XPS
XPS原理及分析
XPS原理及分析在现代材料科学和表面分析领域中，X 射线光电子能谱（XPS）是一种极其重要的分析技术。
它能够为我们提供有关材料表面化学组成、元素价态以及化学环境等丰富而关键的信息。
XPS 的基本原理基于爱因斯坦的光电效应。
当一束 X 射线照射到样品表面时，它具有足够的能量将样品中的原子内层电子激发出来，形成光电子。
这些光电子的能量分布与样品中原子的电子结合能直接相关。
电子结合能是指将一个电子从原子的某个能级中移到无穷远处所需的能量。
不同元素的原子，其内层电子的结合能是特定的，而且同一元素在不同化学环境中，其电子结合能也会有所差异。
这就为 XPS 分析元素组成和化学状态提供了基础。
具体来说，通过测量从样品表面发射出的光电子的能量，我们可以确定样品中存在哪些元素。
每种元素都有其独特的一系列结合能特征峰。
比如，碳元素在不同的化学环境中，其结合能可能在 2846 eV 左右（纯碳），但如果与氧形成某些化学键，结合能就会发生偏移。
在进行 XPS 分析时，首先需要将待分析的样品放入高真空的分析室中。
这是因为光电子非常容易与空气中的分子发生碰撞而损失能量，从而影响测量结果的准确性。
X 射线源通常采用铝（Al）或镁（Mg）的靶材，产生的 X 射线具有特定的能量。
这些 X 射线照射到样品表面后，激发出来的光电子经过能量分析器进行分析。
能量分析器可以将不同能量的光电子按照能量大小进行分离，并最终由探测器检测到。
得到的 XPS 谱图中，横坐标通常表示光电子的结合能，纵坐标则表示光电子的相对强度。
通过对谱图中峰的位置、形状和强度的分析，可以获得大量有关样品的信息。
对于元素的定性分析，我们主要依据特征峰的位置来确定样品中存在的元素种类。
而对于定量分析，则需要根据峰的强度来计算各元素的相对含量。
但这并不是简单的比例关系，因为不同元素的光电子发射截面、仪器的传输效率等因素都会对强度产生影响，所以需要采用特定的校正方法来进行准确的定量分析。
xps的原理及应用
XPS的原理及应用1. XPS的概述X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy，XPS）是一种常用的表征材料表面和界面化学组成的表面分析技术。
它基于X射线和光电效应，通过测量样品表面的光电子能谱来分析元素的种类、化学状态和表面含量。
2. XPS的原理XPS技术的原理是通过X射线照射样品表面，使得样品表面的原子发生光电效应产生光电子。
根据光电子的能量分布和强度，可以确定样品表面的化学元素的种类和含量，以及其化学态。
XPS的原理主要包括以下几个方面：2.1 X射线的作用通过使用X射线可激发样品表面的原子产生光电效应。
X射线的能量在几百电子伏特到几千电子伏特之间，具有良好的穿透性。
X射线在样品表面与原子和电子相互作用，并将电子从样品中抽取出来，形成光电子。
2.2 光电子的能量测量测量光电子的能量分布以及强度，可以确定元素的种类、含量和化学状态。
光电子的能量与其从样品中脱离所需的能量差有关。
根据能量的分布和峰形，可以得到样品表面的元素种类和含量，以及其他化学信息。
2.3 分辨能量的测量XPS技术具有较高的分辨能力，可以测量不同元素之间的能级差异。
通过测量不同元素的光电子能谱，可以确定元素的化学状态，如氧化态、还原态等。
3. XPS的应用XPS技术在材料科学、化学、物理学等领域有广泛的应用。
以下是XPS技术的一些主要应用：3.1 表面化学分析XPS技术可以用于对材料表面的化学组成进行分析。
通过测量光电子能谱，可以确定材料表面的元素种类和化学状态，以及各元素的含量。
这对于研究材料的性质、表面改性和表面反应具有重要意义。
3.2 薄膜分析XPS技术可以用于薄膜的分析。
通过测量光电子能谱，可以确定薄膜的元素组成、界面结构和化学状态。
这对于研究薄膜的制备和性能具有重要意义。
3.3 腐蚀和氧化研究XPS技术可以用于腐蚀和氧化的研究。
通过测量光电子能谱，可以确定材料表面的化学状态和含量的变化，以及腐蚀和氧化过程中的反应机制。
xps操作方法
xps操作方法一、XPS是什么？1.1 XPS全称为X ray Photoelectron Spectroscopy，也就是X射线光电子能谱。
