模拟电子电路基本答案解析(胡飞跃)第四章答案解析
摸拟电子技术4答案
摸拟电子技术(第2版) 4 A卷答案一、单选题(每题1分)1.D2.A3.B4.D5.D6.D7.B8.C9.A10.C11.B12.C13.B14.D15.B16.A17.A18.B19.C20.A21.D22.B23.B24.A25.B26.D27.A28.B29.C二、判断题(每题1分)1.错误2.错误3.错误4.正确１5.错误6.错误7.错误8.错误9.错误10.正确11.错误12.错误13.错误14.错误15.错误16.错误三、填空题(每题1分)1.∞、∞、0、∞、02.电压、电流、串联、并联3.正、负4.电压串联、∞、11、11、1、14、14、15.提高、扩展、减小、改变6.电压、电流7.正、负8.虚短、虚断9. 10、0.00910.电压、电流、串联、并联11.零、约等于输入信号12.基本放大、反馈２３13. 负反馈、正反馈14. 稳定静态工作点、提高放大器的动态性能15. 串联 负、电流 负16. 输入、增大、减小17. 输出、引回到输入18. 输出、减小、增大19. 60dB20. 小、大21. 开环（或答：基本）、闭环（或答：反馈）四、计算分析题(每题1分)1. V V V R R R R R R RU F O 5.222323252////132323-=⨯+⨯-=⋅+⋅-=Ω=+=k R R R R R F P 43.1)////(2132. （1）由图可知432R R R i i i +=，即3OA 4A 2A R u u R u R u -+=-代入数据可得A O 52u u =。
又因为４2A1R u R u I -=可得I A u u 5-=，故I u u u 26052A O -==A u f = -260 （2）R i =10k Ω计算的最后结果数字： （1）A u f = -260（2）R i =10k Ω3. （a ）12R R A uf -= （b ）212R R R A uf +=4. (1) 应引入电压串联负反馈，如下图所示图号：4309(2) 。
模电第四章答案
E ） I R ：I R =100S 2 L ： |.：（1 • ：） R R四、电路如图T4.4所示。
第4章集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1) 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 (c )。
A •可获得很大的放大倍数B •可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容(2) 通用型集成运放适用于放大 (B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号(3) 集成运放制造工艺使得同类半导体管的 (C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好(4) 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 (A )。
A.减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻(5) 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用(A )。
A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“用“X 表示判断结果。
(1) 运放的输入失调电压 U IO 是两输入端电位之差。
(X (2) 运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
(V ) ⑶运放的共模抑制比 K CMR = 仝。
(V)A c(4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
(V )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
(X三、电路如图T4.3所示，已知31 = 分析估算如下：二V cc -U BE 2 —U BE1 =IOO 」AR 解: 1 B22I B0 ■ - I B01 ：I R = ' I B0 I B2C2的值。
图 T4.31 C2八B2"2—I B0。
比较上两式，得1 C2图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放.... ）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻.... ）。
解：（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
模拟电子电路学习基础试题及其答案解析(大学期末考试-题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模电答案 第四章
第四章 习题解答4-1 如题4-1图所示MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-=4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。
