半导体集成电路管壳检验
半导体检验与测试管理流程
半导体检验与测试管理流程半导体检验与测试管理流程主要包括以下几个步骤：一、规划与设计在产品开发的初始阶段，就需要对检验与测试流程进行规划和设计。
这包括明确产品的规格和性能要求，确定需要检测的关键参数和指标。
同时，要根据产品的特点和生产工艺，选择合适的检验与测试方法和设备。
例如，对于芯片的电学性能测试，可能需要用到高精度的测试仪器，如半导体参数分析仪；对于芯片的外观检测，则可能需要使用高分辨率的光学显微镜。
二、原材料检验半导体的生产离不开各种原材料，如硅晶圆、光刻胶、化学试剂等。
在原材料入库前，必须进行严格的检验，以确保其质量符合生产要求。
这包括对原材料的纯度、杂质含量、物理特性等方面进行检测。
对于不合格的原材料，要及时退货或进行处理，防止其进入生产环节，影响最终产品的质量。
三、生产过程中的检验与测试在半导体的生产过程中，需要进行多次的检验与测试，以监控生产工艺的稳定性和产品的质量。
例如，在光刻工艺中，需要对光刻图形的精度和对准度进行检测；在蚀刻工艺中，需要对蚀刻的深度和均匀性进行测量。
这些中间环节的检验与测试结果，可以及时发现生产中的问题，便于采取措施进行调整和改进，从而保证产品的一致性和可靠性。
四、成品检验当半导体产品完成生产后，要进行全面的成品检验。
这包括对产品的功能性能、电学参数、可靠性等方面进行测试。
功能性能测试主要是验证芯片是否能够按照设计要求正常工作，如逻辑运算、存储功能等；电学参数测试则包括对电阻、电容、电压、电流等参数的测量；可靠性测试则是评估产品在不同环境条件下的稳定性和使用寿命，如高温、低温、湿度、振动等。
五、数据分析与处理在检验与测试过程中，会产生大量的数据。
对这些数据进行有效的分析和处理，可以帮助我们了解产品的质量状况，发现潜在的问题，并为生产工艺的优化提供依据。
数据分析可以采用统计分析方法，如均值、标准差、控制图等，以评估数据的分布和趋势。
对于异常数据，要进行深入的分析和追溯，找出问题的根源。
半导体元器件IQC检验方法
半導體元器件IQC檢驗方法一﹑二極體1﹑外觀檢驗﹕用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗二極體﹐無裂痕﹑殘缺等外觀不良現象。
2﹑尺寸檢驗﹕用游標卡尺根據廠商規格檢驗二極體本體長度﹑寬度﹑腳長度﹑腳間距﹑相對二腳間之距離﹑腳厚度﹐其它測試要點按照材料規格書所示﹐測試結果應在規定公差范圍內。
3﹑正向導通電阻﹕用萬用表測試﹐紅表筆接正極﹐黑表筆接負極﹐測量值應在0.5~~0.65KΩ范圍內。
表筆反接﹐阻值接近無窮大﹐帶黑色標記的一端為負極。
若兩方向之讀數均高﹐則二極管斷路。
反之為短路。
硅管正向電阻為數百至數千歐﹐反向1M歐以上。
鍺管正向電阻為數10Ω~~1000Ω。
4﹑逆向耐壓值﹕逆向耐壓值例如100V﹑用GPI-735&GPR-7510HD(直流高壓機&電源供給器)進行測試﹐反接于電路中﹐即紅表筆接負極﹐黑表筆接正極﹐經過10秒后﹐二極管不被擊穿。
具體測試方法如附件﹕5﹑耐熱性﹕●將二極體浸入260±5℃錫爐中﹐經10秒后取出來﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。
●將二極體過Air Reflow【260+0/-5℃﹐時間為10~30秒】﹐總程6分鐘後取出﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐外觀應無異常變化﹐無特性不良等現象。
此為必檢項目。
6﹑焊錫性﹕浸助焊劑后﹐將二極管浸入235±5℃錫溶液中﹐經2±0.5秒后取出﹐二極管兩端有95%以上附著新錫﹐檢測使用儀器XTJ-4400(顯微鏡)。
