电力电子技术填空题汇总
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子技术主要研究的是（）。
A. 电力系统的运行与控制B. 电力系统的规划与设计C. 电力电子器件及其应用D. 电力系统的保护与自动化答案：C2. 下列哪个不是电力电子技术中常用的电力电子器件？（）A. 晶闸管B. 绝缘栅双极晶体管C. 继电器D. 功率场效应晶体管答案：C3. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 功率放大B. 电压变换C. 电流变换D. 以上都是答案：D4. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？（）A. 通信技术B. 电力系统C. 计算机技术D. 机械制造答案：B5. 晶闸管的导通条件是（）。
A. 阳极电压高于阴极电压B. 门极电压高于阳极电压C. 阳极电流大于阴极电流D. 门极电流大于零答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术在以下哪些领域有应用？（）A. 电力系统B. 交通系统C. 工业自动化D. 家用电器答案：ABCD2. 电力电子变换器可以实现以下哪些功能？（）A. 交直流转换B. 直流电压变换C. 交流电压变换D. 功率因数校正答案：ABCD3. 下列哪些是电力电子技术中常用的控制方式？（）A. 脉宽调制B. 脉冲频率调制C. 恒压控制D. 恒流控制答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 电力电子技术中，______是一种常用的交流-直流变换器。
答案：整流器2. 电力电子器件的开关特性决定了其在______电路中的应用。
答案：开关电源3. 电力电子技术在______领域可以实现能量的高效转换。
答案：新能源4. 电力电子变换器的输出电压与输入电压之间的关系可以通过______实现控制。
答案：调制技术5. 电力电子技术在______系统中可以实现对电机的精确控制。
答案：伺服驱动四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述电力电子技术在电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在电力系统中的应用主要包括电力系统的稳定控制、电能质量的改善、电力系统的自动化管理、以及电力系统的保护等。
电力电子技术填空题整理
1、通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
2、电力电子器件的分类：①半控型，晶闸管及其派生元件。
②全空型，IGBT，GTO，GTR，MOSFET。
③不可控型元件。
单极型电力电子器件有电力MOSFET，双极型：GTO，GTR，复合型：IGBT，可控器件中，容量最大的是：GTO，工作频率最高的是：电力MOSFET，属于电压驱动的是：电力MOSFET，IGBT，属于电流驱动的是：SCR，GTO，GTR3、单相交流调压电路带电阻负载，其导通控制角α的移相范围是180°，随α的增大，Uo减小，功率因数减小.4、把直流变成交流的电路称为逆变电路，当交流侧有电源时称为有源逆变，当交流侧无电源时称为无源逆变。
逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为电压型逆变电路，当直流侧为电流源时，成此电路为电流型逆变电路。
5、半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1/2Ud，全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为1Ud。
6、三相电压型逆变电路中，每个桥臂的导电角度为180°，各相开始导电的角度依次相差120°，在任意时刻，有3个桥臂导通。
电压型逆变电路一般采用全控型器件，换流方式为器件换流，电流型逆变电路中较多采用半控型器件，换流方式有的采用负载换流，有的采用强迫换流。
7、直流斩波电路中最基本的两种电路时降压斩波电路和升压斩波电路。
复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可以看做是一个升压斩波电路和一个降压斩波电路的组合；多相多重斩波电路中，3相3重斩波电路相当于3个降压斩波电路并联。
8、按照加在两端信号的波形有①脉冲触发型②电平控制型；按照器件内部空穴参加导电的情况①单极型器件②双极型器件③复合型器件；按照信号的性质①电流驱动型②电压驱动型9、电力二极管的主要类型①普通二极管②快恢复二极管③肖特基二极管10、晶闸管的基本工作特性概括为①正向有触发则导通②反向截止③一旦导通，无论门极触发电流是否存在都保持导通。
电力电子技术题库
电力电子技术题库 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。
（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
）2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
（√）2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（×）3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
（×）4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
（√）5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。
（×）6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。
（×）7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
（√）8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
（×）9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
（×）10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
（√）三、选择题1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。
《电力电子技术》复习资料
《电力电子技术》复习资料一、填空题1．晶闸管有三个电极：阳极、阴极和门极。
2．晶闸管导通的条件是：在阳极和阴极之间加足够的正向电压的同时，门极加适当的正向电压。
3．反电势负载的特点是只有整流电路输出电压大于负载反电势时才有电流产生。
4．晶闸管关断可以采取减少阳极电流使之不能维持正反馈，断开阳极电源或者在阳极和阴极之间加反向电压的方法。
5．三相全控桥式整流电路在任何时刻必须有两个晶闸管同时导通，一个在共阴极组，一个在共阳极组。
