wafer_术语
半导体mfg生产制造中常用的英文单词
在半导体制造（Semiconductor Manufacturing）行业中，有许多专业术语和英文单词频繁出现，以下是一些常见的：1. Wafer - 晶圆，硅片2. Die - 芯片裸片3. Photolithography - 光刻技术4. Etching - 刻蚀5. Deposition - 沉积，包括物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）6. Ion Implantation - 离子注入7. Cleaning - 清洗8. Thermal Oxidation - 热氧化9. Diffusion - 扩散工艺10. Thin Film Transistor (TFT) - 薄膜晶体管11. Mask - 防护层、光罩12. Doping - 掺杂13. CMP (Chemical Mechanical Polishing) - 化学机械平坦化14. Sputtering - 溅射15. Bonding - 封装时的绑定过程16. Probe - 测试探针17. Final Test - 最终测试18. Packaging - 封装19. Silicon Wafer Fab - 晶圆厂20. Yield - 产出率，良率此外，还有许多与质量管理、设备维护、生产控制相关的词汇，例如：- Process Control - 工艺控制- Defect Inspection - 缺陷检测- Metrology - 测量科学- End-of-Line (EOL) Testing - 生产线末尾测试- Quality Assurance (QA) - 质量保证- Failure Analysis (FA) - 失效分析这些词汇共同构成了半导体制造行业的语言基础。
半导体行业的英单词和术语
半导体行业的英单词和术语1. Semiconductor（半导体）：指一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，广泛应用于电子器件中。
3. Integrated Circuit（集成电路）：简称IC，将大量的微小电子元件（如晶体管、电阻、电容等）集成在一块半导体芯片上。
4. Transistor（晶体管）：一种半导体器件，具有放大信号和开关功能，是现代电子设备的基础组件。
5. Diode（二极管）：一种具有单向导通特性的半导体器件，常用于整流、稳压等电路。
6. MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）：一种常见的晶体管类型，广泛应用于放大器和开关电路。
7. CMOS（互补金属氧化物半导体）：一种集成电路技术，采用NMOS和PMOS晶体管组合，具有低功耗、高集成度等优点。
8. Wafer（晶圆）：指经过切割、抛光等工艺处理的半导体材料，用于制造集成电路。
9. Photolithography（光刻）：在半导体制造过程中，利用光刻技术将电路图案转移到晶圆上的过程。
10. Etching（刻蚀）：在半导体制造过程中，通过化学反应或物理方法去除晶圆表面不需要的材料。
11.掺杂（Doping）：在半导体材料中引入其他元素，以改变其导电性能。
12. Chip（芯片）：指经过封装的集成电路，是电子设备的核心组成部分。
13. PCB（印刷电路板）：一种用于支撑和连接电子元件的板材，上面布满了导电线路。
14. Moore's Law（摩尔定律）：指集成电路上可容纳的晶体管数量大约每两年翻一番，预测了半导体行业的发展趋势。
15. EDA（电子设计自动化）：指利用计算机软件辅助设计电子系统，包括电路设计、仿真、验证等环节。
16. Foundry（代工厂）：专门为其他公司生产半导体芯片的企业。
17. Semiconductor Equipment Manufacturer（半导体设备制造商）：为半导体行业提供生产设备的公司。
半导体行业专业知识-wafer知识
28. Spacer的主要功能?
答:①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;
②作为Contact Etch时栅极的保护层。
8. 工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?
答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF 又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF 包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。
⑥Poly的Re-oxidation(二次氧化)。
22. Poly(多晶硅)栅极的刻蚀(etch)要注意哪些地方?
答:①Poly 的CD(尺寸大小控制;
②避免Gate oxie 被蚀刻掉,造成基材(substrate)受损.
23. 何谓 Gate oxide (栅极氧化层)?
答:用来当器件的介电层,利用不同厚度的 gate oxide ,可调节栅极电压对不同器件进行开关
答:Poly CD(多晶硅尺寸)、Gate oxide Thk(栅氧化层厚度)、AA(有源区)宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp. 条件。
38. 什幺是Vt? Vt 代表什幺意义?
