RS1D快速恢复二极管规格书
RS1M快恢复二极管
最大正向平均整流电流：1.0A
反向恢复时间：500ns(纳秒)
当电流=1.0A时，正向压降：1.3V
最大反ห้องสมุดไป่ตู้直流电流(TA=25℃)：0.5mA
额定直流阻断电压TA=100℃：10.0mA
操作结和存储温度范围：-50~+150℃
肖特基二极管SSL54
肖特基二极管SB1045L
rs1m属于快恢复二极管系列封装smado214ac其比较突出的特点是反向恢复时间短具体参数请看下方
RS1M快恢复二极管
RS1M二极管 参数
2017年08月24日11:56
RS1M属于快恢复二极管系列，封装SMA/DO-214AC，其比较突出的特点是，反向恢复时间短，具体参数请看下方。
最大重复峰值反向电压：1000V
肖特基二极管SB540L
肖特基二极管SS34
快和超快恢复二极管型号参数
20 20 10 10 10 10 20 20 20 20 10 10 10 10 20 20 20 10 10 10 45 45 45 40 40 35
35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 30 30 30 75 75 150
30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 25 25 30 30 30 30 30 30 Max.Peak Forward Surge Current IFSM A 50 50 50 50 50 50
1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.3 1.7 2.2 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.2
超快恢复二极管
反向重 最大平均正 复峰值 向电流 电压 VRRM V IO @ TA A ℃ 最大正向峰 值浪涌电流 IFSM A 正向电压降 VF @ IF V A 最大反向 典型结电 最大转速 电流 容 恢复时间 TA=25℃ 封装 IR Cj Trr μ A pF ns
型号
/main.asp 1 安培（含铅整流器） SF11S 50 SF12S 100 SF13S 150 SF14S 200 SF15S 300 SF16S 400 SF17S 500 SF18S 600 SF11 SF12 SF13 SF14 SF15 SF16 SF17 SF18 50 100 150 200 300 400 500 600 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 55 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.3 1.3 1.7 1.7 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 1.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 30 30 30 30 15 15 15 15 30 30 30 30 15 15 15 15 35 35 35 35 35 35 50 50 35 35 35 35 35 35 50 50 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 A-405 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41 DO-41
FR104-107贴片规格书
RS1ARS1B RS1D RS1G RS1J RS1K RS1M10005010020040060080050100200400600800100035701402804205607005530301.01.35.015表面安装快恢复整流二极管反向电压 50 ---1000 V正向电流 1.0 AV µA pFI RCj最大正向电压 I F = 1.0A最大反向电流 TA= 25℃典型结电容 V R = 4.0V, f = 1MHz 电特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
Electrical Characteristics Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.单位Unit符号SymbolsMaximum forward voltageMaximum reverse current Type junction capacitanceV F-50 --- +150V V V A A µA ℃/W℃V RRM V RMS V DC I F(AV)I FSM I R(AV)特征 Features·低的反向漏电流 Low reverse leakage·较强的正向浪涌承受能力 High forward surge capability ·高温焊接保证 High temperature soldering guaranteed:250℃/10 秒 seconds at terminals机械数据 Mechanical Data·端子: 焊料被镀 Terminals: Solder plated·极性: 色环端为负极 Polarity: Color band denotes cathode end ·安装位置: 任意 Mounting Position: Any极限值和温度特性 TA = 25℃ 除非另有规定。
超快恢复二极管型号参数
5.0
5.0
60
50
DO-201AD
Part Number
反向重复
峰值电压
最大平均正
向电流
最大正向峰值浪涌电流
正向电压降
最大反向电流TA=25℃
典型结电容
最大转速恢复时间
Package
VRRM
IO @ TA
IFSM
VF @ IF
IR
Cj
Trr
V
A
℃
A
V
A
μA
pF
ns
6安培（含铅整流器）
SF61
600
2.0
55
50
1.7
2.0
5.0
30
50
DO-15
3安培（含铅整流器）
SF31
50
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF32
100
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF33
150
3.0
55
125
1.0
3.0
5.0
80
35
DO-201AD
SF34
200
SOD-57
Part Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Max.AverageRectified Current
Max.PeakForward Surge Current
Forward Voltage Drop
Max. Reverse Current TA=25℃
快恢复、超快恢复二极管的特性
快恢复、超快恢复二极管的特性
快恢复二极管（FRD）/ 超快恢复二极管（SRD）是近年来面市的半导体器件。
快恢复二极管具有开关特性好、方向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点、可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器、不间断电源、高频加热、交流电机变频调速等电子设备中得到了广泛的应用。
快恢复、超快恢复二极管的一个重要参数是反向恢复时间TRR，其定义是：电流流过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定的值Irr时的时间间隔。
它是衡量高频续流、整流器件性能的重要技术参数。
Trr的定义可由图4-17所示的反向恢复电流的波形加以说明。
图4-17中，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流，IRR是反向恢复电流。
通常规定IRR=0.1IRM。
当T=T0时，正向电流I-IF,当T＞T0时，由于整流器件上的正向电压突然变成反向电压，因此正向电流迅速降低，并在T=T1时刻，I=0.然后整流器件上流过反向电流IR，并且IR逐渐增大，在T=T2时刻达到最大反向恢复电流IRM值，此后受正向电压的作用，反向电流逐渐减小，在T=T3时刻达到规定值IRR。
