双层金属工艺中的IMD—PETEOS

金属板覆膜技术

金属板覆膜技术金属板覆膜技术是把塑料膜和金属板通过高温热压，将膜贴在金属板上的加工技术。

覆膜技术在1977年诞生于日本，最初用于制罐，可代替内涂、外涂技术，到现在为止已发展到了建材内外装饰装修、家电、汽车等多种领域。

覆膜加工由于不使用粘着剂、溶剂，所以不含甲醛，且塑料膜可经过美化装饰、抗菌、防染等处理，确保了人体的安全性和健康、同时又起到了环保的作用。

应用于制罐行业的覆膜板，俗称为覆膜铁(LaminatedSteel)，是采用PP薄膜与马口铁进行覆合而成。

传统的金属罐内侧都必须经过涂装加工，而涂装方法所含有的物质，对人体和环境都会产生有害影响，尤其是食用罐头,现在的处理方法是在罐的内壁采用树脂进行涂装。

但是，因这种涂装工艺所使用的涂料里含有环境激素的有害物质-双酚A类(Bis-phenolA)物质，是一种国际公认的环境激素，而且可能出现溶出的问题,一旦溶出超标，会对人体产生不良影响。

且这个问题导致的严重后果已经引起国内外的重视。

金属板覆膜技术的诞生，是金属罐生产的革命性进步。

随着它的广泛应用，传统金属罐生产工艺和技术将得到颠覆，生产率、生产成本、清洁卫生、环境保护等各个方面也都将前进一大步。

一、覆膜板的特点覆膜板是比传统印涂马口铁更具优良的耐深冲、耐磨、耐腐蚀和装饰性等特点的一种兼有高分子树脂薄膜和金属板材双重特点的金属材料。

这一特点决定了覆膜板可以使用冷轧板作为基材，快速与套印精确的印刷薄膜覆合，因此，覆膜板大大降低了材料成本。

1、覆膜板具有优良的性能（1）覆膜板的耐腐蚀、抗锈蚀等特性，是涂料板不能比拟的。

因为是塑料薄膜的复合板，所以涂料板存在耐腐蚀性和附着力的矛盾，对于覆膜板而言就是轻易解决了，这对番茄罐、二片罐等食品罐来说，覆膜板是理想的材料。

（2）覆膜板外观光洁、爽滑、装饰性好、手感好。

（3）覆膜板化学稳定性好、耐候性能、耐老化，可以适应恶劣的环境而不会发生脱落和锈蚀。

（4）覆膜板加工性能优良，具有耐深冲、耐磨，在加工中不易破损。

IMD工艺介绍

IML工艺介绍（本公司采用的工艺）一、IML的概念IMD（In-Mold Decoration）是一种在注塑模具内放置Film薄膜来装饰塑胶外观表面的新技术。

目前IMD有两种制造方法，一种是把印刷好的Film薄膜制作成循环滚筒卷状带,安装到注塑机和注塑模具内,象标签Label贴到前模面上全自动地循环带移动式的生产出来;即人称之为IMD(在模具内转印注塑）。

另一种是把Film薄膜（即PET片材）印刷好经过成型机Forming成型，再经过剪切后放置到注塑模具内生产出来的。

即称之为IML（在模具内贴膜注塑）。

此Film一般可分为三层：基材（一般是PET）、油墨层（INK）、胶合材料（多为一种特殊的粘合胶）。

当注塑完成后，通过粘合胶作用使Film和塑胶紧密结合融为一体，由于本身正表面覆耐磨保护膜的PET在最外层，有耐磨和耐刮伤的作用，其表面硬度可达到3H，而且会越摸越亮。

其中注塑材料多为PC、PMMA、ABS等。

注：此工艺其产品的断层结构为：PET片材 +油墨层+塑胶层二、IML的工艺工序裁料---平面印刷---油墨干燥固定---贴保护膜---冲定位孔---热成型---剪切外围形状---材料注塑成型。

