模拟比较器(Comparator)
什么是比较器如何设计一个简单的比较器电路
什么是比较器如何设计一个简单的比较器电路比较器（Comparator）是一种电子元件或电路，用于比较两个信号的大小或者判断两个信号是否相等。
比较器广泛应用于模拟电路、数字电路以及微处理器等领域。
本文将介绍比较器的原理和如何设计一个简单的比较器电路。
一、比较器的原理比较器的基本原理是将输入信号与一个基准值进行比较，并输出相应的逻辑电平。
通常情况下，比较器具有一个或多个比较阈值。
当输入信号超过比较阈值时，输出为高电平；反之，输出为低电平。
比较器的输出通常被连接到后续电路，用于判断和控制其他电子元件或电路的行为。
二、简单比较器电路的设计下面将介绍一个简单的比较器电路的设计过程。
1. 确定比较阈值：首先，需要确定所需的比较阈值。
根据具体应用的需要，选择合适的比较阈值，可以是特定的电压值或者其他信号特征。
2. 选择比较器芯片：根据比较阈值的要求，选择合适的比较器芯片。
市面上有很多种比较器芯片可供选择，比如LM311、LM339等。
根据需求选择适合的芯片。
3. 连接电路：将电路连接起来，使得输入信号和比较阈值能够正确地进行比较。
通常情况下，输入信号通过电阻分压电路或电压传感器接到比较器的输入脚上，然后通过引脚连接到电源。
4. 调整电路参数：根据需要，调整电路参数以满足应用需求。
可以通过改变电阻和电容的数值来实现参数的调整。
5. 连接输出：将比较器的输出连接到后续电路，以实现判断和控制信号。
三、比较器的应用比较器在电子领域有着广泛的应用，下面介绍几个常见的应用场景。
1. 模拟电路中的比较器：比较器常用于模拟电路中，用于检测两个信号的大小关系。
例如，电压比较器可以用于判断两个电压信号的大小，从而实现电压控制开关等功能。
2. 数字电路中的比较器：比较器在数字电路中也起着重要的作用。
比如，在计算机的内存控制电路中，比较器可以用于判断读写信号与内存地址的关系，从而实现读写操作。
3. 微处理器中的比较器：微处理器中通常拥有一些比较器，用于实现条件判断和分支跳转等功能。
为什么电路中要使用比较器
为什么电路中要使用比较器在电路设计中，比较器（Comparator）是一种非常重要的元件，它用于比较两个电压信号的大小。
在实际应用中，我们经常会遇到需要对电压进行比较的情况，比如判断电压是否达到某个设定值、比较两个电压信号的大小等。
而比较器正是为了满足这些需求而设计的。
本文将详细介绍为什么在电路中要使用比较器，以及比较器的原理和应用。
1. 比较器的作用及原理比较器是一种基础的电子元件，其作用是通过比较两个输入电压的大小并输出相应的信号。
比较器通常包含一个或多个放大器级联以及一个电平转换电路。
当其中一个输入电压大于另一个输入电压时，比较器输出高电平；反之，输出低电平。
比较器的原理基于放大器的开环特性，即放大器的输出与输入之间的关系不受反馈控制，可以实现较大的放大倍数。
比较器一般使用差动放大器的输出作为输入，通过放大信号之间的差异来实现比较功能。
2. 比较器的优点使用比较器在电路中有以下几个优点：2.1 提供准确的比较结果比较器能够快速、准确地比较输入信号的大小，输出相应的比较结果。
这对于需要实时判断电压大小的场合非常重要，比如电压检测、开关控制等。
通过比较器，我们可以在电路中实现对信号的精确控制。
2.2 具有高增益和低偏移电流比较器内部一般采用放大器级联，可以获得较高的增益，使得输入信号更容易被检测出来。
同时，比较器的输入级通常采用差动放大器结构，能够抑制共模干扰。
此外，比较器的输出具有较低的偏移电流，从而可以减少对电路整体性能的影响。
2.3 高速响应能力比较器的响应速度非常快，通常在纳秒级别。
这使得它在需要快速判断的应用中得到广泛应用，比如开关控制、脉冲测量等。
比较器能够在很短的时间内完成信号的比较，并将结果输出给其他部件。
3. 比较器的应用领域比较器在电路设计中的应用非常广泛，以下是一些常见的应用领域：3.1 电压检测比较器可以用于判断电压是否达到预设的阈值，并输出相应的信号进行处理。
例如，在电源管理中，我们可以使用比较器来监测电池电压是否低于一定的阈值，从而实现电池电量的监控和报警。
微电子中英文专业词汇
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 Active region 有源区 Active component 有源元 Active device 有源器件 Activation 激活 Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 Admittance 导纳 Allowed band 允带 Alloy-junction device合金结器件 Aluminum（Aluminium）铝 Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器 Analogue（Analog） comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的 Anode 阳极 Arsenic （AS）砷 Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程 Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Avalanche excitation雪崩激发 Background carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂 Backward 反向 Backward bias 反向偏置 Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 Band 能带 Band gap 能带间隙 Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层 Barrier width 势垒宽度 Base 基极 Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关 Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管 Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器 Boron 硼 Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 Break down 击穿 Break over 转折 Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 Burn - in 老化 Burn out 烧毁 Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Cascade 级联 Case 管壳 Cathode 阴极 Center 中心 Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 Chemmically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光 Chip 芯片 Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 Common-mode rejection ratio （CMRR）共模抑制比 Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor补偿半导体 Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS） 互补金属氧化物半导体场效应晶体管 Complementary error function 余误差函数 Computer-aided design（CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM）计算机辅助设计/ 测试 /制造 Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 Conduction band （edge）导带（底） Conduction level/state 导带态 Conductor 导体 Conductivity 电导率 Configuration 组态 Conlomb 库仑 Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 Contact 接触 Contamination 治污 Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的 Converter 转换器 Conveyer 传输器 Copper interconnection system 铜互连系统 Couping 耦合 Covalent 共阶的 Crossover 跨交 Critical 临界的 Crossunder 穿交 Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 Current density 电流密度 Curvature 曲率 Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 Custom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 Czochralshicrystal 直立单晶 Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） Dangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 Decibel （dB）分贝 Decode 译码 Deep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 Defeat 缺陷 Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 Degradation 退化 Degree Celsius（centigrade） /Kelvin 摄氏/开氏温度 Delay 延迟 Density 密度 Density of states 态密度 Depletion 耗尽 Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 Depletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 Die 芯片（复数dice） Diode 二极管 Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 Difference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 Differential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 Diffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 Digital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 Discharge 放电 Discrete component 分立元件 Dissipation 耗散 Distribution 分布 Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 Displacement 位移 Dislocation 位错 Domain 畴 Donor 施主 Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 Double-diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS. Drift 漂移 Drift field 漂移电场 Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装 Dynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性 Dynamic impedance 动态阻抗 Early effect 厄利效应 Early failure 早期失效 Effective mass 有效质量 Einstein relation（ship）爱因斯坦关系 Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM）一次性电可擦除只读存储器 Electrode 电极 Electrominggratim 电迁移 Electron affinity 电子亲和势 Electronic -grade 电子能 Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光 Electron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水 Electron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt （eV）电子伏 Electrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件 Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆 Ellipsoid 椭球 Emitter 发射极 Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对 Emitter follower 射随器 Empty band 空带 Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应 Endurance test =life test 寿命测试 Energy state 能态 Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图 Enhancement mode 增强型模式 Enhancement MOS 增强性MOS Entefic （低）共溶的 Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的 Epitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片 Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路 Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子 Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（编程）存储器 Error function complement （erfc）余误差函数 Etch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂 Etching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩载流子 Excitation energy 激发能 Excited state 激发态 Exciton 激子 Extrapolation 外推法 Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体 Face - centered 面心立方 Fall time 下降时间 Fan-in 扇入 Fan-out 扇出 Fast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态 Feedback 反馈 Fermi level 费米能级 Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势 Fick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管 Field oxide 场氧化层 Filled band 满带 Film 薄膜 Flash memory 闪烁存储器 Flat band 平带 Flat pack 扁平封装 Flicker noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转 Floating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀 Forbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置 Forward blocking /conducting正向阻断/导通 Frequency deviation noise频率漂移噪声 Frequency response 频率响应 Function 函数 Gain 增益 Gallium-Arsenide（GaAs）砷化钾 Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极 Gate oxide 栅氧化层 Gauss（ian）高斯 Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布 Generation-recombination 产生-复合 Geometries 几何尺寸 Germanium（Ge）锗 Graded 缓变的 Graded （gradual） channel 缓变沟道 Graded junction 缓变结 Grain 晶粒 Gradient 梯度 Grown junction 生长结 Guard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘模型 Gunn - effect 狄氏效应 Hardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热 Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻空穴带 Heavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应 Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构 Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体 High field property 高场特性 High-performance MOS.（ H-MOS）高性能MOS. Hormalized 归一化 Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior 热载流子 Hybrid integration 混合集成 Image - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离 Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构 Implantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子 Impurity 杂质 Impurity scattering 杂质散射 Incremental resistance 电阻增量（微分电阻） In-contact mask 接触式掩模 Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道 Infrared 红外的 Injection 注入 Input offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体 Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑 Integration 集成、积分 Interconnection 互连 Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构 Interface 界面 Interference 干涉 International system of unions国际单位制 Internally scattering 谷间散射 Interpolation 内插法 Intrinsic 本征的 Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作 Inversion 反型 Inverter 倒相器 Ion 离子 Ion beam 离子束 Ion etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入 Ionization 电离 Ionization energy 电离能 Irradiation 辐照 Isolation land 隔离岛 Isotropic 各向同性 Junction FET（JFET）结型场效应管 Junction isolation 结隔离 Junction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁 Latch up 闭锁 Lateral 横向的 Lattice 晶格 Layout 版图 Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟 /晶格缺陷/晶格畸变 Leakage current （泄）漏电流 Level shifting 电平移动 Life time 寿命 linearity 线性度 Linked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮 Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术 Lithography 光刻 Light Emitting Diode（LED）发光二极管 Load line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线 Longitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅 Lorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型 Majority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板，光刻板 Mask level 掩模序号 Mask set 掩模组 Mass - action law质量守恒定律 Master-slave D flip-flop主从D触发器 Matching 匹配 Maxwell 麦克斯韦 Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳状发射极结 Mean time before failure （MTBF）平均工作时间 Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面 MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET Metallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术 Microelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数 Minority carrier 少数载流子 Misfit 失配 Mismatching 失配 Mobile ions 可动离子 Mobility 迁移率 Module 模块 Modulate 调制 Molecular crystal分子晶体 Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管 Mos. Transistor（MOST ）MOS. 