答:阈值电压(Threshold Voltage),就是产生强反转所需的最小电压。当栅极电压Vg<Vt 时, MOS处于关的状态,而Vg〉=Vt时,源/漏之间便产生导电沟道,MOS处于开的状态。
fab晶圆厂常用半导体术语
fab晶圆厂常用半导体术语【最新版】目录1.晶圆厂与半导体的关系2.常用半导体术语概述3.详细解释常用半导体术语正文晶圆厂是半导体制造中的一个重要环节，它负责将设计好的半导体芯片生产出来。
半导体行业有很多专业术语，对于非专业人士来说可能比较难以理解。
这里，我们将详细介绍一些常用的半导体术语，以便大家更好地了解半导体制造过程。
首先，让我们了解一下晶圆厂与半导体的关系。
晶圆厂的主要任务是将半导体材料制成芯片，而半导体材料具有特殊的电导率特性，可以实现电子器件的微型化。
因此，半导体是晶圆厂生产的芯片的主要成分。
在半导体制造过程中，有很多专业术语，下面我们将详细解释一些常用的半导体术语。
1.晶圆（Wafer）：晶圆是半导体制造的基本单位，通常由硅单晶制成。
晶圆的表面被清洗干净，以便在上面制造半导体器件。
晶圆在半导体制造过程中具有非常重要的地位，因为所有的半导体器件都是在晶圆上制造的。
2.光刻（Lithography）：光刻是半导体制造中的一种重要工艺，它通过将光敏树脂涂在晶圆上，然后将其暴露在特定波长的光下，从而在晶圆上形成所需的图案。
这个过程可以重复多次，以制造出复杂的半导体结构。
3.刻蚀（Etching）：刻蚀是半导体制造中另一种重要的工艺，它通过化学或物理方法将晶圆表面的材料去除，以形成所需的形状和结构。
刻蚀通常与光刻结合使用，以制造出复杂的半导体器件。
4.掺杂（Doping）：掺杂是半导体制造中的一种工艺，通过向半导体材料中添加特定的杂质元素，可以改变半导体的电导率。
掺杂分为 n 型掺杂和 p 型掺杂，分别用于制造 n 型半导体和 p 型半导体。
5.氧化（Oxidation）：氧化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层氧化物，可以提高半导体的稳定性和可靠性。
氧化层通常用于制造 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）等半导体器件。
6.金属化（Metallization）：金属化是半导体制造中的一种工艺，通过在半导体表面形成一层金属导电层，可以实现半导体器件的电连接。
半导体专业术语英语..
半导体专业术语英语半导体是当今最重要的技术领域之一。
随着半导体技术的不断发展，半导体专业术语英语越来越重要。
在本文中，我们将介绍一些常见的半导体专业术语英语，帮助读者更好地理解和掌握半导体技术。
基本概念1.Semiconductor：半导体2.Doping：掺杂3.Carrier：载流子4.Hole：空穴5.Electron：电子6.Bandgap：能隙7.Mobility：迁移率8.Resistivity：电阻率9.Conductivity：电导率10.PN Junction：PN结11.Schottky Junction：肖特基结半导体晶体结构1.Crystal：晶体ttice：晶格3.Unit Cell：单元胞4.Wafer：晶片5.Silicon Wafer：硅晶片6.Epitaxy：外延7.Deposition：沉积8.Etch：蚀刻9.Annealing：退火典型器件1.Transistor：晶体管2.Diode：二极管3.Capacitor：电容器4.Resistor：电阻器5.Inductor：电感器6.MOSFET：MOS场效应晶体管7.BJT：双极性晶体管8.LED：发光二极管9.IGBT：绝缘栅双极晶体管10.SCR：可控硅制程工艺1.Lithography：光刻2.Ion Implantation：离子注入3.Chemical Vapor Deposition (CVD)：化学气相沉积4.Physical Vapor Deposition (PVD)：物理气相沉积5.Wet Etch：湿法蚀刻6.Dry Etch：干法蚀刻7.Annealing：退火8.Configurations：构型9.Metrology：计量学10.Yield：良率11.Process Integration：制程集成半导体技术对现代社会的影响越来越大，而英语是半导体专业中的重要工具之一。
学习和掌握半导体专业术语英语，有助于提高在半导体行业的各种交流和合作能力。
半导体行业专业知识-wafer知识
PIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer 工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
wafer
LED back end什么意思浏览次数：488次悬赏分：10 |解决时间：2010-9-24 15:52 |提问者：firelifespy请明白人费心详细解答：LED中的术语back end是什么意思？问题补充：在一份LED产业报告中提及，其中把back end列为LED主要成本构成之一最佳答案同意“构装、测试制程为后段（Back End）制程”上海升美——点亮你的生活！一、半导体元件制造过程1、前段（Front End）制程1）晶圆处理制程（Wafer Fabrication；简称Wafer Fab）晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最后进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。
2）晶圆针测制程（Wafer Probe）经过Wafer Fab之制程后，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（Ink Dot），此程序即称之为晶圆针测制程（Wafer Probe）。
然后晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒。
2、后段（Back End）制程1）封装（Packaging）测试制程（Initial Test and Final Test）利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路目的：是为了制造出所生产的电路的保护层，避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。
半导体行业专业知识-wafer知识
PIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer 工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程术语解析.
BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程术语解析BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程术语解析1、Active parts(Devices) 主动零件指主机板上的组装焊接，是芯片连接以外的另一领域塌焊法。
12、Capacitance 电容当两导体间有电位差存在时，其介质之中会集蓄电能量，些时将会有"电容"出现。
其数学表达方式C＝Q／V，即电容(法拉)＝电量(库伦)／电压(伏特)。
若两导体为平行之平板(面积 A)，而相距 d，且该物质之介质常数(Dielectric Constant)为ε时，则C＝εA／d。
故知当A、d不变时，介质常数愈低，则其间所出现的电容也将愈小。
13、Castallation堡型集成电路器是一种无引脚大型芯片(VLSI)的瓷质封装体，可利用其各垛口中的金属垫与对应板面上的焊垫进行焊接。
此种堡型 IC 较少用于一般性商用 IC互连，才能发挥显像的功能。
目前各类大型IC仍广采QFP封装方式，故须先将 QFP安装在PCB上，然后再用导电胶(如Ag/Pd膏、Ag膏、单向导电胶等) 与玻璃电路板互连结合。
新开故的做法是把结合的外形，很像海鸥展翅的样子，故名"鸥翼脚"。
其外形尺寸目前在 JEDEC 的 MS-012 及 -013 规范下，已经完成标准化。
35、Integrated Circuit(IC) 集成电路器在多层次的同一薄片基材上(硅材)，布置许多微小的电子组件(如电阻、电容、半导体、二极管、晶体管等)，以及各种微小的互连(Interconnection)导体线路等，所集合而成的综合性主动零件，简称为 I.C.。
36、J-Lead J 型接脚是 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)"塑料晶(芯)片载体"(即 VLSI) 的标准接脚方式，由于这种双面接脚或四面脚接之中大型表面黏装组件，具有相当节省板子的面积及焊后容易清洗的优点，且未焊装前各引脚强度也甚良好不易变形，比另一种鸥翼接脚(Gull Wing Lead)法更容易维持"共面性"(Coplanarity)，已成为高脚数SMD 在封装(Packaging)及组装(Assembly)上的最佳方式。
半导体制造技术的一些名词含义!
晶圆（Wafer）晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。
一般晶圆制造厂，将多晶硅融解后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。
一支85公分长，重76.6公斤的8吋硅晶棒，约需2天半时间长成。
经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料晶圆片。
光学显影光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻下面的薄膜层或硅晶上。
光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。
小尺寸之显像分辨率，更在IC 制程的进步上，扮演着最关键的角色。
由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。
因此俗称此区为黄光区。
干式蚀刻技术在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。
干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。
电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。
首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。
此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷。
晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面。
芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色。
基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行：1. 电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化。
如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出。
2. 电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（sputtering）出来。
化学气相沉积技术化学气相沉积是制造微电子组件时，被用来沉积出某种薄膜(film)的技术，所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrics)、导体、或半导体。
fab晶圆厂常用半导体术语
fab晶圆厂常用半导体术语半导体技术是现代电子产业的基石，而晶圆厂作为半导体制造的核心环节，扮演着重要的角色。
在晶圆厂中，有许多常用的半导体术语，下面就来介绍一些生动、全面、有指导意义的术语。
1. 晶圆（Wafer）：指的是半导体的基础材料，一般由硅单晶片制成，具有圆形的形状。
晶圆在半导体制造过程中承载着电子元件的制造和集成。
2. 工艺流程（Process Flow）：是指半导体制造过程中的一系列工序，包括沉积、蚀刻、光刻、扩散、离子注入等。
不同的工艺流程能够实现不同的电子元件功能。
3. 晶圆复用（Wafer Reclaim）：指的是将已经使用过的晶圆进行清洗、抛光，去除表面污染和损伤，以便重新利用的过程。
晶圆复用可以节省成本和资源。
4. 掩膜（Mask）：用于光刻工艺中的模板，上面有电子元件的结构图案。
通过光刻，将掩膜上的图案转移到晶圆上，形成电路和器件。
5. 纯化（Purification）：指的是制造高纯度硅晶圆的过程。
高纯度硅晶圆的纯度要求非常高，能够确保半导体元件的性能和可靠性。
6. 掺杂（Doping）：是向半导体材料中加入杂质原子的过程，目的是改变材料的电导性质。
通过掺杂，可以形成p型和n型半导体，实现电子元件的特定功能。
7. 脱膜（Etching）：是指在蚀刻工艺过程中，将晶圆上特定区域的材料蚀刻掉，形成所需的结构图案。
脱膜可以通过化学液体或物理力量实现。
8. 化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition，CVD）：是一种常用的沉积工艺，通过在加热的晶圆表面，使气体中的化学物质反应并沉积在晶圆上。
CVD可以用来制造薄膜材料和气体反应器。
9. 电测（Electrical Testing）：是指对晶圆上制造的电子元件进行功能和性能测试的过程。
通过电测，可以判断半导体元件是否符合规格要求。
10. 包装封装（Packaging）：对制造好的半导体芯片进行包装和封装，以保护芯片并提供外部连接。
材料科学专业英语词汇（W）_材料专业英语词汇