工艺流程如下：1)裁料：把卷状的薄膜Film裁剪成已设计好尺寸的方形块，供印刷、成型工序用。

2)平面印刷：根据要求的图标、文字制造成菲林网，在裁剪好的薄膜 Film方形块上印刷图标、文字。

3)油墨干燥固定：把印刷好的薄膜Film方形放置在高温烤炉里干燥，目的是固定IML油墨。

4)贴保护膜：避免在冲定位孔工序时弄花已印刷好的薄膜Film表面，有时需贴上单层或双层保护膜。

5)冲定位孔：热成型的定位孔一定要冲准。

剪切工序的定位孔有时也要事先冲孔。

6)热成型（高压或铜模）：把印刷好的薄膜加热后，用高压机或铜模在预热状态下成型。

7)剪切外围形状：把成型好的立体薄膜的废料剪切掉。

8)材料注塑：把成型后跟前模立体形状一模一样的薄膜放到前模上，注塑出IML成品。

第14章集成电路版图设计资料

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MOS dummy
• 在MOS两侧增加dummy poly。
• 添加dummy管，可以提供更好的环境一致性。
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RES dummy
• 类似于MOS dummy方法增加dummy，有时会在四周都加上。
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CAP dummy
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4
• 第二张mask定义为active mask。有源区用来定义管子的栅以及允许注入的p型或者n型扩散的源漏区。
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• 第三张mask为poly mask：包含了多晶硅栅以及需要腐蚀成的形状。
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• 第四张mask定义为n＋mask，用来定义需要注入n＋的区域。
• 不同的工艺线和工艺流程，电学参数有所不同。
• 描述内容：晶体管模型参数、各层薄层电阻、层与层间的电容等。
• 几何设计规则是图形编辑的依据，电学设计规则是分析计算的依据。
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• 完成一个反相器的版图设计
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Interconnect
• 关键走线与左右或上下走线的屏蔽采用相同层或中间层连接VSS来处理。
• 也可增大两者间的间距来减少耦合。
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Guard Ring的设计
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深阱guard ring

mdbe工艺原理

mdbe工艺原理MDBE工艺原理，简称为Metal Drop Bonding and Etching（MDBE），是一种先进的微纳加工技术，用于制备具有微米级尺寸的金属结构。