晶体管 Multiplication 倍增 Modulator 调制 Multi-chip IC 多芯片IC Multi-chip module（MCM）多芯片模块 Multiplication coefficient倍增因子 Naked chip 未封装的芯片（裸片） Negative feedback 负反馈 Negative resistance 负阻 Nesting 套刻 Negative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限 Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发（易失）性 Normally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析 Occupied band 满带 Officienay 功率 Offset 偏移、失调 On standby 待命状态 Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路 Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置 Operational amplifier （OPAMP）运算放大器 Optical photon =photon 光子 Optical quenching光猝灭 Optical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator光耦合隔离器 Organic semiconductor有机半导体 Orientation 晶向、定向 Outline 外形 Out-of-contact mask非接触式掩模 Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅 Overcompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护 Over shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护 Overlap 交迭 Overload 过载 Oscillator 振荡器 Oxide 氧化物 Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化 Package 封装 Pad 压焊点 Parameter 参数 Parasitic effect 寄生效应 Parasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化 Passive component 无源元件 Passive device 无源器件 Passive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管 Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压 Permanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期 Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区 Phase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移 Phonon spectra 声子谱 Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管 Photoelectric cell 光电池 Photoelectric effect 光电效应 Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺 （photo） resist （光敏）抗腐蚀剂 Pin 管脚 Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应） Planar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管 Plasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应 Poisson equation 泊松方程 Point contact 点接触 Polarity 极性 Polycrystal 多晶 Polymer semiconductor聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅 Potential （电）势 Potential barrier 势垒 Potential well 势阱 Power dissipation 功耗 Power transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器 Primary flat 主平面 Principal axes 主轴 Print-circuit board（PCB）印制电路板 Probability 几率 Probe 探针 Process 工艺 Propagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发 Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制 Pulse Widen Modulator（PWM）脉冲宽度调制 punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级 Quality factor 品质因子 Quantization 量子化 Quantum 量子 Quantum efficiency量子效应 Quantum mechanics 量子力学 Quasi - Fermi－level准费米能级 Quartz 石英 Radiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤 Radiation flux density 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固 Radiation protection 辐射保护 Radiative - recombination辐照复合 Radioactive 放射性 Reach through 穿通 Reactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管 Recombination 复合 Recovery diode 恢复二极管 Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间 Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接触 Reference 基准点基准参考点 Refractive index 折射率 Register 寄存器 Registration 对准 Regulate 控制调整 Relaxation lifetime 驰豫时间 Reliability 可*性 Resonance 谐振 Resistance 电阻 Resistor 电阻器 Resistivity 电阻率 Regulator 稳压管（器） Relaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率 Response time 响应时间 Reverse 反向的 Reverse bias 反向偏置 Sampling circuit 取样电路 Sapphire 蓝宝石（Al2O3） Satellite valley 卫星谷 Saturated current range电流饱和区 Saturation region 饱和区 Saturation 饱和的 Scaled down 按比例缩小 Scattering 散射 Schockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基 Schottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触 Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格 Secondary flat 次平面 Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝 Selectivity 选择性 Self aligned 自对准的 Self diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体 Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度 Serial 串行/串联 Series inductance 串联电感 Settle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻 Shield 屏蔽 Short circuit 短路 Shot noise 散粒噪声 Shunt 分流 Sidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号 Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅 Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅 Silicon Nitride（Si3N4）氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅 Siliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方 Single crystal 单晶 Sink 沉 Skin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间 Sneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的 Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路 Solid Solubility 固溶度 Sonband 子带 Source 源极 Source follower 源随器 Space charge 空间电荷 Specific heat（PT）热 Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的 Spin 自旋 Split 分裂 Spontaneous emission 自发发射 Spreading resistance扩展电阻 Sputter 溅射 Stacking fault 层错 Static characteristic 静态特性 Stimulated emission 受激发射 Stimulated recombination 受激复合 Storage time 存储时间 Stress 应力 Straggle 偏差 Sublimation 升华 Substrate 衬底 Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格 Supply 电源 Surface 表面 Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下标 Switching time 开关时间 Switch 开关 Tailing 扩展 Terminal 终端 Tensor 张量 Tensorial 张量的 Thermal activation 热激发 Thermal conductivity 热导率 Thermal equilibrium 热平衡 Thermal Oxidation 热氧化 Thermal resistance 热阻 Thermal sink 热沉 Thermal velocity 热运动 Thermoelectricpovoer 温差电动势率 Thick-film technique 厚膜技术 Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路 Thin-Film Transistor（TFT）薄膜晶体 Threshlod 阈值 Thyistor 晶闸管 Transconductance 跨导 Transfer characteristic 转移特性 Transfer electron 转移电子 Transfer function 传输函数 Transient 瞬态的 Transistor aging（stress）晶体管老化 Transit time 渡越时间 Transition 跃迁 Transition-metal silica 过度金属硅化物 Transition probability 跃迁几率 Transition region 过渡区 Transport 输运 Transverse 横向的 Trap 陷阱 Trapping 俘获 Trapped charge 陷阱电荷 Triangle generator 三角波发生器 Triboelectricity 摩擦电 Trigger 触发 Trim 调配调整 Triple diffusion 三重扩散 Truth table 真值表 Tolerahce 容差 Tunnel（ing）隧道（穿） Tunnel current 隧道电流 Turn over 转折 Turn - off time 关断时间 Ultraviolet 紫外的 Unijunction 单结的 Unipolar 单极的 Unit cell 原（元）胞 Unity-gain frequency 单位增益频率 Unilateral-switch单向开关 Vacancy 空位 Vacuum 真空 Valence（value） band 价带 Value band edge 价带顶 Valence bond 价键 Vapour phase 汽相 Varactor 变容管 Varistor 变阻器 Vibration 振动 Voltage 电压 Wafer 晶片 Wave equation 波动方程 Wave guide 波导 Wave number 波数 Wave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 烧毁 Wire routing 布线 Work function 功函数 Worst-case device 最坏情况器件 Yield 成品率 Zener breakdown 齐纳击穿。
半导体工艺中的英语词汇
AAbrupt jun ction 突变结Accelerated test ing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulatio n 积累、堆积Accumulat ing con tact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activati on 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittanee 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device 合金结器件Aluminum （Aluminium ）铝Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous无定形的，非晶体的Amplifier功放扩音器放大器Analogue （Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal退火Anisotropic 各向异性的An ode 阳极Arse nic （AS）砷Auger俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avala nche excitati on 雪崩激发BBackgro und carrier 本底载流子Backgro und dop ing 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasti ng resistor 整流电阻Ball bo nd 球形键合Band能带Ba nd gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base基极Base con tact 基区接触Base stretchi ng 基区扩展效应Base tran sit time 基区渡越时间Base tran sport efficie ncy 基区输运系数Base-width modulation 基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compo und semic on ductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch布洛赫Blocki ng ba nd 阻挡能带Blocki ng con tact 阻挡接触Body - cen tered 体心立方Body-ce ntred cubic structure 体立心结构Boltzma nn 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Bou ndary con diti on 边界条件Bou nd electro n 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built- in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk gen erati on 体产生Bulk recomb in ati on 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区CCan 外壳Capacitanee 电容Capture cross sectio n 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier载流子、载波Carry bit进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade级联Case管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdow n 沟道击穿Channel curre nt 沟道电流Channel dop ing 沟道掺杂Channel shorte ning 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impeda nee 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/ 交换/ 共享/转移/存储Chemmical etchi ng 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chip 芯片Chip yield芯片成品率Clamped箝位Clampi ng diode 箝位二极管Cleavage pla ne 解理面Clock rate 时钟频率Clock gen erator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Commo n-base/collector/emitter conn ection 共基极/ 集电极/ 发射极连接Common-gate/dra in/source connection 共栅/ 漏/ 源连接Common-m ode gain 共模增益Common-m ode in put 共模输入Com mon-mode rejectio n ratio （CMRR）共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compe nsated impurities 补偿杂质Compe nsated semic on ductor 补偿半导体Compleme ntary Darlington circuit 互补达林顿电路Compleme ntary Metal-Oxide-Semico nductor Field-Effect-Tra nsistor （CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Compleme ntary error fun ctio n 余误差函数Computer-aided design （CAD）/test （CAT）/manufacture （CAM）计算机辅助设计/测试/制造Compo und Semic on ductor 化合物半导体Con ducta nee 电导Con ducti on band （edge）导带（底）Con ducti on level/state 导带态Con ductor 导体Con ductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Con pled Co nfiguration Devices 结构组态Co nsta nts 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion 恒定源扩散Con tact 接触Co ntami natio n 治污Contin uity equatio n 连续性方程Con tact hole 接触孔Con tact pote ntial 接触电势Con ti nuity con ditio n 连续性条件Co ntra dopi ng 反掺杂Con trolled 受控的Converter转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covale nt 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible 坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/ 晶面/ 晶向/ 晶格Curre nt den sity 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）DDangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye len gth 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel （dB）分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat缺陷Dege nerate semic on ductor 简并半导体Dege neracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius （centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depleti on approximati on 耗尽近似Depleti on contact 耗尽接触Depletio n depth 耗尽深度Depletio n effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOSDepletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Depositi on process 淀积工艺Desig n rules 设计规贝UDie芯片（复数dice）Diode二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode in put 差模输入Differe ntial amplifier 差分放大器Differe ntial capacita nee 微分电容Diffused jun ction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusi on con sta nt 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/ 电流/ 炉Digital circuit 数字电路Dipole domai n 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semic on ductor 直接带隙半导体Direct tran siti on 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacita nee 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Don or exhaustion 施主耗尽Dopa nt掺杂剂Doped semic on ductor 掺杂半导体Doping concen trati on 掺杂浓度Double-diffusive MOS （DMOS）双扩散MOS.Drift漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式圭寸装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dyn amic impeda nee 动态阻抗EEarly effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation （ship）爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory （E2PROM）一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electr on affinity 电子亲和势Electro nic -grade 电子能Electro n-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electro n trappi ng cen ter 电子俘获中心Electro n Volt （eV）电子伏Electrostatic 静电的Element元素/元件/配件Eleme ntal semic on ductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty ba nd 空带Emitter crowdi ng effect 发射极集边（拥挤）效应En dura nee test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图Enhancement mode 增强型模Enhancement MOS 增强性MOS Entefic （低）共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 夕卜延层Epitaxial slice 夕卜延片Expitaxy 夕卜延Equivale nt curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/ 少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取(编程)存储器Error fun cti on compleme nt (erfc) 余误差函数Etch刻蚀Etchant刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation en ergy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 夕卜推法Extri nsic 非本征的Extri nsic semic on ductor 杂质半导体FFace - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程(扩散) Field effect tran sistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁(变)噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking/conducting 