此為必檢項目。
二﹑電晶體1﹑分類﹕DIP (ATV﹑SPT﹑TO-92) 有2SD1863﹑2SD1768S﹑KSD1616A等。
SMD (SOT-23,SMT3,MPT3,SOT-89 )有KST4401﹑2SC2411K﹑2SD1664﹑2SD1898等。
2﹑外觀檢驗﹕用XTJ-4400(顯微鏡)檢驗電晶體﹐無裂痕﹑殘缺等外觀不良現象。
半导体集成电路封装测试基本流程
半导体集成电路封装测试基本流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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常用集成电路好坏检测的方法
常用集成电路好坏检测的方法集成电路的型号很多，内部电路千变万化，故检测集成电路好坏较为复杂。
下面介绍一些常用集成电路好坏检测的方法。
1.开路测量电阻法开路测量电阻法是指在集成电路未与其他电路连接时，通过测量集成电路各引脚与接地引脚之间的电阻来判别好坏的方法。
集成电路都有一个接地引脚(GND)，其他各引脚与接地引脚之间都有一定的电阻，由于同型号的集成电路内部电路相同，因此同型号的正常集成电路的各引脚与接地引脚之间的电阻均是相同的。
根据这一点，可使用开路测量电阻的方法来判别集成电路的好坏。
检测时，万用表拨至R×100Ω挡，红表笔固定接被测集成电路的接地引脚，黑表笔依次接其他各引脚，如图12-18所示，测量并记下各引脚与接地引脚之间的电阻，然后用同样的方法测出同型号的正常集成电路的各引脚对地电阻，再将两个集成电路各引脚的对地电阻一一对照，如果两者完全相同，则被测集成电路正常;如果有引脚电阻差距很大，则被测集成电路损坏。
测量各引脚电阻时最好用同一挡位，如果因某引脚电阻过大或过小难以观察而需要更换挡位时，则测量正常集成电路的该引脚电阻时也要换到该挡位。
这是因为集成电路内部大部分是半导体元器件，不同的欧姆挡提供的电流不同，对于同一引脚，使用不同欧姆挡测量时内部元器件导通程度有所不同，故不同的欧姆挡测量同一引脚得到的阻值可能有一定的差距。
采用开路测量电阻法判别集成电路的好坏比较准确，并且对大多数集成电路都适用，其缺点是检测时需要找一个同型号的正常集成电路作为对照，解决这个问题的方法是平时多测量一些常用集成电路的开路电阻数据，以便以后检测同型号集成电路时作为参考，另外也可查阅一些资料来获得这方面的数据。
图12-19所示是一种常用的内部有四个运算放大器的集成电路LM324，表12-15列出了其开路电阻数据，测量使用数字万用表200kΩ挡。
表中有两组数据，一组为红表笔接11脚(接地脚)、黑表笔接其他各脚测得的数据;另一组为黑表笔接11脚、红表笔接其他各脚测得的数据。
集成电路检测方法
集成电路检测方法集成电路是一种采纳肯定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型电子器件或部件。
其中全部元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和和高牢靠性方面迈进了一大步。
它在电路中用字母“IC”表示。
一、集成电路检修之常规方法集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。
1.非在线测量非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。
2.在线测量在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来推断该集成电路是否损坏。