从T2到T3的反向恢复过程与电容器的放电过程比较相似。
快恢复二极管的反向恢复时间TRR一般为几百纳秒，正向压降约0.6v,正向倒霉了达几安至几千安，反向峰值电压为几百到几千伏，超快恢复二极管反向恢复时间更短，可低至几十纳秒。
US1D超快恢复整流SMA(DO-214AC)二极管规格书
1Surface Mount Ultrafast RectifierUS1A thru US1M FEATURES•Low profile package•Ideal for automated placement •Glass passivated chip junction •Ultrafast reverse recovery time •Low switching losses, high efficiency •High forward surge capability•Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C•Compliant to RoH S Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definitionTYPICAL APPLICATIONSFor use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converters and inverters for consumer, computer, and telecommunication.MECHANICAL DATACase: DO-214AC (SMA)Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating Base P/N-M3 - halogen-free, RoH S compliant, and commercial gradeTerminals: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD 22-B102M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test Polarity: Color band denotes cathode endPRIMARY CHARACTERISTICSIF(AV) 1.0 A V RRM 50 V to 1000 VI FSM 30 A t rr 50 ns, 75 ns V F 1.0 V, 1.7 V T J max.150 °CDO-214AC (S MA)MAXIMUM RATINGS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOLUS1AUS1BUS1DUS1GUS1JUS1KUS1MUNITMaximum repetitive peak reverse voltage V RRM 501002004006008001000V Maximum RMS voltage V RMS 3570140280420560700V Maximum DC blocking voltageV DC 501002004006008001000V Maximum average forward rectified current at T L = 110 °C I F(AV) 1.0A Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated loadI FSM 30A Operating and storage temperature rangeT J , T STG- 55 to + 150°C2Note(1)Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycleNote(1)PCB mounted on 0.2" x 0.2" (5.0 mm x 5.0 mm) copper pad areaRATINGS AND CHARACTERSITICS CURVES(T A = 25 °C unless otherwise noted)Fig. 1 - Forward Current Derating Curve Fig. 2 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge CurrentELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERTEST CONDITIONS SYMBOL US1A US1B US1D US1G US1J US1K US1M UNIT Maximum instantaneous forward voltage1.0 AV F (1) 1.01.7V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage T A = 25 °C I R 10μAT A = 100 °C50Maximum reverse recovery timeI F = 0.5 A, I R = 1.0 A,I rr = 0.25 A t rr 5075ns Typical junction capacitance4.0 V, 1 MHzC J1510pFTHERMAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted)PARAMETERSYMBOL US1AUS1BUS1DUS1G US1JUS1KUS1MUNIT Maximum thermal resistanceR θJA (1)75°C/WR θJL (1)27ORDERING INFORMATION (Example)PREFERRED P/N UNIT WEIGHT (g)PREFERRED PACKAGE CODEBASE QUANTITYDELIVERY MODEUS1J-M3/61T 0.06461T 18007" diameter plastic tape and reel US1J-M3/5AT0.0645AT750013" diameter plastic tape and reelFig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 4 - Typical Reverse Leakage CharacteristicsFig. 5 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Fig. 6 - Typical Reverse Leakage Characteristics Fig. 7 - Typical Junction CapacitanceFig. 8 - Typical Transient Thermal Impedance3PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)4。
快恢复二极管 FR1G DO-214AA SMB系列规格书推荐
100 60 40
20 pF
10
6 4
2 1
.1 .2 .4
TJ=25°C
1 Volts
2
4
10 20 40
Junction Capacitance - pFversus
Reverse Voltage - Volts
100 200 400
1000
Figure 1 Typical Forward Characteristics 20
10 6
4
2 Amps 1
.6 .4
25°C
.2 .1 .06 .04
.02
.01 .4
.6
.8
1.0 1.2 1.4
Volts
Instantaneous Forward Current - Amperesversus Instantaneous Forward Voltage - Volts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.