正向阻断/导通Freque ncy deviatio n no ise 频率漂移噪声Freque ncy response 频率响应Function 函数GGain 增益Gallium-Arsenide (GaAs)砷化钾Gamy ray r射线Gate门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss (ian ) 高斯Gaussia n distributi on profile 高斯掺杂分布Gen erati on-recomb in ati on 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium (Ge) 锗Graded 缓变的Graded (gradual ) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gu nn - effect 狄氏效应HHarde ned device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor （HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performanee MOS. （H-MOS）高性能MOS. Hormalized 归一化Horiz on tal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid in tegration 混合集成IImage - force 镜象力Impact ioni zati on 碰撞电离Impedanee 阻抗Imperfect structure 不完整结构Impla ntati on dose 注入剂量Impla nted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂质散射In creme ntal resista nee 电阻增量（微分电阻）In-co ntact mask 接触式掩模Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injecti on 注入In put offset voltage 输入失调电压In sulator 绝缘体Insulated Gate FET （IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic 集成注入逻辑In tegrati on 集成、积分In terc onnection 互连In terc onnection time delay 互连延时In terdigitated structure 交互式结构In terface 界面In terfere nee 干涉Intern ati onal system of unions 国际单位制Intern ally scatteri ng 谷间散射In terpolati on 内插法In tri nsic 本征的Intrin sic semic on ductor 本征半导体in verse operati on 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etchi ng 离子刻蚀Ion impla ntatio n 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic各向同性JJunction FET （JFET）结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spaci ng 结间距Junction side-wall 结侧壁LLatch up 闭锁Lateral横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice bin di ng/cell/co nsta nt/defect/distortio n 晶格结合力/ 晶胞/ 晶格/ 晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage curre nt （泄）漏电流Level shifti ng 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Li nked bo nd 共价键Liquid Nitroge n 液氮Liquid —phase epitaxial growth tech nique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode （LED）发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Lon gitudi nal 纵向的Logic swi ng 逻辑摆幅Lorentz洛沦兹Lumped model 集总模型MMajority carrier 多数载流子Mask掩膜板，光刻板Mask level掩模序号Mask set掩模组Mass - action law 质量守恒定律Master-slave D flip-flop 主从D 触发器Matchi ng 匹配Maxwell麦克斯韦Mea n free path 平均自由程Mea ndered emitter jun ction 梳状发射极结Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Megeto - resista nee 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor 金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectro nics 微电子学Mille n in dices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit失配Mismatchi ng 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal 分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor （MOST ）MOS.晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module （MCM）多芯片模块Multiplication coefficient 倍增因子NNaked chip未圭寸装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resista nee 负阻Nesti ng 套刻Negative-temperature-coefficie nt 负温度系数Noise margin 噪声容限Non equilibrium 非平衡No nrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析OOccupied band 满带Officienay 功率Offset偏移、失调On standby 待命状态Ohmic con tact 欧姆接触Ope n circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器Optical phot on =phot on 光子Optical que nching 光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator 光耦合隔离器Organic semic on ductor 有机半导体Orien tati on 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask 非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swi ng 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator振荡器Oxide氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation氧化层钝化PPackage圭寸装Pad压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillati on 寄生振荡Pass in ati on 钝化Passive comp onent 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo con duction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoe nic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺（photo）resist （光敏）抗腐蚀剂Pin管脚Pinch off夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Pla nar tran sistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equati on 泊松方程Poi nt con tact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semico nductor 聚合物半导体Poly-silic on 多晶硅Pote ntial （电）势Pote ntial barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power tran sistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Prin t-circuit board （PCB）印制电路板Probability 几率Probe探针Process工艺Propagati on delay 传输延时Pseudopote ntial method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator （PWM）脉冲宽度调制punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级QQuality factor 品质因子Qua ntizatio n 量子化Quantum 量子Quantum efficiency 量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi - Fermi —level 准费米能级Quartz 石英RRadiation con ductivity 辐射电导率Radiatio n damage 辐射损伤Radiation flux den sity 辐射通量密度Radiatio n harde ning 辐射加固Radiati on protect ion 辐射保护Radiative - recomb in ati on 辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recomb in atio n 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifyi ng con tact 整流接触Referenee 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可* 性Resonance 谐振Resista nee 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency 共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置SSampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（AI2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Saturatio n regi on 饱和区Saturatio n 饱和的Scaled dow n 按比例缩小Scatteri ng 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky con tact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secon dary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semic on ductor-c on trolled rectifier 可控硅Sen dsitivity 灵敏度Serial串行/串联Series inductanee 串联电感Settle time 建立时间Sheet resista nee 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise散粒噪声Shu nt分流Sidewall capacitanee 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅Silicon Nitride （Si3N4）氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat （PT）热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical球面的Spin自旋Split分裂Spontan eous emissi on 自发发身寸Spread ing resista nee 扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emissio n 受激发射Stimulated recomb in ati on 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutio nal 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关TTailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resista nee 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film tech ni que 厚膜技术Th in-film hybrid IC 薄膜混合集成电路Thi n-Film Tran sistor （TFT）薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductanee 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electr on 转移电子Tran sfer fun ction 传输函数Tran sie nt 瞬态的Tran sistor agi ng （stress）晶体管老化Tran sit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Tran siti on probability 跃迁几率Tran siti on region 过渡区Tran sport 输运Tran sverse 横向的Trap陷阱Trapping俘获Trapped charge 陷阱电荷Trian gle gen erator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel （ing）隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间UUltraviolet 紫外的Unijun ction 单结的Unipolar单极的Unit cell原（元）胞Un ity-ga in freque ncy 单位增益频率Un ilateral-switch 单向开关VVacancy 空位Vacuum 真空Vale nee （value）band 价带Value band edge 价带顶Vale nee bond 价键Vapour phase 汽相Varactor变容管Varistor变阻器Vibration 振动Voltage 电压WWafer晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield成品率Zener breakdow n 齐纟纳击穿。
集成电路专业英语词汇
Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Can 外壳Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制造Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covalent 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel (dB) 分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通Frequency deviation noise频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应Hardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子Naked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Officienay 功率Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Print-circuit board(PCB) 印制电路板Probability 几率Probe 探针Process 工艺Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制PulseWiden Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level准费米能级Quartz 石英Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可靠性Resonance 谐振Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat(PT) 热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关Tailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging(stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel(ing) 隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence(value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压Wafer 晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield 成品率Zener breakdown 齐纳击穿Zone melting 区熔法。
stm32f3 比较器用法
stm32f3 比较器用法STM32F3系列微控制器是意法半导体公司推出的一款基于ARM Cortex-M4内核的32位微控制器。
该系列芯片内建有多个模拟外设，其中之一便是比较器（Comparator）。
比较器是一种常用的模拟外设，可以用于检测输入信号的大小关系并产生对应的输出信号。
比较器通常由两个输入端、一个输出端和一组控制寄存器组成。
STM32F3系列微控制器中的比较器具有多种应用场景，如电压比较、电流检测等，以下是比较器的使用方法以及相关参考内容的介绍。
1. 比较器的输入端比较器的输入端通常由两个输入端口组成，一个为正向输入端（INP）和一个为反向输入端（INM）。
比较器通过比较这两个输入端口的电压来判断输入信号的大小关系。
可以使用STM32F3系列微控制器的GPIO端口作为输入信号的来源，或者使用其他模拟外设的输出信号作为输入信号。
2. 比较器的输出端比较器的输出端通常为开漏输出，可以通过GPIO端口配置输出模式为推挽输出或者上拉输入。
开漏输出可以直接连接到其他数字或模拟电路中，例如控制LED灯的亮灭、控制传感器的触发等。
3. 比较器的控制寄存器STM32F3系列微控制器提供了一组控制寄存器，用于配置比较器的工作模式、输入信号的极性、输出端的配置等。
可以通过对这些寄存器的配置来调整比较器的工作方式，以适应不同的应用场景。
4. 比较器的中断和事件STM32F3系列微控制器还提供了比较器相关的中断和事件，可以通过配置中断使能以及事件触发来实现对比较器输出状态的实时监测。
中断和事件可以用于响应比较器输出状态的变化，例如当输入信号达到设定的阈值时触发中断，从而执行相应的操作。
在使用STM32F3系列微控制器的比较器时，可以参考以下相关内容：1. STM32F3系列微控制器的参考手册：该手册详细介绍了比较器的工作原理和使用方法，包括输入端口的配置、控制寄存器的设置以及中断和事件的配置等。
2. STM32CubeMX软件：该软件是意法半导体公司提供的一款配置工具，可以通过图形化界面来配置比较器的相关参数，生成相应的初始化代码，方便快速开始比较器的开发工作。
微电子词典中英文对照
微电子词典Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件Aluminum(Aluminium) 铝Aluminum – oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue(Analog) comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Arsenic (AS) 砷Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Can 外壳Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试/制造Compound Semiconductor 化合物半导体Conductance 电导Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covalent 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel (dB) 分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation(ship) 爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory(E2PROM) 一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt (eV) 电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量(E-K)图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic (低)共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM (EPROM)可搽取（编程）存储器Error function complement 余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通Frequency deviation noise频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium-Arsenide(GaAs) 砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium(Ge) 锗Graded 缓变的Graded (gradual) channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应Hardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.( H-MOS)高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂志散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide (ITO) 铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET(IGFET)绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET(JFET) 结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode(LED) 发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure (MTBF) 平均工作时间Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FETMetallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor(MOST )MOS. 晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module(MCM) 多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子Naked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Officienay 功率Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier (OPAMP)运算放大器Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxide passivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺(photo) resist （光敏）抗腐蚀剂Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Potential (电)势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Print-circuit board(PCB) 印制电路板Probability 几率Probe 探针Process 工艺Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制PulseWiden Modulator(PWM) 脉冲宽度调制Punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi – Fermi－level准费米能级Quartz 石英Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可靠性Resonance 谐振Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide (SiO2) 二氧化硅Silicon Nitride(Si3N4) 氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat(PT) 热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关Tailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor(TFT) 薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging(stress) 晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel(ing) 隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence(value) band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压Wafer 晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield 成品率Zener breakdown 齐纳击穿Zone melting 区熔法。