3.代换法代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以推断出该集成电路是否损坏。
二、集成电路检修之检测技巧通常一台设备里面有很多个集成电路，当拿到一部有故障的集成电路的设备时，想要找到故障所在必需通过检测，集成电路行之有效的检测方法包括：1.微处理器集成电路的检测微处理器集成电路的关键测试引脚是VDD电源端、RESET复位端、XIN 晶振信号输入端、XOUT晶振信号输出端及其他各线输入、输出端。
在路测量这些关键脚对地的电阻值和电压值，看是否与正常值（可从产品电路图或有关修理资料中查出）相同。
不同型号微处理器的RESET复位电压也不相同，有的是低电平复位，即在开机瞬间为低电平，复位后维持高电平；有的是高电平复位，即在开关瞬间为高电平，复位后维持低电平。
2.开关电源集成电路的检测开关电源集成电路的关键脚电压是电源端（VCC）、激励脉冲输出端、电压检测输入端、电流检测输入端。
测量各引脚对地的电压值和电阻值，若与正常值相差较大，在其外围元器件正常的状况下，可以确定是该集成电路已损坏。
半导体器件检测
电子测量方法与测量仪器8——半导体测量(四) 半导体器件检测半导体器件也叫“晶体管”，如：（双极型）三极管、二极管、场效应管、晶闸管、各种集成电路等，种类繁多，广泛应用于各种电子电路中。
判断电路中半导体器件的好坏、检测其基本的性能，是电器电路故障诊断的重要测量项目。
本节探讨：使用万用表欧姆档，或者配合使用一些简单装置，检测半导体器件的方法，这在电器电路故障诊断中具有非常重要的实用意义。
(1) PN结特性与半导体器件基本检测方法在半导体材料中，P型区域与N型区域的交界处附近会形成一个特殊的区域，这个区域叫PN结，如图（3-23）所示。
PN结是半导体器件的核心，检测半导体器件实际上就是通过外部引脚（线），测量内部PN结。
PN结具有三个重要特征：单向导电；正向导通压降；反向击穿电压，它们是判断PN结好坏、识别无标识的半导体器件类型和各引脚电极的主要依据。
由于二极管就是一个单独封装的PN结，因此二极管和PN结用相同的符号表示。
以下通过对二极管的特性描述，说明单独PN结的上述三个特征：单向导电：当给二极管施加正向电压时，即正极（连接到P区）接正、负极（连接到N区）接负，如图（3-23）中所示方向。
二极管呈现为导通状态，有正向电流流过，并且该电流将随着正向电压的增加，急剧增大；当给二极管施加相反的电压时，二极管呈现为截止状态，只有少量的穿透电流I BO（uA级以下）流过。
正向导通压降：二极管加上正向电压导通后，会保持一个相对固定的端电压V F，V F称为“正向导通压降”，其数值依选用的半导体基材不同有别，锗半导体约为0.3V；硅半导体约为0.7V。
反向击穿电压：当给二极管施加的反向电压值达到其所能承受的极限值（反向击穿电压V Z，大小因二极管的型号不同有别）时，二极管呈现为导通状态，且在允许的反向电流范围内，其端电压会基本保持为V Z，即二极管反向击穿后具有“稳压特性”。
伏安特性曲线：在直角坐标系中，如果以二极管的端电压V为横坐标，电流I为纵坐标，可以将二极管的上述特性用一条曲线来定量的描述，该曲线称为二极管的伏安特性曲线，图（3-24）所示是普通硅二极管的伏安特性曲线。
半导体放电管检测及测试方法
半导体放电管检测要求及测试方法1 本要求遵循的依据1.1YD/T940—1999《通信设备过电压保护用半导体管》1.2YD/T694—1999《总配线架》1.3GB/T2828.1—2003/ISO 2859—1：1999《计数抽样检验程序》2 测试前准备及测试环境条件2.1对测试设备进行校验，检查是否正常，正常后才能使用。
