SK12S-BAL42BACD12 SK12
MEMORY存储芯片STM32F103RCT6中文规格书
Features ?Core: Arm? 32-bit Cortex?-M3 CPU –72 MHz maximum frequency, 1.25DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) performance at 0 wait state memory access –Single-cycle multiplication and hardware division ?Memories –256 to 512 Kbytes of Flash memory –up to 64 Kbytes of SRAM –Flexible static memory controller with 4 Chip Select. Supports Compact Flash, SRAM, PSRAM, NOR and NAND memories –LCD parallel interface, 8080/6800 modes ?Clock, reset and supply management – 2.0 to 3.6V application supply and I/Os –POR, PDR, and programmable voltage detector (PVD) –4-to-16 MHz crystal oscillator –Internal 8 MHz factory-trimmed RC –Internal 40 kHz RC with calibration –32 kHz oscillator for RTC with calibration ?Low power –Sleep, Stop and Standby modes –V BAT supply for RTC and backup registers ? 3 × 12-bit, 1 μs A/D converters (up to 21 channels) –Conversion range: 0 to 3.6 V –Triple-sample and hold capability –Temperature sensor ? 2 × 12-bit D/A converters ?DMA: 12-channel DMA controller –Supported peripherals: timers, ADCs, DAC, SDIO, I2Ss, SPIs, I2Cs and USARTs ?Debug mode –Serial wire debug (SWD) & JTAG interfaces –Cortex?-M3 Embedded Trace Macrocell??Up to 112 fast I/O ports –51/80/112 I/Os, all mappable on 16 external interrupt vectors and almost all 5V-tolerant ?Up to 11 timers –Up to four 16-bit timers, each with up to 4 IC/OC/PWM or pulse counter and quadrature (incremental) encoder input – 2 × 16-bit motor control PWM timers with dead-time generation and emergency stop – 2 × watchdog timers (Independent and Window)–SysTick timer: a 24-bit downcounter – 2 × 16-bit basic timers to drive the DAC ?Up to 13 communication interfaces –Up to 2 × I2C interfaces (SMBus/PMBus) –Up to 5 USARTs (ISO 7816 interface, LIN, IrDA capability, modem control) –Up to 3 SPIs (18 Mbit/s), 2 with I2S interface multiplexed –CAN interface (2.0B Active) –USB 2.0 full speed interface –SDIO interface ?CRC calculation unit, 96-bit unique ID ?ECOPACK? packages Table 1.Device summary Reference Part number STM32F103xC STM32F103RC STM32F103VC STM32F103ZC STM32F103xD STM32F103RD STM32F103VD STM32F103ZD STM32F103xE STM32F103RE STM32F103ZE STM32F103VE 找Memory、FPGA、二三极管、连接器、模块、光耦、电容电阻、单片机、处理器、晶振、传感器、滤波器， 上深圳市美光存储技术有限公司 July 2018DS5792 Rev 13
怎样看懂内存条芯片的参数
整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。 颗粒编号解释如下： 1〃HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。 2〃内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM） 3〃处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4〃芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新） 5〃内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片） 6〃内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank） 7〃接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18） 8〃内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代） 9〃能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型） 10〃封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm）） 11〃封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP （UTC）） 12〃封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素） 13〃速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200） 14〃工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）） 由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实
DDR内存时序设置详解
内存时序设置详解 内容概要 关键词：内存时序参数设置 导言：是否正确地设置了内存时序参数，在很大程度上决定了系统的基本性能。本文详细介绍了内存时序相关参数的基本涵义及设置要点。 与传统的SDRAM相比，DDR（Dual date rate SDRSM：双倍速率SDRAM），最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR 的数据传输速率为传统SDRAM的两倍。同样地，对于其标称的如DDR400，DDR333，DDR266数值，代表其工作频率其实仅为那些数值的一半，也就是说DDR400 工作频率为200MHz。 FSB与内存频率的关系 首先请大家看看FSB(Front Side Bus：前端总线)和内存比率与内存实际运行频率的关系。 FSB/MEM比率实际运行频率 1/1 200MHz 1/2 100MHz 2/3 133MHz 3/4 150MHz 3/05 120MHz 5/6 166MHz 7/10 140MHz 9/10 180MHz 对于大多数玩家来说，FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择。而其他的设置都是异步的。同步后，内存的实际运行频率是FSBx2，所以，DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz，则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHz。
FSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系 强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势。内存时序设置 内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能。下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路，提高电脑系统的性能。 涉及到的参数分别为： ?CPC : Command Per Clock ?tCL : CAS Latency Control ?tRCD : RAS to CAS Delay ?tRAS : Min RAS Active Timing ?tRP : Row Precharge Timing ?tRC : Row Cycle Time ?tRFC : Row Refresh Cycle Time ?tRRD : Row to Row Delay(RAS to RAS delay) ?tWR : Write Recovery Time ?……及其他参数的设置 CPC : Command Per Clock 可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。 Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
光学玻璃产品对照表
光学玻璃产品对照表
代码CDGM 代码HOYA 代码OHARA 代码SCHOTT 497H-FK61 497-FCD1 4978S-FPL4978N-PK52A 457H-FK71 457-FCD10 618H-ZPK1 618-PCD4 618-S-PHM52 603H-ZPK2 6036 470H-QK1 471-FC1 4716FSL1 4716FK1 487H-QK3 487H-QK3L 487-FC5 4877S-FSL5 4877N-FK5 500H-K2 510-BSC4 5006BSL4 5006BK4 505H-K3 508K4A 508-ZNC7 5086ZSL7 5086ZKN7 510H-K5 510-BSC1 5106BSL1 5106BK1 5116H-K6 5116C7 5116NSL7 5116K7 515H-K7 517H-K9L 517-BSC7 5176S-BSL7 5176N-BK7 518H-K10 518-E-C3 5185S-NSL3 526H-K11 526-BACL1 5266NSL21 522H-K50 5225C5 5225S-NSL5 5225N-K5 523H-K51 5235C12 5235NSL51 530H-BaK1 540H-BaK2 540-BAC2 5405S-BAL12 5405N-BAK2 547H-BaK3 5486BAL21 552H-BaK4 552-PCD3 5526BAL23 5526N-PSK3 561H-BaK5 564H-BaK6 564-BACD11 5646S-BAL41 5646N-SK11 569H-BaK7 569-BAC4 5695S-BAL14 5695N-BAK4 573H-BaK8 573-BAC1 5735S-BAL11 5735N-BAK1