设漏极电流i D 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际方向是流进还是流出？ 答：（a ）P-JFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的μn C ox =100μA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ； （b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ； （c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ； （d ）V GS =V DS =5V 。
解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C μμ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于非饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mA V V V VI VmA th GS GSWC D D S D S x o n 7.3118.052101.022122=-⨯-⨯⨯=--=μ （b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS W ox n D 72.08.02101.022121=-⨯⨯⨯=-⋅=μ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于非饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-⨯-⨯⨯=--=μ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I VmA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212212=-⨯⨯⨯=-⋅=μ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，μn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。
模拟电路第四章课后习题答案
第四章习题与思考题♦♦习题4-1在图P4-1所示互补对称电路中，已知V CC为6V, R L为8 ◎，假设三极管的上&和管压降U CES = 1V,① 试估算电路的最大输出功率P om；② 估算电路中直流电源消耗的功率P V和效率刀。
解：①(V CC -Ucem)2 (6 -1)2P om =^C——cem-=-———W ： 1.563W2R L 2 8如忽略U CES,则，退=互亚=2.25W2R L 2M82V CC 2 62FV QC-2-6-W ： 2.865W二R L二8= P m =1563 ：54.55%F V 2.865.., R E 2 25 一…如忽略U CES则。
=P m = 仝5定78.53%F V 2.865此题的意图是理解OCL互补对称放大电路的P om和P V的估算方法♦♦习题4-2在图P4-1所示的电路中：①三极管的最大功耗等于多少？②流过三极管的最大集电极电流等于多少？③三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少？④为了在负载上得到最大输出功率Pom,输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？解：① P CM >0.2P o m =0.2 X2.25W =0.45WV CC 6 . .I CM .q=6A=0.75AR L 8③ u (BR)CEO 2V CC =2 6V = 12V④因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态 ，Au 上1,而略小于 本题的意图是了解OCL 互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法♦. 习题4-3在图P4-3所示互补对称电路中，已知V CC 为6V, R L 为8 ◎，假设三极管的上&和管压降 U CES= 1V,①估算电路的最大输出功率 P om ； 62—=-6—W : 0.716W 2 R L 2 二 8U cem V CC 6：,2 ： 2，2V之 4.24V 。
② 估算电路中直流电源消耗的功率 P V 和效率刀。
模拟电子电路基础答案(胡飞跃)
t
1ms时，vo (t)
vo (0.5ms) 1000
t
(1)dt
0.5
0.5 1000(t
0.5)(V )
则当t 1ms时，vo (1ms) 0V
习题2.13
vo(V)
(2)
vi (t)
2 2
0 t 0.5ms 0.5ms t 1ms
0 0.5 -1
2R1
vA vi1 iR2 3 4.04sin t(V ), vB iR2 vi2 3 4.04sin t(V )。 vc vD vB R4 vB 1.5 2.02sin t(V ),
R3 R4 2
vo R4 (vB vA) 8.08sin t(V )。
（2） 因为运放理想，所以
Ia I
I1 Ia I
Ib Ia I1 2I
I2 Ib 2I
Ic Ib I2 4I
I3 Ic 4I
I4 (Ic I3) 8I
习题2.2
（3） V1 IR V2 2IR V3 4IR V4 V3 8I (R / 2) 8IR
v4
取 R3 40k 则 R7 120k
R4 30k
取R5 120k R2 10k
则 R6 20k R1 20k
习题2.5
每一路输入 vi 5ai ，其中 ai 0或1, i 0,1, 2,3
vo
Rf 80
v0
Rf 40
v1
Rf 20
v2
习题2.10
求差电路增益为 G R2 R1
模拟电子电路基础答案(胡飞跃)
习题1.4
放大器参数： Ri 2k 信号源
Gm 40mA / V
负载
RL 1k
Ro 20k
Rsig 2k
电压增益为