2.2在标准大气条件下进行试验2.2.1温度：15～35℃2.2.2相对湿度：45％～75％2.2.3大气压力：86～106Ｋpa所有的电测量以及测量之后的恢复应在以下大气条件下进行：温度：25±5℃相对湿度：45％～75％大气压力：86～106Ｋpa在进行测量前应使半导体管温度与测量环境温度达到平衡，测量过程的环境温度应记录在试验报告中。
2.3按GB/T2828.1—2003《计数抽样检验程序》的规定。
按一定抽样正常方案，一般检查水平Ⅱ，抽取一定数量的样本。
3 检测要求和测试方法3.1外形检查3.1.1要求放电管两头封口平直无歪斜，外形整洁，无污染、腐蚀和其他多余物，封装无破损、裂纹、伤痕、引出线不短裂、不松动。
3.1.2金属镀层不起皮、不脱离、不生锈、不变色。
3.1.3外形尺寸公差符合SJ1782—81中4级公差，即公称尺寸＞3—6，其公差为±0.1，公称尺寸＞6—10，其中公差为±0.12，合格率要达到≥97.5%。
3.1.4产品标志应清晰耐久3.1.5包装箱应标记生产厂家、产品名称、型号、标准号、重量及生产日期或批号，且包装材料应保持干燥、整洁、对产品无腐蚀作用3.2直流击穿电压测试3.2.1用XJ4810半导体管特性图示仪对经过上一项目测试合格的放电管进行初始检测，用正极性测试后进行反极性测试，正、反极性各测2次，每次测试间隔时间为1～2min。
3.2.1半导体管的最高限制电压应不大于表１给出的极限值，试验电流应在1A～10A之间试验是加在半导体管上的电流变化率应≤30A/μs。
集成电路(IC)封装的截面显微组织检验方法.
集成电路(IC)封装的截面显微组织检验方法引言电子学是工程学的一个重要分支, 它是一门关于为了有用的目的而对电子进行控制的学科。
运用物理学的知识得知, 电子的流动可以在真空、气体、或液体中进行，也可以在固体中受限制地流动（半导体）、接近不受限制地流动（导体）、或完全不受限制地流动（超导体）。
当今, 电子产品正变得越来越复杂，工程技术人员总是力图将许多部件放在一个小小的“黑匣子”中。
制造商总是想把大部分资金用在改善其生产设施，而只愿意留下很少一部分资金用于质量控制。
最坏的情况是，大多数公司宁愿把他们的质量控制资金用于基本设备投资，例如购买新型扫描电子显微镜、透射电子显微镜，或是厄歇谱仪，只剩下很少一部分钱用来购买试样制备设备和消耗器材。
一个众所周知的现象就是人们对试样制备的重要性一直不够重视。
另一方面, 毫无疑问，最终产品的质量和可靠性取决于每个部件的性能。
然而，这也总是电子工业的一个令人头痛的问题。
对电子产品的截面进行金相检验是一种众所周知并通常广为接受的检验方法。
然而，大多数电子产品的金相技术人员可能面临的一个问题就是他们需要进行磨光和抛光的材料比预期的复杂和困难。
他们也许从来没有学习过如何去处理多层基体材料，而他们在大学学习时只学过如何恰当地制备均匀的材料，例如钢、铜合金或铝合金。
此外，他们还须面对设备很差的金相实验室，消耗器材的品种也很有限，并且使用所谓的“传统或常规方法”来制备先进的电子产品试样。
一般情况下，常规试样制备方法是从240#碳化硅砂纸开始，先进行磨成平面工序，接着使用600#、12 00#砂纸，然后用0.3 μm 氧化铝进行粗抛光，以及0.05 μm 氧化铝在长绒毛织物上进行最终抛光，这样可获得光亮的表面。
制备方法还可能因地而异，甚至还取决于实验室有哪些现成的消耗器材。
当今，这种制备方法已经不适于用来制备先进材料。
此外，他们也没有想到他们的试样是否好到足以和先进的显微镜或扫描电子显微镜相匹配。
