晶体管测试仪
MT-105 晶体管耐压测试仪使用说明书
MT-105晶体管耐压测试仪使用说明书深圳鹏达电子科技有限公司一、简介MT-105晶体管耐压测试仪可测试各种晶体二极管、瞬态二极管、三极管、可控硅、场效应管的正向、反向击穿电压耐压值；能测试稳压二极管的稳压值。
仪表为便携式设计，体积小、重量轻、自动量程、功能强、操作均采用无锁按键和遥控操作、上位机软件操作并可以保存测试数据（MT-105通信版），使用方便可靠，实用性强，适用于从事电子技术的实验人员、调试人员、维修人员、采购人员、销售人员及无线电爱好者。
还适用于电子电器产品生产厂家作为各类电子元器件批量检测之用。
二、面板功能介绍①：仪器电源开关，使用时请把开关打开，不使用请把开关关闭，避免电池耗电。
②：HV高压测试键，把被测试的器件引脚放进对应的测试槽后，按下测试键。
③：测试高压工作指示灯，按下测试键测试时，此指示灯会亮，表示高压工作中。
④：测试槽的1脚（黄色标记）HV-（GND地）⑤：测试槽的2脚（黄色标记）N型管的控制信号LG⑥: 测试槽的2脚（红色标记）P型管的控制信号HG⑦：测试槽的3脚（红色标记）HV+（高压输出HV）⑧: 充电指示灯，充电中此LED等亮，等充满电此指示灯灭，充电自动控制⑨：USB接口，充电与通信接口，可以接在电脑USB接口上，可以边通信边充电 ⑩: 仪器的显示屏，采用1602，LCD屏，显示清楚美观省电耐用三、使用操作说明打开开关，仪器屏幕显示官方网站和型号名称：“ MT-105 HV Tester”显示3秒后进入测试画面（没有任何测试操作）显示：“Bat:4424mv MT-105 HV Tester”。
按键操作：把待测试的元件放入对应的引脚后，按下测试键进行测试遥控操作：把待测试的元件放入对应的引脚后，按下遥控器播放键，可以进行测试遥控器只有2个按键有用，一个是高压测试键，另外一个是返回清屏键软件上位机操作可以测试和保存测试数据四、主要经典（重要项目）测试方法1、二极管测试方法，有两种VB R和U F电压，如下图1和图2所示图1 图22、三极管NPN的测试方法，有BVces和BVcer的反向击穿电压（耐压）测试，如下图3和图4所示图3 图43、三极管PNP的测试方法，有BVces和BVcer的反向击穿电压（耐压）测试，如下图5和图6所示图5 图64、N沟道的M O S管的测试方法，有BVdss和BVdsr的反向击穿电压（耐压）测试，如下图7和图8所示图7图85、P沟道的M O S管的测试方法，有BVdss和BVdsr的反向击穿电压（耐压）测试，如下图9和图10所示图9图105、可控硅的单、双向的测试方法，V RR M的反向击穿电压（耐压）测试，如下图11和图12所示图11 图12五、多种测试类型管的不同接法1、NPN管的8种击穿电压接法：以下是NPN三极管的8种测试电压的接法，BVceo、BVc b o、BVe b o、BV b eo、BVcer、BVces、BVce x、的击穿电压测试方法：（1）、BVceo：晶体管反向击穿电压；基极开路,集电极－发射极反向击穿电压接法：NPN管基极B开路（悬空），集电极C接测试槽3，发射极E接测试槽1，这时测试的就是反向击穿电压。
QT2晶体管测试仪.
仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 页码 8/6 KTD 操作指导书 A/0 被测管2012/05/22 生效日期二极管测试其主要的原理即使仪器提供一个被测管需要的正反二个方向的电压，并且通过 Y 电流/度及 X 电压/度的选择，使其在示波管上显示所要的测量值。
本仪器提供了二种测试手段，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在上述的三极管测试中，利用 C、E 二极进行正向和反向测试，当反压小于 500V 电流小于 5mA 时，可在专用的二极管测试插孔中进行测试。
在小于500V 二极管测试中电压极性也由测试选择开关进行转换，当置于“NPN”档二极管特性测试示波器取样电阻示波管操级时，其集电极插孔为正电压，置于“PNP”档级时，集电极插孔为负电压。
而在 3000V 二极管测试中其极性不变，可以通过二极管的测量端的变换达到极性的转换。
二极管的测试方法： 1. 通过二砐管的测试盒与仪器二极管测试孔相连，在特殊的情况下也可用合适的耐高作 B 8-1 B 8-2 图 B8-1 调压变压器 B8-2 高压变压器压线与插孔相连，被测管按面板所示的二极管极性与测试孔相连。
2. 3. 将集电极输出电压琴键按至 3000V 档级，此时并将峰值电压逆时针方向旋转至零。
示将 Y 电流/度置于 IB 范围内的合适档级，并将X 电压/度置于 UD 范围内的合适档级。
图(6 4．按入“测试”按钮，并徐徐缓慢升高峰值电压直至要求值或二极管击穿电流超过规定值的电压时止。
5．由于高压测试插孔中具有高压，因此在按入“测试”按钮时，切勿接确测试插孔的任一端。
变更履历标记日期编制审核备注：核准审核编制仪器型号仪器名称 QT2 晶体管测试仪上海科梯达电子科技有限公司文件编号版本 QG/ESM04-2011-04-008 功耗限制电阻页码 8/7 KTD 操作指导书 A/0 2012/05/22 生效日期场效应管的测试可根据需要对漏源电流(IDS，最大漏源电流(IDSM饱和漏源电流被测管示波管放大器 (IDSS夹断电压(VP跨导(ｇＭ，最大电源电压(BVDS等参数进行测试。
JL294-3晶体管测试仪
测试方法：1、测试操作步骤：（本说明以JL294型仪表为例）①开机；按下K1键使仪表工作②置K2键（PNP与NPN功能转换键）与被测管极性相符位置，将被测管与测试插座可靠连接。
③测试：按下需测试功能对应的按键，读出被测数。
注意：测试时K3～K12之间不准同时按下二个键！④关机；按K1，切断仪表电源。
2、各种三极管测试方法及图示：图中K2置NPN位置，测试PNP三极管时将K2（JL295型为K1）键置PNP位置，管脚接法与图一样。
①为了保证测试的准确性，建议使用外接6V 3A直流稳压电源。
②将三极管管脚按图示插入测试插座。
③仪表K3、K4档用于测试三极管VBR（耐压值），测试电压分别为0～1999V和0～199.9V；按下相应档位的开关，仪表分别显示被测三极管的VCEO、VCBO、VEBO 及VCE、VBC、VBE的耐压值。
