晶振和电容的匹配原理

晶振和电容的匹配 /spec_pages/PNDescrpt/Load_Cap.htm 晶振 等效 于 电感/电容/内阻
使用 VCXO (压控晶体振荡器)作为时钟(CLK)发生器 测量时可接出一段锡丝，锡丝上紧密缠绕十多匝线，形成天线感应，再用 counter 频率计用探头（可用示波器探头）测量。
其中 两个电容 C1、C2 通过地串联又与晶振并联，并与其他杂散电容并联。 一般选择 C1、C2 值要比其他杂散电容高 8~10 倍，来减少杂散电容影响。 一般 IC 引脚约 2~3pF，杂散电容 2~3pF Co(晶振内部电容)3~5pF 所有 Cl=C1 串 C2+IC+杂散+Co 即 Load capacitance :Cl 值

fS = (Series) frequency =
I2C BUS 很常用, 也常出问题, 所以我们通常要用 DIGITAL SCOPE 来观察它在出 状况前和出状况时的波形有无异样. 什么样的波形才算正确呢? 1) rise time 2) fall time 3) ack voltage 4) start condition 5) stop condition 6) 读的时候, ACK 从哪里来, 每个 BYTE 都要有? 最后一个 BYTE? 7) 写的时候, ACK 从哪里来, 每个 BYTE 都要有? 最后一个 BYTE? 8) repeated start condition 9) 9 个 CLK 的间隔必须一样吗?
如何选用 Voltage Regulator? 似乎很简单, 提几个问题让大家考虑一下. 1)输出电流需要多大? 2)Dropout(压降)多大? 3)功耗多大? 4)采用哪一种 PAKAGE? 5)站立式的,要加 HEATSINK 吗? 多大的 HEATSINK 才够? 6)贴片式的, 要多大的铜片才够上热?

7)PCB 所能承受的最高温度是多少? 8)如输入电压太高, REGULATOR 两端的压降太大而引起过热, 如何解决? 9) 多大的电流要求多宽的 COPPER TRACK? 10) 多大的电流要求多大的过孔?
The table below gives rough guidelines of how wide to make a trace for a given amount of current. Trace Width [inches] 0.010 0.015 0.020 0.025 0.050 0.100 0.150 Trace Width [mm] 0.254 0.381 0.508 0.635 1.27 2.54 3.81 Current [A] 0.3 0.4 0.7 1.0 2.0 4.0 6.0
Here is what I have used for years to calculate the current carrying capacity of a plated-thru hole. Find the circumference of the hole by multiplying the diameter x 3.141 this will give you the equivalent 1 Oz. trace width that can be used to find the current carrying capacity from the tables in IPC-D-275. Remember the copper in the hole is always 1 Oz. 1) Φ0.5 (diameter = 0.5mm) via Circumference of via = 0.5x3.14 = 1.57 mm 2) Φ0.3 (diameter = 0.3mm) via Circumference of via = 0.3x3.14 = 0.942 mm

若用铜箔作为散热, 需要多大的面积? /Article/com/200511/791.html 1.系统要求: VOUT=5.0V；VIN(MAX)=9.0V；VIN(MIN)=5.6V；IOUT=700mA；运行周期=100%；T A=50℃ 根据上面的系统要求选择 750mA MIC2937A-5.0BU 稳压器，其参数为： VOUT=5V±2%(过热时的最坏情况) TJ MAX=125℃。采用 TO-263 封装，θJC=3℃/W； θCS≈0℃/W(直接焊接在电路板上)。 2.初步计算： VOUT(MIN)=5V-5×2%=4.9V PD=(VIN(MAX)-VOUT(MIN))+IOUT+(VIN(MAX)×I)=[9V-4.9V]×700mA+(9V×15mA) =3W 温度上升的最大值, ΔT=TJ(MAX)-TA = 125℃-50℃=75℃；热阻 θJA(最坏情 况):ΔT/PD=75℃/3.0W=25℃/W。 散热器的热阻, θSA=θJA-(θJC+θCS)；θSA=25-(3+0)=22℃/W(最大)。 3.决定散热器物理尺寸： 采用一个方形、单面、水平具有阻焊层的铜箔散热层与一个有黑色油性涂料覆盖 的散热铜箔，并采用 1.3 米/秒的空气散热的方案相比较，后者的散热效果最好。
采用实线方案，保守设计需要 5,000mm2 的散热铜箔，即 71mm×71mm(每边长 2. 8 英寸)的正方形。 4.采用 SO-8 和 SOT-223 封装的散热要求： 在下面的条件下计算散热面积大小：VOUT=5.0V；VIN(MAX)=14V；VIN(MIN)=5.6 V；IOUT=150mA；占空比=100%；TA=50℃。在允许的条件下，电路板生产设备更 容易处理双列式 SO-8 封装的器件。SO-8 能满足这个要求吗？采用 MIC2951-03B M(SO-8 封装)，可以得到以下参数： TJ MAX=125℃；θJC≈100℃/W。 5.计算采用 SO-8 封装的参数： PD=[14V-5V]×150mA+(14V×8mA)=1.46W； 升高的温度=125℃-50℃=75℃； 热阻 θJA(最坏的情况):