14场效应管
常用高频场效应管参数
NF(dB)
PG(dB)
测定条件
封装
BF994
超低噪声
0.2
20
20
15
1.0
18
200MHz
SOT143
3SK194
超低噪声
0.2
15
35
17
1.0
30
200MHz
SOT143
3SK122
-
0.2
20
25
28
1.2
24
200MHz
SOT143
3SK131
-
0.2
20
25
28
1.3
24
200MHz
-
1.0
13
50
23
1.5
19
0.9GHz
SOT143
3SK191
-
1.0
12
80
>10
1.5
12
0.9GHz
SOT143
3SK121
-
1.0
10
50
17
1.5
20.5
0.9GHz
N-02
3SK129
-
1.0
13
50
25
1.2
17
1GHz
N-02
MOS双栅场效应管
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
四、高频场效应管
GaAs微波低噪声场效应管适用于卫星接收及微波通信等
型号
特点
fT(GHz)
VDS(V)
ID(mA)
gm(ms)
NF(dB)
PG(dB)
场效应管参数
SI-N SI-N SI-P SI-N SI-P P-DARL+D SI-N SI-N SI-N SI-N SI-P SI-P SI-P SI-P SI-P N-DARL P-DARL SI-N N-DARL SI-P N-DARL SI-P SI-N SI-P SI-N SI-P SI-N SI-P SI-P N-FET N-FET SI-N SI-N
SI-N SI-P P-FET N-FET SI-P N-FET SI-N SI-P SI-P GE-P SI-P N-FET SI-P GE-P GE-P SI-N SI-N SI-P N-FET SI-N SI-N N-FET N-FET N-FET N-FET SI-N SI-P N-FET SI-N SI-N SI-P SI-P SI-N
2SA1120 SI-P 2SA1123 SI-P 2SA1124 SI-P 2SA1127 SI-P 2SA1141 SI-P 2SA1142 SI-P 2SA1145 SI-P 2SA1150 SI-P 2SA1156 SI-P 2SA1160 SI-P 2SA1163 SI-P 2SA1170 SI-P 2SA1185 SI-P 2SA1186 SI-P 2SA1200 SI-P 2SA1201 SI-P 2SA1206 SI-P 2SA1207 SI-P 2SA1208 SI-P 2SA1209 SI-P 2SA1210 SI-P 2SA1213 SI-P 2SA1215 SI-P 2SA1216 SI-P 2SA1220A SI-P 2SA1221 SI-P 2SA1225 SI-P 2SA1227A SI-P 2SA1232 SI-P 2SA1241 SI-P 2SA1242 SI-P 2SA1244 SI-P 2SA1249 SI-P
试验14MOS场效应晶体管KpF的测试
Xidian University
School of Microelectronics
噪声系数F的测试原理
MPSFET高频噪声表示式:高频MOSFET场效应管的噪声主要是沟道热噪
声合诱生栅极噪声,这是两个相关的噪声源,但其相关性可以忽略,并可当作两 个独立的噪声源来对待。由噪声公式可导出MOSFET 管的最小噪声系数为:
Xidian University
School of Microelectronics
噪声系数F的测试原理
☆ MOS场效应管噪声来源和表示式
低频噪声:MOS器件低频噪声来源主要是l /f 噪声。大小与表面状态有关,
它随使用频率升高而迅速降低,近似的与频率成反比。 沟道热噪声:由于MOS器件导电沟道都存在一定的电阻。当载流子运动 时,产生的噪声电压,大小为: ΔV=4KTΔf·dR 诱生栅极噪声:高频下沟道热噪声电压还将通过栅电容耦合栅极上,并在 栅极感应出噪声,这种通过电容耦合而诱生的噪声,叫做诱生噪声,大小为 :
School of Microelectronics
实验主要步骤
◎测量步骤: (1)根据需要测试的频率选取30MHz,100MHz的Kp、F 测试盒; (2)用较长两根同轴电缆线把测试盒与主机连接起来,主机上的输出接头 与测试盒上的输入接头相连,主机上的输入接头与测试盒上的输出接头相连,测 试盒上偏置电源插座与场效应管偏置电源上的插座通过一根二芯电缆线项连接。 (3)用一根较短的同轴电缆线一端与主机上的LT接头相接,另一端与测试 盒相接。 (4)频率选择开关应置在同测试盒上频率相同的位置上。 (5)信号衰减器1、2的开关均应置0dB,即信号“衰减器1”的四只开关都
其中:
在实际中,由于界面态等原因产生的噪声也有可能扩展到高频段;同时还 存在其它寄生因素产生的损耗,而实际噪声大于理论值。
模电课件14第四章 场效应管习题
IDSS
0
uDS
填空题 1、FET管在输出特性上可分为 可变电阻 )区、 管在输出特性上可分为( 、 管在输出特性上可分为 区 ( 恒流 )区、 ( 截止 )区、 ( 击穿 )区、四个区域。 区 区 区 四个区域。 2、FET管从结构上可分为 结型 ) 、 ( 绝缘栅型 ) 、 管从结构上可分为( 管从结构上可分为 两大类。 两大类。 3、FET放大器中,其输入电阻 很大 ) 故电流 G≈ 、 放大器中, 故电流I 放大器中 其输入电阻( ( 0 )两大类。 两大类。 两大类 4、FET放大器有 共源 ) 、 ( 共漏 ) 、 ( 共栅 )三 放大器有( 、 放大器有 三 种组态。 种组态。 5、FET共漏电路通常称为 源极输出器 )它和双 共漏电路通常称为 、 共漏电路通常称为( 它和双 极型晶体管BJT的共集电路具有相似的特点,即Ri 的共集电路具有相似的特点, 极型晶体管 的共集电路具有相似的特点 ( 很大 ) 、 Ro ( 很小 ) 、 Au ( ≤1 ) 且输入输 出电压的相位 ( 相同 ) 。
ห้องสมุดไป่ตู้
选择题 1、测得某FET管的输出特性如图,则判断此管为 、测得某 管的输出特性如图, 管的输出特性如图 (1)、N沟道结型 、 沟道结型 沟道结型FET管 管 (2)、P沟道结型 、 沟道结型 沟道结型FET管 管 (3)、N沟道耗尽型 、 沟道耗尽型 沟道耗尽型MOS管 管 (4)、P沟道耗尽型 (4)、P沟道耗尽型MOS管 沟道耗尽型MOS管 (5)、N沟道增强型 、 沟道增强型 沟道增强型MOS管 管 (6)、P沟道增强型 、 沟道增强型 沟道增强型MOS管 管 iD 预夹断曲线
常用场效应管及晶体管参数表
设计、制作常用二极管资料大全29RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97DO-201AD 30RM4Z-RM4C3A 200-1000V 0.97DO-201ADI F V RRM V F Trr A V V μs 11F1-1F71A 50-1000V 1.30.15-0.5R-12FR10-FR601A-6A 50-1000V 1.30.15-0.531N4933-1N49371A 50-600V 1.20.2DO-4141N4942-1N49481A 200-1000V 1.30.15-0.5DO-415BA157-BA1591A 400-1000V 1.30.15-0.25DO-416MR850-MR8583A 100-800V 1.30.2DO-201AD 7EU1-EU20.25A-1A100-1000V1.30.4DO-41820DF1-20DF102A 100-1000V 1.30.2DO-15930DF1-30DF103A 100-1000V 1.30.2DO-201AD10RU1-RU40.25A-3A 100-1000V 1.30.411ERA22-02~100.5A 200-1000V 1.30.4R-112ERA18-02~100.8A200-1000V1.30.4R-113ERB43-02~100.5A 200-1000V 