6．不可控两端器件，它具有整流作用，而无可控功能。
7．同一套晶闸管电路，既可作整流，又能作逆变，常称这一装置为变流器。
8．当0＜α＜90°时。
变流器工作在整流状态，当α=90°时工作在中间状态，当90°＜α＜180°时，若同时存在一个适当的外接直流电源，变流器工作于逆变状态。
9．在逆变电路中，由于电路的电阻很小，应当尽量避免两个电源反极性相连。
10．规定逆变角β以控制角α=∏时作为计量的起始点，此时的β等于β=0。
11．逆变电路可以分为有源逆变和无源逆变两大类。
12．三相可控整流电路的基本形式是三相半波可控整流电路。
13．绝缘栅双极晶体管具有开关速度快、输入阻抗高、通态电压低、耐压高、电容量大等优点。
14．晶闸管逆变器是一种把固定的直流电压变成固定或可调的交流电压的装置。
15．功率场效应晶体管的最大功耗，随管壳温度的增高而下降。
16．肖特基二极管适用于电压不高，要求快速、高效的电路中。
17．功率场效应晶体管的特点是：栅极的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。
18. 绝缘栅双极晶体管的本质是一个____场效应晶体管__________ 。
19、肖特基二极管的_____开关时间______短，故开关损耗远小于普通二极管。
21. 肖特基二极管正向压降小，开启电压__低_____ ，正向导通损耗小。
(完整版)电力电子技术总复习
《电力电子技术》综合复习资料一、填空题1、开关型DC/DC 变换电路的3个基本元件是 、 和 。
2、逆变角β与控制角α之间的关系为 。
3、GTO 的全称是 。
4、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有 斩波电路； 斩波电路； --——斩波电路.5、变频电路从变频过程可分为 变频和 变频两大类。
6、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。
7、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止.8、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为 角.9、GTR 的全称是 。
10、在电流型逆变器中，输出电压波形为 波，输出电流波形为 波。
11、GTO 的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。
12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是 ， 和 。
13、整流指的是把 能量转变成 能量.14脉宽调制变频电路的基本原理是:控制逆变器开关元件的 和 时间比，即调节 来控制逆变电压的大小和频率。
15、型号为KP100—8的元件表示 管、它的额定电压为 伏、额定电流为 安.16、在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题,通常主要采取的隔离措施包括： 和 。
二、判断题1、KP2—5表示的是额定电压200V ，额定电流500A 的普通型晶闸管。
2、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
3、普通晶闸管外部有三个电极,分别是基极、发射极和集电极.4、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
5、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零,晶闸管就会关断。
6、普通晶闸管内部有两个PN 结。
7、逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相,或是逆变角太小造成的。
8、应急电源中将直流电变为交流电供灯照明，其电路中发生的“逆变”称有源逆变. 9、单相桥式可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为22U 。
10、MOSFET属于双极型器件.11、电压型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
电力电子技术 填空题大全
一，填空题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦，输出电流波形为方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
11、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接正电压，T2接负电压。
I- 触发：第一阳极T1接正电压，第二阳极T2接负电压；门极G接负电压，T2接正电压。
Ⅲ+触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压,门极G接正电压，T2接负电压。
Ⅲ-触发：第一阳极T1接负电压，第二阳极T2接正电压；门极G接负电压，T2接正电压。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
《电力电子技术》题库&答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术试题库答案
电力电子技术试题库答案一、填空题（每空1分，共20分）一、电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（操纵、转换和传输）的技术.3电力电子技术研究的对象是（电力电子器件的应用）、（电力电子电路的电能变换原理）和电力电子装置的开发与应用。
.1957年（美国通用电气（GE）公司）研制出第一只晶闸管，它标志着（电力电子技术）的诞生。
六、电力二极管的要紧类型有（一般二极管），（快恢复二极管）和肖特基二极管。
7、电力二极管的要紧类型有一般二极管，（快恢复二极管）和（肖特基二极管）。
八、晶闸管是一种既具有（开关作用），又具有（整流作用）的大功率半导体器件。
九、晶闸管有三个电极，别离是（阳极），（阴极）和门极或栅极。
10、晶闸管有三个电极，别离是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。
1一、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。
1二、半控型电力电子器件操纵极只能操纵器件的（导通），而不能操纵器件的（关断）。
13、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）比值。
14、电力晶体管是一种（耐高压）、（大电流）的双极型晶体管。
1五、电力晶体管的平安工作区分为（正偏平安工作区）和（反偏平安工作区）。
1六、双向晶闸管有两个（主）电极和一个（门）极。
17、双向晶闸管有(I+触发方式)，（I-触发），III+触发和III-触发。
1八、IGBT的爱惜有（过电流爱惜），过电压爱惜和（过酷爱惜）。
