LED灯具生产工艺流程图
LED 自动生产线流程图
环境测试仪器高低温湿热交变试验机 跌落试验奈腐蚀试验 道路模拟震动试验 快速温变试验 高低温冲击试验 高温精密烘箱
LCD,LED老化测试饱和加速寿命测试仪 高温老化测试 大型温湿度测试室 无尘室洁静门 恒温恒湿试验机
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灯具用的话加。
LED 工艺流程图
LED 工艺流程图LED 工艺流程图LED 工艺流程图LED 封装LED 封装技术大都是分立器件封装技术基础上发展与演变而来的但却有很大的特殊性。
一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是维护管芯和完成电气互连。
而LED 封装则是完成输出电信号，维护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LEDLED 核心发光局部是由p 型和n 型半导体构成的pn 结管芯，当注入pn 结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。
但pn 结区发出的光子是非定向的即向各个方向发射有相同的几率，因此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体资料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高LED 内、外部量子效率。
惯例Φ5mm 型LED 封装是将边长0.25mm 正方形管芯粘结或烧结在引线架上，管芯的正极通过球形接触点与金丝，键合为内引线与一条管脚相连，负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连，然后其顶部用环氧树脂包封。
反射杯的作用是收集管芯侧面、界面发出的光，向期望的方向角内发射。
顶部包封的环氧树脂做成一定形状，有这样几种作用：维护管芯等不受外界侵蚀；采用不同的形状和材料性质( 掺或不掺散色剂) 起透镜或漫射透镜功能，控制光的发散角；管芯折射率与空气折射率相关太大，致使管芯内部的全反射临界角很小，其有源层产生的光只有小部分被取出，大部分易在管芯内部经多次反射而被吸收，易发生全反射导致过多光损失，选用相应折射率的环氧树脂作过渡，提高管芯的光出射效率。
用作构成管壳的环氧树脂须具有耐湿性，绝缘性，机械强度，对管芯发出光的折射率和透射率高。
选择不同折射率的封装资料，封装几何形状对光子逸出效率的影响是不同的发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。
若采用尖形树脂透镜，可使光集中到LED 轴线方向，相应的视角较小；如果顶部的树脂透镜为圆形或平面型，其相应视角将增大。
LED的生产工艺流程及其设备ppt课件
LED衬底材料制作--研磨和蚀刻
晶面研磨
通以特定粒度及粘性的研磨液，加 外研磨盘的公转和自转，达到均匀 磨平晶片切片时留下的锯痕、损伤 等不均匀表面。
晶片蚀刻
蚀刻的目的在于除去先前各步机械 加工所造成的损伤，同时获得干净 且光亮的表面，刻蚀化学作用可区 分为酸性及碱性反应。
晶片研磨机
LED衬底材料制作--退火与抛光
按着淀积过程中发生化学的种类不同可以分为热解法 、氧化法、还原法、水解法、混合反应等。
LED外延制作--CVD的优缺点
CVD制备的薄膜最大的特点是致密性好、高效率、良好的台阶 覆、孔盖能力、可以实现厚膜淀积、以及相对的低成本；
缺点是淀积过程容易对薄膜表面形成污染、对环境的污染等 常压CVD（APCVD）的特点是不需要很好的真空度、淀积速度
蓝宝石衬底紫外LED
LED生产工艺流程
蓝宝石衬底白光LED
LED生产工艺流程
所举例子只是一种LED制作工艺， 不同的厂家都有自己独到的一套制作工 艺，各厂家所使用的设备都可能不一样 ，各道工序的作业方式、化学配方等也 不一样，甚至不同的厂家其各道制作工 序都有可能是互相颠倒的。
但是万变不离其宗，其主要的思想 都是一样的：外延片的生长（PN结的 形成）---电极的制作（有金电极，铝电 极，并形成欧姆接触）---封装。
LED外延制作--液相外延的缺点
当外延层与衬底的晶格失配大于1%时生ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ长发生困难。
由于生长速率较快，难以得到纳米厚度 的外延材料。
外延层的表面形貌一般不如汽相外延的 好。
LED外延制作液相外延的生长原理
LED外延制作
液相外延示意图
LED外延制作
实 际 液 相 外 延 设 备
LED照明灯具生产操作规程