这可是个相当厉害的分析工具呢，就像是材料分析领域的一个神探。
它主要是用来研究材料表面的元素组成、化学状态啥的。
打个比方，就像你要了解一个人的身份，这个工具就能把材料表面的那些元素一个个揪出来，看清楚它们到底是谁。
1.2 这个技术的原理其实也不是特别复杂。
简单来说，就是用X射线去照射材料表面，然后材料表面的电子就会被激发出来，就像被叫醒了一样。
通过测量这些被激发出来的电子的能量和数量，就能知道材料表面都有哪些元素，以及这些元素的状态，是在“休息”还是在“工作”（化学状态）。
二、操作前的准备。
2.1 样品准备是关键的一步。
你的样品得干净整洁，可不能脏兮兮的。
这就好比你要去见重要的客人，得把自己拾掇干净一样。
如果样品表面有杂质，那分析结果可就会被搞得乱七八糟，就像一锅好汤里掉进了老鼠屎。
所以要把样品表面处理好，该清洗的清洗，该打磨的打磨。
2.2 设备检查也不能马虎。
就像开车前要检查汽车一样，操作XPS前也要检查设备的各个部分。
看看电源是不是稳定，各种探测器是不是正常工作。
要是设备有问题，那做出来的结果就跟瞎猜差不多，完全不靠谱。
三、操作过程。
3.1 把样品放到设备里。
这个过程要小心翼翼的，就像把宝贝放进保险箱一样。
放的时候要按照设备的要求来，不能乱放，不然可能会损坏样品或者影响检测结果。
这时候就像是在走钢丝，每一步都得谨慎。
3.2 设置检测参数。
这就需要根据你的样品和你想要得到的结果来调整。
比如说你想检测某种特定元素的深度分布，那就要设置合适的能量和扫描范围。
这就好比做菜的时候要根据食材和口味来放调料，放多放少都不行，得恰到好处。
四、操作后的结果分析。
4.1 得到数据之后，可别被那一堆数字和图表给吓着了。
要静下心来分析。
先看看元素的种类，这就像在人群里找熟人一样，一眼就能看到那些熟悉的元素。
xps的原理及其应用
XPS的原理及其应用1. XPS的概述XPS（X-ray Photoelectron Spectroscopy）是一种表面分析技术，它通过入射X射线照射样品，测量材料中逸出的电子能谱来分析样品的元素组成和化学状态。
XPS主要基于光电效应原理和荷电屏蔽效应原理进行分析。
2. XPS的基本原理XPS利用入射X射线激发样品表面的原子，使其逸出的电子被收集和分析。
电子逸出的能量与样品中原子的化学状态密切相关，通过测量电子能谱，可以了解样品的元素组成、化学状态、氧化还原状态等信息。
具体而言，XPS的基本原理如下： - X射线源：XPS使用具有高能量的X射线作为激发源，常用的是具有镓或铝阳极的X射线源。
- 入射X射线：X射线通过X射线源发出，并照射到样品的表面。
- 光电子逸出：入射X射线与样品原子发生相互作用，使电子从原子的内层轨道逸出，逸出的电子称为光电子。
- 荷电屏蔽效应：逸出的光电子在穿越样品表面时，会受到其他原子的屏蔽作用，从而发生能量损失。
- 检测和分析：逸出的光电子根据能量进行分析和检测，得到电子能谱图，通过分析电子能谱，可以确定样品的化学成分和状态。
3. XPS的应用领域XPS具有非常广泛的应用领域，以下列举了几个典型的应用场景：3.1 表面化学分析XPS可以用于对材料表面的化学成分进行分析，从而了解材料的表面组成、含量和化学状态。
这对于材料研究、表面处理和质量控制非常重要。
3.2 薄膜研究XPS可以评估和分析薄膜材料的表面成分和溢出问题，帮助研究人员更好地理解薄膜的性能和稳定性。
3.3 界面分析XPS可以揭示材料的界面特性，例如界面反应、沉积物和缺陷等。
这对于理解材料的界面性质、界面失效和界面反应具有重要意义。
3.4 催化剂研究XPS可以用于催化剂的表征和性能评估，帮助研究人员了解催化剂的表面组成、氧化状态和反应机制。
3.5 生物材料研究XPS可以用于分析生物材料的表面化学成分和功能基团，帮助研究人员了解生物材料的表面性质和相互作用机制。
xps碳谱结合能
xps碳谱结合能X射线光电子能谱（X-ray Photoelectron Spectroscopy，简称XPS），又称为化学分析电子能谱（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis，简称ESCA），是一种用于分析材料表面化学状态的技术。