ad工作原理
ad工作原理
AD（Analog-to-Digital）转换器是一种将模拟电信号转换为数
字信号的设备。
其工作原理可简单分为两个过程：采样和量化。
采样是指将连续的模拟信号离散化，即在一段时间内对信号进行有限次的测量。
采样频率越高，对模拟信号的还原度就越高。
通常采样率为模拟信号频率的2倍。
量化是将采样后的信号离散化为一系列离散级别的数值。
通过确定量化级数和分辨率，将连续的模拟信号转换为相应的离散数值。
量化误差是量化过程中产生的误差，它取决于量化级数的多少。
AD转换器内部通常包括了采样保持电路（Sample and Hold）
和比较器（Comparator）。
采样保持电路用于在采样时刻将模
拟信号以给定的速率存储起来。
比较器则用于将模拟信号与一系列参考电压进行比较，以判断信号处于哪一个离散级别。
在AD转换器中，采样和量化过程是交替进行的。
根据量化级数和分辨率的不同，AD转换器可以实现不同精度的信号转换。
转换后的数字信号可以在计算机或其他数字系统中进行处理和存储。
总结起来，AD转换器通过采样和量化的过程将连续的模拟信
号转换为离散的数字信号。
它的工作原理是将模拟电信号进行抽样和离散化，最终得到一系列离散级别的数字数值。
半导体一些术语的中英文对照
半导体一些术语的中英文对照离子注入机ionimplanterLSS理论LindhandScharffandSchiotttheory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应channelingeffect射程分布rangedistribution深度分布depthdistribution投影射程projectedrange负性光刻胶negativephotoresist正性光刻胶positivephotoresist无机光刻胶inorganicresist多层光刻胶multilevelresist电子束光刻胶electronbeamresistX射线光刻胶X-rayresist刷洗scrubbing甩胶spinning涂胶photoresistcoating后烘postbaking光刻photolithographyX射线光刻X-raylithography电子束光刻electronbeamlithography离子束光刻ionbeamlithography深紫外光刻deep-UVlithography光刻机maskaligner投影光刻机projectionmaskaligner曝光exposure接触式曝光法contactexposuremethod接近式曝光法proximityexposuremethod光学投影曝光法opticalprojectionexposuremethod磷硅玻璃phosphorosilicateglass硼磷硅玻璃boron-phosphorosilicateglass钝化工艺passivationtechnology 多层介质钝化multilayerdielectricpassivation划片scribing电子束切片electronbeamslicing烧结sintering印压indentation热压焊thermocompressionbonding热超声焊thermosonicbonding冷焊coldwelding点焊spotwelding球焊ballbonding楔焊wedgebonding内引线焊接innerleadbonding外引线焊接outerleadbonding梁式引线beamlead装架工艺mountingtechnology附着adhesion封装packaging金属封装metallicpackagingAmbipolar双极的Ambienttemperature环境温度Amorphous无定形的，非晶体的Amplifier功放扩音器放大器Analogue(Analog)comparator模拟比较器Angstrom埃Anneal退火Anisotropic各向异性的Anode阳极Arsenic(AS)砷Auger俄歇Augerprocess俄歇过程Avalanche雪崩Avalanchebreakdown雪崩击穿Avalancheexcitation雪崩激发Backgroundcarrier本底载流子Backgrounddoping本底掺杂Backward反向Backwardbias反向偏置Ballastingresistor整流电阻Ballbond球形键合Band能带Bandgap能带间隙Barrier势垒Barrierlayer势垒层Barrierwidth势垒宽度Base基极Basecontact基区接触Basestretching基区扩展效应Basetransittime基区渡越时间Basetransportefficiency基区输运系数Base-widthmodulation基区宽度调制Basisvector基矢Bias偏置Bilateralswitch双向开关Binarycode二进制代码Binarycompoundsemiconductor二元化合物半导体Bipolar双极性的BipolarJunctionTransistor(BJT)双极晶体管Bloch布洛赫Blockingband阻挡能带Chargeconservation电荷守恒Chargeneutralitycondition电中性条件Chargedrive/exchange/sharing/transfer/storage电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmicaletching化学腐蚀法Chemically-Polish化学抛光Chemmically-MechanicallyPolish(CMP)化学机械抛光Chip芯片Chipyield芯片成品率Clamped箝位Clampingdiode箝位二极管Cleavageplane解理面Clockrate时钟频率Clockgenerator时钟发生器Clockflip-flop时钟触发器Close-packedstructure密堆积结构Close-loopgain闭环增益Collector集电极Collision碰撞CompensatedOP-AMP补偿运放Common-base/collector/emitterconnection共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/sourceconnection共栅/漏/源连接Common-modegain共模增益Common-modeinput共模输入Common-moderejectionratio(CMRR)共模抑制比Compatibility兼容性Compensation补偿Compensatedimpurities补偿杂质Compensatedsemiconductor补偿半导体ComplementaryDarlingtoncircuit互补达林顿电路ComplementaryMetal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor(CMOS)互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementaryerrorfunction余误差函数Computer-aideddesign(CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM)计算机辅助设计/测试/制De.broglie德布洛意Decderate减速Decibel(dB)分贝Decode译码Deepacceptorlevel深受主能级Deepdonorlevel深施主能级Deepimpuritylevel深度杂质能级Deeptrap深陷阱Defeat缺陷Degeneratesemiconductor简并半导体Degeneracy简并度Degradation退化DegreeCelsius(centigrade)/Kelvin摄氏/开氏温度Delay延迟Density密度Densityofstates态密度Depletion耗尽Depletionapproximation耗尽近似Depletioncontact耗尽接触Depletiondepth耗尽深度Depletioneffect耗尽效应Depletionlayer耗尽层DepletionMOS耗尽MOSDepletionregion耗尽区Depositedfilm淀积薄膜Depositionprocess淀积工艺Designrules设计规则Die芯片（复数dice）Diode二极管Dielectric介电的Dielectricisolation介质隔离Difference-modeinput差模输入Differentialamplifier差分放大器Differentialcapacitance微分电容Diffusedjunction扩散结Diffusion扩散Diffusioncoefficient扩散系数Diffusionconstant扩散常数Diffusivity扩散率Diffusioncapacitance/barrier/current/furnace扩散电容/势垒/电流/炉Electrostatic静电的Element元素/元件/配件Elementalsemiconductor元素半导体Ellipse椭圆Ellipsoid椭球Emitter发射极Emitter-coupledlogic发射极耦合逻辑Emitter-coupledpair发射极耦合对Emitterfollower射随器Emptyband空带Emittercrowdingeffect发射极集边（拥挤）效应Endurancetest=lifetest寿命测试Energystate能态Energymomentumdiagram能量-动量(E-K)图Enhancementmode增强型模式EnhancementMOS增强性MOSEntefic(低)共溶的Environmentaltest环境测试Epitaxial外延的Epitaxiallayer外延层Epitaxialslice外延片Expitaxy外延Equivalentcurcuit等效电路Equilibriummajority/minoritycarriers平衡多数/少数载流子ErasableProgrammableROM(EPROM)可搽取（编程）存储器Errorfunctioncomplement余误差函数Etch刻蚀Etchant刻蚀剂Etchingmask抗蚀剂掩模Excesscarrier过剩载流子Excitationenergy激发能Excitedstate激发态Exciton激子Extrapolation外推法Extrinsic非本征的Extrinsicsemiconductor杂质半导体Face-centered面心立方Falltime下降时间Heatsink散热器、热沉Heavy/lightholeband重/轻空穴带Heavysaturation重掺杂Hell-effect霍尔效应Heterojunction异质结Heterojunctionstructure异质结结构HeterojunctionBipolarTransistor（HBT）异质结双极型晶体Highfieldproperty高场特性High-performanceMOS.(H-MOS)高性能MOS.Hormalized归一化Horizontalepitaxialreactor卧式外延反应器Hotcarrior热载流子Hybridintegration混合集成Image-force镜象力Impactionization碰撞电离Impedance阻抗Imperfectstructure不完整结构Implantationdose注入剂量Implantedion注入离子Impurity杂质Impurityscattering杂志散射Incrementalresistance电阻增量（微分电阻）In-contactmask接触式掩模Indiumtinoxide(ITO)铟锡氧化物Inducedchannel感应沟道Infrared红外的Injection注入Inputoffsetvoltage输入失调电压Insulator绝缘体InsulatedGateFET(IGFET)绝缘栅FETIntegratedinjectionlogic集成注入逻辑Integration集成、积分Interconnection互连Interconnectiontimedelay互连延时Interdigitatedstructure交互式结构Interface界面Interference干涉Internationalsystemofunions国际单位制Internallyscattering谷间散射Matching匹配Maxwell麦克斯韦Meanfreepath平均自由程Meanderedemitterjunction梳状发射极结Meantimebeforefailure(MTBF)平均工作时间Megeto-resistance磁阻Mesa台面MESFET-MetalSemiconductor金属半导体FETMetallization金属化Microelectronictechnique微电子技术Microelectronics微电子学Millenindices密勒指数Minoritycarrier少数载流子Misfit失配Mismatching失配Mobileions可动离子Mobility迁移率Module模块Modulate调制Molecularcrystal分子晶体MonolithicIC单片ICMOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos.Transistor(MOST)MOS.晶体管Multiplication倍增Modulator调制Multi-chipIC多芯片ICMulti-chipmodule(MCM)多芯片模块Multiplicationcoefficient倍增因子Nakedchip未封装的芯片（裸片）Negativefeedback负反馈Negativeresistance负阻Nesting套刻Negative-temperature-coefficient负温度系数Noisemargin噪声容限Nonequilibrium非平衡Nonrolatile非挥发（易失）性Normallyoff/on常闭/开Numericalanalysis数值分析Occupiedband满带Officienay功率Photoelectriccell光电池Photoelectriceffect光电效应Photoenicdevices光子器件Photolithographicprocess光刻工艺(photo)resist（光敏）抗腐蚀剂Pin管脚Pinchoff夹断PinningofFermilevel费米能级的钉扎（效应）Planarprocess平面工艺Planartransistor平面晶体管Plasma等离子体Plezoelectriceffect压电效应Poissonequation泊松方程Pointcontact点接触Polarity极性Polycrystal多晶Polymersemiconductor聚合物半导体Poly-silicon多晶硅Potential(电)势Potentialbarrier势垒Potentialwell势阱Powerdissipation功耗Powertransistor功率晶体管Preamplifier前置放大器Primaryflat主平面Principalaxes主轴Print-circuitboard(PCB)印制电路板Probability几率Probe探针Process工艺Propagationdelay传输延时Pseudopotentialmethod膺势发Punchthrough穿通Pulsetriggering/modulating脉冲触发/调制Pulse WidenModulator(PWM)脉冲宽度调制Punchthrough穿通Push-pullstage推挽级Qualityfactor品质因子Quantization量子化Schottkybarrier肖特基势垒Schottkycontact肖特基接触Schrodingen薛定厄Scribinggrid划片格Secondaryflat次平面Seedcrystal籽晶Segregation分凝Selectivity选择性Selfaligned自对准的Selfdiffusion自扩散Semiconductor半导体Semiconductor-controlledrectifier可控硅Sendsitivity灵敏度Serial串行/串联Seriesinductance串联电感Settletime建立时间Sheetresistance薄层电阻Shield屏蔽Shortcircuit短路Shotnoise散粒噪声Shunt分流Sidewallcapacitance边墙电容Signal信号Silicaglass石英玻璃Silicon硅Siliconcarbide碳化硅Silicondioxide(SiO2)二氧化硅SiliconNitride(Si3N4)氮化硅SiliconOnInsulator绝缘硅Siliverwhiskers银须Simplecubic简立方Singlecrystal单晶Sink沉Skineffect趋肤效应Snaptime急变时间Sneakpath潜行通路Sulethreshold亚阈的Solarbattery/cell太阳能电池Solidcircuit固体电路SolidSolubility固溶度Sonband子带Transistoraging(stress)晶体管老化Transittime渡越时间Transition跃迁Transition-metalsilica过度金属硅化物Transitionprobability跃迁几率Transitionregion过渡区Transport输运Transverse横向的Trap陷阱Trapping俘获Trappedcharge陷阱电荷Trianglegenerator三角波发生器Triboelectricity摩擦电Trigger触发Trim调配调整Triplediffusion三重扩散Truthtable真值表Tolerahce容差Tunnel(ing)隧道（穿）Tunnelcurrent隧道电流Turnover转折Turn-offtime关断时间Ultraviolet紫外的Unijunction单结的Unipolar单极的Unitcell原（元）胞Unity-gainfrequency单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy空位Vacuum真空Valence(value)band价带Valuebandedge价带顶Valencebond价键Vapourphase汽相Varactor变容管Varistor变阻器Vibration振动Voltage电压Wafer晶片Waveequation波动方程Waveguide波导Wavenumber波数CT:ContaminationThreshold??污染阀值Ctrl:Control控制；管理；抑制D:Die芯片DAC igitalAnalogConverter??数字转换器DSP igitalSignalProcessing数字信号处理EFO:ElevtronicFlame-Off电子打火系统FA:FaceAngle顶锥角（面锥角）FAB:FreeAirBall空气球FD:FloppyDisk软盘，软式磁碟片Frd:Forward??前进GEM:GenericHi:HightMagnification高倍率Hybd:Hybrid混合动力/混合式Impd:Impedence阻抗Ins:Inspection检查，检验L/F eadFrame框架Lo:LowMagnification低倍率PM reventiveMaintenance??PR atternRecognitionT/P:TopPlate??顶板UPH:UnitPerHour??每小时产量UTI:UltrasonicTransducerInterface超声波传感受器接口VLL:VisualLeadLocator导脚定位W/C:WireClamp??线夹W/H:WorkHolder??轨道W/S:WireSpool??线轴ESD:ElectroStaticDischarge静电释放EPa:ESDProtectedarea??静电防护区ESDS??????????????????????静电敏感设备BM:BreakdownMaintenance事后维修CM:CorrectiveMaintenance改良保养PVM:PreventiveMaintenance预防保养MP:MaintencePreventive保养预防PM:ProductionMaintenance生产保养BG：backgrinding??背部研磨DS：diesaw????将wafer切die DA：dieattach??=DB:diebond??装片WB：wirebond焊线????。
微电子与固体电子学专业词汇
