微电子工艺实验标准实验报告1
电子工艺的实验报告
电子工艺的实验报告实验名称：电子工艺实验一、实验目的：通过本实验，我们旨在了解电子工艺的基本原理和实际应用，并通过实际操作来提高我们的技能和应用能力。
二、实验器材和材料：1. 实验器材：电子工艺实验箱、万用表、示波器、电源等；2. 实验材料：电子元器件（如电阻、电容、二极管等）。
三、实验内容和步骤：1. 实验电路的搭建：根据实验要求和电路图，将电子元器件连接在实验箱中；2. 实验电路的测试：使用万用表和示波器对搭建的电路进行测试，检查电流、电压等参数是否符合要求；3. 实验数据的记录：记录实验过程中的测试数据和观察结果；4. 实验结果的分析：根据测试数据和观察结果，分析电路的工作原理和性能特点。
四、实验结果和分析：1. 实验电路的搭建：根据电路图，我们将电阻、电容和二极管等连接在实验箱中；2. 实验电路的测试：我们使用万用表和示波器对搭建的电路进行测试，发现电流、电压等参数符合要求，电路正常工作；3. 实验数据的记录：我们记录了实验过程中的测试数据和观察结果，包括电流和电压的变化情况；4. 实验结果的分析：根据测试数据和观察结果，我们分析了电路的工作原理和性能特点，包括电流和电压的传递规律。
五、实验结论：通过本实验，我们了解到了电子工艺的基本原理和实际应用，并通过实际操作来提高了我们的技能和应用能力。
通过搭建电子电路并进行测试，我们得到了相应的测试数据和观察结果，并对电路的工作原理和性能特点进行了分析。
总的来说，本实验对我们的学习和实践都起到了积极的作用。
六、存在的问题和改进方向：在本次实验中，我们发现了一些问题，包括实验器材的使用不熟练和电路连接的困难等。
为了改进这些问题，我们需要加强对实验器材的理解和熟悉，提高实验操作的技能。
此外，我们还可以通过多做类似的实验来提高我们的实践能力。
总的来说，本次电子工艺实验对我们的学习和实践都起到了积极的作用，并且通过实际操作，我们了解到了电子工艺的原理和实际应用，提高了我们的技能和应用能力。
微电子实验报告一
实验一MOS管的基本特性班级姓名学号指导老师袁文澹一、实验目的1、熟练掌握仿真工具Hspice相关语法；2、熟练掌握MOS管基本特性；3、掌握使用HSPICE对MOS电路进行SPICE仿真，以得到MOS电路的I-V曲线。
二、实验内容及要求1、熟悉Hspice仿真工具；2、使用Hspice仿真MOS的输出特性，当VGs从0~5V变化，Vds分别从1V、2V、3V、4V 和5V时的输出特性曲线；三、实验原理1、N沟道增强型MOS管电路图a)当Vds=0时，Vgs=0的话不会有电流，即输出电流Id=0。
b)当Vgs是小于开启电压的一个确定值，不管Vds如何变化，输出电流Id都不会改变。
c)当Vgs是大于开启电压的一个确定值，在一定范围内增大Vds时,输出电流Id增大。
但当出现预夹断之后，再增大Vds，输出电流Id不会再变化。
2、NMOS管的输出特性曲线四、实验方法与步骤实验方法：计算机平台：（在戴尔计算机平台、Windows XP操作系统。
）软件仿真平台：（在VMware和Hspice软件仿真平台上。
）实验步骤：1、编写源代码。
按照实验要求，在记事本上编写MOS管输出特性曲线的描述代码。
并以aaa.sp 文件扩展名存储文件。
2、打开Hspice软件平台，点击File中的aaa.sp一个文件。
3、编译与调试。
确定源代码文件为当前工程文件，点击Complier进行文件编译。
编译结果有错误或警告，则将要调试修改直至文件编译成功。
4、软件仿真运行及验证。
在编译成功后，点击simulate开始仿真运行。
点击Edit LL单步运行查看结果,无错误后点击Avanwaves按照程序所述对比仿真结果。
5、断点设置与仿真。
…6、仿真平台各结果信息说明.五、实验仿真结果及其分析1、仿真过程1）源代码*Sample netlist for GSMC $对接下来的网表进行分析.TEMP 25.0000 $温度仿真设定.option abstol=1e-6 reltol=1e-6 post ingold $设定abstol,reltol的参数值.lib 'gd018.l' TT $使用库文件* --- Voltage Sources ---vdd VDD 0 dc=1.8 $分析电压源vgs g 0 0 $分析栅源电压vds d 0 dc=5 $分析漏源电压vbs b 0 dc=0 $分析衬源电压* --- Inverter Subcircuit ---Mnmos d g 0 b NCH W=30U L=6U $Nmos管的一些参数* --- Transient Analysis ---.dc vds 0 5 0.1 SWEEP vgs 1 5 1 $双参数直流扫描分析$vds从0V~5V,仿真有效点间隔取0.1$vgs取1V、2V、3V、4V、5V.print dc v(d) i(Mnmos) $输出语句。
微电子工艺报告
黑龙江科技学院综合实践报告实践项目名称：TCAD工艺流程仿真所属课程名称：微电子工艺实践日期：2011-11-22至 2011-12-1 班级：电技08-3班学号：15号姓名：胡静巍成绩：电气与信息工程学院实践室【实践目的及要求】实践目的：1、学会使用TCAD软件。
2、用TCAD软件完成NMOS管的工艺设计。
3、了解tanner软件的使用方法。