XPS碳谱是XPS技术中的一种，主要用于分析材料表面碳的化学状态。
结合能是XPS碳谱中的一个重要参数，它反映了材料中碳原子与其它原子之间的化学键合情况。
本文将从以下几个方面对XPS碳谱结合能进行详细解析：一、XPS基本原理1.X射线照射：XPS通过照射样品表面，使得样品中的电子被激发并脱离样品，形成电子能谱。
2.电子能谱分析：通过对脱离样品的电子的能量进行分析，可以得到样品表面的元素种类、化学状态等信息。
二、XPS碳谱1.碳谱概念：XPS碳谱是XPS技术中的一种，主要用于分析材料表面碳的化学状态。
2.碳的结合能：碳谱中的结合能反映了碳原子与其它原子之间的化学键合情况。
三、结合能的计算方法1.标准化处理：通过对XPS碳谱进行标准化处理，可以得到碳的结合能。
2.碳谱拟合：通过拟合碳谱，可以得到碳的结合能。
四、XPS碳谱结合能的应用1.材料表面分析：通过分析XPS碳谱结合能，可以得到材料表面碳的化学状态，进而了解材料的性质。
2.碳纳米管分析：通过分析XPS碳谱结合能，可以了解碳纳米管的化学状态，进而了解碳纳米管的性质。
五、结论XPS碳谱结合能是XPS技术中的一种重要参数，它反映了材料中碳原子与其它原子之间的化学键合情况。
通过对XPS碳谱结合能的研究，我们可以深入了解材料表面碳的化学状态，为材料分析和应用提供理论依据。
XPS原理及分析
XPS原理及分析X射线光电子能谱（XPS）是一种用于研究固体表面化学性质的表面分析方法。
它利用X射线照射样品表面，通过测量样品表面光电子的能谱，来获得样品表面元素的化学状态、化学成分以及化学性质的信息。
XPS的基本原理是根据光电效应：当X射线通过样品表面时，部分X射线会被样品上的原子吸收，从而使得原子的内层电子被激发出来。
这些激发出的电子称为光电子。
光电子的能量与原子的内层电子能级相关，不同元素的光电子能谱特征能量不同。
通过测量光电子的能量分布，可以推断出样品表面元素的化学状态和化学成分。
XPS分析的步骤如下：1.准备样品：样品必须是固体，并且表面必须是光滑、干净、无杂质的。
样品可以是块状、薄膜或粉末。
2.X射线照射：样品放在真空室中，通过X射线照射样品表面。
X射线能量通常在200-1500eV之间。
3.光电子发射：被照射的样品会发射出光电子。
光电子的能量与原子的内层电子能级有关。
4.能谱测量：收集并测量光电子的能量分布。
能谱中的光电子峰表示不同元素的化学状态和存在量。
5.数据分析：根据能谱中的光电子峰的位置和峰面积，可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。
XPS的主要应用领域包括固体表面成分分析、材料表面效应研究、化学反应在表面的过程研究等。
XPS可以提供关于固体材料的表面化学性质、形态结构以及表面反应过程的有关信息，因此被广泛应用于材料科学、化学、表面物理等领域。
总结而言，XPS是一种非常有用的表面分析技术，可以提供有关固体表面化学性质和化学成分的信息。
通过测量光电子的能量分布，可以推断出样品表面元素的化学状态和存在量。
XPS原理及分析
XPS原理及分析在现代材料科学和表面分析领域，X 射线光电子能谱（XPS）是一种极其重要的分析技术。
它能够提供关于材料表面化学组成、元素价态以及化学环境等丰富且关键的信息，对于深入理解材料的性质和性能具有不可替代的作用。
XPS 的基本原理建立在光电效应之上。
当一束具有一定能量的 X 射线照射到样品表面时，会将样品中原子的内层电子激发出来，形成光电子。
这些光电子的能量具有特定的分布，通过测量光电子的能量和强度，就可以获取样品表面的相关信息。
具体来说，XPS 测量的是光电子的动能。
根据能量守恒定律，光电子的动能等于入射 X 射线的能量减去原子内层电子的结合能以及功函数等其他能量项。
而原子内层电子的结合能是与元素种类以及所处的化学环境密切相关的。
不同元素的原子具有不同的内层电子结合能，即使是同一种元素，如果其所处的化学环境发生变化，比如形成了不同的化合物或者具有不同的化合价，其内层电子结合能也会有所不同。
在实际的 XPS 分析中，通常使用的 X 射线源是Al Kα（能量约为14866 eV）和Mg Kα（能量约为 12536 eV）。