微电子学与固体电子学专业英语词汇Abrupt junction 突变结Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区Accumulation layer 积累层Active region 有源区Active component 有源元Active device 有源器件Activation 激活Activation energy 激活能Active region 有源（放大）区Admittance 导纳Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件Aluminum（Aluminium）铝Aluminum - oxide 铝氧化物Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的Amplifier 功放扩音器放大器Analogue（Analog）comparator 模拟比较器Angstrom 埃Anneal 退火Anisotropic 各向异性的Anode 阳极Arsenic （AS）砷Auger 俄歇Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发Background carrier 本底载流子Background doping 本底掺杂Backward 反向Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻Ball bond 球形键合Band 能带Band gap 能带间隙Barrier 势垒Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度Base 基极Base contact 基区接触Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制Basis vector 基矢Bias 偏置Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch 布洛赫Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿Break over 转折Brillouin 布里渊Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生Bulk recombination 体复合Burn - in 老化Burn out 烧毁Buried channel 埋沟Buried diffusion region 隐埋扩散区Can 外壳Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入Carry-out bit 进位输出Cascade 级联Case 管壳Cathode 阴极Center 中心Ceramic 陶瓷（的）Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒Charge neutrality condition 电中性条件Chargedrive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光Chip 芯片Chip yield 芯片成品率Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益Collector 集电极Collision 碰撞Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio （CMRR）共模抑制比Compatibility 兼容性Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design （CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM）计算机辅助设计/ 测试/制造Compound Semiconductor化合物半导体Conductance 电导Conduction band （edge）导带（底）Conduction level/state 导带态Conductor 导体Conductivity 电导率Configuration 组态Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态Constants 物理常数Constant energy surface 等能面Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触Contamination 治污Continuity equation 连续性方程Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂Controlled 受控的Converter 转换器Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合Covalent 共阶的Crossover 跨交Critical 临界的Crossunder 穿交Crucible坩埚Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度Curvature 曲率Cut off 截止Currentdrift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）Dangling bonds 悬挂键Dark current 暗电流Dead time 空载时间Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意Decderate 减速Decibel （dB）分贝Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体Degeneracy 简并度Degradation 退化Degree Celsius（centigrade）/Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟Density 密度Density of states 态密度Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层Depletion MOS 耗尽MOS Depletion region 耗尽区Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺Design rules 设计规则Die 芯片（复数dice）Diode 二极管Dielectric 介电的Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体Direct transition 直接跃迁Discharge 放电Discrete component 分立元件Dissipation 耗散Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容Distributed model 分布模型Displacement 位移Dislocation 位错Domain 畴Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS.Drift 漂移Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化Dose 剂量Duty cycle 工作周期Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗Early effect 厄利效应Early failure 早期失效Effective mass 有效质量Einstein relation（ship）爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM）一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心Electron Volt （eV）电子伏Electrostatic 静电的Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic （低）共溶的Environmental test 环境测试Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（编程）存储器Error function complement （erfc）余误差函数Etch 刻蚀Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能Excited state 激发态Exciton 激子Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的Extrinsic semiconductor 杂质半导体Face - centered 面心立方Fall time 下降时间Fan-in 扇入Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复Fast surface states 快界面态Feedback 反馈Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散）Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层Filled band 满带Film 薄膜Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁（变）噪声Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通Frequency deviation noise频率漂移噪声Frequency response 频率响应Function 函数Gain 增益Gallium-Arsenide（GaAs）砷化钾Gamy ray r 射线Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸Germanium（Ge）锗Graded 缓变的Graded （gradual）channel 缓变沟道Graded junction 缓变结Grain 晶粒Gradient 梯度Grown junction 生长结Guard ring 保护环Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应Hardened device 辐射加固器件Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.（H-MOS）高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成Image - force 镜象力Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量Implanted ion 注入离子Impurity 杂质Impurity scattering 杂质散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻）In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物Induced channel 感应沟道Infrared 红外的Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压Insulator 绝缘体Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面Interference 干涉International system of unions国际单位制Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体Inverse operation 反向工作Inversion 反型Inverter 倒相器Ion 离子Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀Ion implantation 离子注入Ionization 电离Ionization energy 电离能Irradiation 辐照Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性Junction FET（JFET）结型场效应管Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距Junction side-wall 结侧壁Latch up 闭锁Lateral 横向的Lattice 晶格Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current （泄）漏电流Level shifting 电平移动Life time 寿命linearity 线性度Linked bond 共价键Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻Light Emitting Diode（LED）发光二极管Load line or Variable 负载线Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹Lumped model 集总模型Majority carrier 多数载流子Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号Mask set 掩模组Mass - action law质量守恒定律Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Megeto - resistance 磁阻Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FET Metallization 金属化Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子Misfit 失配Mismatching 失配Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率Module 模块Modulate 调制Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor（MOST ）MOS. 晶体管Multiplication 倍增Modulator 调制Multi-chip IC 多芯片IC Multi-chip module（MCM）多芯片模块Multiplication coefficient倍增因子Naked chip 未封装的芯片（裸片）Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开Numerical analysis 数值分析Occupied band 满带Officienay 功率Offset 偏移、失调On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触Open circuit 开路Operating point 工作点Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器Optical photon =photon 光子Optical quenching光猝灭Optical transition 光跃迁Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体Orientation 晶向、定向Outline 外形Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭Overload 过载Oscillator 振荡器Oxide 氧化物Oxidation 氧化Oxidepassivation 氧化层钝化Package 封装Pad 压焊点Parameter 参数Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡Passination 钝化Passive component 无源元件Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路Period 周期Periodic table 周期表Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件Photolithographic process 光刻工艺（photo）resist （光敏）抗腐蚀剂Pin 管脚Pinch off 夹断Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程Point contact 点接触Polarity 极性Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半导体Poly-silicon 多晶硅Potential （电）势Potential barrier 势垒Potential well 势阱Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面Principal axes 主轴Print-circuit board（PCB）印制电路板Probability 几率Probe 探针Process 工艺Propagation delay 传输延时Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator（PWM）脉冲宽度调制punchthrough 穿通Push-pull stage 推挽级Quality factor 品质因子Quantization 量子化Quantum 量子Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学Quasi - Fermi－level准费米能级Quartz 石英Radiation conductivity 辐射电导率Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源Read diode 里德二极管Recombination 复合Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管）Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点Refractive index 折射率Register 寄存器Registration 对准Regulate 控制调整Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可*性Resonance 谐振Resistance 电阻Resistor 电阻器Resistivity 电阻率Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫Resonant frequency共射频率Response time 响应时间Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置Sampling circuit 取样电路Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷Saturated current range 电流饱和区Saturation region 饱和区Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶Segregation 分凝Selectivity 选择性Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联Series inductance 串联电感Settle time 建立时间Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容Signal 信号Silica glass 石英玻璃Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4）氮化硅Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须Simple cubic 简立方Single crystal 单晶Sink 沉Skin effect 趋肤效应Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度Sonband 子带Source 源极Source follower 源随器Space charge 空间电荷Specific heat（PT）热Speed-power product 速度功耗乘积Spherical 球面的Spin 自旋Split 分裂Spontaneous emission 自发发射Spreading resistance 扩展电阻Sputter 溅射Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合Storage time 存储时间Stress 应力Straggle 偏差Sublimation 升华Substrate 衬底Substitutional 替位式的Superlattice 超晶格Supply 电源Surface 表面Surge capacity 浪涌能力Subscript 下标Switching time 开关时间Switch 开关Tailing 扩展Terminal 终端Tensor 张量Tensorial 张量的Thermal activation 热激发Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor（TFT）薄膜晶体Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数Transient 瞬态的Transistor aging（stress）晶体管老化Transit time 渡越时间Transition 跃迁Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率Transition region 过渡区Transport 输运Transverse 横向的Trap 陷阱Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电Trigger 触发Trim 调配调整Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表Tolerahce 容差Tunnel （ing）隧道（穿）Tunnel current 隧道电流Turn over 转折Turn - off time 关断时间Ultraviolet 紫外的Unijunction 单结的Unipolar 单极的Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率Unilateral-switch单向开关Vacancy 空位Vacuum 真空Valence（value）band 价带Value band edge 价带顶Valence bond 价键Vapour phase 汽相Varactor 变容管Varistor 变阻器Vibration 振动Voltage 电压Wafer 晶片Wave equation 波动方程Wave guide 波导Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性Wear-out 烧毁Wire routing 布线Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield 成品率Zener breakdown 齐纳击穿。
模拟ic分类
模拟IC分类1. 引言集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是现代电子技术的基石，广泛应用于各个领域。
IC的种类繁多，根据不同的分类标准，可以将IC分为多个类别。
本文将介绍模拟IC分类的相关内容。
2. 模拟IC的概述模拟集成电路是指能够处理连续信号的集成电路。
与数字集成电路（Digital Integrated Circuit，简称DIC）相比，模拟IC主要处理模拟信号而非离散信号。
模拟信号是连续变化的信号，可以表示为连续函数。
模拟IC通常用于放大、滤波、混频等模拟信号处理应用。
3. 模拟IC分类的依据对于模拟IC的分类，可以从多个角度进行划分。
常见的划分依据包括功能、工艺、应用领域等。
3.1 功能分类根据功能不同，模拟IC可以分为以下几类：•放大器（Amplifier）：用于放大输入信号，并输出放大后的信号。
•滤波器（Filter）：用于滤除特定频率范围内的信号。
•驱动器（Driver）：用于驱动其他器件或设备。
•比较器（Comparator）：用于比较输入信号与参考信号的大小关系。
•时钟与定时器（Clock and Timer）：用于产生时钟信号或计时功能。
•电源管理（Power Management）：用于管理和控制电源供应。
3.2 工艺分类根据工艺不同，模拟IC可以分为以下几类：•厚膜工艺（Thick Film Technology）：采用厚膜技术制造的模拟IC，具有低成本和较低的性能要求。
•薄膜工艺（Thin Film Technology）：采用薄膜技术制造的模拟IC，具有更高的精度和性能要求。
•集成光学工艺（Integrated Optics Technology）：采用光学元件集成到集成电路中，实现光学信号处理。
3.3 应用领域分类根据应用领域不同，模拟IC可以分为以下几类：•通信领域：包括无线通信、有线通信等应用，如收发机、调制解调器等。
•汽车电子领域：包括汽车电子控制单元、汽车音响系统等应用。
sar adc典型电路结构
sar adc典型电路结构SAR ADC（逐次逼近型模数转换器）是一种常用的模数转换器电路，具有高精度和低功耗的特点。
它通过逐次逼近的方式，将模拟信号转换为数字信号。
SAR ADC的典型电路结构如下：1. 采样保持电路（Sample and Hold Circuit）：用于将输入的模拟信号进行采样并保持，在转换过程中保持信号的稳定性。
采样过程发生在采样脉冲的上升沿，保持脉冲的高电平期间，采样保持电路将输入信号模拟值保持不变。
2. 比较器（Comparator）：将采样保持电路输出的模拟信号与DAC（数字模拟转换器）输出的数字信号进行比较。
比较器的输出为高电平或低电平，表示采样信号与参考信号的大小关系。
3. 逐次逼近寄存器（Successive Approximation Register）：用于存储和逐位逼近计算最佳数字输出。
它通过串行输出控制信号，逐步逼近模拟信号的数字表示，以最终获得转换结果。
4. DAC（数字模拟转换器）：将逐次逼近寄存器的输出数字信号转换为模拟信号，用于与输入的模拟信号进行比较。
5. 控制逻辑电路（Control Logic）：用于控制ADC电路的整个工作过程。
它根据比较器的输出信号，调整逐次逼近寄存器的状态，并控制采样保持电路和DAC的工作时序。
以上是SAR ADC的典型电路结构。
在转换过程中，采样保持电路获取输入的模拟信号，比较器和DAC进行模拟信号与数字信号的比较和转换，逐次逼近寄存器完成数字信号的逐位逼近，最终得到模拟信号的数字表示。
SAR ADC的优点是功耗低、转换速度快、精度高，适用于对功耗和转换速度有严格要求的场景。
然而，它的缺点是整体电路较为复杂，需要较大的面积和更多的控制逻辑电路，因此在一些应用中可能不适用。
半导体实用工艺中地英语词汇
AAbrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验Acceptor 受主 Acceptor atom 受主原子Accumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层Active region 有源区 Active component 有源元Active device 有源器件 Activation 激活Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区Admittance 导纳 Allowed band 允带Alloy-junction device合金结器件 Aluminum（Aluminium）铝Aluminum - oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放扩音器放大器Analogue（Analog） comparator 模拟比较器 Angstrom 埃Anneal 退火 Anisotropic 各向异性的Anode 阳极 Arsenic （AS）砷Auger 俄歇 Auger process 俄歇过程Avalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿Avalanche excitation雪崩激发BBackground carrier 本底载流子 Background doping 本底掺杂Backward 反向 Backward bias 反向偏置Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合Band 能带 Band gap 能带间隙Barrier 势垒 Barrier layer 势垒层Barrier width 势垒宽度 Base 基极Base contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应Base transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢Bias 偏置 Bilateral switch 双向开关Binary code 二进制代码 Binary compound semiconductor 二元化合物半导体Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor （BJT）双极晶体管Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼Bond 键、键合 Bonding electron 价电子Bonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器 Boron 硼Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件Bound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板Break down 击穿 Break over 转折Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区Built-in 内建的 Build-in electric field 内建电场Bulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合Burn - in 老化 Burn out 烧毁Buried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区CCan 外壳 Capacitance 电容Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位Carry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出Cascade 级联 Case 管壳Cathode 阴极 Center 中心Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道Channel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流Channel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应Charge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件Charge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储Chemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光Chemmically-Mechanically Polish （CMP）化学机械抛光 Chip 芯片Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面Clock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放Common-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接Common-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入Common-mode rejection ratio （CMRR）共模抑制比Compatibility 兼容性 Compensation 补偿Compensated impurities 补偿杂质 Compensated semiconductor 补偿半导体Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor（CMOS）互补金属氧化物半导体场效应晶体管Complementary error function 余误差函数Computer-aided design （CAD）/test（CAT）/manufacture（CAM）计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导Conduction band （edge）导带（底） Conduction level/state 导带态Conductor 导体 Conductivity 电导率Configuration 组态 Conlomb 库仑Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数Constant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散Contact 接触 Contamination 治污Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔Contact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件Contra doping 反掺杂 Controlled 受控的Converter 转换器 Conveyer 传输器Copper interconnection system 铜互连系统 Couping 耦合Covalent 共阶的 Crossover 跨交Critical 临界的 Crossunder 穿交Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格Current density 电流密度 Curvature 曲率Cut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲Custom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的Czochralshicrystal 直立单晶Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J）DDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度De.broglie 德布洛意 Decderate 减速Decibel （dB）分贝 Decode 译码Deep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级Deep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱Defeat 缺陷Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度Degradation 退化 Degree Celsius（centigrade） /Kelvin 摄氏/开氏温度Delay 延迟 Density 密度Density of states 态密度 Depletion 耗尽Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应Depletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOSDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜Deposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则Die 芯片（复数dice） Diode 二极管Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离Difference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器Differential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结Diffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉Digital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁Discharge 放电 Discrete component 分立元件Dissipation 耗散 Distribution 分布Distributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型Displacement 位移 Dislocation 位错Domain 畴 Donor 施主Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度Double-diffusive MOS（DMOS）双扩散MOS.Drift 漂移 Drift field 漂移电场Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量Duty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP）双列直插式封装Dynamics 动态 Dynamic characteristics 动态属性Dynamic impedance 动态阻抗EEarly effect 厄利效应 Early failure 早期失效Effective mass 有效质量 Einstein relation（ship）爱因斯坦关系Electric Erase Programmable Read Only Memory（E2PROM）一次性电可擦除只读存储器Electrode 电极 Electrominggratim 电迁移Electron affinity 电子亲和势 Electronic -grade 电子能Electron-beam photo-resist exposure 光致抗蚀剂的电子束曝光Electron gas 电子气 Electron-grade water 电子级纯水Electron trapping center 电子俘获中心 Electron Volt （eV）电子伏Electrostatic 静电的 Element 元素/元件/配件Elemental semiconductor 元素半导体 Ellipse 椭圆Ellipsoid 椭球 Emitter 发射极Emitter-coupled logic 发射极耦合逻辑 Emitter-coupled pair 发射极耦合对Emitter follower 射随器 Empty band 空带Emitter crowding effect 发射极集边（拥挤）效应Endurance test =life test 寿命测试 Energy state 能态Energy momentum diagram 能量-动量（E-K）图 Enhancement mode 增强型模式Enhancement MOS 增强性MOS Entefic （低）共溶的Environmental test 环境测试 Epitaxial 外延的Epitaxial layer 外延层 Epitaxial slice 外延片Expitaxy 外延 Equivalent curcuit 等效电路Equilibrium majority /minority carriers 平衡多数/少数载流子Erasable Programmable ROM （EPROM）可搽取（编程）存储器Error function complement （erfc）余误差函数Etch 刻蚀 Etchant 刻蚀剂Etching mask 抗蚀剂掩模 Excess carrier 过剩载流子Excitation energy 激发能 Excited state 激发态Exciton 激子 Extrapolation 外推法Extrinsic 非本征的 Extrinsic semiconductor 杂质半导体FFace - centered 面心立方 Fall time 下降时间Fan-in 扇入 Fan-out 扇出Fast recovery 快恢复 Fast surface states 快界面态Feedback 反馈 Fermi level 费米能级Fermi-Dirac Distribution 费米-狄拉克分布 Femi potential 费米势Fick equation 菲克方程（扩散） Field effect transistor 场效应晶体管Field oxide 场氧化层 Filled band 满带Film 薄膜 Flash memory 闪烁存储器Flat band 平带 Flat pack 扁平封装Flicker noise 闪烁（变）噪声 Flip-flop toggle 触发器翻转Floating gate 浮栅 Fluoride etch 氟化氢刻蚀Forbidden band 禁带 Forward bias 正向偏置Forward blocking /conducting正向阻断/导通Frequency deviation noise频率漂移噪声Frequency response 频率响应 Function 函数GGain 增益 Gallium-Arsenide（GaAs）砷化钾Gamy ray r 射线 Gate 门、栅、控制极Gate oxide 栅氧化层 Gauss（ian）高斯Gaussian distribution profile 高斯掺杂分布 Generation-recombination 产生-复合Geometries 几何尺寸 Germanium（Ge）锗Graded 缓变的 Graded （gradual） channel 缓变沟道Graded junction 缓变结 Grain 晶粒Gradient 梯度 Grown junction 生长结Guard ring 保护环 Gummel-Poom model 葛谋-潘模型Gunn - effect 狄氏效应HHardened device 辐射加固器件 Heat of formation 形成热Heat sink 散热器、热沉 Heavy/light hole band 重/轻空穴带Heavy saturation 重掺杂 Hell - effect 霍尔效应Heterojunction 异质结 Heterojunction structure 异质结结构Heterojunction Bipolar Transistor（HBT）异质结双极型晶体High field property 高场特性High-performance MOS.（ H-MOS）高性能MOS. Hormalized 归一化Horizontal epitaxial reactor 卧式外延反应器 Hot carrior 热载流子Hybrid integration 混合集成IImage - force 镜象力 Impact ionization 碰撞电离Impedance 阻抗 Imperfect structure 不完整结构Implantation dose 注入剂量 Implanted ion 注入离子Impurity 杂质 Impurity scattering 杂质散射Incremental resistance 电阻增量（微分电阻） In-contact mask 接触式掩模Indium tin oxide （ITO）铟锡氧化物 Induced channel 感应沟道Infrared 红外的 Injection 注入Input offset voltage 输入失调电压 Insulator 绝缘体Insulated Gate FET（IGFET）绝缘栅FET Integrated injection logic集成注入逻辑Integration 集成、积分 Interconnection 互连Interconnection time delay 互连延时 Interdigitated structure 交互式结构Interface 界面 Interference 干涉International system of unions国际单位制 Internally scattering 谷间散射Interpolation 内插法 Intrinsic 本征的Intrinsic semiconductor 本征半导体 Inverse operation 反向工作Inversion 反型 Inverter 倒相器Ion 离子 Ion beam 离子束Ion etching 离子刻蚀 Ion implantation 离子注入Ionization 电离 Ionization energy 电离能Irradiation 辐照 Isolation land 隔离岛Isotropic 各向同性JJunction FET（JFET）结型场效应管 Junction isolation 结隔离Junction spacing 结间距 Junction side-wall 结侧壁LLatch up 闭锁 Lateral 横向的Lattice 晶格 Layout 版图Lattice binding/cell/constant/defect/distortion 晶格结合力/晶胞/晶格/晶格常熟/晶格缺陷/晶格畸变Leakage current （泄）漏电流 Level shifting 电平移动Life time 寿命 linearity 线性度Linked bond 共价键 Liquid Nitrogen 液氮Liquid－phase epitaxial growth technique 液相外延生长技术Lithography 光刻 Light Emitting Diode（LED）发光二极管Load line or Variable 负载线 Locating and Wiring 布局布线Longitudinal 纵向的 Logic swing 逻辑摆幅Lorentz 洛沦兹 Lumped model 集总模型MMajority carrier 多数载流子 Mask 掩膜板，光刻板Mask level 掩模序号 Mask set 掩模组Mass - action law质量守恒定律 Master-slave D flip-flop主从D触发器Matching 匹配 Maxwell 麦克斯韦Mean free path 平均自由程 Meandered emitter junction梳状发射极结Mean time before failure （MTBF）平均工作时间Megeto - resistance 磁阻 Mesa 台面MESFET-Metal Semiconductor金属半导体FETMetallization 金属化 Microelectronic technique 微电子技术Microelectronics 微电子学 Millen indices 密勒指数Minority carrier 少数载流子 Misfit 失配Mismatching 失配 Mobile ions 可动离子Mobility 迁移率 Module 模块Modulate 调制 Molecular crystal分子晶体Monolithic IC 单片IC MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管Mos. Transistor（MOST ）MOS. 晶体管 Multiplication 倍增Modulator 调制 Multi-chip IC 多芯片ICMulti-chip module（MCM）多芯片模块 Multiplication coefficient倍增因子NNaked chip 未封装的芯片（裸片） Negative feedback 负反馈Negative resistance 负阻 Nesting 套刻Negative-temperature-coefficient 负温度系数 Noise margin 噪声容限Nonequilibrium 非平衡 Nonrolatile 非挥发（易失）性Normally off/on 常闭/开 Numerical analysis 数值分析OOccupied band 满带 Officienay 功率Offset 偏移、失调 On standby 待命状态Ohmic contact 欧姆接触 Open circuit 开路Operating point 工作点 Operating bias 工作偏置Operational amplifier （OPAMP）运算放大器Optical photon =photon 光子 Optical quenching光猝灭Optical transition 光跃迁 Optical-coupled isolator光耦合隔离器Organic semiconductor有机半导体 Orientation 晶向、定向Outline 外形 Out-of-contact mask非接触式掩模Output characteristic 输出特性 Output voltage swing 输出电压摆幅Overcompensation 过补偿 Over-current protection 过流保护Over shoot 过冲 Over-voltage protection 过压保护Overlap 交迭 Overload 过载Oscillator 振荡器 Oxide 氧化物Oxidation 氧化 Oxide passivation 氧化层钝化PPackage 封装 Pad 压焊点Parameter 参数 Parasitic effect 寄生效应Parasitic oscillation 寄生振荡 Passination 钝化Passive component 无源元件 Passive device 无源器件Passive surface 钝化界面 Parasitic transistor 寄生晶体管Peak-point voltage 峰点电压 Peak voltage 峰值电压Permanent-storage circuit 永久存储电路 Period 周期Periodic table 周期表 Permeable - base 可渗透基区Phase-lock loop 锁相环 Phase drift 相移Phonon spectra 声子谱Photo conduction 光电导 Photo diode 光电二极管Photoelectric cell 光电池Photoelectric effect 光电效应Photoenic devices 光子器件 Photolithographic process 光刻工艺（photo） resist （光敏）抗腐蚀剂 Pin 管脚Pinch off 夹断 Pinning of Fermi level 费米能级的钉扎（效应）Planar process 平面工艺 Planar transistor 平面晶体管Plasma 等离子体 Plezoelectric effect 压电效应Poisson equation 泊松方程 Point contact 点接触Polarity 极性 Polycrystal 多晶Polymer semiconductor聚合物半导体 Poly-silicon 多晶硅Potential （电）势 Potential barrier 势垒Potential well 势阱 Power dissipation 功耗Power transistor 功率晶体管 Preamplifier 前置放大器Primary flat 主平面 Principal axes 主轴Print-circuit board（PCB）印制电路板 Probability 几率Probe 探针 Process 工艺Propagation delay 传输延时 Pseudopotential method 膺势发Punch through 穿通 Pulse triggering/modulating 脉冲触发/调制Pulse Widen Modulator（PWM）脉冲宽度调制punchthrough 穿通 Push-pull stage 推挽级QQuality factor 品质因子 Quantization 量子化Quantum 量子 Quantum efficiency量子效应Quantum mechanics 量子力学 Quasi - Fermi－level准费米能级Quartz 石英RRadiation conductivity 辐射电导率 Radiation damage 辐射损伤Radiation flux density 辐射通量密度 Radiation hardening 辐射加固Radiation protection 辐射保护 Radiative - recombination辐照复合Radioactive 放射性 Reach through 穿通Reactive sputtering source 反应溅射源 Read diode 里德二极管Recombination 复合 Recovery diode 恢复二极管Reciprocal lattice 倒核子 Recovery time 恢复时间Rectifier 整流器（管） Rectifying contact 整流接触Reference 基准点基准参考点 Refractive index 折射率Register 寄存器 Registration 对准Regulate 控制调整 Relaxation lifetime 驰豫时间Reliability 可*性 Resonance 谐振Resistance 电阻 Resistor 电阻器Resistivity 电阻率 Regulator 稳压管（器）Relaxation 驰豫 Resonant frequency共射频率Response time 响应时间 Reverse 反向的Reverse bias 反向偏置SSampling circuit 取样电路 Sapphire 蓝宝石（Al2O3）Satellite valley 卫星谷 Saturated current