1.30.4DO-4114ERB44-02~101A 200-1000V 1.30.4DO-1515ERC18-02~10 1.2A 200-1000V 1.30.4DO-1516ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 17ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 18ERD32-02~103A 200-1000V 1.30.4DO-201AD 19ERD09-13~153A1300-1500V1.50.6R-51SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-152SK2-02~301A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-413SK3-02~302A 200-3000V 1.3-40.5-1DO-154SK4-02~300.5A 300-3000V 1.3-40.5-1DO-4152CG04-2CG300.2A 300-3000V 1.3-40.5-1DO-4112CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32DO-4122CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.32DO-4132CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.36DO-4142CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.30.8DO-1552CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 11DO-1562CN6D-2CN6M1A200-1000V1.36DO-41(1)快恢复塑封整流二极管(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管(3)快恢复塑封阻尼二极管2.快恢复塑封整流二极管序号型号外形72CN12D-2CN12M3A200-1000V 1.31DO-201AD8RH1Z-RH1C0.6A200-1000V 1.34DO-41 9TVR4J-TVR4N 1.2A600-1000V 1.220DO-151ERA34-100.1A1000V30.15R-12ERA32-02~101A200-1000V 1.30.1DO-413ERB32-02~101.2A200-1000V 1.30.1DO-154ERC30-02~101.5A200-1000V 1.30.1DO-155ERC32-02~103A200-1000V 1.30.1DO-201AD6EG01E-EG01C0.5A200-1000V20.1DO-41 7EG1E-EG1C1A200-1000V 1.80.1DO-41 8RG10Z-RG10C 1.2A200-1000V20.1DO-15 9RG2Z-RG2C 1.5A200-1000V 1.80.1DO-15 10RG4Z-RG4C3A200-1000V20.1D0-201ADI F V RRM V F TrrA V V ns1SF10-SF501-5A50-1000V0.95-1.7352SF80-SF1608-16A50-600V0.95-1.435TO-220 3EGP10-EGP501-5A50-200V 1.1354ERC38~04-ERC38~101A400-1000V 1.750DO-415RL2-RL2C2A400-1000V 1.750DO-15 6RL3-RL3C3A400-1000V 1.750DO-201AD71H1-1H81A50-1000V 1.1-1.750-75R-18HER10-HER601-6A50-1000V 1.1-1.750-759HER80-HER1608-6A50-1000V 1.1-1.750-75TO-22010UF10-UF601-6A50-1000V 1.1-1.750-7511EL1Z-EL1 1.5A200-350V 1.350DO-151MUR120-MUR11201A200-1200V0.95-1.535-50DO-412MUR420-MUR41204A200-1200V0.95-1.635-75DO-201AD3MUR820-MUR81208A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC4MUR1020-MUR1012010A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC5MUR1520-MUR1512015A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AC6MUR2020-MUR2012020A200-1200V 1.3-2.135-75TO-220AB7MUR3020-MUR3012030A200-1200V 1.3-2.135-75TO-247AD(2)MUR超快恢复整流二极管4.超快恢复塑封二极管序号型号外形(1)超快恢复塑封二极管3.超高频塑封二极管8MUR6020-MUR6012060A200-1200V 1.3-2.135-75TO-247AD1RHRP820-RHRP81208A200-1200V 2.1-3.235-70TO-220AC2RHRP1520-RHRP1512015A200-1200V 2.1-3.240-75TO-220AC3RHRP3020-RHRP3012030A200-1200V 2.1-3.245-75TO-220AC4RHRG3020-RHRG3012030A200-1200V 2.1-3.245-75TO-247AC5RHRG5020-RHRG5012050A200-1200V 2.1-3.250-100TO-247AC6RHRG6020-RHRG6012060A200-1200V 2.1-3.245-75TO-247AD1BYW29-100~2008A100-200V 1.125TO-220AC2BYV29-300~5009A300-500V 1.2560TO-220AC3BYQ28-100~20010A100-200V 1.120TO-220AB4BYT28-300~50010A300-500V 1.460TO-220AB5BYV79-100~20014A100-200V 1.330TO-220AC6BYT79-300~50014A300-500V 1.460TO-220AC7BYV32-100~20020A100-200V 1.125TO-220AB8BYV34-300~50020A300-500V 1.160TO-220AB9BYV42-100~20030A100-200V 1.128TO-220AB10BYV44-300~50030A300-500V 1.2560TO-220ABI F V RRM V FA V V11N5817-1N58191A20-40V0.45-0.6DO-4121N5820-1N58223A20-40V0.45-0.6DO-201AD3SRT12-SRT1001A20-100V0.55-0.85R-14SR10-SR501-5A20-100V0.55-0.855SB120-SB1B01A20-100V0.55-0.85DO-41 6SB220-SB2B02A20-100V0.55-0.85DO-15 7SB320-SB3B03A20-100V0.55-0.85DO-201AD 8SB520-SB5B05A20-100V0.55-0.85D0-201AD9ERA81-002~0091A20-90V0.55-0.9DO-4110ERB81-002~0092A20-90V0.55-0.9DO-15(1)肖特基塑封整流二极管(3)RHRP、RHRG超快恢复二极管(4)BYV29~79、BYT28~79超快恢复二极管5.