这些 X 射线具有足够的能量来激发内层电子。
为了收集和分析光电子，XPS 系统通常包括 X 射线源、样品室、能量分析器和探测器等主要部件。
X 射线源产生特定能量的 X 射线照射样品，样品表面产生的光电子经过能量分析器进行能量筛选，最终由探测器检测并记录。
在获取到 XPS 数据后，接下来就是对数据的分析和解读。
首先，通过光电子的能量可以确定样品中存在的元素种类。
这是因为每种元素都有其特征的结合能，通过与标准数据库中的结合能数据进行对比，就能够准确地识别出元素。
对于元素的定量分析，通常是根据光电子峰的强度来进行的。
但需要注意的是，由于不同元素的光电子产额不同，以及存在电子的非弹性散射等因素的影响，定量分析需要进行一系列的校正和计算。
除了元素的定性和定量分析，XPS 还能够提供关于元素价态和化学环境的信息。
xps基本原理
xps基本原理XPS基本原理。
XPS，全称X射线光电子能谱，是一种应用于材料表面分析的表征技术。
它通过照射样品表面并测量其发射的光电子能谱来获取材料的化学成分、化学状态、电子结构等信息。
XPS技术在材料科学、表面化学、纳米材料等领域有着广泛的应用，对于研究材料的表面性质和界面现象具有重要意义。
XPS的基本原理可以简单概括为，利用X射线照射样品表面，样品表面的原子吸收X射线激发出光电子，测量光电子的能谱分布，通过能谱的特征峰位置和强度来分析样品的化学成分和化学状态。
下面将从X射线激发、光电子发射和能谱分析三个方面介绍XPS的基本原理。
首先，X射线激发。
XPS使用具有较高能量的X射线激发样品表面原子的内层电子跃迁到空位上，产生光电子。
X射线的能量通常在1000-1500电子伏特之间，能够穿透样品表面并激发内层电子。
X射线激发的能量足够大，可以克服样品表面的逸出势，使得内层电子跃迁到真空态形成光电子。
其次，光电子发射。
X射线激发后，样品表面的原子吸收X射线能量，内层电子跃迁到空位上，产生光电子。
这些光电子的能量和数量与样品的化学成分和化学状态有关，因此可以通过测量光电子的能谱来获取样品的表面化学信息。
光电子的能量与原子的束缚能和化学状态有关，因此不同元素和不同化学状态的原子产生的光电子能谱具有特征性。
最后，能谱分析。
XPS测量得到的光电子能谱包含了样品表面的化学成分和化学状态信息。
通过分析光电子的能谱分布，可以确定样品中元素的种类、含量和化学状态。
XPS能够对样品进行定量分析，同时还可以获取样品的表面化学成分分布情况，对于研究材料的表面性质和界面现象具有重要意义。
总之，XPS是一种重要的材料表征技术，它通过测量样品表面发射的光电子能谱来获取材料的化学成分、化学状态和电子结构等信息。
XPS的基本原理包括X 射线激发、光电子发射和能谱分析三个方面，通过这些原理可以实现对样品表面化学信息的准确获取和分析。
在材料科学、表面化学、纳米材料等领域，XPS技术有着广泛的应用前景，对于推动材料研究和应用具有重要意义。
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3p
Ｍn2+离子有
５个未成对电 子，发射一个 3s电子，产生 两种终态，形 成两条谱 线．两峰的强 度比为7:5.
MnF2中Ｍn的 3S电子的光电子能谱
课堂练习
(1)由MgKα测得Cl2S的结合能Eb为 276.3eV,若由AlKα(1486.8eV)测得 Cl2S的动能Ek是多少? (2)计算3d5/2中内量子数j=5/2的由 来? (3)图示特征X射线MgKα1的电子跃
f7/2 : f5/2 = 4:3
• 横坐标表示电子的结合能，有时以光电子动能表 示，纵坐标为光电子强度。 • 激发源 MgKα
• 各种轨道都有可能被激发成光电子. Ag 3s, Ag 3p1/2，Ag 3p3/2, Ag 3d3/2, Ag 3d5/2, Ag 4s, Ag 4p1/2，Ag 4p3/2, Ag 4d3/2, Ag 4d5/2。 • 光电子强度规律: 1)主量子数 n小的峰比 n大的峰强; 2)主量子数n相同时,角量子数 l大的峰比 l小的强: 3)对于两个自旋分裂,内量子数 j大的峰 j小的强.