该技术主要包括金属点状沉积和蚀刻两个步骤，通过这两个步骤的反复重复，可以制备出各种形状和尺寸的金属结构。

MDBE工艺的原理主要包括以下几个方面：1.金属点状沉积：首先通过电化学方法，在衬底上生成微米级的金属点状区域。

通常使用的金属有银、铜、金等。

这些金属点的形成可以通过控制电位和电流密度来实现。

该步骤的目的是为了提供金属结构的基础种子，以便后续的金属生长。

2.金属生长：通过电镀或电沉积的方法，在金属点上沉积金属，使金属结构逐渐生长。

这一步骤的实现需要控制电镀液中的离子浓度和金属沉积速率，以确保金属结构的尺寸和形态得到精确控制。

3.蚀刻：在金属结构生长完毕后，通过化学蚀刻的方法，将衬底部分暴露在外，并去除多余的金属。

化学蚀刻的方法可以根据金属结构的材料不同而有所不同，常见的蚀刻液有酸性、碱性和氧化蚀刻液。

通过控制蚀刻液的成分和温度等参数，可以控制腐蚀速率，从而实现对金属结构的精确蚀刻。

4.反复重复：以上两个步骤的反复重复，可以实现金属结构的多次生长和蚀刻，从而制备出复杂的金属微结构。

MDBE工艺的优点主要包括以下几个方面：1.高灵活性：MDBE工艺适用于制备多种金属结构，可以实现不同形状、尺寸和复杂度的金属微结构。

2.高精度：MDBE工艺可以实现对金属结构的精确控制，尺寸和形态可以达到亚微米级别，满足微纳器件对精细结构的需求。

3.成本低廉：MDBE工艺相对于传统的微纳加工方法，具有较低的成本，不需要昂贵的设备和复杂的加工步骤，可以在普通实验室中进行。

4.生产效率高：MDBE工艺可以实现大面积的金属结构制备，并且具有较高的加工速度和效率。

总之，MDBE工艺通过金属点状沉积和蚀刻两个步骤的反复重复，可以制备出具有微米级尺寸的金属结构。

双金属加工工艺

双金属加工工艺双金属加工工艺是一种常见的金属加工方法，它利用两种不同金属的性质差异，通过热处理、冷却等工艺手段将它们紧密地结合在一起，从而形成具有特殊性能的双金属材料。