肖特基整流二极管序号型号外形11ERC81-002~0093A20-90V0.55-0.9DO201AD12EK03-EK091A20-90V0.55-0.81DO-41 13EK13-EK19 1.5A20-90V0.55-0.81DO-15 14EK33-EK392A20-90V0.55-0.81DO-15 15EK43-EK493A20-90V0.55-0.81DO-201AD1MBR1020-MBR106010A20-60V0.57-0.8TO-220AC2MBR1620-MBR166016A20-60V0.57-0.8TO-220AC3MBR2020CT-2060CT20A20-60V0.57-0.8TO-220AB4MBR2520CT-2560CT25A20-60V0.57-0.8TO-220AB5MBR3020PT-3060PT30A20-60V0.57-0.8TO-247AD6MBR4020PT-4060PT40A20-60V0.57-0.8TO-247AD7MBR6020PT-6060PT60A20-60V0.57-0.8TO-247AD8PBYR735-7457A20-45V0.56-0.66TO-220AC9PBYR1020-106010A20-60V0.56-0.77TO-220AC10PBYR1635-166016A20-60V0.56-0.77TO-220AC11PBYR2020CT-2045CT20A20-45V0.56-0.65TO-220AB12PBYR3035PT-3060PT30A20-60V0.56-0.77TO-247ADI F V RRM V F TrrA V V ns1BYV26A-BYV26E1A200-1000V 1.50.03DO-204AP2BYV12-BYV16 1.5A100-1000V 1.50.3DO-204AP3BYV96A-BYV96E1.5A100-1000V 1.50.3DO-204AP4BYV27-50~2002A50-200V 1.10.025DO-204AP5BYV28-50~2003.5A50-200V 1.10.03G36BYT52A-BYT52M1A50-1000V 1.30.2DO-204AP7BYT54A-BYT54M1.25A50-1000V 1.50.1DO-204AP8BYT53A-BYT53M1.5A50-1000V 1.10.05DO-204AP9BYT56A-BYT56M3A200-1000V 1.40.1G310BYM26A-BYM26M2.3A200-1000V 1.50.03G3(1)BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管(2)MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管6.玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号外形11BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.10.15G312BYW32-BYW382A 200-1000V 1.10.2DO-204AP 13BYW52-BYW562A 200-1000V 1.14DO-204AP 14BYW72-BYW763A 200-600V 1.10.2G315BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.50.2G316BY2283A 1500V 1.520G317GP10-GP301-3A 50-1000V 1.118RGP01-10~RGP01-200.1A 1000-2000V 20.2-0.5DO-4119RGP05-10~RGP05-200.5A 1000-2000V 20.2-0.5DO-4120RGP10-RGP601-6A50-2000V1.30.15-0.51PD0112-PD01600.1A 1200-6000V 1.2-5DO-412PD0312-PD03600.3A 1200-6000V 1.2-5DO-153PD0512-PD05600.5A 1200-6000V 1.2-5DO-154PD112-PD1301A 1200-3000V 1.2-4DO-155PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4DO-156PD212-PD2202A 1200-2000V 1.2-2.5DO-201AD 7PD312-PD3203A 1200-2000V 1.2-2.5DO-201AD 8PD612-PD6206A1200-2000V1.2-2.5R-69TR0112-TR01600.1A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-4110TR0312-TR03600.3A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-1511TR0512-TR05600.5A 1200-6000V 1.5-80.5-0.8DO-1512TR112-TR1301A 1200-3000V 1.5-60.5-0.8DO-1513TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-60.5-0.8DO-1514TR212-TR2202A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.8DO-201AD 15TR312-TR3203A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.7DO-201AD 16TR612-TR6206A 1200-2000V 1.5-2.70.5-0.8R-617PR01-PR10.1-1A 1200-3000V 1.5-40.1-0.5DO-1518RC20.3A 2000V 30.5DO-4119RU4D-RP3F1.5A-2A 1300-1500V1.50.3DO-201ADP ZM V Z W V 1稳BZX550.5W 2.4V-47V 21N5985B~1N6031B0.5W2.4V-200V8.稳压二极管序号名称型号(2)GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管7.PD、TR、PR系列高压塑封二极管3压1N4728~1N47641W 3.3V-100V 41N5911B~1N5956B 1.5W 2.7V-200V 5二2CW37-2.4~360.5W 2.4V-36V 62CW51-2CW680.25W 3V-28.5V 7极2CW101-2CW1211W 3V-37.5V 82DW50-2DW641W 41V-190V 9管2DW80-2DW1903W 41V-190V 102DW110-2DW15110W 4.3V-470V 112DW170-2DW20250W 4.3V-200V 温度补偿稳压二极管I C V RM Trr mA V ns 11N4148150100V 4DO-3521N4149-1N415415035-100V 2月4日DO-3531N4446-1N445415040-100V 1月4日DO-3541N91475100V 4DO-355BAV17-BAV2125025-250V 50DO-356BAW75-BAW7630035-75V 4DO-3572CK70-2CK7910-28020-60V 3月10日DO-3582CK80-2CK8510-30020-60V 5月10日DO-3591S1553-1S155510070-35V 3DO-35101S2471-1S2473130-11090-40V3DO-350.2W5.8V-6.6V9.高速开关二极管序号型号外形122DW230-2DW236。
模电课件 14 场效应管
学习目标 1.熟悉场效应管的结构、分类 2.了解场效应管的的工作原理、主要参数和应用