range电流饱和区Saturation region 饱和区 Saturation 饱和的Scaled down 按比例缩小 Scattering 散射Schockley diode 肖克莱二极管 Schottky 肖特基Schottky barrier 肖特基势垒 Schottky contact 肖特基接触Schrodingen 薛定厄 Scribing grid 划片格Secondary flat 次平面Seed crystal 籽晶 Segregation 分凝Selectivity 选择性 Self aligned 自对准的Self diffusion 自扩散 Semiconductor 半导体Semiconductor-controlled rectifier 可控硅 Sendsitivity 灵敏度Serial 串行/串联 Series inductance 串联电感Settle time 建立时间 Sheet resistance 薄层电阻Shield 屏蔽 Short circuit 短路Shot noise 散粒噪声 Shunt 分流Sidewall capacitance 边墙电容 Signal 信号Silica glass 石英玻璃 Silicon 硅Silicon carbide 碳化硅 Silicon dioxide （SiO2）二氧化硅Silicon Nitride（Si3N4）氮化硅 Silicon On Insulator 绝缘硅Siliver whiskers 银须 Simple cubic 简立方Single crystal 单晶 Sink 沉Skin effect 趋肤效应 Snap time 急变时间Sneak path 潜行通路 Sulethreshold 亚阈的Solar battery/cell 太阳能电池 Solid circuit 固体电路Solid Solubility 固溶度 Sonband 子带Source 源极 Source follower 源随器Space charge 空间电荷 Specific heat（PT）热Speed-power product 速度功耗乘积 Spherical 球面的Spin 自旋 Split 分裂Spontaneous emission 自发发射 Spreading resistance扩展电阻Sputter 溅射 Stacking fault 层错Static characteristic 静态特性 Stimulated emission 受激发射Stimulated recombination 受激复合 Storage time 存储时间Stress 应力 Straggle 偏差Sublimation 升华 Substrate 衬底Substitutional 替位式的 Superlattice 超晶格Supply 电源 Surface 表面Surge capacity 浪涌能力 Subscript 下标Switching time 开关时间 Switch 开关TTailing 扩展 Terminal 终端Tensor 张量 Tensorial 张量的Thermal activation 热激发 Thermal conductivity 热导率Thermal equilibrium 热平衡 Thermal Oxidation 热氧化Thermal resistance 热阻 Thermal sink 热沉Thermal velocity 热运动 Thermoelectricpovoer 温差电动势率Thick-film technique 厚膜技术 Thin-film hybrid IC薄膜混合集成电路Thin-Film Transistor（TFT）薄膜晶体 Threshlod 阈值Thyistor 晶闸管 Transconductance 跨导Transfer characteristic 转移特性 Transfer electron 转移电子Transfer function 传输函数 Transient 瞬态的实用标准文档大全Transistor aging（stress）晶体管老化 Transit time 渡越时间Transition 跃迁 Transition-metal silica 过度金属硅化物Transition probability 跃迁几率 Transition region 过渡区Transport 输运 Transverse 横向的Trap 陷阱 Trapping 俘获Trapped charge 陷阱电荷 Triangle generator 三角波发生器Triboelectricity 摩擦电 Trigger 触发Trim 调配调整 Triple diffusion 三重扩散Truth table 真值表 Tolerahce 容差Tunnel（ing）隧道（穿） Tunnel current 隧道电流Turn over 转折 Turn - off time 关断时间UUltraviolet 紫外的 Unijunction 单结的Unipolar 单极的 Unit cell 原（元）胞Unity-gain frequency 单位增益频率 Unilateral-switch单向开关VVacancy 空位 Vacuum 真空Valence（value） band 价带 Value band edge 价带顶Valence bond 价键 Vapour phase 汽相Varactor 变容管 Varistor 变阻器Vibration 振动 Voltage 电压WWafer 晶片 Wave equation 波动方程Wave guide 波导 Wave number 波数Wave-particle duality 波粒二相性 Wear-out 烧毁Wire routing 布线 Work function 功函数Worst-case device 最坏情况器件Yield 成品率Zener breakdown 齐纳击穿。
EFM32外设模块—ACMP V1.00
目录1. 概述 (1)2. FAQ (3)2.1 ACMP输入通道 (3)2.2 ACMP中断 (3)2.3 电容感应模式 (4)3. 实验指导 (6)3.1 实验目的 (6)3.2 实验设备 (6)3.3 实验内容 (6)3.4 试验步骤 (6)3.5 实验参考程序 (6)3.6 实验结果 (8)4. 免责声明 (9)1. 概述模拟比较器（Analog Comparator，简称ACMP）是EFM32系列微控制器片上模拟电压比较模块，可工作于EM0～EM3模式，支持偏置电流、响应时间和滞回电压等配置。
ACMP用来比较两个模拟输入通道的输入电压大小并输出高低电平指示两个输入电压高低情况。
EFM32系列微控制器片上模拟比较器可选的输入信号包括内部参考电压、DAC 输出和外部输入引脚等，其输出信号可以输出到GPIO或PRS。
模拟比较器也可配置为电容感应模式以用来开发电容传感器类应用。
通过改变模拟比较器的偏置电流，可以改变其响应时间和功耗。
模拟比较器的内部参考电压可工作在正常模式和低功耗模式。
如图1.1所示为模拟比较器内部的互连情况、内部参考电压和输出模式的选择等。
图1.1 模拟比较器结构框图注：Gecko系列芯片ACMP的输入不含DAC通道0和DAC通道1。
模拟比较器有两个模拟输入端，即同相输入端和反相输入端。
当模拟比较器开始工作时，输出信号指示两输入通道电压的高低情况。
当同相输入电压高于反相输入电压时，模拟比较器输出高电平，反之输出低电平。
8路外部输入通道均可配置为同相输入或反相输入，但内部参考源和DAC输入通道（对于Gecko 系列没有DAC 通道0和1）只能配置为反相输入。
内部参考源包括1.25V 带隙基准电压、2.5V 带隙基准电压和VDD 参考源，其中VDD 参考源的输出电压可以通过配置ACMPn_INPUTSEL 寄存器中VDDLEVEL 位进行改变，分压公式如下：63/VDDLEVEL V V DD SCALED _DD ×=模拟比较器的输出可以从ACMPn_STATUS 寄存器中的ACMPOUT 位读出。
11_模拟比较器(COMP)(免费下载)
ulBase：模拟比较器模块的基址，取值 COMP_BASE
ulRef：内部参考电压，取下列值之一：
COMP_REF_OFF
// 关闭内部参考源
COMP_REF_0V
// 内部参考电压为 0V
3
返回 说明
COMP_REF_0_1375V COMP_REF_0_275V COMP_REF_0_4125V COMP_REF_0_55V COMP_REF_0_6875V COMP_REF_0_825V COMP_REF_0_928125V COMP_REF_0_9625V COMP_REF_1_03125V COMP_REF_1_134375V COMP_REF_1_1V COMP_REF_1_2375V COMP_REF_1_340625V COMP_REF_1_375V COMP_REF_1_44375V COMP_REF_1_5125V COMP_REF_1_546875V COMP_REF_1_65V COMP_REF_1_753125V COMP_REF_1_7875V COMP_REF_1_85625V COMP_REF_1_925V COMP_REF_1_959375V COMP_REF_2_0625V COMP_REF_2_165625V COMP_REF_2_26875V COMP_REF_2_371875V
z 3 个独立集成的模拟比较器 z 可以配置输出为到管脚的驱动、产生中断、触发 ADC 采样 z 输出反相控制 z 内部或外部参考源
如图 1.2 所示，为 Stellaris 系列 COMP 模块的几种常见用法。COMP 输出可以用来触发
1
中断或 ADC 采样，也可以配置到指定的管脚。输出管脚的驱动类型是数字的（注意不是模 拟的，这跟输入端不同），可以配置为推挽或开漏，如果是开漏模式一般还要外接上拉电阻。 在图 1.2(A)里，采用的是内部参考源，测试电压从反相端输入；在图 1.2(B)里，采用外部参 考源，一般认为参考电压从同相端输入，而测试电压从反相端输入；在图 1.2(C)里，也是外 部参考源，但输出到同相端存在反馈通道，构成迟滞比较器，这能够有效消除寄生在输入信 号上的干扰。
半导体一些术语的中英文对照
半导体一些术语的中英文对照离子注入机ion implanterLSS理论Lindhand Scharff and Schiott theory 又称“林汉德-斯卡夫-斯高特理论”。
沟道效应channeling effect射程分布range distribution深度分布depth distribution投影射程projected range阻止距离stopping distance阻止本领stopping power标准阻止截面standard stopping cross section退火annealing激活能activation energy等温退火isothermal annealing激光退火laser annealing应力感生缺陷stress-induced defect择优取向preferred orientation制版工艺mask-making technology图形畸变pattern distortion初缩first minification母版master mask铬版chromium plate干版dry plate乳胶版emulsion plate透明版see-through plate高分辨率版high resolution plate, HRP超微粒干版plate for ultra-microminiaturization 掩模mask掩模对准mask alignment对准精度alignment precision光刻胶photoresist又称“光致抗蚀剂”。
负性光刻胶negative photoresist正性光刻胶positive photoresist无机光刻胶inorganic resist多层光刻胶multilevel resist电子束光刻胶electron beam resistX射线光刻胶X-ray resist刷洗scrubbing甩胶spinning涂胶photoresist coating后烘postbaking光刻photolithographyX射线光刻X-ray lithography电子束光刻electron beam lithography离子束光刻ion beam lithography深紫外光刻deep-UV lithography光刻机mask aligner投影光刻机projection mask aligner曝光exposure接触式曝光法contact exposure method接近式曝光法proximity exposure method光学投影曝光法optical projection exposure method 电子束曝光系统electron beam exposure system分步重复系统step-and-repeat system显影development线宽linewidth去胶stripping of photoresist氧化去胶removing of photoresist by oxidation等离子［体］去胶removing of photoresist by plasma 刻蚀etching干法刻蚀dry etching反应离子刻蚀reactive ion etching, RIE各向同性刻蚀isotropic etching各向异性刻蚀anisotropic etching反应溅射刻蚀reactive sputter etching离子铣ion beam milling又称“离子磨削”。
模拟比较器
100: 比较器正端输入选择 CMPP5 通道 101～111: 比较器正端输入选择 CMPP6 通道
比较器中断控制/请求寄存器
Address $394 Bit 3 Bit 2 Bit 1 CMPIF Bit 0 CMPIE R/W R/W 上电复位值 - - 0 0
比较器中断控制/请求寄存器的控制位定义 CMPIE: 比较器模块中断使能寄存器 0︰比较器模块中断禁止。 1︰比较器模块中断使能。 CMPIF: 比较器模块中断请求标记寄存器 0︰比较器模块输出有效沿产生中断请求无效。 1︰比较器模块输出有效沿产生中断请求有效。
B.
模拟比较器的增强功能及控制寄存器说明 在集成在 SH69xxx 单片机产品中的模拟比较器，部分具有较强的功能，以 下以个别型号的某些功能为例给予说明。
可调比较电压 以 SH69P862 为例，其内部有一个可调的比较参考电压产生电路，当比较器 选择内部参考比较电压时, 其比较电压值可通过寄存器设定， 比较参考电压产生 电路如下图 1-2 示：
Bit 3 Bit 2 Bit 1 CMPx_OS Bit 0 CMPx_EN
CMPx_PS
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比较器工作模式控制的 Code Option 定义如下(x=0 or 1)： CMPx_EN: 比较器模块使能选择 0︰比较器模块禁止。 1︰比较器模块使能。 CMPx_OS: 比较器模块输出模式控制 0︰比较器设为开漏输出（Open-Drain）输出模式。 1︰比较器设为内部输出模式。 CMPx_PS: 比较器输出可控制缩减 PWM0 的 Duty Cycle 0︰禁止比较器输出可控制缩减 PWM0 的 Duty Cycle。 1︰使能比较器输出可控制缩减 PWM0 的 Duty Cycle。
模拟芯片AnalogICs放大器Amplifiers比较器Comparators显示
模拟芯片（Analog ICs）放大器（Amplifiers)比较器（Comparators)显示驱动器（Display Drivers)过滤器（Filters）数据选择器（Multiplexers)稳压器（Regulators）定时器（Timers)基准电压（Voltage Reference)杂类（Miscellananeous)电容（Capacitors)可动态显示充放电电容（Animated)音响专用轴线电容(Audio Grade Axial)轴线聚苯烯电容（Axial Lead Polypropene)轴线聚苯烯电容（Axial Lead Polystyrene)陶瓷圆片电容（Ceramic Disc)去耦片状电容（Decoupling Disc)普通电容（Generic)高温径线电容（High Temp Radial)高温径线电解电容（High Temperature Axial Electrolytic)金属化聚酯膜电容（Metallised Polyester Film)金属化聚烯电容（Metallised Polypropene）金属化聚烯膜电容（Metallised Polypropene Film)小型电解电容（Miniture Electrolytic)多层金属化聚酯膜电容（Multilayer Metallised Polyestern Film) 聚脂膜电容（Mylar Film)镍栅电容（Nickel Barrier)无极性电容（Non Polarised)聚脂层电容（Polyester Layer)径线电解电容（Radial Electrolytic)树脂蚀刻电容（Resin Dipped)钽珠电容（Tantalum Bead)可变电容（Variable)VX轴线电解电容（VX Axial Electolytic)连接器（Connectors)音频接口（Audio)D 型接口（D-Type)双排插座（DIL)插头（Header Blocks)PCB转接器（PCB Transfer)带线（Ribbon Cable）单排插座（SIL)连线端子（Terminal Blocks)杂类（Miscellananeous)数据转换器(Data Converter)模/数转换器(A/D converters)数/模转换器(D/A converters)采样保持器(Sample & Hold)温度传感器(Temperature Sensore) 调试工具(Debugging Tools)断点触发器(Breakpoint Triggers) 逻辑探针(Logic Probes)逻辑激励源(Logic Stimuli)二极管（Diode)整流桥(Bridge Rectifiers)普通二极管(Generic)整流管(Rectifiers)肖特基二极管(Schottky)开关管(Switching)隧道二极管(Tunnel)变容二极管(Varicap)齐纳击穿二极管(Zener)ECL 10000系列(ECL 10000 Series) 各种常用集成电路机电(Electromechanical)各种直流和步进电机电感(Inductors)普通电感(Generic)贴片式电感(SMT Inductors)变压器(Transformers)拉普拉斯变换(Laplace Primitives) 一阶模型(1st Order)二阶模型(2st Order)控制器(Controllers)非线性模式(Non-Linear)算子(Operators)极点/零点(Poles/Zones)符号(Symbols)存储芯片(Memory Ics)动态数据存储器(Dynamic RAM)电可擦除可编程存储器(EEPROM)可擦除可编程存储器(EPROM)I2C总线存储器(I2C Memories)SPI总线存储器(SPI Memories)存储卡(Memory Cards)静态数据存储器(Static Memories) 微处理器芯片(Microprocess ICs) 6800 系列(6800 Family)8051 系列(8051 Family)ARM 系列(ARM Family)AVR 系列(AVR Family)Parallax 公司微处理器(BASIC Stamp Modules)HCF11 系列(HCF11 Family)PIC10 系列(PIC10 Family）PIC12 系列(PIC12 Family)PIC16 系列(PIC16 Family)PIC18 系列(PIC18 Family)Z80系列(Z80 Family)CPU 外设(Peripherals)杂项(Miscellaneous)含天线、ATA/IDE硬盘驱动模型、单节与多节电池、串行物理接口模型、晶振、动态与通用保险、模拟电压与电流符号、交通信号灯建模源(Modelling Primitives)模拟(仿真分析）(Analogy-SPICE)数字(缓冲器与门电路）(Digital--Buffers&Gates)数字(杂类)(Digital--Miscellaneous)数字(组合电路)(Digital--Combinational)数字(时序电路）(Digital--Sequential)混合模式(Mixed Mode)可编程逻辑器件单元(PLD Elements)实时激励源(Realtime Actuators)实时指示器(Realtime Indictors)运算放大器(Operational Amplifiers)单路运放(Single)二路运放(Dual)三路运放(Triple)四路运放(Quad)八路运放(Octal)理想运放(Ideal)大量使用的运放(Macromodel)光电子类器件(Optoelectronics)七段数码管(7-Segment Displays)英文字符与数字符号液晶显示器(Alphanumeric LCDs)条形显示器(Bargraph Displays)点阵显示屏(Dot Matrix Display)图形液晶(Grphical LCDs)灯泡(Lamp)液晶控制器(LCD Controllers)液晶面板显示(LCD Panels Displays)发光二极管(LEDs)光耦元件(Optocouplers)串行液晶(Serial LCDs)可编程逻辑电路与现场可编程门阵列(PLD&FPGA)无子类电阻(Resistors)0.6W金属膜电阻(0.6W Metal Film)10W 绕线电阻(10W Wirewound)2W 金属膜电阻(2W Metal Film)3W 金属膜电阻(3W Metal Film)7W 金属膜电阻(7W Metal Film)通用电阻符号(Generic)高压电阻(High Voltage)负温度系数热敏电阻(NTC)排阻(Resisters Packs)滑动变阻器(Variable)可变电阻(Varistors)仿真源(Simulator Primitives)触发器(Flip-Flop)门电路(Gates)电源(Sources)扬声器与音响设备(Speaker&Sounders)无子分类开关与继电器(Switch&Relays)键盘(Keypads)普通继电器(Generic Relays)专用继电器(Specific Relays)按键与拨码(Switchs)开关器件(Switching Devices)双端交流开关元件(DIACs)普通开关元件(Generic)可控硅(SCRs)三端可控硅(TRIACs)热阴极电子管(Thermionic Valves)二极真空管(Diodes)三极真空管(Triodes)四极真空管(Tetrodes)五极真空管(Pentodes)转换器(Transducers)压力传感器(Pressures)温度传感器(Temperature)晶体管(Transistors)双极性晶体管(Bipolar)普通晶体管(Generic)绝缘栅场效应管(IGBY/Insulated Gate Bipolar Transistors 结型场效应晶体管(JFET)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)射频功率LDMOS晶体管(RF Power LDMOS)射频功率VDMOS晶体管(RF Power VDMOS)单结晶体管(Unijunction)CMOS 4000系列(CMOS 4000series TTL 74系列(TTL 74 series)TTL 74增强型低功耗肖特基系列(TTL 74ALSSeries) TTL 74增强型肖特基系列(TTL 74ASSeries) TTL 74高速系列(TTL 74FSeries) TTL74HC系列/CMOS工作电平(TTL 74HCSeries) TTL74HCT系列/TTL工作电平(TTL 74HCTSeries） TTL 74低功耗肖特基系列(TTL 74LSSeries) TTL 74肖特基系列（TTL 74S Series)加法器(Adders)缓冲器/驱动器(Buffers&Drivers)比较器（Comparators)计数器(Counters)解码器（Decoders)编码器(Encoders)存储器(Memory)触发器/锁存器(Flip-Flop&Latches)分频器/定时器(Frequency Dividers & Timers)门电路/反相器(Gates&Inverters)数据选择器（Multiplexers)多谐振荡器(Multivibrators)振荡器(Oscillators)锁相环(Phrase-Locked-Loop,PLL)寄存器(Registers)信号开关(Signal Switches)收发器(Tranxceivers)杂类逻辑芯片(Misc.Logic)。
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Address $13 Bit 3 Bit 2 CMPSO Bit 1 CMPSN Bit 0 CMPEN R/W R/W 上電復位值 - 0 0 0
比較器控制寄存器資料位元定義 CMPEN: 比較器模組使能選擇 0︰比較器模組禁止。 1︰比較器模組使能。 比較器模組負輸入端配置選擇。 0︰比較器模組選用內部 1/2VDD 為負端輸入（即這時負輸入共 用引腳配置為普通埠(PortE.1)管腳） 。 1︰比較器模組選用外部埠(PortE.1)為負端輸入。 比較器模組輸出端配置選擇。 0︰比較器模組輸出端配置為內部輸出（即這時輸出共用引腳 配置為普通埠(PortE.0)管腳） 。 1︰比較器模組選用外部埠(PortE.0)為輸出。
Bit 3 Bit 2 Bit 1 CMPx_OS Bit 0 CMPx_EN
CMPx_PS
第 6 頁
比較器工作模式控制的 Code Option 定義如下(x=0 or 1)： CMPx_EN: 比較器模組使能選擇 0︰比較器模組禁止。 1︰比較器模組使能。 CMPx_OS: 比較器模組輸出模式控制 0︰比較器設為開漏輸出（Open-Drain）輸出模式。 1︰比較器設為內部輸出模式。 CMPx_PS: 比較器輸出可控制縮減 PWM0 的 Duty Cycle 0︰禁止比較器輸出可控制縮減 PWM0 的 Duty Cycle。 1︰使能比較器輸出可控制縮減 PWM0 的 Duty Cycle。
A.