下面将介绍双金属加工工艺的原理、分类、应用以及未来发展方向。

双金属加工工艺的原理是基于不同金属的热膨胀系数不同。

在加工过程中，先将两种金属片按照一定比例堆叠在一起，然后通过热处理使其达到一定温度，使两种金属片发生热膨胀。

由于两种金属的热膨胀系数不同，导致两种金属在加热过程中出现不同程度的变形。

然后通过冷却使两种金属片重新收缩，形成紧密结合的双金属材料。

根据不同的双金属材料组合和加工工艺，双金属加工工艺可以分为多种类型。

其中，最常见的是层合式双金属加工工艺。

该工艺是将两种金属片堆叠在一起，并通过加热和冷却使其结合。

另外还有扩散式双金属加工工艺，该工艺是通过控制两种金属片的扩散速度，使其在接触面上形成相互渗透的层。

此外，还有爆炸焊接、激光焊接等特殊的双金属加工工艺。

双金属加工工艺在工业生产中有着广泛的应用。

首先，双金属材料具有优良的物理性能和化学性能，可以满足不同工业领域对材料性能的要求。

例如，双金属材料可以同时具备高强度和高耐腐蚀性，适用于制造化工设备、海洋设备等。

其次，双金属材料还可以实现不同材料的功能整合，提高产品的综合性能。

例如，双金属材料可以将高硬度材料和高韧性材料结合在一起，用于制造刀具、机械零件等。

此外，双金属材料还可以用于制造传感器、电阻器等电子元器件。

随着科学技术的不断发展，双金属加工工艺也在不断创新和进步。

未来，双金属加工工艺将继续发展出更多的新型工艺和新材料。

例如，目前研究人员正在探索利用纳米技术和3D打印技术改进双金属加工工艺，以实现更精细、复杂的双金属结构。

另外，随着人们对环境保护和可持续发展的要求不断提高，双金属材料的可再生性和可降解性也将成为研究的热点。

双金属加工工艺是一种重要的金属加工方法，它通过将两种不同金属结合在一起，形成具有特殊性能的双金属材料。

imd工艺案例

imd工艺案例
IMD（IML、IMR、IMF）是一种模内装饰工艺，将印刷完成的薄膜利用不同型式置入模具，经射出成型后，得到具有印刷质感之成型产品。

以下是IMD工艺的一个案例：
产品：车用烟灰盒装饰件
在塑件的结构上，要求外观整洁美观，不能有污点及微尘，表面不能有缺陷或缩影。

在制造过程中，薄膜成型模具的设计是模内注射是否成功的关键。

工艺流程：
1. 裁料：将印刷完成的薄膜裁剪成适当的大小和形状。

2. 平面印刷：在薄膜表面进行平面印刷，以增加美观和辨识度。

3. 油墨干燥固定：确保油墨在薄膜表面固定，不会在后续的加工过程中脱落或变形。

4. 贴保护膜：在印刷完成的薄膜表面贴上一层保护膜，以防止在加工过程中对表面造成损伤。

5. 冲定位孔：在薄膜上冲出定位孔，以确保在置入模具时能够准确对位。

6. 热成型：将印刷完成的薄膜加热并放入模具中，利用热压成型技术将其成型为所需的产品形状。

7. 剪切外围形状：根据产品要求，将多余的边缘部分剪切掉，使产品更加整洁美观。

8. 材料注塑成型：将已成型的薄膜放入注塑模具中，注入塑料材料进行注塑成型，得到最终的成型产品。

通过以上工艺流程，可以得到具有印刷质感的车用烟灰盒装饰件。

这种工艺不仅可以提高产品的美观度和辨识度，还可以增强产品的耐用性和抗刮性。

以上内容仅供参考，建议查阅专业书籍或咨询专业人士以获取更准确的信息。

多层镀工艺

多层镀工艺
多层镀工艺是一种用于在金属表面制备多层的特殊电镀工艺。

该工艺在电子、半导体、光学、航空航天等众多领域具有广泛的应用。

以下是多层镀工艺的详细介绍。

多层镀工艺通常包括前处理、电镀、后处理等步骤。

首先，需要对基材进行表面处理，去除表面的油污、氧化物和其他杂质，以确保镀层的良好结合。

接着，根据需要制备所需的镀层材料，如铜、镍、金、铬等，并将其制成适当的溶液。

在电镀过程中，将基材置于电镀槽中，通过电流将镀层材料沉积在基材表面，形成所需的镀层。

最后，对镀层进行后处理，如清洗、钝化等，以提高镀层的耐蚀性和外观质量。

多层镀工艺的关键在于控制镀层的厚度、均匀性和结合力。

为了达到这些要求，需要精确控制电镀参数，如电流密度、时间、温度等。

同时，还需要选择合适的镀液配方和添加剂，以提高镀层的耐蚀性、导电性和耐磨性等性能。

在生产过程中，还需要对镀层质量进行严格的质量控制，包括定期检测镀层厚度、外观和性能等指标。

多层镀工艺具有多种优点，如镀层厚度可调、镀层种类丰富、结合力好等。

同时，该工艺还具有生产效率高、成本低等优点，因此在许多领域得到了广泛应用。

然而，多层镀工艺也存在一些缺点，如对环境影响较大、对操作人员健康影响较大等。

因此，在生产过程中需要采取相应的环保措施和安全措施，确保生产过程的安全和环保。

总之，多层镀工艺是一种重要的金属表面处理技术，在许多领域具有广泛的应用。

通过严格控制电镀参数和选择合适的镀液配方，可以实现高质量的镀层制备。

在生产过程中需要注重质量控制和环保安全措施的实施，以确保多层镀工艺的稳定性和可靠性。

peteos工艺

peteos工艺peteos工艺是一种基于古老传统而又不断革新的手工艺术，它源自于古代民间传统，经过不断的整合与创新，逐渐演变为一门独特的艺术形式。

peteos工艺的特点在于其精湛的技艺和细致的工艺，每一个制作出来的作品都凝聚了匠人的心血与智慧。

peteos工艺最初起源于一些地方民间的手工技艺，在经过时间的积淀和传承后，逐渐形成了独特的风格和特色。

peteos工艺的制作过程非常繁琐复杂，需要匠人将不同的材料进行精心搭配，再经过多道工序的加工制作而成。

每一个环节都需要精雕细琢，保证最终作品的完美呈现。

在peteos工艺中，材料的选择至关重要。

匠人会根据不同的作品需求，选择不同的原材料进行制作。

有的作品需要用到木材、石材等天然材料，有的则需要利用金属、玻璃等现代材料。