vo Gmvi ( Ro / / RL ) Av Gm ( Ro / / RL ) 38.095V / V vi vi
习题1.5
Rmii RL Rsig vo Ro RL RL Rm Rsig Ri isig Rsig Ri Ro RL ii Rsig
v
o
Hale Waihona Puke 22RL
242W W
习题1.2
放大器参数： Ri 10k 信号源 vsig 10mV (1) 输出电压为 vo Av vi ( Avo
Ro 200
Avo 1000V / V
负载 RL 100
Rsig 100k
Ri RL )(vsig ) RL Ro Ri Rsig
f 1.99MHz 2
习题1.7
（1）中频增益为60dB （2）上限截止频率：1000rad/s （3）下限截止频率：0
100 10k (1000 )(10mV ) 0.303V 100 200 100k 10k vo Ri RL Avo 30.3V / V (2) Avs vsig Ri Rsig RL Ro
或
vo 0.303 Avs 30.3V / V vsig 0.01
习题1.6
Ri / ( Ri Rsig ) Vo ( s) Ri 1 Ri Rsig Vi ( s) R R / / Ri Rsig Ri Rsig sCi 1 sCi sig i sCi Ri Rsig
电路分析第四章习题参考答案
4-2 试用外施电源法求图题4-2 所示含源单口网络VCR ，并绘出伏安特性曲线。
解：图中u 可认为是外加电压源的电压。
根据图中u 所示的参考方向。
可列出(3)(6)(5)20(9)50u i i A VA i V=Ω+Ω++=+4-5试设法利用置换定理求解图题4-5所示电路中的电压0u 。
何处划分为好？置换时用电压源还是电流源为好？解：试从下图虚线处将电路划分成两部分，对网路N 1有（节点法）1111967(11)uu u u i ⎧⎛⎫+-=⎪⎪+⎝⎭⎨⎪-++=-⎩ 整理得：1511714u i =- 对网络2N 有251133u i i i =⨯+⨯=解得3i A =，用3A 电流源置换N 1较为方便，置换后利用分流关系，可得：()121031V 1V u +=⨯⨯=4-9 求图题4-7所示电路的输入电阻R i ，已知0.99α=解： 施加电源t u 于输入端可列出网孔方程：12335121(25100)100 (1)100(100100101010)100.990(2)t i i u i i i +-=-++⨯+⨯-⨯=将(2)代入(1)得135ti u R i ==Ω4-14求图题4-10所示各电路的等效电路。
解解： 图(a):因电压的计算与路径无关，所以[5(1)]4(13)4ad ac cd ad ab bd u u u V V u u u V V=+=---=-=+=--=-图(b): 流出a 点的电流(521)8a i A =++=，流入b 点多的电流(541)8b i A =+-=。
所以ab 之间的等效电路为8A 的电流源，电流从b 端流出。
图(c):导线短接。
4-23 电路如图题4-15 所示，已知非线性元件A 的VCR 为2u i =。
试求u ，i ，i 1.解： 断开A ，求得等效内阻：1o R =Ω 开路电压a u 所满足的方程：()(11)12111/21c a c a u u u u +-⨯=⎧⎪⎨-⨯++=⎪⎩ 求得2a u V =，最后将A 接到等效电源上，如上图所示。
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变） （1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R L图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
模拟电子技术基础(国防科技大学出版社第四章习题答案(大题)
习题4.1选择填空1、选用差分放大电路的原因是 A 。
A 、克服温漂B 、 提高输入电阻C 、稳定放入倍数2、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 B 。
A 、差模放大倍数数值增大 B 、抑制共模信号能力增强 C 、差模输入电阻增大3、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。
4、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2，差模输入电压为v id ，共模输入电压为v ic ，则当v i1=50mV ，v i2=50mV 时，v id =_0mV __，v ic =_50mV __；当v i1=50mV ，v i2=-50mV 时，v id =_100mA __，v ic =_0mA__；当v i1=50mV ，v i2=0V 时，v id =_50mV __，v ic =_25mA __。
5、电流源常用于放大电路，作为_A ___（A.有源负载，B.电源，C.信号源），使得放大倍数__A __（A.提高，B.稳定）。
6、电压放大电路主要研究的指标是 a 、 b 、 c ；功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、 f 、 g 、（a 电压放大倍数 b 输入电阻 c 输出电阻 d 输出功率 e 电源提供的功率 f 效率 g 管耗）7、功率放大电路中，___甲类____功率放大电路导通角最大；_____乙类___功率放大电路效率较高。
（甲类、乙类、甲乙类） 8、甲类功放效率低是因为 B 。
A 、只有一个功放管B 、 静态电流过大C 、管压降过大4.1对称差动放大电路如题图 4.1所示。