半导体集成电路测试方法 标准qj
半导体集成电路测试方法标准qj
半导体集成电路测试方法标准QJ是指针对半导体集成电路测试
而制定的标准和规范。
在半导体行业中，由于集成电路的复杂性和
多样性，测试方法的标准化对于确保产品质量、降低生产成本和提
高效率至关重要。
标准QJ涵盖了多个方面，包括测试流程、测试设备、测试参数、测试标准等内容。
首先，测试流程是指在半导体集成电路生产过程中，进行测试
的具体步骤和方法。
标准QJ会规定测试流程中的各个环节，如前期
准备、测试方案设计、测试数据采集、结果分析等，以确保测试过
程的严谨性和可靠性。
其次，测试设备是指用于进行集成电路测试的各类设备和工具。
标准QJ会对测试设备的选型、校准、维护等方面进行规范，以保证
测试设备的稳定性和准确性。
测试参数是指在集成电路测试过程中需要关注和记录的各项参数，如电压、电流、频率、温度等。
标准QJ会规定测试参数的范围、精度要求、采集频率等，以确保测试结果的可比性和准确性。
最后，测试标准是指针对不同类型的集成电路制定的测试规范和要求。
标准QJ会根据具体的集成电路类型和用途，制定相应的测试标准，以保证产品的性能和质量符合要求。
总的来说，半导体集成电路测试方法标准QJ涵盖了测试流程、测试设备、测试参数、测试标准等多个方面，旨在规范和标准化集成电路测试过程，确保产品质量和性能达到要求。
这些标准的制定和遵守对于推动半导体产业的发展和进步具有重要意义。
半导体集成电路识别与测试
半导体集成电路识别与测试集成电路是发展最快的电子元器件。
用于电子技术的各个方面，种类繁多，而且新品种层出不穷，这里仅从应用的角度介绍常用集成电路的类别、封装、引脚识别等应用知识。
1.1集成电路的分类1. 按制造工艺和结构分类可分为：半导体集成电路、膜集成电路、混合集成电路。
通常所说的集成电路指的就是半导体集成电路。
膜集成电路又可分为薄膜和厚膜两类。
膜集成电路和混合集成电路一般用于专用集成电路，通常称为模块。
2. 按半导体工艺分类⑴双极型集成电路在硅片上制作双极型晶体管所生产的集成电路。
⑵MOS集成电路硅片制作MOS场效应管所生产的集成电路。
⑶双极型—MOS集成电路（BIMOS）常将MOS电路作输入电路，双极型晶体管作输出电路，构成BIMOS集成电路。
3. 按集成度分类集成度是指一块硅片上含有元件数目。
表1-14给出了早期对集成度的分类：表1-14一般常用集成电路以中、大规模集成电路为主，超大规模集成电路主要用于存储器及计算机CPU等专用芯片中。
4.按使用功能分按使用功能划分集成电路是国外很多公司的通用方法，如表1-15。
还可按应用领域分类为：军用、工业用和民用集成电路三大类，相对而言对集成电路的性能指标要求有所不同。
还有通用和专用集成电路之分，特殊专门用途的称为专用集成电路。
专用集成电路性能稳定，功能强，保密性好，具有广泛的前景和广阔的市场。
表1-15按功能分类集成电路国产集成电路的型号命名基本与国际标准接轨，如表2-16所示。
同种集成电路虽各厂家基本用相同的数字标号（表中第二部分），而以不同字头代表不同厂商，功能、性能、封装和引脚排列都完全一致，使用中可以互换。
1.3集成电路封装与引脚识别不同种类的集成电路，封装不同，按封装形式分：普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。
按封装体积大小排列分：最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。
半导体金属管基管帽外观质量
半导体金属管基、管帽外观质量一．检验方法1．每批抽样5支,测量管基、管帽的外形尺寸。