1九、降压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（U o=DU d），升压变换电路的输出电压与输入电压的关系为（U o=U d/(1-D)）。
20、全控型电力电子器件操纵极既能操纵器件的（导通），也不能操纵器件的（关断）。
2一、电力器件的换流方式有（器件换流），（电网换流），负载换流和脉冲换流。
2二、负载换流式逆变电路分为（并联谐振式），（串联谐振式）。
23、依照稳压操纵方式，直流变换电路可分为（脉冲宽度调制）和（脉冲频率调制）。
电力电子技术题库..
南通大学电气工程学院电力电子技术题库第二章电力电子器件一、填空题1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。
若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。
（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。
）2、功率开关管的损耗包括两方面，一方面是导通损耗；另一方是开关损耗。
3、在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
4、缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。
5、电力开关管由于承受过电流，过电压的能力太差。
所以其控制电路必须设有过流和过压保护电路。
二、判断题1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。
（√）2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（×）3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。
（×）4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。
（√）5、在晶闸管的电流上升至其维护电流后，去掉门极触发信号，晶闸管级能维护导通。
（×）6、在GTR 的驱动电路设计中，为了使GTR 快速导通，应尽可能使其基极极驱动电流大些。
（×）7、达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管；而电力场效应晶体管和绝缘栅极双极型晶体管则属电压驱动型开关管。
（√）8、IGBT 相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
（×）9、整流二级管、晶闸管、双向晶闸管及可关断晶闸管均属半控型器件。
（×）10、导致开关管损坏的原因可能有过流、过压、过热或驱动电路故障等。
（√）三、选择题1、下列元器件中，（ BH ）属于不控型，（ DEFIJKLM）属于全控型,（ ACG ）属于半控型。
A、普通晶闸管B、整流二极管C、逆导晶闸管D、大功率晶体管E、绝缘栅场效应晶体管F、达林顿复合管G、双向晶闸管H、肖特基二极管I、可关断晶闸管J、绝缘栅极双极型晶体管K、MOS 控制晶闸管L、静电感应晶闸管 M、静电感应晶体管2、下列器件中，（ c ）最适合用在小功率，高开关频率的变换器中。
电力电子技术填空题
填空题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术练习题与答案
（第一章）一、填空题1、普通晶闸管部有—PN结,，外部有三个电极，分别是______ 极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上____ 电压的同时，门极上加上_______ 电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向________ 状态，正向____________ 状态和反向 ______ 状态。
阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50 —7 的,其中KP表示该器件的名称为，50表示 ____________ ，7表示_________ 。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于_________ 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角a,负载上得到的直流电压平均值会 ______ 。
减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为______________ 性负载， ________ 性负载和 _________ 负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会 _______ ，解决的办法就是在负载的两端_________ 接一个_________________ 。
8 减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角________ 、电流波形不连续、呈______ 状、电流的平均值 _____ 。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的部一共有个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是 _________ 极、________ 极和________ 极。
10、一个、发射极E、第一基极B i、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于______ 电压时就导通；低于______ 电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周以相同的 _______ 被触发，才能得到稳定的直流电压。
电力电子技术填空题
1、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
2、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
3、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
5、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
6、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
7、_________存在二次击穿现象，____________存在擎住现象。
8、功率因数由和这两个因素共同决定的。
9、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_措施。
10、同一晶闸管，维持电流I H与掣住电流I L在数值大小上有I L_ I H。
11、电力变换通常可分为：、、和。