④仪表K5、K6、K7三档用于测试三极管VCE（sat）（共发射极饱和压降）。
Ic电流分别为2000mA、300mA、10mA；Ib电流分别为200mA、30mA、1mA；测试时应根据三极管的功率大小按下相应档位的开关，表头显示相对电流下三极管的压降值。
提示：对同一型号的三极管，在相同电流档下测试，饱和压降值越小越好。
提示：小功率三极管不要用大电流档进行测试。
⑤仪表K8、K9、K10三档用于测试三极管hFE（共发射极直流放大系数）。
Ib电流分别为10mA、1mA、0.01mA；通过逐档测试可以观察三极管的放大线性，测得hFE值最大的一档应视为被测管最有效的工作状态。
提示：测试时应根据被测三极管的功率大小，先测试小电流档、再测试中电流档、后测试大电流档（要防止测试电流过大而损坏小功率管），表头分别显示不同工作电流下的直流放大系数。
注1：如果测试电流增大，被测三极管的放大系数不变或增大则说明被测管能在大电流的工作条件下使用；相反，如果随着测试电流的增大而被测三极管的放大系数减小，则说明被测管不能在大电流的工作条件下使用；如果表头显示的测试值不断变动，则说明该三极管不能承受该档的工作电流。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
晶体管测试仪简介
开始/测试按键SMD 器件测试座电容放电电阻外接表笔座DC 电源接口LCD 显示屏开始/测试按键小元件放置区插件元件测试座一. 产品概述本仪表是一款针对于电子爱好者、开发者、电子维修及生产工厂研发的小仪器。
可测直插式器件,也可测试贴片器件，可测各种二极管、三极管、可控硅、MOS管；能判断器件类型、引脚的极性、输出HFE、阀电压，场效应管的结电容，可测电容和电阻等。
二. 注意事项● 在测试电容前,请务必先进行放电,否则有可能损坏仪表。
● 使用适配器供电时，请使用DC 9V -12V(含9V,12V)电压范围的适配器。
● 本仪表不会对电池进行充电，当电池电量低于6V 时,请更换电池。
三. 技术指标电阻：0Ω-50MΩ 分辨率： 0.01Ω电容：25pF-100mF 分辨率：1pF电感：0.01mH-20H 分辨率：0.01mH 测量电容ESR 的分辨率: 0.01Ω四. 使用方法a. 按“开机/测试”可以实现开机和一次测试的功能，多次测量可重复按此键；测完后20秒无操作自动关机。
b. 本仪表提供贴片、插件和外置表笔三种测量方式，每种方式的1，2，3脚都是相同的对应关系。
c. 放置器件无需区分管脚顺序，测量完成后屏幕会显每个管脚对应的器件功能。
d. 仪表背面印有电解电容对应的ESR 典型值参照表，该表仅供参考，请以各生产厂家公布的数据为准。
五. 校准短接1，2，3 测试点，按“开机/测试”按键，屏幕提示是否进入校准，在2秒内此按“开机/测试”按键确认，进入校准。
之后屏幕提示断开1，2，3测试点，断开后继续，直到提示校准结束。
POWER/TEST SMD Devices Socket Capacitor Discharge Resistor Probe SocketDC IN LCD Screen POWER/TESTSmall Devices Container Plug-in Devices Socket1. Product DescriptionThis Meter is a small tool design for Engineer, Electronic Maintenance and Factory. It’s very easy to test plug-in and SMD devices, also can test different kinds of Diodes, Triodes, Thyristors, MOSFET; able to analysis the device type, the polarity of the pin, the output HFE, the valve voltage, the junction capacitance of the FET.2. Cautions● Before testing the capacitor, be sure to discharge it, otherwise it may damage the internal circuit.● If using DC supply , please choose DC 9V -12V adapter(including 9V and 12V).● When the battery power is under 6V, please replace a new one .3. Measuring parametersResistor : 0Ω-50MΩ Resolution : 0.01ΩCapacitor: 25pF-100mF Resolution : 1pF Inductor: 0.01mH-20H Resolution : 0.01mH Capacitor ESR measuring resolution : 0.01Ω4. Instructionsa. Push "POWER/TEST" to power on and start a test, multiple measurements can be repeated by this key; auto power off 20 seconds after measurement.b. Provide three kinds of socket, each socket pin1, pin2 and pin3 are connected.c. There 's a table "Typical ESR value of Electrolytic Capacitor" at the back, it’s for guide only, these are typical value for standard grade Electrolytic capacitor at room temperature.5. CalibrationShort the test pin 1,2,3 together, and push "POWER/TEST" button, then the screen prompts to enter Calibration, push the button again whin 2 seconds to confirm. Few seconds latter the screen prompts to release pin 1,2,3, release them and wait for calibration finish.