学习重点
1. 绝缘栅型场效应管的结构特点 2. 绝缘栅型场效应管的特性曲线
§1.4 场效应管
场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来 控制输出回路电流的一种半导体器件,由于它仅靠一 种载流子导电,又称单极型晶体管。
符号
(2)工作原理 ①当加uDS时,若 uGS=0
两个PN结背靠背,不存在导电沟道,即iD=0;
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模电课件
②uDS=0,uGS>0
uGS排斥SiO2附近的空穴,剩 下不能移动的离子,形成耗尽 层;
uDSuGSS源自GDN+
N+
P型衬底
随着uGS增大, 衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间,形成一个 N型薄层,即反型层,也是d-s之间的导电沟道;
较大
不受静电影响
几兆欧以上 漏极与源极可以互换 使用
较小
易受静电影响
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模电课件
参考资料:
晶体管噪声
在晶体管内,载流子的不规则运动引起不规则变化的电流起伏,因而产生不规 则变化的电压起伏,这种不规则变化的电流和电压形成晶体管的噪声。晶体管噪声 是晶体管的重要参数。
晶体管按工作原理可分为两大类,一类是双极型晶体管;另一类是单极型晶体 管,即场效应晶体管(FET)。
输出特性曲线
uDS(V)
总结:N沟道增强型
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导电沟道是N型,所以衬底是P型。
增强型:uGS 0,没沟道, 要 产 生 沟 道 , 必 须 加 足够 高uGS
iD 三段:表uGS 0, 沟道没,
5000种场效应管参数
ID型号厂家用途构造沟道方式v111(V)区分ixing(A) 12SJ11东芝DC, LF A, C J P D20GDS-10m22SJ12东芝DC, LF A, J P D20GDS-10m32SJ13东芝DC, LF A, C J P D20GDS-100m42SJ15富士通DC, LF A J P18GDO-10m52SJ16富士通DC, LF A J P18GDO-10m62SJ17C-MIC J P20GDO0.5m72SJ18LF PA J(V)P170GDO-582SJ19NEC LF D J(V)P140GDO-100m92SJ20NEC LF PA J(V)P100GDO-10102SJ22C-MIC J P D80GDO0.5m112SJ39三菱LF A J P D50GDO-10m122SJ40三菱LF A,A-SWJ P D50GDO-10m132SJ43松下LF A J P D50GDS20m142SJ44NEC LF LN A J P D40GDO-10m152SJ45NEC LF A J P D40GDO-10m162SJ47日立LF PA MOS P E-100DSX-7172SJ48日立LF PA, HS P MOS P E-120DSX-7182SJ49日立LF PA,HS PS MOS P E-140DSX-7192SJ49(H)日立HS PSW MOS P E-140DSX-7202SJ50日立LF/HF PA,HS MOS P E-160DSX-7212SJ50(H)日立HS PSW MOS P E-160DSX-7222SJ51日立LF LN A J P D40GDO-10m232SJ55日立LF/HF PA,HS MOS P E-180DSX-8242SJ56日立LF/HF PA,HS MOS P E-200DSX-8252SJ56(H)日立HF PA, HS P MOS P E-200DSX-8262SJ68日立LF LN A J P D-40DSX-10m272SJ69日立LF LN A J P D-40DSX-10m282SJ70日立LF LN A J P D-40DSX-10m292SJ72东芝LF LN A J P D25GDS-10m302SJ73东芝LF LN A J P D25GDS-10m312SJ74东芝LF LN A J P D25GDS-10m322SJ75东芝LF LN A J P D25GDS-10m332SJ76日立LF D,HS PSW MOS P E-140DSX-500m342SJ77日立LF D,HS PSW MOS P E-160DSX-500m352SJ77(K)日立HF PA, HS P MOS P E-160DSX-500m362SJ78日立LF D,HS PSW MOS P E-180DSX-500m372SJ79日立LF D, HS PS MOS P E-200DSX-500m382SJ79(K)日立HF PA, HS P MOS P E-200DSX-500m392SJ81日立LF PA MOS P-120DSX-7402SJ82日立LF PA MOS P-140DSX-7412SJ83日立LF PA MOS P-160DSX-7422SJ84松下LF A J P D15GDS-10m432SJ85日立LF PA MOS P442SJ86日立LF PA MOS P452SJ87日立LF PA MOS P462SJ90东芝LF LN A J P D30GDS-10m472SJ91东芝LF PA MOS P-140DSX-8482SJ92东芝LF PA MOS P-140DSX-7492SJ96日立LF/HF PA, H MOS P-60DSX-8502SJ99日立LF/HF PA, H MOS P E-140DSS-8512SJ100日立LF/HF PA, H MOS P E-160DSS-8522SJ101日立LF/HF PA, H MOS P E-40DSS-5532SJ102日立LF/HF PA, H MOS P E-60DSS-5542SJ103东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m552SJ104东芝LF A, A-SW J P D25GDS-10m 562SJ105东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m 572SJ106东芝LF A,A-SWJ P D50GDS-10m 582SJ107东芝LF A,A-SWJ P D25GDS-10m 592SJ108东芝LF LN A J P D25GDS-10m 602SJ109东芝LF LN A J P D30GDS-10m 612SJ110东芝LF A,A-SWJ P D25GDS-10m 622SJ111东芝LF LN A J P D25GDS-10m 632SJ112日立HS PSW, RF MOS P E-100DSS-10 642SJ113日立HS PSW, RF MOS P E-100DSS-10 652SJ114日立HS PSW, RF MOS P E-200DSS-8 662SJ115东芝LF PA MSO P E-160DSS-8 672SJ116日立HS PSW, RF MOS P E-400DSS-8 682SJ117日立HS PSW, RF MOS P E-400DSS-2 692SJ118日立HS PSW, RF MOS P E-140DSS-8 702SJ119日立HS PSW, RF MOS P E-160DSS-8 712SJ120(L)日立HS PSW, RF MOS P E-40DSS-2 722SJ122日立HS PSW, RF MOS P E-60DSS-10 732SJ123东芝LF PA, HS S MOS P E-70DSS-10 742SJ125三菱LF PA,A-SW J P D50DGO-10m 752SJ126东芝HS SW MOS P E-60DSX-10 762SJ127日立HS PSW MOS P E-120DSS-10 772SJ128,128Z NEC SW MOS P