12、在下图中，_______和________构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；___和_______构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于____象限。
13、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。
14、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
15、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方是。
电力电子技术填空题
1、电子技术包括____微电子电力_____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。
当器件的工作频率较高时，____开关_____损耗会成为主要的损耗。
4、面积等效原理指的是，__冲量_______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_MOSFET________，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是__IGBT_________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为_VD1_______；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为____VD2___；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为___V2____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为__VD1_____；一、填空题（本题共6小题，每空1分，共15分）1、____GTR_____存在二次击穿现象，___IGBT_________存在擎住现象。
2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同决定的。
6、在下图中，_ V1______和___ VD1_____构成降压斩波电路使直流电动机电动运行，工作于第1象限；____ V2___和__ VD2_____构成升压斩波电路，把直流电动机的动能转变成为电能反馈到电源，使电动机作再生制动运行，工作于__第2__象限。
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT 是 MOSFET 和 GTR 的复合管。
电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
【电力电子技术期末考试】填空题
填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC—DC）、②直流变交流（DC—AC）、③直流变直流（DC—DC）、④交流变交流（AC—AC）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装散热器。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和开关损耗。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM中较小标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流（移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值降低。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1 。
（电源相电压为U1）。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2.45U212、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。
13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。
14、直流—直流变流电路，包括直接直流变流电路电路和间接直流变流电路。
(完整版)电力电子技术练习题(答案)
34、将50Hz的工频交流电直接变换成其他频率的 交流电，—般输出频率均小于工频频率，这种直 接变频的方式称为 交—交变频 。
35、将50Hz的交流电先经整流变换为直流电，再 由直流电变换为所需频率的交流电这种变频的方 式称为 交—直—交变频。
36、如图为电流型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 矩形波 ， 其输出电压的波形基本 为 正弦波 。
5、有源逆变的条件（ A ） A （1）有直流电动势源EM，其极性和晶闸管
的导通方向一致且EM>Ud （2）、逆变角β<90º （α>90º ）。
B （1）有直流电动势源EM，其极性须和晶闸 管的导通方向一致且EM>Ud
37、如图为电压型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 正弦波 ， 其输出电压的波形基本 为 矩形波 。
38、电压型变频电路的特点是： (1) 直流侧接有 大电容 ，相当于电压源，直流电
压基本无脉动。 (2) 交流侧电压波形为 矩形波 ，交 流侧电流的波形由 负载性质 决定。
39、电流型变频电路的特点不： (1)直流侧接有 大电感 ，相当于电流源，直流电流基 本无脉动。(2)交流侧电流为 矩形波 ，交流侧电压的
斩波式 和通断式。
31、双向晶闸管的主要参数中，额定电流指的 是：在规定条件下，晶闸管所允许流过的最大工频 。 电流的有效值
32、对于电阻性负载的单相交流调压电路，输入电压
为Ui，控制角α的可调范围为
，输出电压的可
调范围为
。
0~
0 ~ Ui
33、对于电感性负载的单相交流调压电路，若负载 的阻抗角为φ，则晶闸管的控制角α的可调范围
电力电子技术练习题
一、填空题
1、电子技术包括信息电子技和术 电力两电大子分技支术。
电力电子技术填空题汇总
1. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。
3. 将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
5.同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L_=(2～4)______I H。
6. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值下降。
7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是___静态均压_____措施。
8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角形和星形__二种方式。