2 of 3
深圳理悠科技有限公司
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES FR1A THRU FR1M
Figure 4 Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current 90
us1d二极管参数
US1D二极管参数1. 引言二极管是一种常见的电子元件，具有正向导通和反向截止的特性。
US1D二极管是一款常见的快恢复二极管，本文将对其参数进行详细介绍和解释。
2. 二极管基本原理在讨论US1D二极管参数之前，我们先来了解一下二极管的基本原理。
二极管由P型半导体和N型半导体组成。
当P型半导体连接到正电压，N型半导体连接到负电压时，形成了一个正向偏置。
在这种情况下，电流可以从P端流向N端，二极管处于导通状态。
当P型半导体连接到负电压，N型半导体连接到正电压时，形成了一个反向偏置。
在这种情况下，电流无法从P端流向N端，二极管处于截止状态。
3. US1D二极管参数US1D是一款快恢复二极管，具有以下主要参数：3.1 最大可逆工作电压（VRRM）最大可逆工作电压指的是二极管能够承受的最大反向偏置电压。
对于US1D二极管来说，其最大可逆工作电压一般为1000V。
3.2 最大平均整流电流（IO）最大平均整流电流指的是二极管能够承受的最大平均正向电流。
对于US1D二极管来说，其最大平均整流电流一般为1A。
3.3 最大峰值反向电压（VRM）最大峰值反向电压指的是二极管能够承受的瞬间最大反向偏置电压。
对于US1D二极管来说，其最大峰值反向电压一般为1200V。
3.4 最大正向导通压降（VF）最大正向导通压降指的是二极管在正向导通状态下的电压降。
对于US1D二极管来说，其最大正向导通压降一般为1.3V。
3.5 快恢复时间（Trr）快恢复时间指的是从截止状态到完全恢复正常导通状态所需的时间。
对于US1D二极管来说，其快恢复时间一般为75ns。
4. US1D二极管应用由于US1D具有快速恢复特性，因此广泛应用于以下领域：•电源供应•开关电源•逆变器•高频电路在这些应用中，US1D二极管能够有效地防止反向电压冲击和高频开关过程中的功耗。
5. 结论US1D二极管是一款常见的快恢复二极管，具有较高的最大可逆工作电压、最大平均整流电流和最大峰值反向电压。
rs1j二极管参数
rs1j二极管参数
RS1J二极管是一种高速开关二极管，具有快速恢复时间和低反向电流特性。
其主要参数包括最大反向电压、最大正向电流、最大导通电压、正向压降和恢复时间等。
1. 最大反向电压（VRRM）：指二极管在正常工作条件下所能承受的
最大反向电压。
RS1J二极管的最大反向电压为600V，适用于高压应
用场合。
2. 最大正向电流（IFAV）：指二极管在正常工作条件下所能承受的最
大正向电流。
RS1J二极管的最大正向电流为1A，适用于低功率应用
场合。
3. 最大导通电压（VF）：指二极管在正常工作条件下所具有的最小正
向压降。
RS1J二极管的最大导通电压为1.2V，具有较低的能耗特性。
4. 正向压降（VFmax）：指在规定条件下，二极管正常导通时所具有
的最小正向压降。
RS1J二极管的正向压降范围为0.95V-1.2V，与其
它快速恢复二极管相比较低。
5. 恢复时间（trr）：指二极管从正向导通到反向截止时所需的时间。
RS1J二极管的恢复时间为25ns，具有较快的开关速度。
总之，RS1J二极管是一种高性能的快速恢复二极管，具有低反向电流、快速恢复时间和低正向压降等特点。
它适用于电源、开关电路、逆变
器等领域，满足高效、低功耗的要求。
稳压快恢复二极管参数
稳压快恢复二极管参数稳压二极管和快恢复二极管是电子领域中常用的两种特殊功能二极管。
稳压二极管可以将电路中的电压保持在一个稳定的范围内，而快恢复二极管则能够快速恢复到正常导通状态。
本文将详细介绍稳压二极管和快恢复二极管的参数及其特性。
一、稳压二极管的参数及特性稳压二极管是一种特殊的二极管，其主要作用是在电路中起到稳压的作用，将电压限制在一个较小的范围内。
稳压二极管的主要参数如下：1.额定工作电压（Vz）：稳压二极管的额定工作电压指的是当二极管正常导通时所能承受的最大电压值。
一般情况下，稳压二极管的额定工作电压会有多种选择，例如3.3V、5.1V等。
2.最大工作电流（Iz）：稳压二极管的最大工作电流指的是在额定工作电压下，二极管正常工作时所能承受的最大电流值。
超过这个电流值，稳压二极管可能会损坏。
3. 动态电阻（rd）：稳压二极管的动态电阻是指在正常导通状态下，稳压二极管导通电流变化一个单位时，二极管两端的电压变化值。
动态电阻越小，说明稳压二极管的稳定性越好。
4.温度系数（TC）：稳压二极管的温度系数指的是当温度发生变化时，稳压二极管的额定工作电压是否会相应变化。
温度系数越小，说明稳压二极管的稳定性越好。
稳压二极管的特性主要包括：1.稳定性：稳压二极管能够在一定的电流范围内保持相对稳定的电压输出，不受负载变化和温度变化的影响。
这使得稳压二极管成为常用的电压稳定器。
2.压降：稳压二极管在正常导通时，会有一个固定的电压降，称为压降。
压降实际上就是稳压二极管的额定工作电压。
3.限流：稳压二极管在正常导通时，可以承受较大的电流。
当电流超过最大工作电流时，稳压二极管会变为开路状态，起到保护负载的作用。
二、快恢复二极管的参数及特性快恢复二极管是一种特殊的二极管，其主要作用是在开关电源等高频应用中，可以快速恢复到正常导通状态。
快恢复二极管的主要参数如下：1. 反向恢复时间（trr）：快恢复二极管的反向恢复时间指的是电流从正向最大值恢复到反向截止状态所需的时间。
RS1A B - RS1M B 1.0A SMT快恢复晶体极 Rectifier 产品说明书