晶体管测试仪大屏幕128*64点阵屏倾斜设计大视角左右按键大体积，操作简便方便左手或右手操作多种供电方式电池：9V（6F22，万用表电池)DC供电：9~12V贴片测试支持多种不同的封装的SMD器件：贴片电感，电容SMA，SMB，SMC，TO-252，SOT23，SOP8, 0603,0805，1206等插件测试弹片式插座支持各种2或3脚插件类器件电解电容放电电解电容测试前需先放电内部提供1K /1W 的放电电阻，最大支持2000uF/50V电容可外接探头提供外部探头插座：支持万用表笔支持鳄鱼夹支持电容测试夹ESR阻值表附电解电容ESR值参考表方便用户判断电容是否合格此表参数仅供参考，不同厂家生产的电容，ESR值可能不一样。
基于 STM32的晶体管特性曲线测试仪
基于 STM32的晶体管特性曲线测试仪刘士兴;刘宏银;赵博;鲁迎春;易茂祥【摘要】A transistor characteristic curve tester has been designed,which is based on STM32F103.The input ladder current of the base of the triode under test is implemented by adopting digital potentiometer,and the base drive current is 0-1 60 μA whose resolution is 0.1 μA.The regulation of the collector scanning voltage is achieved by the output of the three-terminal voltage regulator circuit which is controlled by embedded DAC, and the output ranges 0-30 V whose highest resolution is 3.18 mV.First of all,a sense resistor has been used to change the determined current into voltage ,which is amplified by instrumentation amplifier and sampled by the embedded ADC,also the median average filtering method has been used to filter the sampling disturbance. The measured parameters are processed by STM32F103 processor to map the input-output characteristic curve and have a real-time display of the amplification h FE on LCD.The tester also has the function of communication with PC which is convenient for further processing.%设计了一种以 STM32F103VET6为核心的晶体管输入输出特性曲线测试仪.通过数字电位器实现对待测三极管基极输入电流的阶梯控制,基极驱动电流0～160μA,分辨率达到0．1μA；通过内嵌 DAC 控制三端稳压电路的输出实现集电极扫描电压的调节,输出范围0～30 V,最高分辨率3．18 mV；电流的测量首先通过采样电阻转换为待测电压,经仪表放大器进行放大后由内嵌 ADC 进行采样,采用中位值平均滤波法滤除采样干扰.由 STM32F103VET6处理器对所测得参数运算处理,绘制晶体管输入输出特性曲线,通过 LCD实时显示晶体管特性曲线及放大倍数 h FE 值；测试仪还具有与上位机通信的功能,方便实现对所测数据做进一步处理.【期刊名称】《实验技术与管理》【年(卷),期】2015(000)011【总页数】5页(P86-90)【关键词】晶体管特性曲线;嵌入式处理器;数字滤波;LCD 显示【作者】刘士兴;刘宏银;赵博;鲁迎春;易茂祥【作者单位】合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009;合肥工业大学电子科学与应用物理学院，安徽合肥 230009【正文语种】中文【中图分类】TN32晶体管特性曲线图示仪能够测量半导体晶体管的静态参数［1］，显示晶体管的输入、输出特性曲线，在高校电子信息类专业的教学中获得了广泛的应用［2］。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明输入电压：直流6.8V-12V工作电流30mA左右，输入7.5V直流电压时实测●晶体管测试仪控制测试仪由一个旋转编码器开关控制，旋转编码器开关一共可以有4种操作，短按、长按、左旋、右旋。
在关机状态下短按一次，就能打开电源，开始测试。
在一次测试完成后，如果没有检测到器件。
长按开关或者左右旋转开关可以进入功能菜单，进入功能菜单后，左旋或者右旋开关可以在菜单项上下选择，要进入某一个功能项，则短按一次开关。
当需要从某个功能里退出时，则长按开关。
●测试器件测试仪一共有3个测试点，TP1、TP2、TP3。
这三个测试点在测试座里的分布如下：在测试座的右边是贴片元件的测试位置，上面分别有数字1,2,3,各代表TP1、TP2、TP3测试只有2个引脚的元件时，引脚不分测试顺序，2个引脚任意选择2个测试点，3个脚的器件引脚分别放到三个测试点中，不分顺序。
经过测试后，测试仪自动识别出元件的引脚名称、所在的测试点，并显示在屏幕上。
测试只有2个脚的元件时，如果使用的是TP1和TP3两个测试点，则测试完成后自动进入连续测试模式，这样可以连续的同步测量TP1和TP3上的元件，不用再按开关。