已知晶体管1T 和2T 的50=β，并设U BE (on )=0.7V,r bb ’=0,r ce =∞。
(1)求V 1和V 2的静态集电极电流I CQ 、U CQ 和晶体管的输入电阻r b’e 。
(2)求双端输出时的差模电压增益A ud ，差模输入电阻R id 和差模输出电阻R od 。
模电第4章频率响应答案.docx
4.1已知某放大器的幅频特性如题图4」所示。
(1)试说明该放大器的中频增益、上限频率扁和下限频率九、通频带BW。
⑵当甘：=10sin(4;r -106K)+ 20sin(27r x 104t\tn V)和乞=10加(2”・5/X〃7)+20沏(2龙xlOh)(加7)时，输出信号有无失真？是何种性质的失真？分别说明之。
解:(1)由题图4.1可得:中频增益为40dB,即100倍，加“Hz,九=10Hz (在.力/和尢处，增益比中频增益卜降30dB), = 10")_ 10匕10&//z。
(2)当= 10-106t\m T)+ 20sin(27i x 104Z)(mT)llj",其中戶104Hz 的频率在屮频段，而/ =2X106/7Z的频率在高频段，可见输出信号要产牛失真，即高频失真。
当坷=10sm(17i-7)+ 20X 104t\mV)吋，.戶5Hz 的频率在低频段，＞104Hz 的频率在小频段，所以输出要产牛失真，即低频失真。
4.2某放大电路电压增益的渐近波特图如题图4.2所示。
设中频相移为零。
⑴写出AJjf)频率特性的表达式。
⑵求f=107Hz处的相移值。
(3)求下限频率纪的值。
⑷求fMOOHz处实际的dB值。
(5)求fMOHz和匸"Hz的相移值。
解：(1)'1'频放人倍数为1()3,高频有一个极点频率为105H Z , 一个零点频率为106H Z ,低频有 两个极点频率均为102H Z ,两个零点频率均为lOHzo 所以⑵f=107Hz 处的相移为零 （3） 九 «102/A/22 -1 = 155屁（4） 2018141^=54^（5） 如/削宓抢=—45。
A （#） = io 3（1-丿岁）"1 +丿缶） -耳4.3已知某晶体管电流放人倍数的频率特性波特图如题图4.3所示，试写出”的频率特性表（b题图4.3解：由0(e喲渐进波特图可知：00=100, co^=4Mrad/s 它是一个单极点系统，故相应的频率特性表达式为021001十丿——“0因为5 7蚀故co T=400Mrad/s.也可直接从其波特图根据兮的定义直接读出。
模电第四章习题答案
模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
第四章是模拟电子技术中的一个重要章节，主要讲解了放大器的基本原理和应用。
本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答，希望能对大家的学习有所帮助。
1. 题目：一个共射放大器的电流增益为50，负载电阻为2kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以，该共射放大器的电压增益为100。
2. 题目：一个共集放大器的电压增益为30，输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ，求其电流增益。
解答：共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以，该共集放大器的电流增益为3。
3. 题目：一个共基放大器的电流增益为50，输入电阻为1kΩ，输出电阻为10kΩ，求其电压增益。
解答：共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以，该共基放大器的电压增益为500。
4. 题目：一个共射放大器的输入电阻为1kΩ，输出电阻为2kΩ，求其电压增益和电流增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据，得到：电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以，该共射放大器的电压增益为2，电流增益为1。
第四章答案模拟集成电路基础
第四章答案模拟集成电路基础1．什么是功率放大器？与一般电压放大器相比，对功率放大器有何特殊要求？主要用于向负载提供功率的放大电路常称为功率放大电路，简称功放。
功率放大电路的主要任务是获得一定的不失真或较小失真的输出功率，因此输出的电压、电流均较大，其值一般接近于功率三极管（以后简称功率管）的使用极限值。
功率放大电路中讨论的主要性能指标是输出信号的功率、功率放大电路的效率、三极管的功率损耗以及非线性失真等。
2．功率放大电路有哪些特点？（1）．输出功率为交流功率（2）．要求输出功率尽可能大（3）．效率要高（4）．减小非线性失真（5）．功率管要注意散热与保护（6）. 由于信号幅值大，对于功率放大器的分析，采用图解分析法。
3．什么是甲类放大？分析甲类放大效率低的原因及解决办法。
三极管在信号的整个周期内都处于导通状态，即导通角θ=360˚，这种工作方式通常称为甲类放大。
在甲类放大电路中，电源始终不断地输送功率，在没有信号输入时，也有静态偏置电流通过，这些功率全部消耗在三极管和电阻上，使三极管发热，并转化为热量的形式耗散出去，因此静态功耗大、效率低。
要提高效率，就必须降低静态工作点，增大功率三角形的面积，但会带来信号失真，可以通过两个三级管共同工作的乙类放大提高功放效率。
4．功率放大器电路中的三极管有哪几种工作状态，它们的导通角分别是多少？画出各种状态下的静态工作点以及与之相应的工作波形。
（1）甲类放大，导通角θ=360˚；（2）甲乙类放大导通角180˚<θ<360˚（3）乙类放大导通角θ=180˚。