2．厂内相关检验文件。
3．100％对每一个样品在10倍放大镜进行目检。
二．技术要求1. 外形尺寸满足厂内相关标准要求。
2. 外观、绝缘电阻、气密性、引线牢固度、温热、恒定加速度等筛选性能满足厂内有关标准要求。
2.镀层的底座及引线镀涂层内为镍，外镀涂层为金，镀金层厚度为1.5～2.5μm，管帽镀涂层为镍，且质量符合要求。
4. 电特性在测试电压为100V条件下，任意两根引线之间或引线的底座之间的绝缘电阻不小于1×1010Ω-cm。
5. 外壳芯腔体积V＜0.01 cm3，允许漏气速率为:5×10-3Pa.cm3 /s;体积V≥0.01cm3，允许漏气速率为:1×10 -2 Pa.cm3 /s。
6.引线牢固度：任一根引线能承受2.22±0.14N的力和在同一方向90±5°弯曲引线三次,引线无损伤，脱落和松动等现象。
三、检验操作准备1. 戴上防静电指套和手腕带；2. 检查显微镜电源插头是否与市电相连；3. 检查显微镜光源是否正常，并开启光源；4. 准备好所要使用的测量工具，游标卡尺，千分尺，千分表；5. 准备好所要使用的工具，（镊子，传递盒，滤纸，托盘架，酒精棉等）；6. 用酒精棉擦洗镊子及卡尺的测量部分和显微镜的工作台面，过15分钟后，才开始工作使用。
四、检验操作1. 抽5支管基用卡尺，千分尺，千分表测量，管基座，引线尺寸，是否满足厂内相关检验文件要求；2. 抽5支管帽用卡尺，千分尺，千分表测量管帽外形尺寸及允许偏差是否满足厂内相关检验文件要求；3. 用戴手套（或指套）的手拿起管座面，用10倍的放大镜检查外引线，检验管帽外部及内部是否满足标准要求；4. 用镊子将管基座内引线向上在10～20倍显微镜下,检查内引线压焊端面、座面、玻璃绝缘质是否满足标准要求；5. 对外引线检验玻璃绝缘体对引线、玻璃绝缘体与基座之间有无裂纹、空洞等缺陷；6. 将检验不合格的管基和管帽放入标有不合格的传递盒内，送不合格品保管处；7. 经检验合格的管基和管帽放入合格标志的传递盒送下道工序。
半导体管道检验要求
半导体管道检验要求
半导体管道是电子设备中的重要组成部分，其质量和性能直接影响到整个电子产品的稳定性和可靠性。
因此，对半导体管道的检验要求非常严格。
首先，半导体管道的外观检验是非常重要的。
外观检验包括外观缺陷、表面平整度、尺寸及形状等方面。
外观缺陷可能会影响到管道的性能和寿命，因此必须进行仔细的检查。
其次，对半导体管道的电学性能进行检验也是必不可少的。
这包括静态和动态的电特性测试，例如电阻、电压、电流、电容等参数的测试。
通过电学性能检验可以确保半导体管道符合设计要求，能够正常工作。
另外，对半导体管道的材料成分和结构进行检验也是必要的。
材料成分的检验可以保证半导体管道使用的材料符合标准要求，而结构的检验可以确保管道的内部结构完整和稳定。
最后，对半导体管道的环境适应性进行检验也是非常重要的。
这包括对管道在不同温度、湿度、振动等环境条件下的性能进行测
试，以确保管道在各种环境条件下都能正常工作。
总之，半导体管道的检验要求非常严格，需要对外观、电学性能、材料成分、结构和环境适应性等方面进行全面的检验，以确保半导体管道的质量和性能达到要求。
半导体器件结到壳热阻测试研究
半导体器件结到壳热阻测试研究引言：半导体器件的热阻测试是一个关键的环节，它能够评估电子器件之间的热传导性能。
热阻测试可以帮助工程师确定器件的散热性能，从而避免过热造成的损坏和故障。
本文将对半导体器件结到壳热阻测试的研究进行探讨，并介绍一些测试方法和技术。
一、半导体器件热阻的定义和意义1.热阻：热阻是指在单位温度差下，单位面积内热流通过的阻力。
在半导体器件中，热阻是指电子器件之间传热效果的衡量指标。