• 利用标准谱线对仪器校正
Cu
Ag
C Au Si
能级 2p3/2 3s 3p3/2 3d5/2 1s(石墨) 4f7/2 2p3/2
Eb(eV) 932,8(2) 122.9(2) 573.0(3) 368.2(2) 284.3(3) 83.8 99
§2 俄歇电子能谱基础知识
1925年法国物理学家M.P.Auger用X射线研究 光电效应就发现了俄歇（Auger）电子。 1953年nder提出俄歇电子可以作为表 面分析的手段。 1967年L.A.Harris采用电子能量微分方法，使 微弱的俄歇电子峰同本底区分开来，开始进入实 用阶段.
接触电势⊿V
V '
该电势将加速电子的运动，使自由电子的 动能从EK增加到EK’
Ek Ek ' '
固体样品光电子能量公式
Eb h Ek ' '
• X射线光电子能谱仪简介
激发源 电子能 谱仪用镁或铝作 阳极的X光管。 Mg Kα双线能量 1253.6eV，半宽 度0.7eV。
• 光电子标志
通常采用被激发电子所在能级来标志光电子 角量子数 主量子数
nlj
内量子数
n = 1,2,3… = K,L,M….表示电子所在主层数 l = 0,1,2,3…= s,p,d,f…表示电子云的形状 j =︱l +ms︱表示自旋轨道偶合发生分裂
1s , 2p1/2 , 2p3/2, 3d3/2, 3d5/2, 4f5/2, 4f7/2 j = l ± 1/2
（３） 摔激和摔离
当内壳层电子光电发射时,有效电荷 变化引发外层电子的激发或电离.
若摔到未被电子占有的较高能级,称 为摔激(在低动能端出现不连续的峰): 若摔到自由电子能级变成自由电子, 称为摔离(为本底峰).
Ｎe,10,1S22S22p6
Ｎe1S电子发射时摔激和摔离过程示意图
摔激的条件
谱 学 基 础
下册 （XPS,XRD,UV,MS）
杨意泉 汪彩彩 吴 明
计分方式
期未开卷考，占70%； 出勤占16%； 作业占14%。
第一章 电子能谱分析
本章重点
光电子能量公式 hν =Eb +Ek 特征X射线 MgKα AlKα XPS谱线分析 Auger谱线分析
电子能谱分析 一定能量的电子、X射线或紫外光作 用于样品，将样品表面原子中不同能级的电子激 发成自由电子，这些电子具有特征能量，收集这 类电子并研究它们的能量分布.
Mg 相对强度
67 33 1.0 9.2 5.1 0.8 0.5 2
Al 能量/eV
1486.7 1486.3 1492.3 1496.3 1498.2 1506.5 1510.1 1557.0
相对强度
67 33 1.0 7.8 3.3 0.42 0.28 2
（2）俄歇电子峰。
二种能量X射线辐照Cu样品得到的电子能谱 (a) Mg Kα1，2 (b) Al Kα1，2
AlKα 双 线 能 量 1486.8eV，半宽 度0.85eV。
• 特征X射线
产生过程：高能量 粒子(连续X射线等) 与原子碰撞时，将 内层电子逐出，产 生空穴，此空穴由 较外层电子跃入， 同 时 (10-12~10-14s) 释放出能量。此能 量与特征X射线的关 系同样服从光谱跃 迁公式： E h
•俄歇过程
原子被X射线激发出光电子 后，外层电子向内层跃迁过 程中释放的能量，又使核外 另一电子激发成为自由电子， 该电子就是俄歇电子。
光电子发射、俄歇电 子发射和荧光X射线 三种过程密切相关. 俄歇过程 的条件:主量 子数 △n≠0
在X射线作用下，原子的K层电子被激发成光电子， K层出现一个空穴，原子处于K电离态。
hν+ M
M+* + e-
一级过程
•一个L2电子填补K空穴时，就要释放出能量。能量 释放可以通过二种方式，一种是发射荧光X射线．
M
*
M h
二级过程
•另一方式是使另一核外电子脱离原子变成自由电子．
M
*
M
2
e
二级过程
两种过程的几率关联
x a 1
Z＜11(Na), ωa ≈1 Z=33(As), ωa /ωx≈0.5 Z＞33, ωa /ωx＜0.5 轻元素主要产生俄歇电子，重 元素主要发射荧光X射线.