实践要求：1、熟悉和掌握SILVACO TCAD、TANNER软件。
2、并能用TCAD软件进行半导体工艺流程仿真，如氧化、离子注入、扩散、刻蚀、淀积、光刻等3、撰写实践报告。
【实践内容】一、t anner部分利用tanner软件中的ledit设计版图本实验中设计了NMOS的版图，为下一步部分工艺仿真提供了参考依据。
在版图中我们定义了多晶硅栅的宽长比，通过设计规则绘制版图。
利用剖面观察器可以看到对应的各个区域。
二、s ilvaco部分1、定义网格由于在软件上硅片被认为是无限大，所以在仿真之前需要定义各个工艺的工作区域的范围，其程序如下所示从程序中可以看到，Y=0um到Y=0.5um地表面层定义了最密的网格，这个区域在后面将会形成PMOS管的表面有源区2、栅氧接下来，我们将要在硅片的表面生长一层栅氧化层，这个工艺条件为1000度下干氧氧化30分钟，环境为3%的HCL，一个大气压提取氧化层参数，氧化厚度为101.14埃3、离子注入由于现代半导体技术使用了浅结工艺、高剂量注入、倾斜注入以及其他很多先进方法，因此对离子注入工艺进行充分的模拟是非常重要的。
如下图所示注入硼原子，浓度为1×10e14，图形显示如下：程序如下：4、刻蚀多晶硅首先我们采用等形淀积生长多晶硅，厚度为2500埃，然后在x=0.35处开始刻蚀。
输出结果如图所示：仿真图形如下：5、金属化淀积铝生成铝电极，并把多余的铝刻蚀掉。
6、退火工艺我们设定的时间为5分钟，退火温度为900度。
7、提取参数包括结深、N++源漏方块电阻、边墙下LDD区的方块电阻、长沟阈值电压输出结果如下所示：8、PMOS的结构图经镜像后得到完整的POMS结构。
微电子参考实验报告1-9
实验1 硅片氧化层性能测试预习报告实验调研1：新型氧化工艺调研实验报告●氧化层性能测试1质量要求: 二氧化硅薄膜质量好坏，对器件的成品率和性能影响很大。
因此要求薄膜表面无斑点、裂纹、白雾、发花和针孔等缺陷。
厚度达到规定指标并保持均匀，结构致密。
对薄膜中可动带电离子，特别是钠离子的含量要有明确的要求。
2检验方法●厚度的检查测量二氧化硅薄膜厚度的方法很多。
如精度不高的比色法，腐蚀法，京都要求稍高的双光干涉法，电容电压法，还有精度高达10埃的椭圆偏振光法等。
1）比色法利用不同厚度氧化膜，在白色垂直照射下会呈现出不同颜色的干涉色彩这一现象，用金相显微镜观察并对照标准的比色样品，直接从颜色的比较来得出氧化层的厚度。
其相应的关系如下表所示：2）双光干涉法[测试仪器与装置][实验原理]干涉显微镜可用来检测经过精加工后工件的表面粗糙度，也可用来检测薄膜厚度。
精加工后，工件表面的微观不平度很小，实际上工件表面存在许多极细的“沟槽”。
检测时，首先通过显微系统将“沟槽”放大，然后利用干涉原理再将微观不平度显示出来。
常用的干涉显微镜是以迈克耳逊干涉仪为原型的双物镜干涉显微镜系统。
它的典型光路如上图所示。
光源1(白织灯)由聚光镜2成象在孔径光阑16上，插入滤光片3可以获得单色光。
视场光阑17位于准直物镜4的前焦面上。
由物镜4射出的平行光束在分光板5处分为两部分：一束向上反射，经显微镜7会聚在被测工件表面M 2上，M 2与显微镜7的焦面重合。
由M 2返回的光束依次通过显微物镜7、分光板5后被辅助物镜9会聚在测微目镜12的分划板111—白织灯 2—聚光镜 3—滤光片 4—准直物镜 5—分光板 6—补偿板7、8—显微物镜 M 2—被测工件 M 1—参考反射镜 9—辅助物镜 10、14—反射镜 11—分划板 12—测微目镜 13—摄影物镜 15—照相底版或观察屏 16—孔径光阑 17—视场光阑处，分划板11与物镜9的焦平面重合。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告一、实验目的本实验旨在通过实际操作，加深对微电子技术的理解，掌握基本的电路设计和实验技能，提高学生的实践能力和动手能力。
二、实验原理微电子技术是一门研究电子器件、电路和系统中微观器件的制造工艺、物理特性、器件特性及其应用技术的学科。
本实验涉及到微电子技术中的基本器件，如二极管、场效应管等。
三、实验内容1. 利用示波器和信号源等工具，对二极管的正向和反向特性曲线进行测量。
2. 利用基本电路元件，如电阻、电容、电感等，设计并搭建一个简单的电路。
3. 使用场效应管并对其进行测试，掌握其工作原理和特性。
四、实验步骤1. 准备工作：连接示波器和信号源。
2. 测量二极管的正向特性曲线：在示波器上设置适当的参数，连接二极管并记录电压-电流特性曲线。
3. 测量二极管的反向特性曲线：更改示波器参数，连接二极管并记录反向漏电流。
4. 搭建简单电路：根据设计要求，选取合适的元件，进行电路搭建。
5. 测试场效应管：通过实验测试场效应管的工作状态，并记录相关数据。
五、实验数据及图表1. 二极管正向特性曲线图（插入图表）2. 二极管反向特性曲线图（插入图表）3. 搭建的简单电路图（插入图表）4. 场效应管测试数据（数据表）六、实验分析通过本次实验，我深刻理解了二极管的正反向特性曲线，掌握了电路设计和搭建的基本技能，并对场效应管有了更深入的了解。
实验过程中，通过数据的分析和曲线的对比，我得出了一些结论，并发现了一些问题需要进一步探讨和解决。
七、实验结论本实验通过对微电子技术中的基本器件进行实际操作，增强了我对电子器件特性的认识，提高了我的实验技能。