wad 锰土；封[匣] 钵土wafer 晶圆wafer alignment 晶圆对准wafer automatic transfer system 晶圆自动传送系统wafer breaking equipment 晶圆劈开设备wafer burn-in 晶圆老化测试wafer burn-in system 晶圆老化测试系统wafer cassette 晶圆输送盒wafer chaner 晶圆更换机wafer cooling stage 晶圆冷却夹片台wafer disk 晶圆圆盘wafer distortion 晶圆变形wafer dose uniformity 晶圆离子注入均质性wafer end 晶圆测试完毕信号wafer frame 晶圆框架wafer frame cassette 晶圆框架输送盒wafer group closing mechanism 晶圆群靠拢机构wafer heating mechanism 晶圆加热机构wafer hoist 晶圆交接升降装置wafer holder 晶圆保持器wafer id 晶圆识别记号wafer leveling 晶圆调平wafer map 晶圆图表wafer mounter 晶圆固定机，晶圆上片机wafer notch chamfering machine 晶圆缺口去角取面机wafer prober 晶圆探测器wafer profile recognition 晶圆外形识别wafer rotation error 晶圆对准旋转误差wafer scanner 晶圆扫描机wafer sheet 晶圆黏胶片wafer sheet hot blow 对晶圆黏胶片吹热风wafer shipping box 晶圆输送盒wafer stage 晶圆载物台wafer stage chuck 晶圆载物吸盘wafer surface inspection 晶圆表面检查wafer table 晶圆固定工作台wafer tape 晶圆黏胶带wafer test/probe test 晶圆测试/探针测试wafer tilt 晶圆倾斜wafer tilting 晶圆倾斜转动wafer twist 晶圆扭转wafer-to -wafer dose uniformity 晶圆间离子值入之均质性wafers 晶片wagner breakdown 华网崩溃walker abrader 华克磨耗仪wall angle 墙壁角wall primer 墙底漆wall tile 壁面砖wall-tile cleaners 墙砖清洁剂wallboard 墙板warp 经纱warp knitting 织经纱warp size 经纱浆料warp sizing 经纱上浆warpage 翘曲warps 经纱war[omg 整经wash primers 耐洗底浆废料wash-and-wear 易洗免烫wash-and-wear fabrics 易洗免烫织物wash-and-wear finishes 易洗免烫尾工wash-mill 洗泥机(泥)washfastness 耐洗度waste 废料waste fluid separator 废液自动分离机waste problems 废料问题waste treatment water 废料处理水waste-heat dryer 余热乾燥室waster 废砖waster absorption 吸水率water canteen 水瓶water cellulose 水纤维water color paints 水彩油漆water conservation 水保持water deionization 水消电离water glass 水玻璃water jet honing machine (塑模溢料)残渣喷水清除机water markwater spot water permeability 透水性water polishing 水抛光water proofing 防水；耐水water repellency 拒水性water repllents 拒水剂water smoking period 烘烤时期；水燻期(陶) water softeners 软水剂water softening 软水法water spot 水斑water stain 水迹(玻)water streak 水纹(搪)water treatment 水处理water-extended polyesters 水稀聚酯water-slurry process 水浆法water-soluble functional coatings 水溶性涂膜water-soluble polyesters 水溶性聚酯water-soluble polymers 水溶性聚体water-vapor permeability 水汽透性waterfall process 淋釉法waterline 水线(搪)watermark 浮水印waterproof clothing 防水布料waterproofing 防水性wather glass 防风雨玻璃wave 波；波纹wave guide 离子波束引导管，导波管wave number 波值wave scanner 波形扫描器waveform measurement function 波形测试功能waveform pattern editor 波形图案编辑器wavelength 波长wax 蜡wax blush 蜡泛白wax modifiers 蜡改性剂wax separator 分蜡机wax set 蜡凝waxless polishing/non wax polishing 不需胶住之晶圆研磨waxy starches 蜡状淀粉weak bonds 弱键weak boundary layers 弱界层weak polyelectrolytes 弱多电解质weak-link scission 弱连切断weapons 武器wear 磨耗wear rating 磨耗品级wear resistance 耐磨度wear resistant steel 耐磨钢weather 气候weather fastness 耐候性weathering 风蚀weaving 编织weaving looms 编织机web 腹板web formation 网层结合webcell dialyzer 网胞渗析器wedge bonder 楔形接合机wedge bonding 楔形接合，楔形压接wedge brick 楔形砖wedge pyrometer 楔形高温计(玻)wedged tool 楔形压接工具wedging 揉泥法wedging table 揉泥台weft knitting 纬织weft knitting machines 纬织机weft yarn 纬纱weibull plot 威伯尔图表weighing feeder 定量饲机(泥)weight determination 重量测定weight distribution 重量分布weight fraction crystallinity 重份结晶度weight-average chain length 重量平均链长weight-average degree of polymerization 重量平均聚合度weight-average molecular weight 重量平均分子量weighting 称重weissenberg rheogoniometer 怀生堡流变测器welding 