E-100DSS±2 782SJ129松下LF A J P D50GDS-10m 792SJ130(L)(S日立HS SW MOS P E-300DSS-1 802SJ131SW MOS P E-170DSS-10 812SJ132,132Z NEC SW MOS P E-30DSS±2 822SJ133,133Z NEC SW MOS P E-60DSS±2 832SJ134NEC SW MOS P E-100DSS±6 842SJ135NEC SW MOS P E-100DSS±5 852SJ136NEC SW MOS P E-60DSS±12 862SJ137NEC SW MOS P E-60DSS±10 872SJ138NEC SW MOS P E-100DSS±12 882SJ139NEC SW MOS P E-100DSS±10 892SJ140NEC SW MOS P E-60DSS±19 902SJ141NEC SW MOS P E-60DSS±13 912SJ142NEC SW MOS P E-100DSS±13 922SJ143NEC SW MOS P E-60DSS±16 932SJ144东芝LF A-SW J P D50GDS-10m 942SJ145三菱LF A-SW J P D50GDO-10m 952SJ146松下SW MOS P E-50DSS-100m 962SJ147东芝DDC, Motor MOS P E-60DSS-12 972SJ148东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSX-200m 982SJ151NEC SW MOS P E-100DSS±3 992SJ152NEC SW MOS P E-100DSS±3 1002SJ153NEC SW MOS P E-60DSS±6 1012SJ154NEC SW MOS P E-60DSS±5 1022SJ155松下SW MOS P E-50DSS-3 1032SJ156松下SW MOS P E-50DSS-5 1042SJ157松下SW MOS P E-100DSS-3 1052SJ158松下SW MOS P E-100DSS-5 1062SJ159松下SW MOS P E-160DSS-3 1072SJ160日立LF PA MOS P E-120DSX-7 1082SJ161日立LF PA MOS P E-140DSX-7 1092SJ162日立LF PA MOS P E-160DSX-71102SJ163松下SW J P D65GDS-10m 1112SJ164松下SW J P D65GDS-10m 1122SJ165NEC HS SW MOS P E-50DSS-0.1 1132SJ166NEC HS SW MOS P E-50DSS-0.1 1142SJ167东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSS-200m 1152SJ168东芝HS SW, A-SW MOS P E-60DSS-200m 1162SJ169日立SW-Reg, DDC MOS P E-60DSS-12 1172SJ170日立SW-Reg, DDC MOS P E-80DSS-12 1182SJ171日立SW-Reg, DDC MOS P E-50DSS-9.7 1192SJ172日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-10 1202SJ173日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1212SJ174日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1222SJ175日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-10 1232SJ176日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-15 1242SJ177日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-20 1252SJ178NEC HS SW MOS P E-30DSS±1 1262SJ179NEC HS SW MOS P E-30DSS±1.5 1272SJ180NEC HS SW MOS P E-30DSS±1 1282SJ181(L)(S日立SW-Reg, DDC MOS P E-600DSS-0.5 1292SJ182(L)(S日立Motor/Relay MOS P E-60DSS-3 1302SJ183东芝Relay-D, DD MOS P E-60DSS-5 1312SJ184NEC HS SW MOS P E-50DSS-100m 1322SJ185NEC HS SW MOS P E-50DSS-100m 1332SJ186日立SW-Reg, DDC MOS P E-200DSS-0.5 1342SJ187三洋SW MOS P E-30DSS-1 1352SJ188三洋SW MOS P E-30DSS-2 1362SJ189三洋SW MOS P E-30DSS-4 1372SJ190三洋SW MOS P E-60DSS-1 1382SJ191三洋SW MOS P E-60DSS-2 1392SJ192三洋SW MOS P E-60DSS-4 1402SJ193三洋SW MOS P E-100DSS-1 1412SJ194三洋SW MOS P E-100DSS-2 1422SJ195三洋SW MOS P E-100DSS-4 1432SJ196NEC SW MOS P E-60DSS±1 1442SJ197NEC SW MOS P E-60DSS±1 1452SJ198NEC SW MOS P 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6552SK447东芝HS PSW,Moto MOS N E250DSS±15 6562SK448NEC HC SW MOS N E250DSS±10 6572SK449NEC HC SW MOS N E450DSS±8 6582SK453NEC RF PA MOS N E100DSS±10 6592SK454NEC RF PA MOS N E200DSS±86602SK455东芝C-MIC, Imp-J N D-20GDO10m 6612SK456东芝C-MIC, Imp-J N D-20GDO10m 6622SK457日立SHF/UHF LN GaAs/MES N D6DSX100m 6632SK458NEC SW MOS N E150DSS±1 6642SK459NEC SW MOS N E200DSS±10 6652SK462NEC SW MOS N E60DSS±2 6662SK463NEC SW MOS N E60DSS±5 6672SK464NEC SW MOS N E60DSS±10 6682SK468NEC SW MOS N E100DSS±2 6692SK470NEC SW MOS N E100DSS±10 6702SK477NEC SW MOS N E250DSS±8 6712SK479NEC SW MOS N E250DSS±15 6722SK482NEC SW MOS N E450DSS±5 6732SK484NEC SW MOS N E450DSS±8 6742SK490NEC SW MOS N E400DSS±10 6752SK492三菱LF A,A-SWJ N D-50GDO10m 6762SK493三洋J N D-15GDS10m 6772SK494日立LF/HF A J N D22DSX10m 6782SK505NEC J N D-15GDO5m 6792SK507NEC J N D-15GDO5m 6802SK508NEC J N D-15GDO5m 6812SK511日立HS