无论是传统还是现代，peteos工艺都能将各种材料巧妙地结合在一起，创造出独具魅力的作品。

除了材料选择之外，peteos工艺中的工艺技法也是至关重要的一环。

匠人需要掌握各种不同的工艺技法，如雕刻、拼接、磨削等。

这些技法的灵活运用，可以使作品更加富有层次感和立体感，给人一种身临其境的感受。

peteos工艺作为一门传统的手工艺术，一直以来都备受人们的喜爱与推崇。

它不仅是一种艺术形式，更是一种文化传承与创新的体现。

随着时代的变迁，peteos工艺也在不断融合和发展，与时俱进，焕发出新的生机与活力。

总的来说，peteos工艺是一门充满魅力与艺术感的手工艺术。

它融合了传统与现代的元素，展现出匠人们的智慧与技艺。

peteos工艺不仅是一种艺术表现形式，更是一种对传统文化的传承与弘扬。

希望peteos工艺可以继续传承下去，为人类的文化艺术事业增添新的光彩。

半导体名词解释

1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。

2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。

未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。

4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。

当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。

6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。

从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。

7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。

PE SiO和SiN双层膜简介

3
2、应力：材料单位截面积上受到的力称为应力。根据对材料作用的不同，应
力表现为两种可能的形式：张应力和压应力。对材料有拉伸作用的应力为张应力，对材料有压缩作用的应力为压应力。
薄膜材料的应力有两部分组成，一是薄膜材料与衬底热膨胀系数不同而产生的热应力；二是薄膜材料与衬底结构不匹配而产生的本征应力。
固定正电荷排斥空穴从而在界面处形成内建电场最终将电子和空穴分离162h原子钝化sin膜含有大量h原子可在烧结过程中释放至硅片内饱和悬挂键从而降低表面复合速率提高载流子寿命
氧化硅与氮化硅双层膜报告
1
一、钝化原理硅材料中含有大量的杂质和缺陷，导致硅中少数载流子寿命和扩散
长度降低。为了提高硅太阳电池的效率，必须对硅材料中具有电活性的杂质和缺陷进行钝化。
常用氯源有：HCl, TCE（三氯乙烯）, TCA（三氯乙烷）, DCE（二氯乙烯）等。
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（2）湿氧氧化
氧气通过装有高纯去离子水的氧化瓶，因此，进入石英管的氧气带
有水汽。由于参与氧化的物质是水和养的混合物，所以氧化速率比干氧
氧化要快得多。
高温
SiO2 Si2O
高温
S i2 H 2 O S2 i O 2 H 2
：
d2 K1t
K1
式中为比例系数，t为氧化时间。
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氯的作用： ①Cl2与重金属原子反应生成挥发性氯化物，具有清洁作用。 ②O2、Cl2混合气中的氧化速率比纯氧中高， O2中含3%HCl，线
性速率大一倍。其一：掺氯氧化时反应产物有H2O，加速氧化；其二：氯积累在Si-SiO2界面附近，氯与硅反应生成氯硅化物，氯硅化物稳定性差，在有氧的情况下易转变成SiO2，因此，氯起了氧与硅反应的催化剂的作用。

CVD工艺介绍

高温SiO2（掺杂或不掺杂）、Si3N4、多晶硅、W、WSi2
等离子体辅助CVD
等离子体增强 CVD(PECVD) 高密度等离子体 CVD(HDPCVD)
低温，快速淀积，好的台阶覆盖能力，好的间隙填充能力
要求RF系统，高成本，压力远大于张力，化学物质（如 H2)和颗粒沾污
高的深度比间隙的填充，金属上的低温 SiO2,ILD-1,ILD,为了双镶嵌结构的铜籽晶层，钝化(Si3N4)
4.6 CMP 的作用效果
Pre-CMP
During CMP
Post-CMP
The pressure of high step area is much bigger , so the remove rate is much higher , that makes surface global planarity when CMP a long time .
4.3 SOG 工艺过程
SOG工艺过程，分为旋涂，热板烘焙，退火三个步骤。
SOG平坦化工艺流程一般采用三明治结构，即由两层CVD法淀积的SiO2膜包夹着SOG膜。
其一般分为有回刻和无回刻两种方法。
PECVD SiO2 阻挡层
旋转涂布211液(SOG) SOG 固化 SOG 回蚀 PECVD SiO2 覆盖层
Step Height: IMD1 CMP Pre - Center SEM Bar
10000 9000 8000 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 1
196 391 586 781 976 1171 1366 1561 1756 1951 2146
Step Height: IMD1 CMP Post - Center SEM Bar