一．生产工艺流程及说明北京鑫瑞蓝天科技进展灯具的全部LED 发光体电路部件，都依据“模块化”、“积木化”观念设计，不但简化生产工序、提高生产效率、削减原材料消耗，对物质流、信息流和能量流的规划治理也格外有益。
〔一〕灯体部件生产灯体的部件生产，在灯具车间的主生产线进展。
图1 灯体部件生产流程此工序对环境不产生有害气体和有害废料。
局部金属加工工序产生少量可回收余料。
电子焊接操作产生的松香气体承受分散到每工作台的抽风口排出车间。
车间按平米密度要求配制规定数量的二氧化碳灭火器。
〔二〕灯具装配图2 LED 灯具装配流程此工序在装配线完成。
不产生有害气体和废料。
〔三〕加载老化工序图3 LED 灯具老化工序北京鑫瑞蓝天科技进展生产的全部LED 灯具，都要在灯具车间的“加载室”经受老化工序。
老化时间1h ≤ Ta ≤ 4h。
此工序不产生废料和有害气体。
加载室与生产间有遮光护板，防止强光对环境的干扰；独立的沟通电源调压稳压把握柜；单独配备二氧化碳灭火器2 部；单灯测试位有独立的带过载保护的开关。
灯具架为钢制，配有阻燃衬垫。
此工序不产生废料和有害气体。
〔四〕包装在包装线完成纸盒成型，手工包装或用打包机台包装。
图 4 包装工序〔五〕入库包装好的成品送入成品库。
成品库外门直通装卸台。
〔六〕质检室按公司制定的《产品检测规章》，由公司质检部门，对产品和每批次产品进展抽样极限检测。
进展光照强度、光照角度、环境温度、湿度、淋水浸水、风力、气压、凹凸频多自由度机械震惊、电气绝缘、冲击电压等方面测试。
测试工程和试验强度，依据灯具型号设置。
大局部极限测试，在本公司研制的“LED灯具综合测试箱”内完成，见图5。
图5 北京鑫瑞蓝天科技进展的LED 灯具综合测试箱极限检测，消耗确定数量水、电，没有其它材料损耗，不产生工业污染。
单灯1min 时间的震惊试验产生不高于45 分贝的噪声。
〔七〕修理室检测不合格的产品或用户返修品直接送交修理室。
北京鑫瑞蓝天科技进展的民用等级产品装配工艺，设计成直接可逆的，以利修理。
LED生产流程PPT课件
一、wafer的减薄过程
Wafer的厚度测量
所用仪器：千分表（单位：um）
测量方法： 1、擦干净陶瓷盘； 2、将陶瓷盘放在千分表的大理石上； 3、移动陶瓷盘，千分表表头接触陶瓷盘 面，归零，找到陶瓷盘的零点位置； 4、将千分表表头接触wafer背表面，读出 的数值即为wafer的厚度。
42
一、wafer的减薄过程
液
酮
醇
45
关于研磨抛光破片的几种原因
应力：单位面积上所承受的附加内力，即 材料在受到外力作用，不能位移就会产生 形变，材料内部会产生并聚集抵抗形变的 内力，我们可以理解某点的应力为该点内 力的聚集度。
特点：材料上受到任何的力，热等其他外 在作用力时均会产生应力，晶片研磨后下 蜡出现翘曲即是应力快速释放的结果。
46
应力和划痕是破片的主要原因
背面
研磨过程产生应力
的方向
正面
背面
抛光过程产生应力
正面
的方向
47
应力和划痕是破片的主要原因
保证晶片没有翘曲即是应力相互抵消，通过控制研磨和抛 光的厚度可以适当的减小晶片的应力，但如果本身晶片的 积累的应力过大，研磨和抛光的作用就不太明显。
研磨不抛光的碎
裂层
研磨后抛光5um 研磨后抛光15um
将欲刻蚀区域采用ITO腐蚀液，水浴33℃，腐蚀7min
23
去光阻
N区P区均显露出来，为下步蒸镀电极做准备
24
ITO熔合
熔合目的：
主要使ITO材料更加密实，透光率增加，降 低电压，使ITO层与GaN衬底形成良好的欧 姆接触。
熔合条件：
温度：500℃，10min
25
N/P电极光罩作业
采用负性胶，未光照区域光刻胶被显影液 去掉，留下电极蒸镀区域。
LED制造工艺流程PPT演示文稿
P型接触层蒸发合金
•20
粘结层蒸发
•21
粘结层光刻
•22
薄膜转移
bonding
双面镀金基板
压力/温度
压头 石墨 外延片与基板
•23
灌蜡 堵住沟槽，保护Ag
•24
金锡邦定 金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用
H2SO4泡（Ag不允许）
•25
去Si衬底
522( HNO3:HF:冰乙酸)
S u b s tra te S u s c e p to r H2 TM G bubbler
氢气H2 三甲基镓源 TMG
Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)
衬底 石墨支撑盘
NH3 TMG
•15
外延层结构
200nm
2nm=0.002um 8nm=0.008um
3~4um
•44
封装形式有Lamp-LED、 TOP-LED、SideLED、SMD-LED、High-Power-LED等。
LAMP
食人鱼
TOP LED
大功率LED
•45
封装工艺说明
芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否 完整