选律： 主量子数 △n=1,角量子数 △l=0 内量子数 △j=0,自旋量子数△S=0 谱峰远离主峰,向低动量端出现不连续峰, 结合能较主峰高几个eV. 若是顺磁性物质,其强度有时与主峰相当.
• 多重劈裂
多重效应是由光致电离过程所形成的未成对电子和 体 系 未 成 对 电 子 之 间 互 相 作 用 引 起 的 . 在 Fe2O3 中,Fe3+离子有5个未成电子,当3s发射一个光电子后, 可能有两个终态.
电子能谱分类
1. 光电子能谱 X射线或紫外光作用于样品表面产生 了光电子，得到光电子能谱，简称ESCA (Electron Spectroscopy For Chemical Analysis) 。实际上它包括二 种能谱：X光电子能谱简称XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy）和紫外光电子能谱（UPS）. 2. 俄歇电子能谱简称AES (Auger Electron Spectroscopy)。 电子与样品作用时，产生各种次级电子，俄歇电 子是其中一种。扫描俄歇微探针ＳＡＭ （Ｓcanning
Mo4+, 3d5/2, 229.3eV: Mo5+, 3d5/2, 231.2eV: Mo6+, 3d5/2, 232.7eV:
化学位移现象可以用原子的静电模型来解释(p14)
原子的静电模型
原子中的内层电子主要感受到原子核强烈的库仑 作用，使电子在原子内具有一定的结合能，其能量从 较轻元素的几百电子伏到较重元素的十万电子伏左右； 同时内层电子又受到外层电子的屏蔽作用。因此，当 外层电子密度减少的时候，屏蔽作用将减弱，内层电 子的结合能增加；反之则结合能将减少；当被测原子 的氧化态增加，或者与电负性大的原子结合时，都能 使外层电子密度减少。
选律： 主量子数 △n≠0 角量子数 △l=±1 内量子数 △j=±1,0 线系（K，L，M，N…）
△n=1的跃迁产生α线系，
△n=2跃迁，产生β线系。
Kα 表 示 Kα1α2 双 线 ； Kβ表示Kβ1β2双线
K线系
Kα1 Kα2 Kβ L3 L2 M2,3 K
K
K
• X射线光电子能谱
Ag的光电子全扫描图（激发源为MgKα）
迁过程?
• 光电子能谱谱峰的位移
1. 化学位移 原子周围的化学环境的 改变所引起的位移， 称为化学位移
F F C F
292.5 287
O C O
H C H
285.6
H C H
284.3eV
H
F(４) O(3.65) C(2.45)
H(2.2)
三氟醋酸乙酯的C 1s光电子
苯甲酸钠的碳1s光 电子谱线
两种C原子，一种是苯 环上的C（6个碳原子）， 一种是羧基碳，由于氧 的电负性比碳和氢大， 因此羧基碳周围的电子 密度比苯环碳要小，所 以它的1s 电子结合能大。 峰的强度比大约是4：6， 2：6，1：6
表1-3 不同氧化态的结合能位移
元素
-2 N(1s) S(1s) Cl(2p) Cu(1s) I(4s) Eu(3d) -2 -1 *0 *0 *0 0 *0 *0 +1
俄歇电子的标志
通常采用俄歇电子所涉及的电子壳层来标志俄歇电子。
空穴
ＷＸＹ
填空
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
俄歇电子
例如KL2L３，AgM23N23N45,AgM2N3N5 KL2L3俄歇电子，K层电子电离形成空穴，L2层一 个电子跳入K层，同时释放的能量又使L3层另一电 子变成俄歇电子。
1. X 射 线 的 hν 足 够大,可激发 K,L,M,N…. 成 光电子; 2. 当 hν 的 能 量 大 于K,L电子的结 合能,外层电子 的光电效应很 小; 3. 自 由 电 子 不 能 成为光电子.
图1-1 1s光电子示意图
• X射线光电子能量
h Eb Ek
光子能量 结合能 动能 Eb 代表一个电子从结合状态移到无穷远时 所做的功。如果原子在发生电离时，其它 电子仍然维持原来的状态，Eb 所代表的就 是该电子的结合能
Auger Microprobe).
§1 光电子能谱基础知识