ISO 8249 2018焊接—奥氏体和双相铁素体奥氏体铬镍不锈钢焊接金属中铁素体含量(FN)的测定(中文翻译版)

ISO 8249: 2018焊接—奥氏体和双相铁素体奥氏体铬镍不锈钢焊接金属中铁素体含量（FN）的测定（中文翻译版）目录页前言 (iv)简介 (v)1范围 (1)2规范性引用文件 (1)3术语和定义 (1)4原则 (1)5校准 (2)5.1涂层厚度标准 (2)5.2磁铁 (2)5.3仪器 (2)5.4校准曲线 (3)6覆盖电极试验垫的标准方法 (5)6.1焊接金属试样的尺寸 (5)6.2熔敷金属试样 (5)6.3测量 (6)6.3.1表面处理 (6)6.3.2单独测量 (6)6.3.3报告 (7)7其他工艺的试验垫和生产焊缝的标准方法 (7)7.1其他焊接金属试验垫的标准方法 (7)7.2生产焊缝 (7)8其他方法 (7)8.1方法 (7)8.2保持校准 (8)9奥氏体不锈钢焊接金属中δ铁素体的二级标准制备程序 (8)附录A（资料性附录）带材包层制造二级标准 (9)附录B（资料性附录）离心冷铸二级标准的制造 (19)参考文献 (27)前言ISO（国际标准化组织）是一个由国家标准机构（ISO成员机构）组成的世界性联合会。