如果使用的是“TP1和TP2”或者“TP2和TP3”测试，则只测试一次。
要再一次测试则按一次开关。
测试电容器前，先给电容器放电，再插入测试座测量，否则有可能损坏测试仪的单片机。
●校准测试仪校准是用于消除自身元器件的误差，使得最后的测试结果更加精确。
校准分为快速校准和全功能校准。
快速校准的操作方法：用导线将三个测试点TP1、TP2、TP3短接，然后按下测试按钮，同时注意观察屏幕。
屏幕颜色会变成黑底白字，在出现提示信息”Selftest mode..? ”后，按一下测试按钮，就进入到快速校准过程；如果在出现提示信息“Selftest mode..?”后，2秒钟内没有按键，则进行一次正常的测试过程，最后显示出短接TP1、TP2、TP3三个测试点导线的电阻值。
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
（含浙江华晶整流器有限公司）
管理程序
编号：HJ/JC-002
发行日期：2008.4.1
版本次号：A
修改次号：0
第1页，共1页
项目
晶体管VGT、IGT、IH参数测试仪操作规程
一、本仪器是晶闸管VGT、IGT、IH三项参数的专用测试设备。适用于各种晶闸管的测试，操作者必须熟悉本机使用说明书，严格按照说明书的要求进行操作。
二、操作步骤：
1.按下“电源”开关按钮红色电源指示灯亮，数码管显示为“000”(若不为“000”请按一下复位开关按钮使本机进入0址)表示电源接通。
2.将被测试器件接在“A、K、G”接线端子上。
3.选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”、触发象限功能键或“IH”维持电流功能键。测试普通、快速晶闸管选择“IG I+”，测试KS双向晶闸管分别选择“IGI+”、“IGI-”、“IGIII-”，测试维持电流选择“IH”。
4.按动“复位”键：如仪器处于触发参数待测状态，电流、电压显示表回零。如仪器处于维持电流待测状态，电流显示表显示“450”mA左右的某一数值。
5.按动“测试”键：测触发参数时，电流表显示的数字由小到大变化，测维持电流时，电流表显示数字由大到小变化，测完自动停止。测试过程中“测试”键内指示灯亮，测完后指示灯自动熄灭。(注：测维持电流时，电压表显示的数值无意义。整个测试过程在2秒内完成)。
6.更换被测器件后，按3、5条操作即可。
注：对同一器件进行多次重复测试，测试过程由于被测试器件发热，参数会有所变Байду номын сангаас，测试中应注意。
编制：
审核：
批准：
晶体管在线测试仪
晶体管在线测试仪
一、实验目的
运用 555 和运放电路，制作一个简单测试仪，要求能判断晶体管 的类型以及其好坏
二、实验设计
方案一
1、实验原理 晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生
器、反向器、 测试电路等部分组成。 对称方波发生器由 555 时基电路 A2 和阻容元件 R3、 构成， 第
2.1 数电的理论知识····························· ····3
2.2.1 实验验目的••••••••••••••••••••••••••••••••••••••3
2.2.3 实验原理••••••••••••••••••••••••••••••••••3 2.2.4 实验电路••••••••••••••••••••••••••••••••••4 2.2.5 器件选择••••••••••••••••••••••••••••••••••5 2.2.6 测试电路图••••••••••••••••••••••••••••••••6 2.2.7 模拟电路图••••••••••••••••••••••••••••••••7 2.2.8 实物图••••••••••••••••••••••••••••••••••••8
S 为 1×1 小型拨动式电源开关。G 选用 4F22 型 6V 层叠式 电池或 4 节 7 号 电池串联供给。
c、b、e 插孔可用市售三极管插座或用Φ0.3mm 左右的漆包 线刮去漆皮后绕 成弹簧状，然后将其垂直焊在印制电路板上，同时 分别引出 3 根导线并接上 3 种不同颜色的鳄鱼夹，以便在线测试。
课程设计诚然是一门专业课，给我很多专业知识以及专业技 能上的提升，同时又是一门讲道课，一门辩思课，给了我许多道，给 了我很多思，给了我莫大的空间。同时，设计让我感触很深。使我对 抽象的理论有了具体的认识。通过这次课程设计，我掌握了常用元件 的识别和测试；熟悉了常用仪器、仪表；了解了电路的连线方法；以
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪是一种用于测试晶体管性能和功能的设备。
以下是晶体管测试仪的使用方法：
1. 准备工作：
- 确保晶体管测试仪的电源已接通并处于工作状态。
- 将待测试的晶体管正确插入测试仪的测试座，并确保与测试仪的接口连接牢固。
2. 设置测试参数：
- 通过测试仪的控制面板或操作界面，设置需要测试的参数，如电压、电流、频率等。
这些参数根据测试需求和晶体管规格进行设置。
3. 进行测试：
- 将测试仪的测试电源接通，并调整到适当的电压、电流或频率值。
- 开始测试时，观察测试仪的显示屏或指示灯，确保测试仪正常工作。
- 确保测试过程中晶体管没有异常现象，如短路、过载等。
如果发现异常，及时停止测试并检查故障原因。
4. 结果分析：
- 将测试仪测量得到的数据记录下来，包括电压、电流、频率等。
- 根据测试结果进行分析，判断晶体管的性能和功能是否符合要求。
常见的
测试项目包括开关特性、放大特性、输入输出特性等。
5. 维护保养：
- 测试完成后，及时关闭测试仪的电源，并进行清洁和保养。
如清除灰尘、调整测试座位等，以确保下次测试的准确性和可靠性。
- 定期检查测试仪的各个部件和连接线，确保其正常工作和连接牢固。
请注意，以上是一般的晶体管测试仪使用方法，不同型号和品牌的测试仪可能会有一些细微的差异。
在使用前请仔细阅读测试仪的说明书，并遵循厂家提供的操作指南。
自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪 Prepared on 22 November 2020自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB 按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