通过本次实验，我不仅学到了理论知识，还掌握了实践技能，为将来的学习和工作打下了坚实的基础。
八、参考文献1. 《微电子技术基础》2. 《电子技术实验指导》（以上为实验报告内容，供参考。
）。
微电子工艺实习报告
实习报告实习时间：2022年6月1日至2022年6月30日实习单位：某微电子科技有限公司实习岗位：工艺工程师一、实习背景及目的随着科技的飞速发展，微电子技术在各个领域得到了广泛的应用。
为了更好地了解微电子工艺的基本原理和实际应用，提高自己的实践能力，我选择了某微电子科技有限公司进行为期一个月的实习。
实习期间，我主要担任工艺工程师岗位，参与了公司微电子工艺的相关工作。
二、实习内容及收获1. 实习内容（1）了解公司产品及工艺流程在实习初期，我对公司的主营业务、产品特点及工艺流程进行了全面的了解。
公司主要从事半导体器件的研发、生产和销售，主要产品包括功率器件、模拟器件和数字器件等。
通过学习，我掌握了各种器件的制备工艺和生产流程。
（2）参与生产实践在实习过程中，我参与了生产线的实际操作，学习了半导体器件的制备工艺，如氧化、扩散、离子注入、金属化等。
同时，我还参与了生产过程中的质量控制和故障排查，提高了自己的实际操作能力。
（3）学习相关设备的使用和维护为了更好地开展实习工作，我学习了公司常用设备的使用和维护方法，如光刻机、蚀刻机、清洗机等。
通过实践操作，我掌握了这些设备的基本操作技巧，并能够独立完成相关设备的维护工作。
2. 实习收获（1）理论联系实际通过实习，我将所学的微电子工艺理论知识与实际生产相结合，深入了解了微电子器件的制备过程，增强了自己的实践能力。
（2）提高团队协作能力在实习过程中，我与同事们共同解决生产中遇到的问题，学会了团队合作，提高了自己的沟通能力和协作精神。
（3）培养严谨的工作作风实习过程中，我深刻体会到严谨的工作态度对于微电子工艺的重要性。
在实际操作中，我遵循操作规程，细心观察生产过程，确保产品质量。
三、实习总结通过一个月的实习，我对微电子工艺有了更为深入的了解，实践能力得到了很大提高。
同时，我也认识到理论知识在实际工作中的重要性。
在今后的工作中，我将继续努力学习，将所学知识与实际工作相结合，为公司的发展贡献自己的力量。
微电子技术实习报告
实习报告一、实习背景和目的作为一名微电子工程专业的学生，为了加深对微电子技术的理解和实践能力，我参加了为期三个月的微电子技术实习。
实习的目的主要是通过实际操作和项目实践，掌握微电子器件的基本原理、制造工艺和测试技术，培养实际动手能力和创新能力。
二、实习内容和过程实习期间，我主要参与了以下几个方面的内容和过程：1. 微电子器件的基本原理学习：通过阅读教材和参加讲座，我深入了解了MOSFET、BJT等常见微电子器件的工作原理和特性，学习了器件的结构设计和参数优化方法。
2. 制造工艺的学习和实践：在实验室中，我参观了微电子器件的制造工艺流程，包括晶圆制造、光刻、蚀刻、离子注入等步骤。
通过实际操作，我掌握了工艺参数的调整和控制方法，了解了工艺流程中的关键技术和挑战。
3. 测试技术的实践：在实验室中，我使用了多种测试设备对微电子器件进行了电学特性测试，包括I-V特性测试、C-V特性测试等。
通过测试数据的分析和处理，我了解了器件的性能指标和可靠性评估方法。
4. 实际项目的参与：在实习期间，我参与了一个微电子器件的性能改进项目。
通过团队合作，我负责了器件的结构设计和参数优化工作。
通过项目实践，我学会了与团队成员有效沟通和协作，提高了自己的解决问题和团队合作能力。
三、实习收获和体会通过这次实习，我收获了很多，具体如下：1. 理论知识与实践能力的结合：实习过程中，我将所学的微电子器件理论知识和实际制造工艺相结合，提高了自己的实践能力。
2. 创新思维的培养：在实际项目中，我通过不断尝试和优化，培养了自己的创新思维和解决问题的能力。
3. 团队合作和沟通能力的提升：在项目实践中，我与团队成员密切合作，学会了有效沟通和协作，提高了自己的团队合作能力。
4. 对微电子技术的深入理解：通过实习，我对微电子技术有了更深入的理解，明确了自己未来学习和研究方向。
总之，这次微电子技术实习是一次非常有意义的经历。
通过实习，我不仅提高了自己的实践能力和团队合作能力，还对微电子技术有了更深入的理解和认识。
电子工艺实训实验报告
一、实验目的本次电子工艺实训旨在通过实际操作，使学生了解和掌握电子工艺的基本流程和技能，包括电子元器件的识别、电路板的焊接、调试以及故障排查等。
通过实训，提高学生的动手能力、团队协作能力和问题解决能力，为今后从事电子技术相关工作奠定基础。
二、实验时间2023年10月15日-2023年10月30日三、实验地点电子工艺实验室四、实验内容1. 电子元器件的识别与检测- 学习识别常用电子元器件，如电阻、电容、二极管、三极管等。
- 使用万用表等工具检测元器件的参数，如电阻值、电容值、二极管正反向导通电压等。
2. 电路板设计与制作- 学习电路板设计软件，如Altium Designer等。
- 根据设计要求，绘制电路图，并生成电路板布线图。
- 使用电路板制作设备，如钻孔机、电路板切割机等，制作电路板。
3. 元器件的焊接与组装- 学习手工焊接技巧，如焊锡的选择、焊接温度的控制、焊接顺序等。
- 将元器件按照电路图的要求焊接在电路板上。
- 对焊接后的电路板进行检查，确保焊接质量。