焊接welding, hot gas 热气焊接wet basis 湿基准wet cleaning equipment 湿式洗涤装置wet coating 湿涂膜wet etching system 湿式蚀刻系统wet extrusion 湿法挤压wet fixation 湿法固定wet granulation 湿法制粒wet layup 湿法叠涂wet milling process 湿磨法wet modulus 湿模数wet pan 湿辗机wet powder honing machine 湿式溢料残渣研磨料喷射清除机wet pressing 湿压wet process 湿法wet spinning 湿纺wet station 湿式洗涤站wet strength 湿劲wet tensile breaking strength 湿法拉断劲wet type resist stripping system 湿式抗蚀剂剥离系统wet wrinkle recovery 湿法退皱wet-end addition 湿端加成wet-strength paper 耐水纸wet-strength resins 湿强树脂wetfastness 耐泡保色性wettability 可湿性wetting agents 润湿剂wetting-off 淬断(玻)wheel guard 磨轮保障罩wheel head 磨轮头wheel spindle 磨轮轴wheel-type blowmolding machine 轮式吹模机wheelabrator 砂粒喷磨机wheeling 拉旋坯wheels 力轮whetstone 磨石whirler 转盘whisker fibers 晶丝纤维whiskers 晶丝whisky 威土忌酒white acid 白酸(玻)white balance 白色平衡处理white cement 白水泥white dextrins 白糊精white glues 白胶white ground coat 白底涂white lead 铅白white rot 白腐瘢white spot 白斑whiteners 发白剂whiteness retention 保白whiteware 白陶瓷品whitewash 刷白料whiting 白垩粉whizzer blade 风轮叶(泥)wicket 窑门；炉口wicking 聚然吸收能量wide-line spectra 宽线光谱wien effect 维恩效应wigs 假发willemite 矽锌矿(从矿)willow blue 柳青winding 绕线winding machines,circular 圆型绕线机winding machines,rectangular 方型绕线机winding methods 绕线法winding patterns 绕线图案window frames 窗框wine 酒winyl 2-bromopelargonate2- 溴壬酸乙烯winyl 2-ethyl hexyl phthalate2- 乙基已酸乙烯winyl 2-phenylbutyrate2- 苯基丁酸乙烯winyl pelargonate 壬酸乙烯wire 线wire and cable 线缆包披wire bobbin 卷线筒wire bonding 连线焊接wire clamp 线夹wire curl 引线变曲，引线卷曲wire cutting 钢丝切坯wire deformation/wire sweep 引线变形/引线弯曲wire feed 馈线wire feed angle 馈线角度wire glass 夹网玻璃wire loop 弧状连接线wire reel 卷线轴wire running method 绕线方式wire sagging 引线垂度wire saw 钢线铝wire tension 引线张力wire tough 引线托触wireless bonding 无接线接合wiring skew 布线失真，布线时项差witherite 碳酸钡矿wollastonite 天然矽酸面wood 木材wood adhesives 胶木wood beam,loaded 载重木梁wood fiberboard 木纤维板wood flour 木粉wood furniture 木制家具wood imitations 假木制品wood particles 木屑wood pulp 木纸浆wood rays, 木断纹wood rosin 木松脂wood,compressed 压成木材wood,green 新伐木wood,resin-impregnated 注胶木材wood,styrene-treated 苯乙烯处理木材wood-graining coatings 木纹涂膜wool 羊毛wool and hair fibers 羊毛毛发纤维wool felts 毛毡wool fibers 毛纤维wool textiles 羊毛织物wool wax 羊毛蜡wool-acrylic blends 羊毛亚克力掺和物wool-dyeing rayon 羊毛染色缧萦wool-nylon blends 羊毛耐隆掺和物wool-polyester blends 羊毛聚酯掺和物wool-water system 羊毛水系统woolwn yarn 毛纱，毛线work clamp 工件夹work damage layer defect 加工层损伤缺陷work head 工作主轴台work holder 工件固定座work holder clamp 工件固定座夹work recovery 退力复旧变梳毛纱work spindle 工作主轴work spindle stock 磨轮轴旋台workability 可加工性(陶)working end 工作端(玻)working life 堪用期working mould 工作模working range 工作[温度]范围worm conveyer 螺[旋]运[送]机worsted yarn 编织物woven felts 织毡wrapping materials 包里物料wright etching 赖特蚀刻wrinkle recovery 旧痕复原wrinkle resistance 耐皱度wrinkling 起皱write error 写入错误write error allowance 写入错误容限write fail 写入失误wyzenbeek test 威士伯试验。
半导体行业英语专业术语
半导体行业英语专业术语1.Angle of incidence：入射角。
2.Dielectric：介电质。
3.Epitaxial Growth：外延生长。
4.Junction：结。
5.MOS transistor：MOS晶体管。
6.Lithography：光刻。
7.Photoresist：光刻胶。
8.Picking：取片。
9.Reflow soldering：热风焊接。
10.Deposition：沉积。
11.Diffusion：扩散。
12.Doping：掺杂。
13.Epitaxy：外延。
14.Furnace：炉。
15.Gate oxide：栅极氧化层。
16.Grinding：研磨。
17.Ion Implantation：离子注入。
18.Polishing：抛光。
19.Substrate：基底。
20.Chip：芯片。
21.Wafer：晶圆。
22.Yield：良率。