PSW, RF MOS N E250DSS300m 6822SK512日立HS PSW MOS N E500DSS12 6832SK513日立HS PSW MOS N E800DSS3 6842SK514NEC LF A,A-SW,V J N D-50GDO10m 6852SK515NEC LF A,VR,A-S J N D-50GDO10m 6862SK518NEC RF J N D-30GDO10m 6872SK519NEC RF J N D-30GDO10m 6882SK520NEC RF J N D-30GDO10m 6892SK521日立VHF RF/MIX/J N D-18GDO10m 6902SK522日立VHF RF/MIX/J N D-30GDO10m 6912SK523NEC LF LN A J N D-50GDO10m 6922SK525东芝HS HV SW MOS N E150DSX10 6932SK526东芝HS HV SW MOS N E250DSX10 6942SK527东芝DDC MOS N E60DSX10 6952SK528东芝HS HV SW MOS N E400DSX2 6962SK529东芝DDC MOS N E450DSX2 6972SK530东芝DDC MOS N E400DSX5 6982SK531东芝DDC MOS N E450DSX5 6992SK532东芝DDC MOS N E60DSX12 7002SK533NEC LF LN A J N D-50GDO10m 7012SK534日立HS PSW MOS N E800DSS5 7022SK535(L)(S日立HS PSW MOS N E400DSS 1.5 7032SK536三洋A-SW MOS N E50DSX100m 7042SK537东芝HS HV SW MOS N E900DSX1 7052SK538东芝SW Reg MOS N E900DSX3 7062SK539东芝SW Reg MOS N E900DSX5 7072SK541日立J N D12DSX±1m 7082SK542NEC SW MOS N E150DSS±2 7092SK543三洋FM Tuner, V MOS N DE20DS20m 7102SK544三洋FM Tuner, V MOS N DE20DS30m 7112SK545三洋J N D-40GDS10m 7122SK546三洋J N D-40GDS10m 7132SK549日立HS PSW MOS N E60DSS10 7142SK551日立HS PSW MOS N E120DSS107152SK552日立HS PSW MOS N E450DSS5 7162SK553日立HS PSW MOS N E500DSS5 7172SK554日立HS PSW MOS N E450DSS7 7182SK555日立HS PSW MOS N E500DSS7 7192SK556日立HS PSW MOS N E450DSS12 7202SK557日立HS PSW MOS N E500DSS12 7212SK559日立HS PSW MOS N E450DSS15 7222SK560日立HS PSW MOS N E500DSS15 7232SK561日立HS PSW MOS N E7242SK562富士电机SW Reg, DDC MOS N E50DSX39 7252SK564富士电机SW Reg, DDC MOS N E100DSX32 7262SK565富士电机SW Reg, DDC MOS N E500DSX9.6 7272SK566富士电机SW Reg, DDC MOS N E800DSX 2.9 7282SK568东芝HS PSW MOS N E450DSS±8 7292SK569NEC C~Ku-Band L GaAs N D-6GDO60m 7302SK570NEC C~Ku-Band L GaAs N D-6GDO0.3m 7312SK570S NEC C~Ku-Band L GaAs N D-6GDO0.3m 7322SK572东芝DDC MOS N E150DSS7332SK573东芝DDC MOS N E250DSS7342SK575~Ku-Band L GaAs N D5DSX80m 7352SK578东芝HS PSW MOS N E150DSS±15 7362SK579(L)(S日立HS PSW MOS N E450DSS 1.5 7372SK580(L)(S日立HS PSW MOS N E500DSS 1.5 7382SK581HF/LF LN A J N D-30GDO5m 7392SK582V/UHF RF/MI J N D-30GDO10m 7402SK583三洋A-SW, LPFMOS N D50DS200m 7412SK585~X-Band LN GaAs N D5DSX120m 7422SK586~Ku-Band LN GaAs N D5DSX80m 7432SK587~X-Band LN GaAs N D5DSX80m 7442SK590东芝V/UHF LN A GaAs N D10DSX80m 7452SK591NEC SW MOS N E60DSS±15 7462SK593松下RF LN A GaAs N D5DSX1m 7472SK595三洋C-MIC J N D-20GDO10m 7482SK596三洋C-MIC J N D-20GDO10m 7492SK597三洋C-MIC J N D-20GDO10m 7502SK600日立HS PSW MOS N D60DSS25 7512SK601松下SW MOS N E80DS500m 7522SK602松下RF PA, SWMOS N E800DSS1 7532SK603松下RF PA, SWMOS N E800DSS3 7542SK604松下RF PA, SWMOS N E800DSS5 7552SK606松下RF J N D-30GDO10m 7562SK607松下RF J N D-30GDO10m 7572SK608松下RF J N D-30GDO10m 7582SK609NEC C~Ku-Band L GaAs N D-6GDO120m 7592SK610松下RF PA, SWMOS N E400DSS3 7602SK611, 611NEC SW MOS N E100DSS±1 7612SK612,612-NEC SW MOS N E100DSS±2 7622SK613J N D-15GDO5m 7632SK614松下SW MOS N E80DS500m 7642SK615松下SW MOS N E80DS500m 7652SK616富士电机SW Reg, DD MOS N E200DSX22 7662SK617松下RF PA, SWMOS N E800DSS1 7672SK618东芝V/UHF LN A G aAs N D10DSX80m 7682SK619日立MOS N E70DSS300m 7692SK620松下SW MOS N E50DSS100m7702SK621松下SW MOS N E20DS100m 7712SK622日立HS PSW MOS N E150DSS20 7722SK623日立HS PSW MOS N E250DSS20 7732SK624松下LF Imp-C J N D-20GDO2m 7742SK625东芝C-MIC, Imp-J N D-20GDO10m 7752SK626松下RF PA, SWMOS N E30DSS20 7762SK627松下RF PA, SWMOS N E50DSS20 7772SK628松下RF PA, SWMOS N E100DSS5 7782SK629松下RF PA, SWMOS N E100DSS20 7792SK630松下RF PA, SWMOS N E160DSS5 7802SK631松下RF PA, SWMOS N E160DSS10 7812SK632松下RF PA, SWMOS N E200DSS5 7822SK633松下RF PA, SWMOS N E200DSS10 