晶体管直流参数测试仪DY294
晶体管直流参数测试仪DY294概述晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。
它可以测量晶体管的静态参数，如基极-发射极电压，基极-集电极电压，集电极-发射极电流等。
该仪器适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。
技术参数参数数值基极-发射极电压0~40V基极-集电极电压0~40V集电极-发射极电流0~100mA基极-发射极电流0~10mA电源电压AC220V±10%工作温度-10℃~+40℃相对湿度≤70%RH使用方法准备工作1.检查DY294的供电电压是否为AC220V±10%；2.检查DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.连接测量被测晶体管的电源和四根测试线。
测试线颜色测试线接口被测管脚编号黄色BASE1红色COLLECTOR2黑色EMITTER3绿色BATTERY-测试流程1.接通DY294的电源开关；2.调节TEST SELECTOR旋钮，使其与被测晶体管对应的参数相符（如测试NPN晶体管的集电极-发射极电流，则将TEST SELECTOR旋钮拨至ICE）；3.轻轻按下TEST未装置开关，测得被测晶体管的电参数。
注意事项1.测量前请先确认DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符；2.测量前请先确认DY294的工作温度是否在-10℃~+40℃之间；3.测量前请先确认被测晶体管是否已正确连接测试线；4.测量前请先确认DY294的TEST SELECTOR旋钮是否与被测晶体管对应的参数相符；5.测量时请轻轻按下TEST未装置开关，以保证测量结果的准确性；6.测量完毕，请关闭DY294的电源开关，并断开电源线和测试线。
总结晶体管直流参数测试仪DY294是一款用于测试晶体管静态参数的仪器。
该仪器具有测量范围宽，测量精度高，操作简单等优点，适用于电子工业、科研院所和高校教学实验室。
在测量前请注意DY294的供电电压和被测晶体管型号是否相符，以及DY294的工作温度是否在规定范围内，以保证测量结果的准确性。
晶体管测试仪使用方法
晶体管测试仪使用方法晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
晶体管测试仪可以帮助我们了解晶体管的工作状态和参数，从而判断其是否正常工作，以及是否符合设计要求。
下面是晶体管测试仪的使用方法的详细介绍。
首先，使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料。
除了晶体管测试仪本身外，还需要晶体管样品和连接晶体管的测试电路。
同时还需要一些测试引线和测试探头。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要确保仪器和测试电路的电源已经连接好，并检查各个连接口和电源线是否牢固。
接下来，我们可以按照以下步骤来使用晶体管测试仪。
第一步是将待测的晶体管样品插入晶体管测试仪的测试插槽中。
在插入之前，需要先检查晶体管的引脚是否正确对应测试插槽的引脚。
插入晶体管后，要确保其引脚与测试插槽的引脚有良好的接触。
接下来，我们可以选择所需的测试模式和测量范围。
晶体管测试仪通常具有多种测试模式和测量范围可供选择，以适应不同类型和参数的晶体管。
通过仪器面板上的旋钮或按钮，我们可以选择所需的测试模式和测量范围，并通过仪器上的显示屏来查看测试结果。
在选择测试模式和测量范围之后，我们需要根据具体的测试要求和参数设置一些测试条件。
例如，我们可以设置测试的输入电压或电流的大小，以及测试的频率范围等。
这些测试条件可以通过仪器上的按钮或旋钮进行设置。
接下来，我们可以启动晶体管测试仪，并进行测试。
在测试过程中，我们需要仔细观察仪器上显示的测试结果，并记录下来。
同时，我们还可以通过仪器上的其他功能和参数来了解晶体管的更多信息，如输出功率、增益、频响等。
最后，在测试完成后，我们需要通过仪器上的按钮或旋钮来停止测试，并将测试结果进行保存和记录。
同时，还需要将晶体管从测试插槽中取出，并确保其他连接线和测试电路的电源已经关闭。
总结一下，晶体管测试仪是一种用于检测和测试晶体管性能的仪器。
在使用晶体管测试仪之前，我们需要准备好所需的设备和材料，并确保仪器和测试电路的电源已经连接好。
晶体管参数测试仪的设计
晶体管参数测试仪的设计张明英【摘要】以LM3S1138芯片作为控制核心,设计了一个晶体管参数测试系统。
该系统主要功能模块包括：恒流源阶梯信号、电压扫描信号、升压电路、保护电路等。
利用8位D/A转换器产生稳定的控制电压,通过集成在LM3S1138芯片中的10位A/D模块完成电压的测量。
通过RS232接口将测量数据传送到PC机,利用Matlab软件实现对测量数据的处理和显示。
测试结果表明：该晶体管参数测试仪工作良好,测量结果都在数据手册给的参数范围之内。
%A transistor parameters test system was designed using LM3S1138 single chip as its control core. The main function modules including: constant current source ladder, scanning signals, the voltage signal booster circuit, the protection circuit, etc. Using 8bit D/A converter generates a stable control voltage, 10bit A/D module integrated in LM3S1138 complete voltage measurement. The measurement data were transferred to PC by RS232 interface, using of Matlab software realization of measurement data processing and display. Test results show that the transistor parameter tester works well and the measurement results is within the range of data given in the data sheet.