中科院上硅所2014年考博固体物理试题(回忆)

中科院上硅所2014年考博固体物理试题（回忆）

一、

1.写出万有引力与静电引力的公式

2.写出氢原子在量子力学层面的哈密顿算符的相互作用

3.氢原子1s电子云半径及1s轨道的能量

二、

1.画出立方晶系的[213]晶向和(213)晶面

2.求(213)晶面间1至3层的晶面间距

3.求简单立方最大堆积密度

三、

写出金属钠、食盐、金刚石、石墨、硫化钠、二氧化硅、冰的晶体结构，画出晶体结构图，并结合上述其中物质的结构写出相应的性能。

四、

1.何谓铁电体、铁电畴；

2.铁电相变的两种类型并简述各自特点；（有序-无序型铁电体与位移型铁电体特点）

3.定性说明固体电介质极化的三种微观过程及其对外电场的依赖关系。

五、

某半导体材料的带隙宽度为E g，价带顶能级能量为E v，导带底能级能量为E c，导带的有效状态密度为N c，价带的有效状态密度为N v，求

1.费米分布函数

2.若N c≈N v，求费米能级EF表达式

3.简述n型、p型掺杂原理，并以Si为例，简述P型和N型掺杂方法。并说明

E F变化特征

4.N c，N v为常数，证明E g»k B T

5.简述直接带隙和间接带隙

6.何谓激子

7.举例说明半导体材料的应用并简述原理