4. 电路调试与故障排查- 对组装好的电路进行调试，检查电路功能是否正常。
- 使用示波器、万用表等工具对电路进行测试，排查故障原因。
- 根据故障原因，进行相应的修复或调整。
五、实验过程1. 元器件的识别与检测- 在老师的指导下，学习识别常用电子元器件，并使用万用表检测其参数。
- 通过实际操作，掌握了万用表的使用方法，学会了如何检测元器件的参数。
2. 电路板设计与制作- 使用Altium Designer软件，绘制了电路图，并生成了电路板布线图。
- 在电路板制作设备的帮助下，成功制作了一块电路板。
3. 元器件的焊接与组装- 在老师的指导下，学习了手工焊接技巧，并按照电路图的要求将元器件焊接在电路板上。
- 对焊接后的电路板进行了检查，确保焊接质量。
4. 电路调试与故障排查- 对组装好的电路进行了调试，检查电路功能是否正常。
- 使用示波器、万用表等工具对电路进行了测试，成功排查并修复了一个故障。
微电子工艺实验报告_集成三极管制造
电子科技大学实验报告一、实验目的1.熟悉半导体工艺的一般步骤。
2.掌握集成三极管制造工艺流程及工艺步骤的要求。
3.牢记相关工艺步骤温度和时间控制、溶液配比要求。
4.学习半导体工艺参数的测试，学会用显微镜进行测试观察。
5.学会用探针台进行集成三极管芯片的性能参数测试。
二、实验原理半导体工艺建立在一些已经成熟的工艺步骤基础上，半导体的基本工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、光刻、离子注入、沉积（蒸发）和刻蚀等步骤。
一）氧化：氧化是在硅片表面生长一层二氧化硅S iO膜的过程。
这层2膜的作用是：保护和钝化半导体表面；作为杂质选择扩散的掩蔽层；用于电极引线和其下面的硅器件之间的绝缘；用作MOS电容和MOS 器件栅极的介电层等等。
高温氧化就是把硅衬底置于1000℃以上的高温下，并通入氧化性气体，使衬底表面的一层硅氧化成S iO。
高温2氧化又分为：干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化三种。
干氧氧化速率慢，但所得到的二氧化硅层质量较好，且和光刻胶有良好的粘附性（不易浮胶），而水汽氧化恰好相反，氧化速度快，使所得的二氧化硅层质量较差，而且过量的水还有腐蚀Si的作用，所以很少单独采用水汽氧化。
但终究湿氧氧化生长的二氧化硅层的质量不如干氧氧化的好，且易引起Si 表面内杂质再分布。
所以，在生长较厚的氧化层时，往往采用干氧-湿氧-干氧的工艺步骤。
二）扩散：半导体工艺中扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动。
和气体在空气扩散的情况相似，半导体杂质的扩散是在800-1400℃温度范围内进行。
从本质上来讲，扩散是微观离子作无规则的热运动的统计结果。
这种运动总是由离子较高的地方向着浓度较低的地方进行，而使得离子得分布逐渐趋于均匀；浓度差别越大，扩散也越快。
根据扩散时半导体表面杂质浓度变化的情况来区分，扩散有两类，即无限杂质源扩散（恒定表面源扩散）和有限杂质源扩散（有限表面源扩散）。
三）光刻：光刻是一种复印图像和化学腐蚀相结合的综合技术。
它先采用照相复印的方法，将事先制好的光刻板上的图象精确地、重复地印在涂有感光胶的2S iO （或Al 层上），然后利用光刻胶的选择性保护作用对2S iO （或Al 层）进行选择性的化学腐蚀，从而在2S iO 层（或Al 层）刻出与光刻版相应的图形。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告实验名称：MOS管的静态特性测量实验目的：1.了解MOS管的结构和工作原理；2.掌握MOS管的静态特性测量方法；3.熟悉MOS管静态特性参数的测量技术。
实验仪器和器件：1.函数发生器；2.示波器；3.DC稳压电源；4.万用表；5.n沟道MOS管一个。
实验原理：MOS（金属-氧化物-半导体）管是一种在集成电路中广泛应用的器件。
它由金属栅极、氧化层和半导体衬底组成。
MOS管分为n沟道和p沟道两种，本实验使用的是n沟道MOS管。
实验步骤：1.连接实验电路图，将函数发生器的正负极分别接到D极和S极，将示波器的探头接到D极和地。
2.打开仪器电源，设定适当的电压和频率。
3.通过变化函数发生器的输入电压，观察示波器上的输出波形。
4.记录输入电压和输出电压的数值，计算电流的数值。
5.重复步骤3和步骤4，分别改变输入电压和DC稳压电源的电压，测量不同情况下的电流。
实验数据处理：曲线图可以直观地反映MOS管的静态特性。
根据曲线图可以得出以下结论：1.当输入电压增大时，输出电压也随之增大，电流也随之增大；2.当输入电压过大时，MOS管会发生饱和，输出电压几乎不再增大；3.当输入电压为负时，MOS管处于关断状态，输出电流接近于0。
实验结论：本实验通过测量MOS管的静态特性，掌握了MOS管的基本工作原理和参数测量方法。
实验数据和曲线图反映出了MOS管的输入输出特性，并能根据曲线判断MOS管的工作状态。
此外，实验还加深了对MOS管的理论知识的理解，在实践中提高了实际操作能力。
附图：。
微电子实验报告 郭衡