7832SK634松下RF PA, SWMOS N E400DSS10 7842SK635松下RF PA, SWMOS N E500DSS3 7852SK636松下RF PA, SWMOS N E500DSS8 7862SK637松下RF PA, SWMOS N E500DSS10 7872SK638松下RF PA, SWMOS N E800DSS3 7882SK641日立HS PSW MOS N E450DSS10 7892SK642日立HS PSW MOS N E500DSS10 7902SK643东芝HS SW, DDC M OS N E450DSX10 7912SK644东芝HS SW, DDC M OS N E500DSX10 7922SK645东芝C-MIC, Imp-J N D-15GDO10m 7932SK646日立HS PSW, Hou MOS N E1200DSS4 7942SK647松下RF LN A SB N D-6GDO120m 7952SK648松下Ku-Band LN G aAs/MES N D-6GDO120m 7962SK649松下Ku-Band PA/GaAs/MES N D-6GDO100m 7972SK650松下RF LN A SB N D-6GDO120m 7982SK651松下RF LN A SB N D-6GDO150m 7992SK652松下LF A, SW J N D-55GDO10m 8002SK653松下GaAs/MES N D5DS50m 8012SK654, 654NEC SW MOS N E100DSS±1 8022SK655松下SW MOS N E50DSS100m 8032SK656松下SW MOS N E50DS100m 8042SK657松下SW MOS N E50DSS100m 8052SK658松下SW MOS N E20DS100m 8062SK659NEC SW MOS N E60DSS±12 8072SK660NEC ECM Imp-CJ N D-20GDO10m 8082SK661NEC C-MIC Imp-C J N D-20GDO10m 8092SK662松下LF A J N D-30GDO10m 8102SK663松下LF A, SW J N D-55GDO10m 8112SK664松下SW MOS N E50DSS100m 8122SK665松下SW MOS N E20DS100m 8132SK666日立V/UHF A GaAs/MES N D4DS150m 8142SK667松下SW MOS N E400DSS8 8152SK668日立U/SHF LN A G aAs/MES N D6DS100m 8162SK669三洋HS SW, A-SW MOS N D50DS100m 8172SK671~X-Band RF/GaAs N D 5.5DSX120m 8182SK672东芝HS SW, DDC M OS N E60DSX10 8192SK673东芝HS SW, DDC M OS N E60DSX15 8202SK674东芝HS SW, DDC M OS N D60DSX25 8212SK676~X-Band RF/GaAs N D5DSX70m 8222SK676H5MW LN A GaAsHEMT N D5DS70m 8232SK677~X-Band RF/GaAs N D5DSX100m 8242SK677H5MW LN A GaAsHEMT N D5DS100m。
实验14 MOS场效应晶体管Kp、F测试
扳
School of Microelectronics
实验主要步骤
◎测量步骤: 向上方,参数测量开关置于Kp位置。 (6)转换开关置于校正处,此时调节信号调节旋钮,使μA 表指示某一参 考值(35格处),以信号调节不准在动,然后把转换开关置于测量处。 (7)插上被测管,调节电源面板上的UDS ,UGS 各旋钮开关,使UDS 、 UGS 为所需值。 (8)调节测试盒上的输入调谐、输出调谐,输出匹配旋纽使 μA指示最 大,若指针超过满度,则应随时适当改变信号衰减器1、2使指针回到所取的参考 点附近,接着进行中和调整,即把转换开关调到中和位置,调节测试盒上的中和
Xidian University
School of Microelectronics
功率增益测试原理
☆ MOSFET Kp的测试 功率增益是MOSFET的重要参数,是指放大器输出端信号功率与输入端信号 功率之比,其定义公式为:
式中:PO、Pi 分别为放大器输出,输入功率;Kp为功率增益值。 实际上检测PO、Pi有困难,根据MOSFET的等效电路,在输入输出共轭匹配 时,推导的功率表示式可知:
测量这两种噪声功率比较困难,但将输出的信噪比固定,可将测试公式简 化,给测试带来方便。由于:
Xidian Univelectronics
噪声系数F的测试原理
因而 :
若用分贝表示: F(dB)=10*lgIa (Pso/Pno=l) 由上式可知,在取输出信噪比为1的条件下,场效应管的噪声系数在大小上正好 与噪声二极管的直流分量相等。测量时先不加由噪声二极管产生的噪声,这时仪 器内等效内阻产生的热噪声经放大后在接收机输出表上有一定指示,然后衰减 3dB,相当于热噪声减少一半。最后加由噪声二极管产生的信号使输出表指针回 到原来不衰减的位置处,这样可以保证输出信噪比等于 l 。
常用场效应管参数表
BWD142/D 3 BWD144/D 3 BWD145/D 3 BWD146/D 3 BWD147/D 3 BWDL48/D 3 BWD149/D 3
18 140 2CW 23 110 2CW 25 105 2CW 27 100 2CW 29 90 2CW 32 80 2CW 35 75 2CW
常用场效应管参数表 (续 2)
BWD141/D 3 16 150 2CW
BZX83-27 EQA02-07A EQA02-07B EQA02-11 EQA01-11B EQA02-12 EQA02-12E EQA02-12Z
0.5 25.1 500 7 500 7.5 500 11 500 11.1 500 12 500 12.2 500 12.3
15 150
IRF351 IR N 350
15 150
IRF352 IR N 400
13 150
IRF353 IR N 350
13 150
IRF360 IR N 400
25 300
IRF362 IR N 400
22 300
IRF420 IR N 500
2.5 50
IRF421 IR N 450
2.5 50
27
IRF142 IR N 100
24
IRF143 IR N 60
24
IRF150 IR N 100
40
IRF151 IR N 60
40
IRF152 IR N 100
33
IRF153 IR N 60
33
IRF220 IR N 200
5.0
IRF221 IR N 150
5.0
IRF222 IR N 200
常用IR场管参数
页码,3/6
TO-204AA TO-204AA TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-204AE TO-204AE TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
中国宁波维修网--常用场效应管参数表
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常用场效应管参数表
