模拟电子技术试题A答案及评分标准

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惠州学院期末考试试卷（ B ）卷

（ 2009 —— 2010 学年度第 二 学期）

考试科目 模拟电子技术 考试时间 题 次 一

二

三

四

五

六

七

八

九

十

总分

得 分

评卷人签名

二、 判断题(每题1分，共10分)

1. 半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。（ 对 ）

2. 三极管共集电极电路的发射极电阻R e 可以稳定静态工作点。（ 对）

3. 结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大

的特点。（对 ）

4. 差分放大电路采用双端输出时，在理想对称情况下其共模抑制比为无穷大。（对 ）

5. 只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。(错 )

6. 可以用电子电压表测量三极管放大电路的静态工作电压。（ 错 ）

7. 共集电极电路的输入阻抗高，输出阻抗低，电压放大倍数大。（ 错 ）

8. 过零比较器的抗干扰能力比迟滞比较器强。（ 错 ）

9. 互补输出级应采用共集或共漏接法。( 对)

10. 乙类功率放大电路的效率最高，理论上可达78.5％，但存在交越失真。（ 对）

一、 填空题（每空1分，共28分）

1. 当 PN 结正向偏置时，扩散电流 大于_漂移电流，耗尽层 变窄 。当 PN 结反向偏置时，

扩散电流_小于_漂移电流。 （填大于、小于、等于、不变、变宽、变窄 ） 2. 三极管的外加偏置满足发射结正偏和 集电结反偏时，工作在放大区。

3. 当温度升高时，晶体三极管的U BE 将_减小 ，I CEO 增大，β_ 增大 。(增大或减小)

4. 场效应管是通过改变电压来改变电流的，所以它是一个电压控制器件；根据结构的不同，

场效应管可分为 结型 和 绝缘栅型 两种类型。

5. 集成运放的输入级一般采用高性能的恒流源差分放大电路，其目的是 克服零点漂移 。

6. 在差分放大电路中，两输入端获得的一对大小相等，极性相反的信号称 差模 信号；而

大小相等，极性相同的信号称为 共模 信号。

7. 已知某深度负反馈电路开环增益A Ud =100，反馈系数F=0.1，则闭环增益A Uf ＝ 9.09 。 8. 正弦波振荡电路一般由放大电路、反馈环路 、选频网络和稳幅环节等四个环节组成，而

且缺一不可。

9. 正弦波振荡电路产生自激振荡的两个条件是： 振幅条件和 相位条件 。

10. 若采用市电供电，则通过 变压 、 整流 、 滤波 和 稳压 后可得到稳定的直流

电。

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三、 单项选择题（每空2分，共22分）

1. 测得工作在放大电路中的某晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小和方向

如图3.1所示。则管子的类型、从左至右的管脚极性和β值分别为（ D ）。 A.NPN ，c,e,b,61 B.PNP ，e,c,b,61 C. NPN, c,b,e,6 D.PNP, c,b,e,60

2. 图

3.2所示电路中，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（ B ） A. VD 导通，U AO =9V B. VD 截止，U AO =－12V C. VD 截止，U AO =12V D. VD 导通，U AO =－9V 3. 如果将三极管的基极和发射极短路，则（ C ） A ．管子深度饱和 B ．发射结反偏 C ．管子截止 D ．集电结烧坏

4. （ A ）放大电路便于集成，但各级的静态工作点不独立，相互影响。 A. 直接耦合 B. 变压器耦合 C ． 阻容耦合

5. 图3.3电路中，当输入1KHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，则:①这种失真是（ B ）；

A ．饱和失真

B ．截止失真

C ．交越失真

D ．频率失真 ②为了消除此失真，应（ D ）。

A ．减小集电极电阻Rc

B ． 改换β小的管子

C ．增大基极偏置电阻Rb

D ． 减小基极偏置电阻Rb

6. 若要得到一个PNP 型复合管，可选择下列4种接法中的（ D ）。

7. 要得到一个Ri 大，Ro 小的阻抗变换电路，应选择（ A ）负反馈电路。

A.电压串联

B.电压并联

C.电流串联

D.电流并联 8.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为（ C ）。

A.直流电源

B.电阻

C.开路

D.短路

9.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ B ），而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ A ）。

A.耦合电容和旁路电容的存在

B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点不合适

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