热阻越小，表示器件的导热性能越好。
2.意义：半导体器件的散热性能直接影响到其稳定性和寿命。
通过热阻测试，可以了解器件的散热性能，并根据测试结果对器件进行设计和优化，从而提高器件的工作效率和可靠性。
二、半导体器件结到壳热阻测试方法1.实验法：实验法是最常用的热阻测试方法之一，可以使用热阻计或热阻测试仪器进行测试。
测试时，将半导体器件和散热器连接在一起，通过加热或给予热源，测量器件结温和散热器壳温，并计算热阻值。
实验法的优点是测量结果准确可靠，但测试过程较为繁琐。
2.数值模拟法：数值模拟法是通过计算机模拟的方法，对半导体器件的热阻进行估算。
这种方法可以根据器件结构和材料参数，计算出器件的热阻，从而在设计和优化过程中提供参考。
数值模拟法的优点是便捷快速，但需要准确的器件模型和材料参数。
3.热红外成像法：热红外成像法是一种非接触式的热阻测试方法，可以通过红外相机对器件的温度分布进行监测和记录。
通过分析红外图像，可以直观地了解器件的热分布情况，并间接估算热阻值。
热红外成像法的优点是非接触式测量、实时性好，但需要较高的设备成本。
三、半导体器件结到壳热阻测试技术1.界面材料的选择：界面材料是影响半导体器件热阻的重要因素之一、合适的界面材料可以提高器件的传热效率，常见的界面材料包括硅脂、硅胶和金属填充物等。
2.导热方法的优化：半导体器件的结到壳热阻受到热传导路径的影响，优化导热方法可以降低热阻。
常见的导热方法包括热泥涂覆、热垫片和热界面材料的使用。
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检验要求
管壳的材料与工艺要求
• 2.1管壳材料 • 外壳材料由金属、陶瓷、玻璃或者这些材
料的组合。 • 金属材料有以下几类： • 铁-镍-钴合金（29%Ni） • 铁-镍合金（41%Ni，余量Fe） • 铁-镍合金（50.5%Ni，余量Fe） • 铜芯铁镍
•镍 • 无氧铜（不得作为玻璃-金属封接结构的零
条件
按有关详细规范规定 镀层厚度不得超过0.25um
1003 试验条件E GJB 360A,303 GB/T 16526 按有关详细规范规定
• B组
• • • • • • • • • • • •
B2 a.镀金质量 b.键合强度（1.热压焊2.超声焊3.倒装 焊） c.芯片剪切 d.可焊性 B3 a.密封 C组： C1 a.热冲击 b.温度循环 c.耐湿 d.密封 e.绝缘电阻
件） • 2.2镀涂工艺 • 2.2.1镀镍 • 应优先采用硫酸槽液电镀的镍层作为内镀 层或表面镀层，镀层厚度应为1.3~8.9um。 当允许使用化学镀镍工艺时，内镀层或表 面镀层厚度，对于引线应为1.3~2.5um，对 于引线外的其他外壳零件则为1.3~6.4um。
• 2.2.2镀金 • 镀金工艺中所用金的纯度应不低于99.7%，
• • • • • • • •
4组 机械冲击 扫频震动 恒定加速度 密封（细检漏、粗检漏） 5组 盐雾 密封
• 3.3质量一致性检验 • 质量一致性检验由A组、B组逐批及C组周期检验组成。 • A组：
试验 试验方法
GJB548B
A1 分组 外形尺寸 A2 分组 镀层厚度 A3 分组 电特性 a.绝缘电阻 b.引线电阻 c.引线间电容 2016 SJ 20129
• f.键合强度和剪切强度 • 以封装厂提供的封装流程卡为判定依据。在用户
• • • •
有特定要求的前提下，可以外发试验，提供测试 报告的复印件给用户。 g.其他检验项目 在用户有特殊要求的前提下，可以外发试验，提 供测试报告的复印件给用户。 3.2.3检验后流程 检验是以抽检形式进行，国产管壳抽样数为13只， 进口管壳抽样数为5只。在检验完成后，要把拆封 的包装重新进行抽真空包装。