编制国际标准的工作通常是通过ISO技术委员会进行的。

对已设立技术委员会的主题感兴趣的每个成员机构都有权派代表参加该委员会。

国际组织，政府和非政府组织，与国际标准化组织联络，也参与这项工作。

ISO与国际电工委员会（IEC）在电工技术标准化的所有问题上密切合作。

ISO/IEC指令第1部分描述了用于编制本文件和进一步维护本文件的程序。

特别是，应注意不同类型的ISO文件所需的不同批准标准。

本文件根据ISO/IEC指令第2部分（见/Directives）的编辑规则起草。

请注意，本文件的某些要素可能是专利权的主体。

ISO不负责识别任何或所有此类专利权。

在编写本文件期间确定的任何专利权的详细情况将在介绍和/或收到的专利声明的ISO清单中列出（见/patents）。

本文件中使用的任何商号均为方便用户而提供的信息，不构成背书。

镁稀土合金中lpso相的强韧化机制

镁稀土（Mg—RE）合金因其在轻量级结构材料中的潜在应用而极受关注。

改善这些合金的机械特性的关键因素之一是形成长期堆叠定单相（LPSO）。

LPSO阶段具有独特的微结构，其特点是沿c轴的周期性，可以显著增强合金的强度和电容性。

Mg—RE合金中LPSO阶段的强化机制可归因于几个因素。

LPSO阶段对迁移造成障碍，有效地阻碍了材料的塑料变形。

这导致合金强度提高。

LPSO阶段还可以促进结对和结对，从而导致增强诱发性。

这种机制类似于其他金属材料中的双边界行为，其中双胞胎的存在可以增强材料在不破裂的情况下变形的能力。

还发现LPSO阶段与其他微结构特征相互作用，如谷物边界和二相粒子，以形成一种多样化的微结构。

这种多样的微观结构可以有效地阻碍裂缝的传播，提高合金整体断裂强度。

一个说明LPSO阶段在增强Mg—RE合金的机械特性方面的重要性的例子，是开发出一种新的高强度镁合金，并改进了电容。

研究人员成功地合成了一种Mg—RE合金，其中LPSO阶段的体积分量较大，与常规镁合金相比，其强度和电容都非常突出。

发现LPSO阶段的存在对于实现这种高强度和电联性的结合至关重要，突出了LPSO阶段在高级镁合金开发中的重要性。

LPSO阶段在加强和强化Mg—RE合金方面发挥着关键作用。

它独特
的微观结构和与其他微观结构特征的相互作用，促进了合金的整体机械性质。

了解LPSO阶段的强化机制对于设计和开发用于各种工程应用的高性能镁合金至关重要。

IMD工艺介绍和透明薄膜的使用

IMD 工艺介绍和透明薄膜的使用I.IMD introductionContent2016. 01. 07II.IML process III.IMR and IML injection process IV.IML and IMR film/sheet V.IMR film manufacture processVI.ConclusionIMD introductionIMD(In-Mold Decoration),中文名称：模内装饰技术，亦称免涂装技术,是一种在注塑模具内放置Film薄膜来装饰塑胶外观表面的新技术。

它具有外表光洁美观、印刷永久清晰、3D图案立体效果等传统塑胶丝印无法比拟的优势。

IMD生产工艺工序具体细分为：1）裁料：把卷状的薄膜Film裁剪成已设计好尺寸的方形块，为印刷工序作准备。

2）预缩：印刷前把裁切好的薄膜Film先到烤炉内加热使收缩的机会减到最小。

3）平面印刷：根据要求的图标、文字制造成菲林网，在裁剪好的薄膜Film方形块上印刷图标、文字。

4）油墨干燥固定：把印刷好的薄膜Film方形块放置在高温焗炉里干燥，目的是彻底固化IMD油墨、把油墨内的溶剂蒸化。

5）贴保护膜：避免在冲定位孔工序时弄花已印刷好的薄膜Film表面，有时需要贴上单层或双层保护膜。

6）冲定位孔：剪切工序和热成型工序的定位孔一定要冲准。

7）热成型（高压或铜模）：把印刷好的薄膜加热后，用高压机或铜模在预热状态下成型。

Forming Mold的设计很关键。

(注意：成型简单的IMD产品优先冲切外围，可节省胶片。

)8）剪切外围形状：把成型好的立体薄膜的废料剪切掉。

需要精确的剪切模。

9）注塑：把成型后跟前模立体形状一模一样的薄膜放置到前模上，注塑出IMD成品。

IMD processIMD products: HA, 3CIMD products: Auto partsIMD classificationIMD包含IML,IMF,IMRIML：IN MOLDING LABEL（就是将已印刷冲型好的装饰片材放入注塑模内，然后将树脂注射在成型片材的背面油墨层，使树脂与片材接合成一体固化成型的技术。

LOGIC FLOW 问题参考答案

LOGIC FLOW 问题参考答案1. ZERO OXIDE的作用是什么？第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。

PR中所含的有机物很难清洗。

第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不会对衬底造成损伤。

第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。

2. ZERO PHOTO的目的是什么？W AFTER MARK是否用光照？ZERO PHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASML stepper system requires a zero mark for global alignment purpose。

WAFTER MARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻号。

3. STI PAD OXIDE的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE作为缓冲层，同时也作为NITRIDE ETCH时的STOP LA YER。

如果太薄，会托不住NITRIDE,对衬底造成损伤，太厚的话在后序生长线氧时易形成鸟嘴。

PAD OXIDE是用湿氧的方法生长的。

4. STI NITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？NITRIDE是作为STI CMP的STOP LAYER。

NITRIDE的厚度要精确控制，一方面与PAD OXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度为1625A时的CD control最好；另一方面与BIRD’S BEAK的形成有关。

如果NITRIDE太厚，BIRD’S BEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PAD OXIDE，可减小缺陷，但BIRD’S BEAK会增加。

5. 在STI ETCH中SION的作用是什么？在整个0.18um SRAM FLOW中SION厚度有几个？STI ETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE的反射率，作为ARC。