模擬比較器的基本控制寄存器組成及控制 類比比較器模組控制寄存器通常由三個部分組成，即類比比較器的工作模 式控制，類比比較器的輸入選擇和輸出狀態控制以及類比比較器的中斷選擇控 制。工作模式控制寄存器配置比較器的結構，一般比較器埠引腳和某個埠引腳複 用的，透過寄存器軟體配置，決定共用引腳的設置，設定比較器的工作狀態；輸 入選擇和輸出狀態控制寄存器選擇比較器的輸入通道和輸出方式，當輸出方式為 外部引腳輸出時,，比較器輸出端引腳的高低電平並非來自與普通埠一樣的寄存 器的鎖存值，而是直接由比較器模組的比較結果輸出。軟體一旦選擇設定引腳為 比較器輸出埠，不論埠輸入/輸出寄存器設定如何，系統將自動切換至比較器模 組輸出。中斷選擇控制寄存器設定比較器中斷的方式。以下以 SH69P26 為例, 說 明這些控制寄存器的配置及控制。 比較器控制寄存器
第 3 頁
CMPGO:
101～111:
比較器正端輸入選擇 CMPP6 通道
比較器中斷控制/請求寄存器
Address $394 Bit 3 Bit 2 Bit 1 CMPIF Bit 0 CMPIE R/W R/W 上電復位值 - - 0 0
比較器中斷控制/請求寄存器的控制位定義 CMPIE: 比較器模組中斷使能寄存器 0︰比較器模組中斷禁止。 1︰比較器模組中斷使能。 CMPIF: 比較器模組中斷請求標記寄存器 0︰比較器模組輸出有效沿產生中斷請求無效。 1︰比較器模組輸出有效沿產生中斷請求有效。
比較器內部輸出功能 比較器的比較結果可反映在比較結果輸出寄存器及外部輸出引腳上外，部 分單片機內的比較器也可設置為內部輸出方式，即比較結果不反映在外部輸出引 腳上(這時共用的輸出引腳被設定為普通埠)，而是在單片機內部直接控制某些其 他的功能模組。 以 SH69P461 為例，比較器輸出可直接控制 PWM 的輸出。相關的控制寄存器 如下，控制的輸出波形如圖 1-3 及圖 1-4：
圖 1-3：比較器輸出控制 PWM 輸出 (CMP_EN=1, CONEN=1, CMPMODE=0)
圖 1-4：比較器輸出控制 PWM 和 PWMB 輸出 (CMP_EN=1, CONEN=1, CMPMODE=1) SH69P44 中的比較器輸出可控制縮減 PWM0 的 Duty Cycle，在 SH69P44 中， 相關的比較器工作模式控制是由 Code Option 設定的。相關的設定如下，控制的 輸出波形如圖 1-5 和圖 1-6：
CMPSN:
CMPSO:
比較器比較結果輸出寄存器
Address $38F Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 CMPOD R/W R 上電復位值 - - - 0
在比較器操作過程中, 比較結果輸出寄存器直接與比較結果一致
第 2 頁
CMPOD:
比較器模組比較結果輸出 0︰當比較器模組使能且 正輸入(VCMPxP) < 負輸入 (VCMPxN)。或者，如果比較器模組禁止。 1︰當比較器模組使能且 正輸入(VCMPxP) >負輸入(VCMPxN)。
比較器配置控制寄存器
Address $38F Bit 3 CNF2 Bit 2 CNF1 Bit 1 CNF0 Bit 0 R/W R/W 上電復位值 0 0 0 -
比較器配置控制寄存器資料位元定義: CNF2～0: 比較器模組正輸入配置控制 （CMPxP 管腳/普通埠管腳配置選擇） 。 詳細配置情況如下表：
圖 1-1：Analog Comparator Block Diagram
2.
模擬比較器相關控制寄存器介紹
如上所述，在 SH69xxx 系列單片機產品中所集成的類比比較器各有性能特 點，這些性能特點小部分是通過 code option 控制實現的，而更大部分都是通過
第 1 頁
程式對相關控制寄存器的控制實現的。在這一章中，我們將先以集成在 SH69P26 上的一個多輸入端模擬比較器(CMP)模組為基礎，講解類比比較器的控制寄存器 基本組成及控制寄存器說明；及後，再說明一些多功能比較器的增強功能。
比較器輸出控制 PWM 輸出的相關控制寄存器如下：
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Address $0C
Bit 3 -
Bit 2
CMPMODE
Bit R/W R/W
上電復位值 - 0 0 0
比較器輸出控制 PWM 輸出的相關控制寄存器定義如下： CMP_EN: 比較器模組使能選擇 0︰比較器模組禁止。 1︰比較器模組使能。 CONEN: PWM 模組工作模式控制 0︰PWM 模組和比較器模組獨立工作。 1︰比較器輸出控制 PWM 模組工作。 CMPMODE: PWM 模組輸出模式控制 0︰比較器輸出控制 PWM 單輸出。 1︰比較器輸出控制 PWM 和 PWMB 雙輸出。
圖 1-5
圖 1-6
第 7 頁
3.
類比比較器模組工作設定說明 比較器的控制寄存器操作順序通常如下： 比较器 结构配置 比较器 通道选择 比较器 使能 比较器 中断使能
為使比較器正常工作，按照上面所屬的操作步驟，有以下幾點需給予注意。 (1) 首先在設定比較器模組使能之前,必須完成上述所有寄存器的結構配置 正確設定。 (2) 由於 SH69P26 的比較器模組在使能(CMPEN=1)後需等待 3 微秒才能穩定 工作,其中包括 1/2VDD 比較電平的建立。因此，使能(CMPEN=1)後等待 5 微秒才可打開比較器模組(CMPGO=1)。 (3) 對 SH69P26 當比較器模組正常工作(CMPGO=1)時，不能隨意切換正輸入 端通道位置和負輸入端狀態。需改變比較器結構配置或比較器通道選 擇，需先使比較器模組工作停止(CMPGO=0)，之後方可進行正輸入端通 道位置和負輸入端狀態轉換。若需比較器模組再次工作，必須再次打開 比較器模組(CMPGO=1)。 (4) 在 SH69xxx 系列單片機中，比較器的中斷通道通常都是與輸入埠中斷通 道共用的。所以要使比較器產生中斷響應，必須設置比較器的中斷控制 寄存器位元之外，同時也需要設置埠中斷控制寄存器位。 (5) 比較器模組可以在單片機進入 HALT 模式下工作，也可以在單片機進入 STOP 模式下依然工作。因此，在比較器模組的中斷允許被設置時，比較 器模組輸出的有效沿可產生中斷，能將單片機從 HALT / STOP 模式下喚 醒。 4. 類比比較器相關寄存器設定仿真程式 以下仿真程式以 SH69P862 為例，說明類比比較器的程式設定。
比較器狀態控制寄存器
Address $14 Bit 3 CMPGO Bit 2 CMPSP2 Bit 1 CMPSP1 Bit 0 CMPSP0 R/W R/W 上電復位值 0 0 0 0
比較器狀態控制寄存器的控制位元定義 比較器模組工作狀態控制。 0︰比較器模組工作停止, 比較器模組比較輸出始終為 0。 1︰比較器模組正常工作, 比較器模組比較輸出為有效狀態。 CMPSP2～0: 比較器模組正輸入通道選擇。 000: 比較器正端輸入選擇 CMPP1 通道 001: 比較器正端輸入選擇 CMPP2 通道 010: 比較器正端輸入選擇 CMPP3 通道 011: 比較器正端輸入選擇 CMPP4 通道 100: 比較器正端輸入選擇 CMPP5 通道
模擬比較器(Comparator)
在中穎公司 SH69xxx 系列單片機產品中，部分產品集成了一個或多個模擬 比較器(Comparator，CMP)模組。這些集成在單片機上的各有特色的比較器，為 使用者的系統設計提供了很大的方便，也為客戶優化成本提供了條件。 1. 類比比較器模組綜述
最基本的模擬比較器如附圖 1-1。在 SH69xxx 系列單片機產品中所集成的類 比比較器，儘管在結構和功能上都是基本相似，但這些比較器也各有不同特點。 在結構方面，一般都是有一個(或多選一的)正信號輸入端 CMPxP，一個負信號輸 入端 CMPxN，和一個輸出比較結果輸出端 CMPxO。在功能方面，都是比較正輸入 端和負輸入端的電平，並將結果反映在輸出端或在單片機內部作其他功能模組的 控制。不同單片機上的比較器也各有不同特點。首先，這些比較器的埠在不同單 片機上通常都是與各不同的其他功能埠共用引腳；其次，這些比較器在輸入端信 號選擇、輸出端形式和功能等方面也各有不同。以信號輸入方面，有的比較器是 固定輸入端的，有的比較器是可以多端選一輸入的；在比較電平方面，有的比較 器是固定輸入端的，有的是可以選內部比較電平的，而內部比較電平有的是固定 1/2VDD 的，有的甚至可以選擇多個內建比較電平；在輸出功能方面，有的是基 本功能，有的是多功能的，其輸出可在單片機內部直接控制其他功能模組；在輸 出端形式方面，有的比較器輸出端也可以設定成開漏輸出（Open-Drain） ，而所 有比較器輸出都是可以作中斷源設定產生中斷回應。這些多樣化的特點，使其可 以滿足不同用戶不同系統設計的需求。