【期刊名称】《电子设计工程》【年(卷),期】2012(020)018【总页数】3页(P73-74,77)【关键词】晶体管参数测试;LM3S1138;恒流源;保护电路;串口通信【作者】张明英【作者单位】西安外事学院,陕西西安710077【正文语种】中文【中图分类】TN307晶体管测试仪应用广泛，功能因测量参数不同而不同，有的可以测量晶体管的放大系数、反向击穿电压、反向饱和电流、晶体管的输入输出特性曲线、延迟时间、晶体管开启时间、存贮时间等多种参数，有的只是测试晶体管的好坏，也有的数字万用表可以测晶体管的直流放大系数。
晶体管测试仪使用说明
晶体管测试仪使用说明一、准备工作1.将晶体管测试仪放置在平稳的台面上，并插入电源插头。
2.确保晶体管测试仪的电源开关处于关闭状态。
二、连接测试电路1.将待测晶体管正确插入测试仪的晶体管插座中，确保引脚与插座相对应。
2.连接测试电路。
根据待测晶体管的类型和测试要求，将测试仪的输入和输出端子连接到电路中。
可以通过连接线将测试仪的输入端子与输入信号源连接，将输出端子与负载电阻连接。
三、调整测试仪参数1.打开晶体管测试仪的电源开关，待测试仪开始运行。
2.调整测试仪的工作模式。
根据待测晶体管的类型和测试要求，设定测试仪的工作模式，例如共射、共基或共集模式。
3.调整输入信号源的频率和幅值。
根据测试要求，设定输入信号源的频率和幅值。
可以通过测试仪上的旋钮或按钮进行调节。
四、进行测试1.运行测试仪，开始测试。
根据测试仪的提示或指示灯，逐步进行测试。
2.测试参数的测量。
根据测试仪的操作说明，逐个测量待测晶体管的参数，例如电流放大倍数、输出阻抗和截止频率等。
可以使用测试仪上的按钮或旋钮进行参数测量，并观察测试仪的显示屏或指示灯。
五、结束测试1.结束测试。
根据测试要求，停止输入信号源的工作，并将测试仪的电源开关关闭。
2.拔出待测晶体管。
轻轻拔出待测晶体管，注意不要损坏晶体管或测试仪的插座。
3.关闭电源。
将晶体管测试仪的电源开关关闭，并拔出电源插头，以确保安全和省电。
六、注意事项1.在进行测试之前，确保待测晶体管和测试电路没有电流，并断开电源。
2.在测试时，可以参考晶体管的参数手册，并根据其引脚配置和测试要求进行正确连接和调整。
3.在进行高频测试时，尽量减少测试线的长度，以减少信号衰减和干扰。
4.在使用过程中，注意安全，避免触摸高压或高温区域。
5.使用完毕后，及时清理晶体管测试仪上的灰尘和杂物，并妥善保管，以确保下次使用时的正常运行。
晶体管特性测试仪的使用
晶体管特性测试仪的使用晶体管特性测试仪的使用典型的晶体管特性测试仪面板上的开关、旋钮按功能可划分为6个部分,即示波管及显示电路、集电极电源、Y轴部分、X轴部分、校正及转换部分、阶梯信号部分。
现将各部分的主要开关及旋钮的作用说明如下(以HZ4832型晶体管特性测试仪为参考)。
(1)电源及示波管控制部分:这一部分的使用与示波器完全相同,不做过多介绍。
(2)Y轴部分①电流/度开关。
它是一种具有25挡、4种偏转作用的开关,是测量二极管反向漏电流及三极管集电极电流的量程开关。
集电极电流共20挡(10μA/div～0.5A/div);二极管漏电流共5挡(0.2～5μA/div)。
当开关置于“基极电流或基极源电压”位置时,可使屏幕Y轴代表基极电流或电压;当开关置于“外接”时,Y轴系统处于外接收状态,外接是由后面板插座直接输入到Y轴放大器,经放大后取得其偏转值。
②Y轴移位。
它可使被测信号或集电极扫描线在Y轴方向移动。
(3)X轴部分①电压/度开关。
它是一种具有22挡、4种偏转作用的开关,是集电极电压及基极电压的量程开关。
集电极电压共12挡(0.05～50V/div)。
当开关置于“基极电流或基极源电压”位置时,可使屏幕X 轴代表基极电流或电压;当开关置于“外接”时,X轴系统处于外接收状态,外接是由后面板Q9插座直接输入到X轴放大器,经放大后取得其偏转值。
②X轴移位。
可以使被测信号或集电极扫描线在X轴方向移动。
(4)阶梯信号部分①级/簇。
它是用来调节阶梯信号的级数,能在1～10级内任意选择。
②调零。
未测试前,应首先调整阶梯信号起始级为零电位。
当荧光屏上可观察到基极阶梯信号后将零电压按钮置于“零电压”,观察光点或光迹在荧光屏上的位置,然后将其复位,调节“阶梯调零”电位器,使阶梯信号起始级与“零电压”时的位置重合,这样阶梯信号的“零电位”被正确校正。
③串联电阻开关。
当阶梯选择开关置于电压/级的位置时,串联电阻与半导体器件的输入回路串联,用于改变阶梯信号与被测管输入端之间所串接的电阻的大小。
自制GM328晶体管测试仪用户手册
自制GM328晶体管测试仪用户手册电源：晶体管测试仪可由6.8V –12V 直流供电。
这可以通过一个9V 的层叠电池来实现。
两个3.7V 锂离子电池串联。
或AC 适配器。
通电时，直流9V 电流约为30mA 。
控制：晶体管测试仪由“带开关的旋转脉冲编码器”控制，或由“RPEWS”短接，该元件有四种工作方式，短时间按下旋钮，按住，左右旋转旋钮。
当晶体管测试仪通电时。
短时间按下RPEWS 将打开晶体管测试仪，并开始测试。
晶体管测试仪将在测试结束时等待用户输入。
在测试结束时，在自动关闭之前。
长时间按下RPEWS 或左右旋转，将进入功能菜单。
在“功能”菜单中，左栏中的“>”用于索引所选菜单项。
要进入特定功能，只需单击RPEWS 。
在特定功能内，按住旋钮将退出并返回功能菜单。
测试：晶体管测试仪有三个测试点（TP1、TP2、TP3），在测试插座内，三个测试点的配置如下。
在测试插座的右侧是SMT 测试板，也有编号来识别每个脚位。
当测试两个引线组件（电阻、电容、电感）时，两个引线可以选择任意两个测试点。
如果选择了TP1和TP3，测试完成后，测试将进入“系列测试模式”。
否则，通过短时间按下RPEWS 重新开始测试。
注意：在将电容器连接到测试仪之前，在打开之前，务必对电容器放电！否则，检测仪可能损坏。