简介IMD膜片镶嵌技术

三﹕IMD 工艺的发展前景目前， IMD 模内装饰镶嵌注塑技术是一种崭新的塑胶装饰工艺技术。可三维变化，增加设计者的自由度，能设计出各种个性化造型的产品，适应时代发展的需求。 IMD 技术可以实现注塑成型、装饰一体化、一次完成，又能做出各种不同的特殊效果，如：按键凸泡、金属镜面或消光面、金属拉丝纹、背透光性、凹凸点纹等等，极具装饰性及功能性。 IMD 技术是替代塑胶制品喷漆、电镀加工最好的新工艺，减少注塑的后续加工工序，在塑胶工业上推广、普及，能真正实现节能、环保的意义，将为社会及企业带来巨大的经济效益和环保效益。
四. IMD 工艺流程概念说明： IMD包含IML,IMF,IMR IML(IN MOLDING LABEL)﹝印刷胶料与塑胶结合﹞ IMF(IN MOLDING FILM)﹝与IML相同﹞ IMR (IN MOLDING ROLLER)﹝重点在于胶料上的离型层。PET FILM→印离型剂→印刷油墨→印接着剂→ 内塑料射出→油墨与塑接着→开模后胶料会自动从油墨离型。
7. 三维变化，可增加设计者对产品设计的自由度。 8.制程简化：经由一次注塑成型的工法，将成型与装饰同时达成，可有效降低成本与工时，可提供稳定的生产
9. 降低成本与工时：IMD制程中只需要一套模具，不像其它替代制程需开多套治具，可以去除一次作业程序的人力与工时，降低系统成本与库存成本 10. CAE,CAM,IC复合成型加工达到无缝效果。
簡介IMD模内装饰镶嵌注塑技术
馬永貴 2007.01.09目录• • • • IMD概念 GS專案工藝流程产品特征 IMD 工艺的发展前景 IMD 工艺流程 • IMD(IML,IMF)高压气体成型与IMR比较
• GS產品工藝流程照片

9、双大马士革工艺介绍

9、双大马士革工艺介绍上一节介绍大马士革工艺的由来，这一节介绍双大马士革工艺。

简单来说，大马士革工艺就是先填充一层电介质，然后干法蚀刻出金属导线图案，最后填充金属，其最大优点就是不用蚀刻金属。

大马士革工艺一般分为：single damascene；dual damascene。

single damascene工艺简单，主要是把单层金属导线制作由传统的金属蚀刻电介质沉积改为电介质蚀刻金属填充。

dual damascene工艺较为复杂，涉及Via和Trench，一般是两者一起蚀刻，最后一道金属填充，完整制程为先沉积电介质，然后干法蚀刻完成Via和Trench双镶嵌结构图案，接着沉积一层扩散阻碍层，然后沉积金属，最后进行CMP平坦化。

双大马士革工艺按照Via和Trench的次序可分为三种：Trench first；Via first；trench and via all in one（1）Trench first是大马士革工艺发展出来最先使用的，此方法顾名思义，首先在电介质上蚀刻出trench的图案，然后进行Via的曝光和蚀刻出图案。

Trench first的缺点在于Via的光刻时，由于PR会填充在trench里面，导致PR较厚，造成曝光（exposure）和显影（development）较困难。

（2）Via first顾名思义就是先进行Via的蚀刻，然后进行trench 的蚀刻，此方法虽然解决了trench first制程中Via曝光和显影的问题，但其缺点就是PR会将先蚀刻出来的Via孔洞填满，在trench蚀刻后，Via里面可能会有PR残留（residue）。

（3）trench and via all in one顾名思义就是trench和via一起蚀刻，此方法涉及一层硬掩膜（hard mask）的蚀刻，首先还是电介质的沉积，然后再沉积一层HM，接着铺PR，曝光、显影定义出trench的图形，然后是对HM的蚀刻，接着再铺PR，曝光、显影定义出Via的图案，这里HM相当于trench的PR，最后进行trench和via同时蚀刻，一步制程同时完成trench和viad的图案。