9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。
11.SPWM有两种调制方式：单极性和___双极性___调制。
12.逆变器可分为无源逆变器和__有源____逆变器两大类。
1、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A 极阴极K 极和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A ，7表示额定电压100V 。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、呈脉冲状、电流的平均值小。
电力电子技术填空题汇总
1. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°。
3. 将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
5.同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L_=(2～4)______I H。
6. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值下降。
7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是___静态均压_____措施。
8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角形和星形__二种方式。
9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。
11.SPWM有两种调制方式：单极性和___双极性___调制。
12.逆变器可分为无源逆变器和__有源____逆变器两大类。
1、普通晶闸管内部有两个PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A 极阴极K 极和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A ，7表示额定电压100V 。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、呈脉冲状、电流的平均值小。
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1. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120°。
3. 将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
4. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
5.同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流IL在数值大小上有I L_=(2～4)______I H。
6. 对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值下降。
7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是___静态均压_____措施。
8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角形和星形__二种方式。
9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。
11.SPWM有两种调制方式：单极性和___双极性___调制。
12.逆变器可分为无源逆变器和__有源____逆变器两大类。
1、普通晶闸管部有两个 PN结,，外部有三个电极，分别是阳极A 极阴极K 极和门极G 极。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上正向电压的同时，门极上加上触发电压，晶闸管就导通。
3、、晶闸管的工作状态有正向阻断状态，正向导通状态和反向阻断状态。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为普通晶闸管，50表示额定电流50A ，7表示额定电压100V 。
5、只有当阳极电流小于维持电流电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为电阻性负载，电感性负载和反电动势负载三大类。
8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会减小，解决的办法就是在负载的两端并接一个续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角小、电流波形不连续、呈脉冲状、电流的平均值小。
要求管子的额定电流值要大些。
10、单结晶体管的部一共有一个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是发射极E 极、第一基极B1 极和第二基极B2 极。
11、当单结晶体管的发射极电压高于峰点电压时就导通；低于谷点电压时就截止。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压同步，保证在管子阳极电压每个正半周以相同的时刻被触发，才能得到稳定的直流电压。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有正弦波同步电压和锯齿波电压。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用正弦波同步电压与一个或几个控制电压的叠加，利用改变控制电压的大小，来实现移相控制。
15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止关断过电压损坏晶闸管的。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个硒堆或压敏电阻。
17、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫快速熔断器。
7、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
8、晶闸管装置的容量愈大，则高次谐波愈大，对电网的影响愈大。
9、在装置容量大的场合，为了保证电网电压稳定，需要有无功功率补偿，最常用的方法是在负载侧并联电容。
1、某半导体器件的型号为KS50—7的，其中KS表示该器件的名称为双向晶闸管，50表示额定电流50A ，7表示额定电压100V 。
2、某半导体器件的型号为KN 100 / 50 — 7，其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管100表示晶闸管额定电流为100A ，50表示二极管额定电流为50A ，7表示额定电压100V 。