在MCU 的端口上只有一点保护。
如果您尝试测试安装在电路中的组件，则需要格外小心。
无论哪种情况，设备都应断开电源，您应该确定，设备中没有剩余电压。
自检和校准：通过将三个测试点连接在一起并推动RPEWS，可以准备自检，测试仪LCD的颜色将变为白色字体和黑色背景。
提示字符串“Selftest mode….”“，要开始自检，必须在2秒内再次按下RPEWS，否则测试仪将继续进行正常测量。
现在开始自检，检测仪将提示您下一步。
等待一段时间，直到提示字符串“isolate Probes（隔离探针）！“此时拆下三个测试点的连接。
检测仪将等待，直到测试到断开。
晶体管测试仪原理
晶体管测试仪原理
晶体管测试仪是用于测试晶体管电性能的一种仪器。
它可以通过测量晶体管的电流放大倍数、漏极电流以及电流增益等指标来评估晶体管的工作状态和性能。
实现这些测试的原理主要包括以下几个方面。
首先，晶体管测试仪需要提供适当的电源电压和电流，以确保晶体管工作在正常的工作电压和电流范围内。
在测试时，晶体管通常会被连接到测试仪上，并通过适当的电路被驱动。
适当的电源电压和电流可以通过测试仪的控制面板或者控制程序进行设置。
其次，晶体管测试仪需要提供适当的测量电路来测量晶体管的电流放大倍数和漏极电流。
这通常通过建立一个特定的电路来实现，该电路包含了适当的电阻和电压测量装置。
在测试时，测量电路会将晶体管的输入信号和输出信号与适当的电阻相连，并通过电压测量装置来测量电阻上的电压。
根据欧姆定律和基尔霍夫定律，可以通过测量电压和电阻值来计算晶体管的电流放大倍数和漏极电流。
最后，晶体管测试仪可以通过适当的数据处理和显示装置来分析和显示测试结果。
数据处理通常涉及计算和记录测试结果，并将其显示在仪器的显示屏上。
这样，测试人员可以直观地了解晶体管的工作状态和性能。
总之，晶体管测试仪通过提供适当的电源和测量电路，以及数据处理和显示装置，可以实现对晶体管电性能的测量和评估。
这些测试的原理主要是基于电流和电压的测量，通过计算和分析来得出晶体管的工作参数。
晶体管测试仪 原理
晶体管测试仪原理晶体管测试仪是一种专门用于测试晶体管的电子设备。
它通过对晶体管的各种参数进行测试，能够检测晶体管的质量、性能和可靠性等方面的指标，为后续的工作提供数据支持。
那么，晶体管测试仪的具体原理是什么呢？晶体管测试仪的原理主要涉及到两个方面：电路方面和测试原理方面。
首先，我们来讲一下电路方面的原理。
晶体管测试仪的电路主要由信号源、放大器、滤波电路、比较器、自动控制电路和数码显示等组成。
信号源产生输入信号，经过放大器放大后，输入到待测的晶体管中，从而得到待测晶体管的输出信号。
将待测晶体管的输入和输出信号进行比较并进行测量，通过数字显示器直接输出测量结果，以此来确定晶体管的品质和性能等指标。
其次，我们来讲一下测试原理方面的原理。
晶体管测试仪主要通过测试晶体管的电流放大系数、截止频率、输出阻抗、漏电流、饱和电流等指标来评估晶体管的性能。
其中，电流放大系数是指用晶体管输出电流除以输入电流得到的比值；截止频率是指在特定的电压条件下，输入电信号的频率达到一定值时，输出信号的衰减达到一定的程度；输出阻抗是指在特定的电流和电压条件下，晶体管的负载电路看到的等效输入阻抗；漏电流是指在截止状态下，晶体管的电流流入基极电路的电流；饱和电流是指在饱和状态下，晶体管的电流大小。
为了进行精确测量，晶体管测试仪会使用一些特殊的测试方法，比如交流放大器、锁相放大器、桥式电路和自动测试等。
其中，交流放大器可以将输入信号和晶体管输出信号进行放大，并可以消除信号中的直流分量；锁相放大器可以通过相位差的检测来提高信号的灵敏度；桥式电路可以消除电阻温度系数、漂移等影响；自动测试可以提高测试的准确性和效率，自动完成测试过程。
综上所述，晶体管测试仪通过信号源、放大器、滤波电路、比较器、自动控制电路和数码显示等组成的电路，结合使用交流放大器、锁相放大器、桥式电路和自动测试等特殊测试方法，进行对晶体管的电流放大系数、截止频率、输出阻抗、漏电流、饱和电流等指标的精确测量，在数字显示器上直接输出测量结果，从而评估晶体管的品质和性能等指标。
JY-3晶体管测试仪技术说明书
JY-3晶体管测试仪技术说明书杭州精源电子仪器有限公司JY-3晶体管测试仪技术说明书1.系统简介本测试仪具有对半导体器件常温测试，高温热测(不需要外加烘箱)，热敏参数的快速筛选取代直流满功率老炼三大功能，并可任意选用及组合使用。
晶体管热敏参数的快速筛选技术，是采用在短时间内(一般为数秒)对晶体管施加超稳态额定功率的办法，使晶体管的结温迅速接近或达到最高允许结温TjM，通过快速检测晶体管热敏参数V BE、I CEO（或I CBO）和h FE ,及其在加功率前后的变化量、变化率△V BE、I CEOH和△h FE％，并以此为失效判据参量，淘汰超标的晶体管，达到剔除早期失效器件，改善产品批的质量和可靠性的目的，同时，所施加的超稳态额定功率模拟了被试管实际使用时可能出现的浪涌电压、电流等应力，以考核被试管承受冲击的能力。
该快速筛选方法不仅能替代直流满功率老炼，快速剔除有潜在缺陷的器件，而且更加科学合理，并已列为行业标准SJ／T10415—93及国军标GJB128A—97。
本测试仪不但能按规定进行晶体管热敏参数的快筛，而且可作常规直流参数测试仪器使用，具有足够的测试量程和精度，只要调用被测器件的型号，就能进入快速连续检测。
当被测器件由于穿通、二次击穿和热击穿的瞬间，具有自动保护能力。
2.主要功能2.1可取代直流满功率老炼，每只器件整个老炼筛选过程（含测试）只需5秒左右。
2.2 能测试筛选PNP、NPN大、中、小功率三极管。
中文菜单式界面，操作简便。
2.3能一次性自动测试、筛选V BE、V BC、h FE1、h FE2、I CEO、I CBO、I EBO、V（BR）CEO、V、V（BR）EBO、V CES、V BES的常温、高温值及常温与高温值变化量或变化率。
（BRCBO并能任意选测全部或部分参数；若只选测常温参数，每只器件只需1秒多。
h FE1、h FE2可以自动分10档。
2.4 可任意设定器件型号、测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式任意修改、调用。
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XJ4810型半导体管特性图示仪的使用方法晶体管测试仪的使用方法