23.Masking：掩模。
24.Electrical Characterization：电性测试。
25.Suitability Test：可靠性测试。
26.Failure Analysis：失效分析。
27.Annealing：退火。
28.Threshold Voltage：阈值电压。
29.Voltage Transfer Curve：电压传递曲线。
30.Contact Resistance：接触电阻。
31.Electromigration：电迁移。
32.Inspection：检验。
33.CMP：表面处理。
34.CVD：化学气相沉积。
35.Metallization：金属化。
36.Microscopy：显微镜。
37.Ohmic Contact：正性接触。
38.Oxidation：氧化。
39.PECVD：电演化学气相沉积。
40.Photolithography：光刻工艺。
41.Sputtering：溅射。
42.Thermal Oxidation：热氧化。
半导体行业专业知识-wafer知识
5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义?
答:是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义?
13. 一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分?
答:①前段(frontend)-元器件(device)的制造过程。
②后段(backend)-金属导线的连接及护层(passivation)
14. 前段(frontend)的工艺大致可区分为那些部份?
答:①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
16. AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途?
答:Active Area, 即有源区,是用来建立晶体管主体的位置所在,在其上形成源、漏和栅极。两个AA区之间便是以STI来做隔离的。
17. 在STI的刻蚀工艺过程中,要注意哪些工艺参数?
答:①STI etch(刻蚀)的角度;
②STI etch 的深度;
11. 为何需要zero layer?
答:芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。
12. Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义?
答:Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。
答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
wafer术语
W afer晶片wafer alignment晶圓對準wafer automatic transfer system晶圓自動傳送系統wafer breaking equipment晶圓劈開設備wafer burn-in晶圓老化測試wafer burn-in system晶圓老化測試系統wafer cassette晶圓輸送盒wafer chaner晶圓更換機wafer cooling stage晶圓冷卻夾片臺wafer disk晶圓圓盤wafer distortion晶圓變形wafer dose uniformity晶圓離子注入均質性wafer end晶圓測試完畢信號W afer Fabrication晶圓製程wafer frame晶圓框架wafer frame cassette晶圓框架輸送盒wafer group closing mechanism晶圓群靠攏機構wafer heating mechanism晶圓加熱機構wafer hoist晶圓交接升降裝置wafer holder晶圓保持器wafer ID晶圓識別記號wafer leveling晶圓調平wafer map晶圓圖表wafer mounter晶圓固定機，晶圓上片機wafer notch chamfering machine晶圓缺口去角取面機W afer probe晶圓探針wafer prober晶圓探測器wafer profile recognition晶圓外形識別wafer rotation error晶圓對準旋轉誤差wafer scanner晶圓掃描機wafer sheet晶圓黏膠片wafer sheet hot blow對晶圓黏膠片吹熱風wafer shipping box晶圓輸送盒wafer stage晶圓載物臺wafer stage chuck晶圓載物吸盤wafer surface inspection晶圓表面檢查wafer table晶圓固定工作臺wafer tape晶圓黏膠帶wafer test/probe test晶圓測試/探針測試wafer tilt晶圓傾斜wafer tilting晶圓傾斜轉動wafer twist晶圓扭轉wafer-to -wafer dose uniformity晶圓間離子值入之均質性wall angle牆壁角warp翹區，扭曲waste fluid separator廢液自動分離機water jet honing machine(塑模溢料)殘渣噴水清除機water mark水痕water polishing水拋光W att瓦特W ave equation波動方程式wave guide離子波束引導管，導波管wave scanner波形掃描器W ave shaping波形形式wave tracer波形追蹤器waveform analyzer波形分析儀waveform digitizer波形數位轉換器waveform measurement function波形測試功能waveform pattern editor波形圖案編輯器waveform synthesizer波形合成器waveguide波導waxless polishing非膠接拋光waxless polishing/non wax polishing不需膠住之晶圓研磨wedge bonder楔形接合機wedge bonding楔形接合，楔形壓接wedged tool楔形壓接工具W eibull plot威伯爾圖表W ein bridge oscillator韋氏電橋振盪器wet cleaning equipment濕式洗滌裝置wet etching濕蝕刻wet etching system濕式蝕刻系統wet powder honing machine濕式溢料殘渣研磨料噴射清除機wet station濕式洗滌站wet type resist stripping system濕式抗蝕劑剝離系統wettability濕潤度，濕潤性Wheatstone bridge惠斯登電橋wheel guard磨輪保障罩wheel head磨輪頭wheel spindle磨輪軸white balance白色平衡處理wicking聚然吸收能量Wideband amplifier寬頻放大器Wilson mirror威爾遜電流鏡wire鋼線wire bobbin捲線筒wire bonding焊接線法wire clamp線夾wire curl引線變曲，引線捲曲wire deformation/wire sweep引線變形/引線彎曲wire