课程名称：微电子工艺实验报告学生姓名郭衡班级电科170班学号17419001064指导教师黄迪成绩交通工程学院2020年11月18日一、实验目的1.学习S.edit中的DeckBuild的基本使用方法2.学习通过Silvaco生成的图像分析验证微电子工艺的步骤二、实验内容通过DeckBuild程序对离子注入、扩散、刻蚀、淀积、氧化以及光刻的程序进行仿真三、实验要求1.学习编写微电子工艺仿真的程序代码2.根据不同的工艺要求修改相应的代码，进行仿真3.掌握利用仿真出来的图像分析器件的物理特性4.记录实验过程中出现的问题及解决办法四、实验代码及生成图像1.二维初始化仿真go athenaline x loc=0.0 spac=0.02line x loc=1.0 spac=0.10line y loc=0.0 spac=0.02line y loc=2.0 spac=0.20material=GaAsinit two.drelax x.max=0.5 y.min=0.1 dir.xtonyplotquit图1.1 图1.2 可以明显看出网格有变化了2. 氧化：go athenaline x loc=0.0 spac=0.02line x loc=1.0 spac=0.10line y loc=0.0 spac=0.02line y loc=2.0 spac=0.20init two.d#diffuse time=30 temp=1200 dryo2#diffuse time=30 temp=1000 f.o2=10diffuse time=30 temp=1200 weto2tonyplotquit干氧氧化温度1200℃时间30S 温度1000℃氧气流速10图2.1 图2.2湿氧氧化温度1200℃时间30S图2.3分析：温度升高，氧化层厚度变大；相同条件下，湿氧氧化相较于干氧氧化氧化层厚度变大；3.离子注入：go athenaline x loc=0.0 spac=0.02line x loc=1.0 spac=0.10line y loc=0.0 spac=0.02line y loc=2.0 spac=0.20init silicon c.boron=1e16 two.dimplant phosph dose=1e13 energy=50 tilt=7 unit.damage dam.factor=0.05 tonyplotquit图3.14.扩散：go athenaline x loc=0.0 spac=0.02line x loc=2.0 spac=0.10line y loc=0.0 spac=0.02line y loc=2.0 spac=0.20init silicon c.boron=1e16 two.ddeposit oxide thick=0.2 div=4etch oxide left p1.x=0.5method plsdiffuse time=1 hour temp=950 nitro c.phos=1e20 tsave=1 tsave.mult=10 dump.prefix=predeptonyplot -overlay predep*.str#tonyplot predep1..str#tonyplot predep10..str#tonyplot predep100..str#tonyplot predep1000..str#tonyplot predep3600..str#tonyplot predep*.strquit图 4.1图 4.2图 4.3图 4.4图 4.5图 4.6图 4.75.淀积：go athenaline x loc=0.0 spac=0.02line x loc=1.0 spac=0.10line y loc=0.0 spac=0.02line y loc=2.0 spac=0.20init silicon c.boron=1e16 two.d#deposit oxide thick=0.1 dy=0.01 ydy=0.05#deposit oxide thick=0.1 div=10#deposit oxide thick=0.1 dy=0.03 ydy=0.05deposit oxide thick=0.1 dy=0.06 ydy=0.05tonyplotqiutDy=0.01 div=10图 5.1 图 5.2Dy=0.03 dy=0.06图 5.3 图 5.4 分析：dy越大，网格越密。
微电子技术实验报告
微电子技术实验报告班级：学号：姓名：指导老师：完成日期：实验一 用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数1．实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。
2．实验原理2．1 双极型晶体（以3DG6NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理（1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即＝常数CE V BBE i I V R ∂∂=它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。