晶体管特性图示仪的使用
晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础，以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管（NPN型和PNP型）的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性；测试各种反向饱和电流和击穿电压，还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图A-23所示：
1. 集电极电源极性按钮，极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝：1.5A。
3. 峰值电压%：峰值电压可在0～10V、0～50V、0～100V、0～500V之连续可调，面板上的标称值是近似值，参考用。
4. 功耗限制电阻：它是串联在被测管的集电极电路中，限制超过功耗，亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围：分0～10V/5A、0～50V/1A、0～100V/0.5A、0～500V/0.1A
四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时，须先将峰值电压调到零值，换挡后再按需要的电压逐渐增加，否则容易击穿被测晶体管。
AC挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描，以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡：由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容，都将形成电容性电流，因而在电流取样电阻上产生电压降，造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流，测试前应调节电容平衡，使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡：是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称，而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节：旋钮拉出，接通仪器电源，旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示：接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮：调节旋钮可使光迹最清晰。
11. 荧光屏幕：示波管屏幕，外有座标刻度片。
12. 辅助聚焦：与聚焦旋钮配合使用。
13. Y轴选择（电流/度）开关：具有22挡四种偏转作用的开关。
可以进行集电极电流、基极电压、基极电流和外接的不同转换。
14. 电流/度×0.1倍率指示灯：灯亮时，仪器进入电流/度×0.1倍工作状态。
15. 垂直移位及电流/度倍率开关：调节迹线在垂直方向的移位。
旋钮拉出，放大器增益扩大10倍，电流/度各挡IC标值×0.1，同时指示灯14亮.
16. Y轴增益：校正Y轴增益。
17. X轴增益：校正X轴增益。
18.显示开关：分转换、接地、校准三挡，其作用是：
⑴转换：使图像在Ⅰ、Ⅲ象限内相互转换，便于由NPN管转测PNP管时简化测试操作。
⑵接地：放大器输入接地，表示输入为零的基准点。
⑶校准：按下校准键，光点在X、Y轴方向移动的距离刚好为10度，以达到10度校正目的。
19. X轴移位：调节光迹在水平方向的移位。
20. X轴选择（电压/度）开关：可以进行集电极电压、基极电流、基极电压和外接四种功能的转换，共17挡。
21. “级/簇”调节：在0～10的范围内可连续调节阶梯信号的级数。
22. 调零旋钮：测试前，应首先调整阶梯信号的起始级零电平的位置。
当荧光屏上已观察到基极阶梯信号后，按下测试台上选择按键“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节零旋钮，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的零电位即被准确校正。
23. 阶梯信号选择开关：可以调节每级电流大小注入被测管的基极，作为测试各种特性曲线的基极信号源，共22挡。
一般选用基极电流/级，当测试场效应管时选用基极源电压/级。
24. 串联电阻开关：当阶梯信号选择开关置于电压/级的位置时，串联电阻将串联在被测管的输入电路中。
25. 重复－－关按键：弹出为重复，阶梯信号重复出现；按下为关，阶梯信号处于待触发状态。
26. 阶梯信号待触发指示灯：重复按键按下时灯亮，阶梯信号进入待触发状态。
27. 单簇按键开关：单簇的按动其作用是使预先调整好的电压（电流）/级，出现一次阶梯信号后回到等待触发位置，因此可利用它瞬间作用的特性来观察被测管的各种极限特性。
28. 极性按键：极性的选择取决于被测管的特性。
29. 测试台：其结构如图A-24所示。
30. 测试选择按键：
⑴“左”、“右”、“二簇”：可以在测试时任选左右两个被测管的特性，当置于“二簇”时，即通过电子开关自动地交替显示左右二簇特性曲线，此时“级/簇”应置适当位置，以利于观察。
二簇特性曲线比较时，请不要误按单簇按键。
⑵“零电压”键：按下此键用于调整阶梯信号的起始级在零电平的位置，见（22）项。
⑶“零电流”键：按下此键时被测管的基极处于开路状态，即能测量ICEO 特性。
31、32. 左右测试插孔：插上专用插座（随机附件），可测试F1、F2型管座的功率晶体管。
33、34、35.晶体管测试插座。
36. 二极管反向漏电流专用插孔（接地端）。
在仪器右侧板上分布有图A-25所示的旋钮和端子：
37. 二簇移位旋钮：在二簇显示时，可改变右簇曲线的位置，更方便于配对晶体管各种参数的比较。
38. Y轴信号输入：Y轴选择开关置外接时，Y轴信号由此插座输入。
39. X轴信号输入：X轴选择开关置外接时，X轴信号由此插座输入。
40. 校准信号输出端：1V、0.5V校准信号由此二孔输出。