Features• Glass Passivated Die Construction • Fast Recovery Time for High Efficiency • Surge Overload Rating to 30A Peak • Ideally Suited for Automated Assembly• Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)Mechanical Data• Case: SMA/SMB• Case Material: Molded Plastic.UL Flammability Classification Rating 94V-0 • Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020• Terminals: Finish - Matte Tin Annealed over Copper Alloy Leadframe; Solderable per MIL-STD-202, Method 208 • Polarity: Cathode Band or Cathode Notch •Weight: SMA - 0.064 grams (Approximate) SMB - 0.093 grams (Approximate)SMA/SMBOrdering Information (Note 4)Part Number Case Packaging RS1x-13-F SMA 5000/Tape & Reel RS1xB-13-FSMB 3000/Tape & Reel* x = Device type, e.g. RS1D-13-F (SMA package); RS1JB-13-F (SMB package).Notes: 1. EU Directive 2002/95/EC (RoHS), 2011/65/EU (RoHS 2) & 2015/863/EU (RoHS 3) compliant. All applicable RoHS exemptions applied.2. See https:///quality/lead-free/ for more information about Diodes Incorporated’s definitions of Halogen- and Antimony-free, "Green" and Lead-free.3. Halogen- and Antimony-free "Green” products are defined as those which contain <900ppm bromine, <900ppm chlorine (<1500ppm total Br + Cl) and <1000ppm antimony compounds.4. For packaging details, go to our website at https:///design/support/packaging/diodes-packaging/.Marking InformationSMA/SMBTop View Bottom ViewRS1x = Product Type Marking Code, ex: RS1G (SMA Package) RS1xB = Product Type Marking Code, ex: RS1GB (SMB Package) = Manufacturer’s Code Marking YWW = Date Code MarkingY = Last Digit of Year (ex: 9 for 2019) WW = Week Code (01 to 53)Maximum Ratings(@T A = +25°C, unless otherwise specified.) Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.For capacitive load, derate current by 20%.Characteristic Symbol RS1A/ABRS1B/BBRS1D/DBRS1G/GBRS1J/JBRS1K/KBRS1M/MBUnitPeak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage (Note 5) V RRMV RWMV R50 100 200 400 600 800 1000 VRMS Reverse Voltage V R(RMS)35 70 140 280 420 560 700 V Average Rectified Output Current @ T T = +120°C I O 1.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3msSingle Half Sine-Wave Superimposed on Rated Load I FSM30 AThermal CharacteristicsCharacteristic Symbol Value Unit Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 6) RϴJT20 °C/W Operating and Storage Temperature Range T J, T STG-65 to +150 °CElectrical Characteristics(@T A = +25°C unless otherwise specified.)Characteristic Symbol RS1A/ABRS1B/BBRS1D/DBRS1G/GBRS1J/JBRS1K/KBRS1M/MBUnitMinimum Reverse Breakdown Voltage (Note 5) @ I R = 5µA V(BR)R50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Forward Voltage Drop @ I F = 1.0A V FM 1.3 VPeak Reverse Current @ T A = +25°C at Rated DC Blocking Voltage (Note 5) @ T A = +125°C I RM5.0200µAMaximum Reverse Recovery Time (Note 7) t RR150 250 500 ns Typical Total Capacitance (Note 8) C T15 pFNotes: 5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.6. Valid provided that terminals are kept at ambient temperature.7. Reverse recovery test conditions: I F = 0.5A, I R = 1.0A, I RR = 0.25A. See Figure 5.8. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.1.2I , A V E R A G E R E C T I F I E D C U R R E N T (A )O T , TERMINAL TEMPERATURE (C)Fig. 1 Forward Current Derating CurveT °0.6I I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T (A )F ,V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)Fig. 2 Typical Forward Characteristics F 0I , P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T (A )F S M NUMBER OF CYCLES AT 60HzFig. 3 Forward Surge Current Derating Curve 1.01001,000 PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE (%)Fig. 4 Typical Reverse Characteristics T = 125C J ° T = 25°C J I , I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T ( µ A ) R I R , I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (µA )Package Outline DimensionsPlease see /package-outlines.html for the latest version.SMASMBSMBDim Min Max A 3.30 3.94 B 4.06 4.57 C 1.96 2.21 D 0.15 0.31 E 5.00 5.59 G 0.05 0.20 H 0.76 1.52 J 2.00 2.50 All Dimensions in mmSuggested Pad LayoutPlease see /package-outlines.html for the latest version.SMADimensionsValue (in mm) C 4.00 G 1.50 X 2.50 X1 6.50 Y1.70SMB。
rs1d二极管参数
rs1d二极管参数RS1D二极管参数RS1D二极管是一种常用的电子元件，具有多种参数，下面将对其进行详细介绍。
1. 电流和电压参数RS1D二极管的最大正向电流（IFM）为1A，最大反向电流（IRM）为10μA。
正向电压降（VF）一般为0.7V，而反向电压降（VR）为5V。
2. 功耗和温度参数RS1D二极管的最大功耗（PD）为500mW，最大工作温度（Tj）为125℃。
此外，其热阻（Rth）为200℃/W，表示在单位功率下元件温度与环境温度之间的温度差。
3. 响应时间参数RS1D二极管的反向恢复时间（Trr）一般为4ns，表示在从正向导通到反向截止状态切换时所需的时间。
而正向恢复时间（Tfr）则为2ns，表示在从反向截止到正向导通状态切换时所需的时间。
4. 封装和器件尺寸RS1D二极管通常采用SMA封装，SMA封装的尺寸为3.3mm x 3.3mm x 2.41mm。
此外，该二极管的重量约为0.1g。
5. 应用领域RS1D二极管可广泛应用于电源管理、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
由于其稳定的性能和可靠性，使得它成为了这些领域中不可或缺的元件之一。
总结：RS1D二极管具有多种参数，包括电流和电压参数、功耗和温度参数、响应时间参数、封装和器件尺寸等。
这些参数决定了二极管的性能和应用范围。
在实际应用中，我们需要根据具体需求选择合适的二极管型号，以确保系统的性能和稳定性。
RS1D二极管作为一种常见的元件，在电源管理、通信设备、工业控制和汽车电子等领域中有着广泛的应用。
通过对其参数的了解，我们可以更好地理解并应用这一元件。
FOSAN富信电子 二级管 RS1AF-RS1MF-产品规格书
安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MFSMAF Fast Recovery Diode快恢复二极管■Features 特点Built-in strain relief 内应力释放Fast Recovery time 快恢复时间Surface mount device 表面贴装器件Case 封装:SMAF■Maximum Rating 最大额定值(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号RS 1AF RS 1BF RS 1DF RS 1GF RS 1JF RS 1KF RS 1MF Unit 单位Repetitive Peak Reverse Voltage 重复峰值反向电压V RRM 501002004006008001000V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 501002004006008001000V RMS Reverse Voltage 反向电压均方根值V R(RMS)3570140280420560700V Forward Rectified Current 正向整流电流I F 1A Peak Surge Current 峰值浪涌电流I FSM 30AThermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 30℃/WJunction/Storage Temperature 结温/储藏温度T J,T stg-50to+150℃℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号RS1AF-RS1GFRS1JF RS1KF-RS1MFUnit 单位Condition 条件Forward Voltage 正向电压V F 1.3V I F =1A Reverse Current 反向电流I R 5(T A =25℃)100(T A =100℃)µA V R =V RRM Reverse Recovery Time 反向恢复时间Trr 150250500nS I F =0.5A,I R =1A Irr=0.25A Junction Capacitance 结电容C J15pFV R =4V,f=1MHzANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MF ■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RS1AF-RS1MF ■Dimension外形封装尺寸。