feed饋線wire feed angle饋線角度wire loop弧狀連接線wire reel捲線軸wire running method繞線方式wire sagging引線垂度wire saw鋼線鋁wire tension線張力wire tough引線托觸Wire W ound Resistor線繞電阻器wireless bonding無接線接合wiring skew布線失真，布線時項差WLP W afer Level Package晶圓級封裝W ork Bench重量型工作桌work clamp工件夾work damage layer defect加工層損傷缺陷work head工作主軸臺work holder工件固定座work holder clamp工件固定座夾work spindle工作主軸work spindle stock磨輪軸旋臺work-plane工作面(被照面)Wright etching賴特蝕刻write error寫入錯誤write error allowance寫入錯誤容限write fail寫入失誤x-parametersX參數X-rayＸ射線X-ray alignerx線對準曝光器X-ray crystallographyＸ射線結晶學X-ray diffractometryX光繞射法X-ray fluorescence spectroscopyX光螢光光學譜X-ray fluorescene coating thichness gauge螢光x射線鍍測厚儀X-ray full wafer alignerx線整片晶圓對準曝光器X-ray inspection equipment x光檢驗裝置X-ray photoelectron spectroscopyX光光電子光譜學X-ray topographyX線形貌學X-WindowX視窗X-Y axis positioning accuracyX-Y軸定位精確度X-Y stage/X-Y table縱橫移動載物臺/縱橫移動載物盤XOR, exclusive or互斥析取XY coordinator XY座標儀y-parameters Y參數YAG laserYAG雷射YC separate亮度色純度分離處理yield良率，合格率。
半导体行业专业知识-wafer知识
PIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率（yield）稳定良好。
2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺？未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer 工艺？答：当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 工艺水平已达0.13um工艺。
未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4. 我们为何需要300mm?答：wafer size 变大，单一wafer 上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200→300 面积增加2.25倍,芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽。
当栅极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快。
6. 从0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的technology改变又代表的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7. 一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型（type）,何谓 N, P-type wafer?答：N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素，例如：P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂positive 元素(3价电荷元素, 例如：B、In)的硅片。
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硅片行业术语大全(中英文对照I-Z)Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut.晶锭- 由多晶或单晶形成的圆柱体，晶圆片由此切割而成。
Laser Light-Scattering Event - A signal pulse that locates surface imperfections on a wafer.激光散射- 由晶圆片表面缺陷引起的脉冲信号。
Lay - The main direction of surface texture on a wafer.层- 晶圆片表面结构的主要方向。
Light Point Defect (LPD) (Not preferred; see localized light-scatterer)光点缺陷(LPD) （不推荐使用，参见“局部光散射”）Lithography - The process used to transfer patterns onto wafers.光刻- 从掩膜到圆片转移的过程。
Localized Light-Scatterer - One feature on the surface of a wafer, such as a pit or a scratch that scatters light. It is also called a light point defect.局部光散射- 晶圆片表面特征，例如小坑或擦伤导致光线散射，也称为光点缺陷。
Lot - Wafers of similar sizes and characteristics placed together in a shipment.批次- 具有相似尺寸和特性的晶圆片一并放置在一个载片器内。
Majority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is dominant in a specific region, such as electrons in an N-Type area.多数载流子- 一种载流子，在半导体材料中起支配作用的空穴或电子，例如在N型中是电子。
Mechanical Test Wafer - A silicon wafer used for testing purposes.机械测试晶圆片- 用于测试的晶圆片。
Microroughness - Surface roughness with spacing between the impurities with a measurement of less than 100 μm.微粗糙- 小于100微米的表面粗糙部分。