各旋扭位置为峰值电压% 80% 峰值电压范围 0～10V 功耗电阻 250ΩX 轴作用 基极电压0.05V/度 Y 轴作用阶梯选择 μ20A/极级/簇 10 串联电阻 10K 集电极极性正（+）把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1.2：VCE V BBE i I V R 10=∆∆=根据测得的值计算出i R 的值图1.1 图1.2（2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流放大系数FE h 。
晶体管接法如图1.1所示。
旋钮位置如下：峰值电压范围 10V 峰值电压% 80% 功耗电阻 50ΩX 轴 集电极电压1V/度 Y 轴 集电极电流2mA/度阶梯选择 μ20A/极集电极极性正（+）得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出CE V =10V 时，第2、4、6三根曲线对应的C I 、B I 计算出交流放大系数β>FE h 主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。
微电子工艺生产实习报告
本次微电子工艺生产实习开始于2013年2月25日，历时三周，于2013年3月15日圆满结束。
在本次实习中，预定依次完成以下任务：清洗硅片、一次氧化、光刻基区、硼扩、光刻发射区、磷扩、光刻引线孔、反刻铝、合金化、中测、划片、上架烧结、压焊、封帽及成测等工艺。
但由于实验室空间有限且人员过多，所以我所在的第二大组第6小组完成了其中的一氧、光刻基区、光刻发射区、磷扩、镀铝、压焊、封帽、成测等单项工艺。
在实习的最后两天还参观了哈尔滨晶体管厂。
硅片清洗购买回来的硅片表面会有封蜡、有机磨料、氧化物磨料等污染，为后续步骤不受污染影响，需在进行各道工序之前进行清洗。
用每一种清洗剂擦拭的时候都应该先擦背面，后擦正面，因为需将硅片放置在平面上进行擦拭，若先擦拭正面，擦拭背面的时候正面会再次被污染。
在一氧前尤其应特殊进行去油操作，原因是油膜会将硅片与水汽隔离开，无法进行湿氧氧化。
去油所用化学试剂顺序不可颠倒，因为甲苯、丙酮、乙醇对有机物的溶解能力依次下降，自身溶解能力的顺序则为：甲苯能溶于丙酮，难溶于乙醇，丙酮能溶于乙醇而难溶于水，乙醇能溶于水。
在清洗的过程中若需用水，则应使用高纯度去离子水，标准为大于10M（以电阻率计），若去离子水的纯度较低，则其中的钠离子在氧化时会进入二氧化硅层，造成PN 结漏电、MOS器件阈值电压不稳等不良后果。
一氧一氧采用干氧-湿氧-干氧交替方法，原因是干氧生长的氧化膜致密，针孔少，但速率太慢；湿氧生长的氧化膜疏松，针孔可能较多，表面潮湿，在光刻时容易浮胶，但生长速率快，可快速增加氧化层厚度。
湿氧氧化层厚度还与氧气的水浴温度有关，且温度越高生长速率越快，相同时间内氧化膜生长厚度越厚。
因为氧化是在Si-SiO2界面发生，携带水汽的氧气先溶解到已生成的二氧化硅层中，然后在高温下向Si-SiO2界面扩散并进行化学反应，而温度越高水汽在二氧化硅中的溶解度更高，向内部扩散速度越快。
在氧化过程中应采取穿超净服等措施严格避免钠离子的污染，若实在无法避免掺入了钠离子，则应适当进行掺氯氧化，目的是将不慎掺入的钠离子固定在一定区域内，降低其电活性。
电子工艺实训课实验报告
一、实验目的通过本次电子工艺实训课，使学生掌握电子元器件的识别、检测方法，熟悉手工焊接工艺，了解电子电路的安装与调试过程，培养学生的动手实践能力和团队合作精神。
二、实验内容及步骤1. 电子元器件的识别与检测（1）识别电阻、电容、电感、二极管、三极管等常用电子元器件。
（2）使用万用表检测电阻、电容、电感等元器件的阻值、容量。
2. 手工焊接工艺（1）了解焊接工具的使用方法，如电烙铁、焊锡丝、助焊剂等。
（2）学习焊接操作步骤，包括焊接前的准备、焊接过程中的注意事项等。
（3）练习焊接操作，焊接电阻、电容等元器件。
3. 电子电路的安装与调试（1）根据电路图，在PCB板上焊接元器件。
（2）检查焊接质量，确保焊接牢固、无虚焊。
（3）连接电源，进行电路调试。
（4）测试电路性能，如电压、电流、频率等。
三、实验结果与分析1. 电子元器件的识别与检测通过实验，掌握了常用电子元器件的识别方法，学会了使用万用表检测元器件的参数。
2. 手工焊接工艺在焊接过程中，注意了焊接温度、焊接时间等参数，保证了焊接质量。
通过多次练习，掌握了手工焊接的基本技能。
3. 电子电路的安装与调试根据电路图，在PCB板上正确焊接了元器件，连接电源后，电路能够正常工作。
通过调试，电路性能符合设计要求。
四、实验心得1. 本次实验使我深刻认识到电子工艺在实际应用中的重要性，掌握了电子元器件的识别、检测方法，熟悉了手工焊接工艺，了解了电子电路的安装与调试过程。
2. 在实验过程中，我学会了团队合作，与同学们共同解决问题，提高了自己的沟通能力。
3. 通过本次实验，我对电子工艺有了更深入的了解，为今后从事相关领域的工作打下了基础。
五、实验总结1. 本次实验圆满完成了预定的实验目的，达到了预期的效果。
2. 通过实验，提高了自己的动手实践能力和团队合作精神。
3. 在实验过程中，发现了一些问题，如焊接过程中虚焊现象较多，今后需加强练习，提高焊接技能。
4. 建议在今后的实验教学中，增加更多实际应用电路的焊接练习，提高学生的实际操作能力。
工艺实验报告
实验一加工方法及加工装备的归纳与调研一．车削加工1. 车削概述在车床上，工件做旋转运动，刀具做平面直线或曲线运动，完成机械零件切削加工的过程，称为车削加工。