•11
RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀
•12
ICP (Induced Coupled Plasma)
电感耦合等离子体
•13
外延材料生长
MOCVD 记编号 放片子
•14
反应原理、反应方程式 反应管
氨气NH3
Reactor cham ber (CH3 )3 G a + NH 3 --> GaN + 3 CH4 NH3
LED灯具生产工艺流程图
控
制程巡检
点
作业规范 √
录 首件记录表 制程巡检规范
√
质 控
工艺文件 制程巡检
检制验程(测巡试检)规日范报
√
表
点
作业规范 √
√
2/4
检验 NG 品处理
返修 返修 返修
返修 返修 返修 返修
返修 返修 返修
返修 矫正 返修
返修 返修 返修 返修 返修 返修 返修
返修 返修 返修
xxxxxxx照明电器有限公司
自检 1.2.3.4.5.6.7
目测 线检 1.2.3.4.5.6.7
目测
目测
目测 测试
目测 测量
目测 测量
目视 专用治
具
首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检 首检 巡检 自检 线检
1.3件/次 1:20件/次/2小时,2:1次/4小时 1 1
√ 检制验程(测巡试检)规日范报
√
表
点 尺寸全检 作业规范 √
3.外观全
√
波峰焊制程巡检
检
表
抽检: 1. 依<<设计 工艺文件
工艺文件 制程巡检 作业规范
√
√
>>特殊要
√
求
制程巡检规范
ห้องสมุดไป่ตู้
巡检: 依 <<制程巡 检规范>>
工艺文件 制程巡检 作业规范
√
√
每2小时一
√
烙铁温度测试记
次制程抽
√
质
检
工艺文件
√
矫正 矫正 矫正
返修 返修 返修
LED生产工艺流程图
准备 酒精
准备 无尘布 装玻璃 准备 螺丝 装中环 电批
准备 面环
准备 螺丝 装面环 电批
准备 卡簧
准备 螺丝 装卡簧 墨眼片 测试 准备 驱动 老化 不良返工 功率仪 自动老化线 墨镜片 测试 不良返工 功率仪 打包装 打包机 电批
准备 酒精
准备 无尘布
入库
LED筒灯生产工艺流程图
准备 DC线 剥线 剪线 准备 焊锡丝 DC线 加锡 准备 散热器 穿线 准备ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ焊锡丝 COB加锡 准备 硅脂 涂导 热硅脂 电铬铁 焊COB 焊锡丝 电铬铁 斜口钳
电铬铁
准备 螺丝
准备 支架
锁支架 墨镜片 测试 准备 螺丝 准备 压线扣 装压 线扣
电批
不良返工 功率仪 电批
led灯具生产工艺过程流程图
led灯具生产工艺过程流程图JIN CAI BA 生产过程流程生产过程流程图:下面是赠送的合同范本，不需要的可以编辑删除～～～～～～教育机构劳动合同范本为大家整理提供，希望对大家有一定帮助。
一、_________ 培训学校聘请_________ 籍_________ (外文姓名)_________ (中文姓名)先生/女士/小姐为_________ 语教师，双方本着友好合作精神，自愿签订本合同并保证认真履行合同中约定的各项义务。
二、合同期自_________ 年_________ 月_________ 日起_________ 年_________ 月_________ 日止。
三、受聘方的工作任务(另附件1 )四、受聘方的薪金按小时计，全部以人民币支付。
五、社会保险和福利:1.聘方向受聘方提供意外保险。
(另附2 )2.每年聘方向受聘期满的教师提供一张_________ 至_________ 的来回机票(金额不超过人民币_________ 元整)或教师凭机票报销_________ 元人民币。
JIN CAI BA 生产过程流程六、聘方的义务:1.向受聘方介绍中国有关法律、法规和聘方有关工作制度以及有关外国专家的管理规定。
2.对受聘方提供必要的工作条件。
3.对受聘方的工作进行指导、检查和评估。
4.按时支付受聘方的报酬。
七、受聘方的义务:1.遵守中国的法律、法规，不干预中国的内部事务。
2.遵守聘方的工作制度和有关外国专家的管理规定，接受聘方的工作安排、业务指导、检查和评估。
未经聘方同意，不得兼任与聘方无关的其他劳务。
3.按期完成工作任务，保证工作质量。
4.遵守中国的宗教政策，不从事与专家身份不符的活动。
5.遵守中国人民的道德规范和风俗习惯。
八、合同的变更、解除和终止:1.双方应信守合同，未经双方一致同意，任何一方不得擅自更改、解除和终止合同。
2.经当事人双方协商同意后，可以变更、解除和终止合同。
在未达成一致意见前，仍应当严格履行合同。
led制造工艺流程及细节
浅谈LED制造工艺流程及细节随着20世纪90年代，人类对氮化物LED的发明、LED的效率有了非常快的发展。