• 3.2鉴定检验 • 每种型号抽取15只样品进行鉴定试验。签定合格
• • • • •
后，每12个月向鉴定机构上报一次有关质量一致 性检验结果的摘要，预期不报，则取消鉴定资格。 以下几种情况也要进行鉴定的重新核实： 详细规范的修改 生产制造技术改变 生产线或生产场地的改变 停止生产超过半年以上
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半导体集成电路管壳检验
范围
• 1.1管壳组成 • 半导体集成电路管壳由陶瓷或金属底座与
相配套的盖板组成。对管壳的检验主要是 不底座进行外部目检。 • 1.2分类 • 陶瓷双列外壳（D型） • 陶瓷扁平外壳（F型） • 陶瓷四面引线扁平外壳（Q型）
• 陶瓷无引线片式载体（C型） • 陶瓷针栅阵列外壳（G型） • 陶瓷熔封双列外壳（J型） • 陶瓷熔封扁平外壳（H型） • 金属圆形外壳（T型）
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检验批识别代码 有关详细规范的编号 承租方的名称，代号或商标 所用包装对产品是否能有效的保护 b.外观 用肉眼检查是否有掉瓷与表面划痕现象 在显微镜下看镀层的均匀度 c.标志 外壳应按GJB2118及有关详细规范的规定进行标 志。与所提供的图纸相对应，标志清晰，不易涂 抹。
• C2 a.机械冲击 • b.扫频振动 • c.恒定加速度 • d.密封 • C3 a.盐雾 • b.密封 • 经过A组检验的样品厂家可以做产品交货，而经受 •
过B组和C组检验的样品不允许交货。 在客户特殊要求的情况下，我部门依据质量一致 性检验要求对来料进行检验，一般情况下对来料 按检验要求所规定的内容项目进行检验。
• 开示该批产品的入仓证，把该批产品与入
仓证一同交予生产部相关人员。
厂家试验项目
• 3.1筛选试验 • 在鉴定和质量一致性检验前，应对外壳进行100%
筛选，并剔除不合格品。
试验方法 检验或试验 a外部目检 b密封 GJB 548B 2009.1 1014.2 条件 按有关详细规范规定 A4，R1≤1×10-3Pa· 3/s(He) cm
• 3.1检验条件 • 电测量环境温度：25±5℃ • 其他试验环境温度：25±10℃ • 相对湿度：20%~80% • 气压：86~106kPa • 3.2管壳来料检验 • 3.2.1接收 • 生产部交验管壳时要附以下资料
• 《管壳交验检测单》，送检人与批准处要
相关人员签字。 • 厂家提供的该批管壳合格证 • 厂家提供的筛选报告 • 生产部确认签字后的该管壳图纸 • 3.2.2检验项目与内容 • a.产品合格证和包装 • 外壳的包装盒上和合格证上应有以下标志： • 外壳名称和型号
• d.可焊性 • 按GJB548B方法2003.1进行，验证管壳的粘
锡情况，保证管脚未出现氧化现象。 • e.密封 • 以厂家提供的筛选报告为依据。在用户有 特定要求的前提下，可以外发试验或由质 量部试验 ，提供测试报告的复印件给用户。 • 引线疲劳性测试 • 按GJB548B方法2004.2进行，以打弯处是否 有疲劳纹出现，判定是否合格。
试验具体项目 0组 外部目检 外形尺寸 镀层厚度 电特性（绝缘电阻、引线电阻、引线间电容） 1组 引线牢固性（拉力、引线疲劳） 密封 引线镀涂粘附强度
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2组 镀金质量 键合强度（热压焊、超声焊、倒装焊） 芯片剪切 可焊性 3组 热冲击 温度循环 耐湿 密封 绝缘电阻