其中工件的旋转为主运动，刀具的移动为进给运动。
车削适合加工回转零件，其切削过程连续平稳，可以加工各种内外回转体表面及端平面。
所用刀具主要是车刀，还可以用钻头，铰刀，丝锥，滚花刀等。
图1.1 车削加工主要应用范围车削加工的尺寸精度较宽，一般可达it12～it7，精车时可达it6～it5。
表面粗糙度ra数值的范围一般是6.3～0.8 2. 车床的组成车床的种类有很多，主要有卧式车床，立式车床，转塔车床等。
我们这次实验主要调研了ca6140a型卧式车床图1.2 卧式车床基本机构（1）1-床头箱；2-进给箱；3-变速箱；4-前床脚；5-溜板箱；6-刀架；7 -尾架；8-丝杠；9-光杠；10-床身；11-后床脚图1.2 卧式车床基本机构（2）12-中刀架；13-方刀架；14-转盘；15-小刀架；16-大刀架车床的基本结构如图1.2所示。
车床附件主要有三爪卡盘，四爪卡盘，顶尖，中心架和跟刀架等。
二．铣削加工1. 铣削概述在铣床上用铣刀加工工件的工艺过程叫做铣削加工。
铣削时，刀具作快速的旋转运动为主运动，工件作缓慢的直线运动为进给运动。
铣削主要用于加工各种平面，沟槽和成形面等，还可以进行分度工作，以及钻孔和镗孔。
图2.1 铣削加工的应用范围铣削可分为周铣和端铣，用端齿刀的端面刀齿加工平面称为端铣法，用圆柱铣刀的圆周刀齿加工平面称为周铣法，周铣又有逆铣法和顺铣法之分。
逆铣时，铣刀的旋转方向与工件的进给方向相反；顺铣时，则铣刀的旋转方向与工件的进给方向相同。
铣床的加工精度一般为it9～it8；表面粗糙度一般为ra6.3～1.6μm。
3. 铣床的组成铣床种类很多，常用的有卧式铣床、立式铣床、龙门铣床等。
我们这次实验主要调研了xk6125型卧式万能铣床图2.2 卧式铣床基本机构1-床身 2-电动机 3-变速机构 4-主轴 5-横梁 6-刀杆7-吊架8-纵向工作台 9-转台 10-横向工作台 11-升降台铣床的基本结构如图2.2所示，工作台可沿横，纵，垂直三个方向移动。
电子工艺实训的实验报告
一、实习背景随着科技的飞速发展，电子技术在各个领域中的应用越来越广泛。
为了使学生更好地了解电子工艺的基本原理和操作技能，提高学生的实践能力，我们学校组织了为期两周的电子工艺实训。
本次实训旨在通过实际操作，让学生掌握电子元器件的识别、焊接、调试等基本技能，培养学生的团队合作精神和创新意识。
二、实习目的1. 了解电子工艺的基本概念和流程。
2. 掌握电子元器件的识别、检测和选用方法。
3. 熟练掌握电子焊接技术和焊接工具的使用。
4. 学会电子电路的组装、调试和故障排除。
5. 培养学生的动手能力、团队合作精神和创新意识。
三、实习内容1. 电子元器件的识别与检测（1）电子元器件的分类：电阻、电容、电感、二极管、三极管、集成电路等。
（2）电子元器件的检测：使用万用表检测元器件的阻值、电压、电流等参数。
（3）电子元器件的选用：根据电路设计要求，选用合适的电子元器件。
2. 电子焊接技术（1）焊接工具：电烙铁、吸锡线、助焊剂、焊锡丝等。
（2）焊接方法：手工焊接、机器焊接等。
（3）焊接注意事项：焊接温度、焊接速度、焊接顺序等。
3. 电子电路的组装与调试（1）电路板的设计与制作：使用电路设计软件绘制电路图，制作印刷电路板。
（2）电子电路的组装：将元器件焊接在电路板上，连接电路。
（3）电子电路的调试：使用万用表检测电路的电压、电流等参数，调试电路。
4. 故障排除（1）故障现象分析：根据故障现象，分析故障原因。
（2）故障排除方法：采取相应的措施排除故障。
四、实习过程1. 理论学习（1）学习电子工艺的基本概念和流程。
（2）学习电子元器件的识别、检测和选用方法。
（3）学习电子焊接技术和焊接工具的使用。
（4）学习电子电路的组装、调试和故障排除。
2. 实践操作（1）识别和检测电子元器件。
（2）使用电烙铁进行手工焊接。
（3）组装简单的电子电路。
（4）调试电路，排除故障。
3. 团队合作（1）分组进行实验，互相学习、互相帮助。
（2）讨论实验过程中遇到的问题，共同解决。
第十章微电子工艺实验
V V1 V2
r r r r I I I ln 2 ln 4 (ln 2 ln 4 ) 2 x j r1 2 x j r3 2 x j r1 r3
如果探针排成一条直线，而且针尖距离相等，则有：
V
I V V ln 2 RS 4.5324 2 x j x j ln 2 I I
台阶仪测量膜厚
椭偏仪测量厚度
基本原理是：一束椭圆偏振光作为探针照射到样品上，由于样品对 入射光p分量和s分量有不同的反射、折射系数，因此从样品上出射 的光，其偏振状态相对于入射光来说要发生变化，利用该变化测出 厚度。
干涉条纹测量厚度
• 工作原理是： 氧化层表面的反射光与硅片表面的 反射光发生干涉现象；
二氧化硅厚度测试方法
二氧化硅膜厚度测量方法 主要包括：台阶法、干涉条纹 法、椭偏光法等； 1. 台阶法：先将氧化层刻蚀出台阶，然后利用探针绘制出 台阶曲线； 2. 干涉条纹法： 利用氧化层和硅衬底对入射光的反射干涉 现象测量氧化层厚度，不同厚度的氧化层的干涉光的颜 色不一样； 3. 椭偏光法： 也是利用氧化层和硅衬底对入射偏振光的反 射差别来测量氧化层厚度，不同厚度的氧化层对偏振光 的改变不一样。
组成部分：气路装置、炉体、石英舟。
扩
1.