3、双向晶闸管的四种触发方式分别是Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+和Ⅲ-。
实际工作时尽量避免使用Ⅲ+方式。
5、晶闸管整流装置的功率因数定义为交流侧有功功率与视在功率之比。
1、GTO的全称是门极可关断晶闸管，图形符号为；GTR的全称是大功率晶体管，图形符号为；P-MOSFET的全称是功率场效应管，图形符号为；IGBT的全称是绝缘门极晶体管，图形符号为。
2、GTO的关断是靠门极加负信号出现门极反向电流来实现的。
3、大功率晶体管简称 GTR ，通常指耗散功率 1W 以上的晶体管。
4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是电流不够大和耐压不够高。
1、整流是把交流电变换为直流电的过程；逆变是把直流电变换为交流电的过程。
2、逆变电路分为有源逆变电路和无源逆变电路两种。
3、逆变角β与控制角α之间的关系为α=π－β。
4、逆变角β的起算点为对应相邻相负半周的交点往左度量。
5、当电源电压发生瞬时与直流侧电源顺极性串联，电路中会出现很大的短路电流流过晶闸管与负载，这称为逆变失败或逆变颠覆。
6、为了保证逆变器能正常工作，最小逆变角应为 30°～35°。
7、由两套晶闸管组成的变流可逆装置中，每组晶闸管都有四种工作状态，分别是待整流状态、整流状态、待逆变状态和逆变状态。
8、将直流电源的恒定电压，通过电子器件的开关控制，变换为可调的直流电压的装置称为斩波器。
9、反并联可逆电路常用的工作方式为逻辑无环流，有环流以及错位无环流三种。
在工业上得到广泛应用的是逻辑无环流方式。
10、采用接触器的可逆电路适用于对快速性要求不高、容量不大的场合。
11、某半导体器件的型号为KN 100 / 50 —7，其中KN表示该器件的名称为逆导晶闸管100表示晶闸管额定电流为100A ，50表示二极管额定电流、50A ，7表示额定电压为100V 。
15、变频电路从变频过程可分为交流—交流变频和交流—直流—交流变频两大类。
16、脉宽调制变频电路的基本原理是：控制逆变器开关元件的导通和关断时间比，即调节脉冲宽度来控制逆变电压的大小和频率。
1、由普通晶闸管组成的直流斩波器通常有定频调宽式，定宽调频式和调宽调频式三种工作方式。
1、请在正确的空格标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波? 。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V 伏、额定有效电流为100A 。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经 ?逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。
一、填空（30分）1、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是第一阳极T1，第二阳极T2 和门极G ；双向晶闸管的的触发方式有 I+、 I-、 III+、III .。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为U2。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为U2。
（电源相电压为U2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用大于60º小于120º的宽脉冲触发；二是用脉冲前沿相差60º的双窄脉冲触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 240º度；实际移相才能达0º-180 º度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有恒压频比控制、转差劲频率控制、矢量控制、直接转矩控制。
6、软开关电路种类很多，大致可分成零电压电路、零电流电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流四种。
8、逆变器环流指的是只流经两组反并联的逆变桥、而不流经负载的电流，环流可在电路中加采用串联电抗器来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。
10、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
1、普通晶闸管部有两个PN结。
（×）2、普通晶闸管外部有三个电极，分别是基极、发射极和集电极。
（×）3、型号为KP50—7的半导体器件，是一个额定电流为50A的普通晶闸管。
（）4、只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。
（×）5、只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。
（×）6、晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。
（√）7、加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。
（×）8、单向半控桥可控整流电路中，两只晶闸管采用的是“共阳”接法。
（×）9、晶闸管采用“共阴”接法或“共阳”接法都一样。
（×）10、增大晶闸管整流装置的控制角α，输出直流电压的平均值会增大。
（×）11、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
（√）12、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。
（×）13、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
（×）14、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。
（×）15、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。
（√）16、为防止过电流，只须在晶闸管电路中接入快速熔断器即可。
（×）17、快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（√）18、晶闸管并联使用须采取“均压措施”。
（×）22、在电路中接入单结晶体管时，若把b1、b2接反了，就会烧坏管子。
（×）23、单结晶体管组成的触发电路也可以用在双向晶闸管电路中。
（√）24、单结晶体管组成的触发电路输出的脉冲比较窄。
（√）25、单结晶体管组成的触发电路不能很好地满足电感性或反电动势负载的要求。
（√）1、在触发电路中采用脉冲变压器可保障人员和设备的安全。
（√）2、为防止“关断过电压”损坏晶闸管，可在管子两端并接压敏电阻。
（×）3、雷击过电压可以用RC吸收回路来抑制。
（×）4、硒堆发生过电压击穿后就不能再使用了。
（×）5、晶闸管串联使用须采取“均压措施”。