型号 IRF48 厂家 IR 用途 构造 沟道 方式 N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N N v111 (V) 60 60 60 60 60 60 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 100 60 200 150 200 150 250 250 200 150 200 150 250 250 200 区分 ixing (A) 50 17 30 25 30 30 30 8.0 8.0 7.0 7.0 14 14 12 12 27 27 24 24 40 40 33 33 5.0 5.0 4.0 4.0 3.8 3.3 9.0 9.0 8.0 8.0 8.1 6.5 18 pdpch (W) 190 60 90 90 150 150 180 40 40 40 40 75 75 75 75 125 125 125 125 150 150 150 150 40 40 4.0 40 40 40 75 75 75 75 75 75 125 waixing TO-220AB TO-204AA TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AA TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-204AE TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-204AA TO-204AA TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-204AA TO-204AA TO-204AE 2003-03-06
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VVDDDVDDD
VVGGGVGGG
SS S
GGG
DDD
NN++N+
NN++N+
启程度,出现预夹断。
PP型型衬衬底底夹断区 P 型衬底
绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。
1.4.2 绝缘栅型场效应管 MOSFET
Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半 导体场效应管,或简称 MOS 场效应管。
特点:输入电阻可达 1010 以上。
(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS > UGS(th)) a. UDS < UGS – UGS(th) ,即 UGD = UGS – UDS > UGS(th)
导电沟道呈现一个楔形。 漏极形成电流 ID 。
b. UDS= UGS – UGS(th), UGD = UGS(th) 靠近漏极沟道达到临界开
N+ N+
N 型沟道 P 型衬底
(3) UDS = 0,UGS ≥ UGS(th)
当UGS增大时,耗尽层变宽,同时将衬
B
底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间,
形成一个N型薄层,称为反型层。这个反型
层就构成了漏源之间的导电沟道。使沟道
刚刚形成的栅-源电压称为开启电压UGS(th)。 UGS越大,反型层越厚,导电沟道电阻越小。
层
B
B G
S
在层在属DS源G制用硅薄—绝铝—极—作金扩片缘引S源漏S栅两属散i表O层出极和极极个铝的2面上栅漏绝SD引方GN生o喷 极极r缘ua出法a区一r金ti层GeDcne
1. 工作原理
绝缘栅场效应管利用 UGS 来控制“感应电荷”的多 少,改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况, 以控制漏极电流 ID。
2.工作原理分析
(1)UGS = 0
S
漏源之间相当于两个背靠
背的 PN 结,无论漏源之间加何
种极性电压,总是不导电。
D B
(2) UDS = 0,0 < UGS < UGS(th)
VGG
栅极金属层将聚集正电荷,它 S
G
D
们排斥P型衬底靠近 SiO2 一侧的空 穴,使之剩下不能移动的负离子区,
形成耗尽层。
结型场效应管转移特性曲线的近似公式:
iD
IDSS (1
uGS )2 UGS(off)
(UGS(off) uGS 0)
2. 输出特性曲线
当栅-源之间的电压 UGS 不变时,漏极电流 iD 与漏之 间电压 uDS 的函数关系,即
iD f(uDS) UGS const
输出特性曲线
VGG
+
mA
-
iD
G
D
类型
N 沟道 P 沟道
增强型 耗尽型
增强型 耗尽型
UGS = 0 时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管; UGS = 0 时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。
一、增强型 N 沟道 MOSFET
(Mental Oxide Semi—
N+
N+
耗 P 型衬底 尽 (掺杂浓度低)
场效应管用低频跨导gm来描述动态的栅-源电压对漏极 电流的控制作用。
gm=∆iD / ∆ uGS (单位mS,西门子)
小结
(1)在uGD = uGS -uDS > uGS(off)情况下, 即当uDS < uGS -uGS(off) 对应于不同的uGS ,d-s间等效成不同阻值的电阻。
(2)当uDS使uGD = uGS(off)时,d-s之间预夹断
电沟道变窄。d-s呈现电阻特性。
(c) D iD
(d)
D iD
G PP+ +
P+
VDD
G PP++
P+
VDD
N
VGG
S
iS
VGG
S
iS
uDS ↑ → uGD = UGS(off), 沟道预夹断
uDS ↑ → uGD < uGS(off),夹断,iD几乎不变
(1) 改变 uGS ,改变了 PN 结中电场,控制了 iD ,故称场效应管; (2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压,使 PN 反偏,栅极
2. 当uGS 为UGS(Off)~0中一固定值时, uDS 对漏极电流iD的影响。
(a)
D
(b)
D iD
G P+ N
P+
G PP++ N P+
VDD
VGG
S
VGG
S
iS
uDS = 0,iD = 0
uDS > 0,耗尽层呈现楔形。
uGD = uGS -uDS →uDS↑ → uGD↓ →靠近漏极一边的导
+
+
V
-
uGS
S
V UDS
-
iD/m预可A夹变断轨U 迹D恒S流UG 区SUP
电阻区 UGS = 0V
IDSS/V
-1
-2
VDD
-3 击穿区
-4
-5
-6
O
UP 夹断7V区
uDS /V
图 1.4.5(a)特性曲线测试电路
图 1.4.5(b) 漏极特性
漏极特性也有三个区:可变电阻区、恒流区和夹断区。
* 结型P 沟道的特性曲线
uGS = 0 ,iD 最大;
iD
VDD uGS 愈负,iD 愈小;
IDSS
uGS = UGS(off) ,iD ≈ 0。
特性曲线测试电路
UGS(off)
O uGS
图 转移特性
两个重要参数
夹断电压 UGS(off) (ID = 0 时的 UGS) 饱和漏极电流 IDSS(UGS = 0 时的 ID)
(3)当uDS使uGD < uGS(off)时, iD几乎仅仅决定于uGS , 而与uDS 无关。此时, 可以把iD近似看成uGS控制的电流源。
二、结型场效应管的特性曲线
1. 转移特性(N 沟道结型场效应管为例)
VGG
mA iD
G
D
+
+
-V uGS
S
V UDS
-
iD f(uGS)UDS const
D
栅源加正偏电压,(PN结反偏)
漏源加反偏电压。
G S
转移特性曲线
输出特性曲线
2+ 4+ 8+
o
iD IDSS
O UGS(Off) uGS
结型场效应管的缺点:
1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上,但在 某些场合仍嫌不够高。
2. 在高温下,PN结的反向电流增大,栅源 极间的电阻会显著下降。
3. 栅源极间的PN结加正向电压时,将出现 较大的栅极电流。
基本不取电流,因此,场效应管输入电阻很高。
3.当uGD < uGS(off),时, , uGS 对漏极电流iD的控制作用
在uGD = uGS -uDS < uGS(off)情况下,当uDS为一常 量时,对应于确定的uGS ,就有确定的iD。此时,可以 通过改变uGS来控制的iD大小。
由于漏极电流受栅-源电压的控制,故称场效应管为电 压控制元件(VCCS)。