随着相关技术的发展，在不久的未来LED会代替现有的照明灯泡。
近几年人们制造LED芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的外延片，外延片所需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气H2或氩气Ar等惰性气体作为载体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
接下来是对LED-PN 结的两个电极进行加工，并对LED毛片进行减薄，划片。
然后对毛片进行测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。
由于制作LED芯片设备的造价都比较昂贵，同时也是生产的一个投资重点，具体的工艺做法，不作详细的说明。
下面简单介绍一下LED生产流程图，如下：LED生产流程图（流程工艺） （使用设备）测试芯片 芯片分选机￤ ￤排支架 （ 把芯片固定在支架座）芯片扩张机￤ ￤点 胶 点胶机 显微镜￤QC ￤固 晶 倒膜机 扩晶机 显微镜 固晶座￤QC ￤(*白光 ) 固晶烘烤 烘箱 150C／2H ￤ ￤ ￤配荧光粉 焊 线 (芯片焊两个电极) 自动焊线机 超声波焊线机 ￤ ￤ ￤点荧光粉 *二焊加固锒胶 点胶机 显微镜￤ ￤(QC白光) ￤烘烤150C／1H -- *锒胶烘烤 烘箱 电子称 抽真空机 点胶机 显微镜￤ ￤*支架沾胶 ( 支架沾胶)点胶机 烤箱 120C／20min￤ ￤(下面说明植入工艺) 植入支架 -- 灌胶机 ---- 自动灌胶机短 烤 -- 烘 箱离 模 -- 脱模机 ￤￤长 烤 烘箱 130C／6H￤ ￤－ 切 一切模具(冲床)￤ ￤测试点数 LED电脑测试机￤ QC ￤全切 冲压机及全切模￤ QC ￤分光分色 LED分选机￤ QC ￤封口包装 封口机入库一、工艺说明(植入支架)LED外型环氧树脂封装主要有以下几步：模条预热--吹尘--树脂预热--配胶--搅拌--抽真空--灌胶入支架。
所用物料：支架、LED芯片、锒胶绝缘胶(解冻,搅拌)、晶片(倒膜，扩晶)、金线、锒胶、荧光粉、胶带包装、模条(铝条，合金)、导热硅脂、焊接材料、树脂(AB胶或有机硅胶)、各种手动工具、各种测试材料（如万用表、示波器、电源等）。
LED灯生产工艺流程
LED灯生产工艺流程§1 LED制造流程概述LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。
图2.1 LED制造流程图上游晶片：单晶棒（碑化稼 ' 磷化稼）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片成品：单晶片'外延片中游制程：金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）切割测试分选成品：芯片下游§2 LED 芯片生产工艺LED 照明能够应用到高亮度领域归功于LED 芯片生产技术的不断提高，包括单颗 晶片的功率和亮度的提高。
LED±游生产技术是LED 行业的核心技术，目前在该技术 领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED 上游生产技术的发展比较靠后。
下图为上游外延片的微结构示意图。
生产出高亮度LED 芯片，一直是世界各国全力投入硏制的目标，也是LED 发的 方向。
目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WLED 流明值已经达能到1501m 之高。
LED 上游技术的发展将使LED 灯具的生产成本越来越低，更显LED 照明的优势。
以下 以蓝光LED 为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化錄(GaN)基的 外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD 中)完成的。
准备 好制作GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐 步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs 、AIN 、 ZnO 等材料。
MOCVD 是利用气相反应物(前驱物)及UI 族的有机金属和V 族的NH3在衬底表 面进行P 型 GaN 负极P 型 AIGaN InGaN 量子阱(well )N 型 InGaNN 型 AIGaNN 型 GaNP 型 GaNGaN 缓冲层(buffer )蓝宝石衬底(subatrate )图2.2蓝光外延片微结构 图正极反应，将所需的产物沉积在衬底表面。