内圆切割和多线切割方法

内圆切割和多线切割

1. 内圆切割和多线切割晶体切割就是利用内圆切片机或者线切割机等专用设备将硅单晶或多晶切割成符合使用要求的薄片过程。硅晶体的切割主要要有内圆切割和多线切割两种形式。内圆切割利用内圆刀片为切割刀具，以其内圆作为刀口，其镶上金刚石颗粒，一片一片进行磨销切割。内圆切割品种变换简单方便，灵活，风险低，但是效率低，原料损耗大，硅片体形变大，加工参数一致性差。多线切割利用钢丝切割线携带金刚砂浆液进行磨销，整锭同时切割。其效率高，原料损耗小，硅片体形变小，加工参数一致性好，但是投资大，风险高。

2. 硅片的化学减薄所谓化学减薄就是通过酸或碱与硅片表面在一定条件下产生化学反应，对硅片表面进行一层剥离，为抛光工艺创造条件的工艺过程。硅片化学减薄的作用与意义硅片化学减薄主要有三个作用，第一是使硅片表面清洁，第二可以提高抛光效率，第三可以消除硅片内应力

3. 硅片抛光方法大体来说，硅片抛光方法可以分为机械抛光，化学抛光和化学机械抛光三大类。

（1）机械抛光机械抛光利用抛光液中的磨液与硅片表面的机械摩擦作用来实现硅片的表面加工，在早期硅片加工中使用较多。机械抛光的抛光液一般为氧化铝，氧化镁，氧化硅和碳化硅等微细粉末加水而配制成的悬浮液。

( 2 )化学抛光化学抛光就是利用化学试剂与硅片表面的化学腐蚀反应来达到去层与修整的加工目的。化学抛光包括液相腐蚀，气相腐蚀，固相化学腐蚀和电解抛光等。

(3）化学机械抛光化学机械抛光是将化学作用和机械作用同时结合使用的抛光方法，种类繁多。铜离子，铬离子，氧化钛，筋性氧化铝，碱性二氧氧化硅都是化学抛光