散
源
固态源：含有杂质的固态片状物；氮化硼(BN)、五氧化 二磷(P2O5)、三氧化二砷 (As2O3)。通常将它们压成和硅 片大小相似的片状。 液态源：硼酸三甲酯（B(CH3O)3）、溴化硼(BBr3)、三 氯氧磷(POCl3) 、氯化砷(AsCl3)等； 气态源：乙硼烷(B2H6)、磷烷(PH3)和砷烷(AsH3)等。
以硼酸三甲酯为液态杂质源，首先B(CH3O)3 在硅片表面分解，
微电子工艺实验报告
微电子工艺实验报告微电子实习报告实习报告专业：微电子学年级：2010级姓名：xx学号：xxxxxxxxxxxxx微电子学是研究在固体材料上构成的微小型化电路、电路及系统的电子学分支。
微电子专业主要研究电子或粒子在固体材料中的运动规律及其应用，并利用它来实现一定的信号处理功能。
微电子是一门综合性很强的边缘学科，包括半导体器件物理、集成电路工艺、集成电路及系统的设计、测试等多方面的内容；涉及电磁学、量子力学、热力学与统计物理学、固体物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机辅助设计、测试和加工、化学等诸多领域。
自摩尔定律提出以来，微电子领域一直如神话般按其所预言的规律不断发展。
微电子行业的进步使计算机的计算能力成倍增加，硬件成本大幅度降低，极大地推动了信息产业和工业的发展，是现代信息业和工业的基础。
微电子专业主要培养掌握集成电路、微电子系统设计、制造工艺及设计软件系统，能在微电子及相关领域从事科研、教学、工程技术及技术管理等工作的高级专门人才。
德才兼备的大学生不仅需要广泛的通识教育、扎实的专业理论功底，更需要理论与实践相结合的正规化训练。
学校和学生个人都有义务和责任将大学生培养成为既有理论知识、又有实际动手能力的综合型人才。
实习是绝大多数大学生必须参与的一项实践教学环节，通过或长或短的实习，学生可以更深入地了解本行业各岗位的工作性质，及该领域的发展状况和发展方向，以便能结合自己的能力特点和兴趣爱好，尽早寻找到适合各人的工作定位，为自己制定更长远、更细致的职业规划。
另外，学生在实践过程中也更易于懂得如何将理论知识与具体实际相结合，做到学以致用，不断提升自己的创造能力。
在大学生活接近尾声的时候，我们也迎来了本专业的毕业实习，实习地点为北京，共历时三日。
在学院教师与辅导员的带领下，我们班同学于5月25日下午抵达北京。
短暂的休息后，次日正式开始实习。
5月26日上午，参观北京京东方半导体有限公司。
据悉，该公司为京东方科技集团股份有限公司的集团企业之一。
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电子科技大学微电子与固体电子学院
标准实验报告（实验）课程名称：微电子工艺实验
电子科技大学教务处制表
电子科技大学
实验报告
学生姓名：学号：班级
指导教师：王姝娅、钟志亲、戴丽萍、王刚
实验地点：微固搂2搂IC实验室、IC测量室、3搂机房实验时间：
一、实验室名称功率半导体器件实验室、集成电路测量分析实验室、微固体学院机房
二、实验项目名称：
三、实验学时：32
四、实验原理：
五、实验目的：
1 熟悉半导体工艺的一般步骤。
2 掌握半导体工艺各个步骤的要求。
会计算方块电阻。
3 牢记温度控制、溶液配比要求。
六、实验内容：
1熟悉实验步骤和参数要求。
2 跟据实验原理和实验步骤进行实验操作。
七、实验器材（设备、元器件）：
八、实验步骤：
九、总结及心得体会：
十、实验建议
十一、思考题：
1 怎样计算结深？
2 一扩散炉斜坡式升温（从600℃开始）15分钟，在1100℃下保温30分钟，然后在15分钟内斜坡式降温到600℃。
计算有效扩散时间。
假定是硅中的磷。
3 试说明提高光刻精度的方法？
4（100）硅片上有若干掺磷的小岛，其表面掺磷浓度为6×cm3
22
10 。
硅片在900℃下在湿氧中氧化60分钟，分别计算在掺杂区和未掺杂区的氧化层厚度。
5 试说明方块电阻与掺杂剂量或注入剂量之间的关系，并由此进一步说明方块电阻的定义。
报告评分：
指导教师签字：。