Miller Indices, of a Crystallographic Plane - A system that utilizes three numbers to identify plan orientation in a crystal.Miller索指数- 三个整数，用于确定某个并行面。
这些整数是来自相同系统的基本向量。
Minimal Conditions or Dimensions - The allowable conditions for determining whether or not a wafer is considered acceptable.最小条件或方向- 确定晶圆片是否合格的允许条件。
Minority Carrier - A carrier, either a hole or an electron that is not dominant in a specific region,such as electrons in a P-Type area.少数载流子- 在半导体材料中不起支配作用的移动电荷，在P型中是电子，在N型中是空穴。
Mound - A raised defect on the surface of a wafer measuring more than 0.25 mm.堆垛- 晶圆片表面超过0.25毫米的缺陷。
Notch - An indent on the edge of a wafer used for orientation purposes.凹槽- 晶圆片边缘上用于晶向定位的小凹槽。
Orange Peel - A roughened surface that is visible to the unaided eye.桔皮- 可以用肉眼看到的粗糙表面Orthogonal Misorientation -直角定向误差-Particle - A small piece of material found on a wafer that is not connected with it.颗粒- 晶圆片上的细小物质。
Particle Counting - Wafers that are used to test tools for particle contamination.颗粒计算- 用来测试晶圆片颗粒污染的测试工具。
Particulate Contamination - Particles found on the surface of a wafer. They appear as bright points when a collineated light is shined on the wafer.颗粒污染- 晶圆片表面的颗粒。
Pit - A non-removable imperfection found on the surface of a wafer.深坑- 一种晶圆片表面无法消除的缺陷。
Point Defect - A crystal defect that is an impurity, such as a lattice vacancy or an interstitial atom. 点缺陷- 不纯净的晶缺陷，例如格子空缺或原子空隙。
Preferential Etch -优先蚀刻-Premium Wafer - A wafer that can be used for particle counting, measuring pattern resolution in the photolithography process, and metal contamination monitoring. This wafer has very strict specifications for a specific usage, but looser specifications than the prime wafer.测试晶圆片- 影印过程中用于颗粒计算、测量溶解度和检测金属污染的晶圆片。
对于具体应用该晶圆片有严格的要求，但是要比主晶圆片要求宽松些。
Primary Orientation Flat - The longest flat found on the wafer.主定位边- 晶圆片上最长的定位边。
Process Test Wafer - A wafer that can be used for processes as well as area cleanliness.加工测试晶圆片- 用于区域清洁过程中的晶圆片。
Profilometer - A tool that is used for measuring surface topography.表面形貌剂- 一种用来测量晶圆片表面形貌的工具。
Resistivity (Electrical) - The amount of difficulty that charged carriers have in moving throughoutmaterial.电阻率（电学方面）- 材料反抗或对抗电荷在其中通过的一种物理特性。
Required - The minimum specifications needed by the customer when ordering wafers.必需- 订购晶圆片时客户必须达到的最小规格。
Roughness - The texture found on the surface of the wafer that is spaced very closely together.粗糙度- 晶圆片表面间隙很小的纹理。
Saw Marks - Surface irregularities锯痕- 表面不规则。
Scan Direction - In the flatness calculation, the direction of the subsites.扫描方向- 平整度测量中，局部平面的方向。
Scanner Site Flatness -局部平整度扫描仪-Scratch - A mark that is found on the wafer surface.擦伤- 晶圆片表面的痕迹。
Secondary Flat - A flat that is smaller than the primary orientation flat. The position of this flat determines what type the wafer is, and also the orientation of the wafer.第二定位边- 比主定位边小的定位边，它的位置决定了晶圆片的类型和晶向。
Shape -形状-Site - An area on the front surface of the wafer that has sides parallel and perpendicular to the primary orientation flat. (This area is rectangular in shape)局部表面- 晶圆片前面上平行或垂直于主定位边方向的区域。
Site Array - a neighboring set of sites局部表面系列- 一系列的相关局部表面。
Site Flatness -局部平整-Slip - A defect pattern of small ridges found on the surface of the wafer.划伤- 晶圆片表面上的小皱造成的缺陷。