（a）甲类放大在一周期内i c>0 （b）甲乙类放大在一周期内有（c）乙类放大在一周期内半个周期以上i c>0 只有半个周期i c>05．在题图4-1所示电路中，设BJT的β=100，V CC=12V，V CES=0.5V，R L=8Ω，输入信号v i为正弦波。
（1）说明该电路功率放大的类型？（2）计算电路可能达到的最大不失真输出功率P OM。
模电第四章部分习题答案
模电第四章部分习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要分支，它研究模拟电路的设计、分析和应用。
在模拟电子技术的学习过程中，习题是检验学生理解和掌握程度的重要方式。
在模电第四章中，有许多习题需要我们认真思考和解答。
本文将对模电第四章部分习题进行解答，帮助读者更好地理解和应用模拟电子技术。
1. 题目：已知一个放大电路的输入电压为1V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：放大倍数是指输出电压与输入电压之间的比值。
根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为10。
2. 题目：一个放大电路的放大倍数为20，输入电压为2V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即20乘以2V，等于40V。
3. 题目：一个放大电路的输出电压为20V，放大倍数为10，求输入电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输入电压为输出电压除以放大倍数，即20V除以10，等于2V。
4. 题目：一个放大电路的放大倍数为50，输入电压为1V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即50乘以1V，等于50V。
5. 题目：一个放大电路的输入电压为0.5V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为输出电压除以输入电压，即10V除以0.5V，等于20。
通过以上的习题解答，我们可以看出放大倍数是一个重要的概念，它描述了放大电路中输入和输出之间的关系。
在实际应用中，我们可以根据放大倍数的大小来选择合适的放大电路，以满足特定的需求。
除了放大倍数，模拟电子技术还涉及到许多其他的概念和知识点，如放大电路的频率响应、输入输出阻抗等。
通过解答习题，我们可以更好地理解和应用这些概念。
总之，模拟电子技术是电子工程中的重要内容，习题的解答是我们学习和掌握模拟电子技术的重要方式。
通过对模电第四章部分习题的解答，我们可以加深对放大倍数等概念的理解，并能够更好地应用于实际工程中。
模电课后习题第四章
习题四解答4-1什么是反馈？什么是负反馈？怎样区分四种不同类的反馈？解：在电路中，反馈是指将输出量的一部分或全部通过反馈网络，用一定的方式送到输入回路，以影响输入电量的过程。
反馈的结果使得净输入电量减小则为负反馈。
在输出端，如果反馈信号是对输出电压取样，也就是说反馈信号与输出电压有关，则称为电压反馈；如果反馈信号是对输出电流取样，也就是说反馈信号与输出电流有关，则称为电流反馈。
在输入端，如果反馈到输入端的信号是以电压形式出现，与输入电压串联比较，则称为串联反馈；如果反馈到输入端的信号是以电流形式出现，与输入电流并联比较，则称为并联反馈。
因此，一共可分为四种不同类型的负反馈，即：1）电压串联负反馈，2）电压并联负反馈，3）电流并联负反馈，4）电流串联负反馈。
5）4-2负反馈对放大电路有哪些影响？在改善电路的某些性能时又付出了那些代价？解：负反馈能够提高增益的稳定性，减小非线性失真，抑制放大器内部的噪声，增大或减小输入、输出电阻等。
主要是以牺牲闭环增益为代价。
4-3试说明为了实现以下几个方面的要求，它们分别应采用何种负反馈？1）要求输入电阻大，输出电阻小；2）要求输入电阻大，输出电流稳定；3）电流源输入，要求输出电压稳定；4）电流源输入，要求输出电流稳定。
解：1）由于串联负反馈可以增大输入电阻，典雅负反馈可以减小输出电阻，所以，要使输入电阻大和输出电阻小，应采用电压串联负反馈；2）由于电流负反馈能够稳定输出电流，所以，要使输入电阻大，输出电流稳定，应采用串联电流负反馈；3）一个放大电路，要获得较大的增益，必须尽可能地从信号源获取信号，对于电流源输入，要使放大电路获取尽可能多的信号，必须是放大电路的输入电阻尽可能地减小，所以在输入端应采用并联负反馈，如果又要稳定输出电压，所以总体应采用并联电压负反馈；4）综合以上理由，在电流源输入情况下，要稳定输出电流，应采用并联电流负反馈。
4-4 对于图P4-1所示的反馈电路，试判定个电路给定反馈电路的反馈类型。
模拟电子技术教程 第4章习题答案
第4章习题1．概念题（1）在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是第1级，零漂最大的一级是最后1级。
（2）差分放大电路有 4 种输入输出连接方式，其差模电压增益与输出方式有关，与输入方式无关。
（3）集成运放是一种采用直接耦合方式的放大电路，所以低频性能好，其最大的问题是零漂大。
（4）一个带宽为0.1～10MHz的宽频带多级放大电路，应采用的耦合方式是（B、D ）。
A：阻容耦合B：直接耦合C：变压器耦合D：光电耦合（5）有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，R i=2kΩ，R o=3kΩ。
现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为（B，20dB+12dB=32dB ）。
A：40 dB B：32 dB C：16 dB D：160dB（6）放大电路中采用复合管的目的是（ C ）。
A：增加输入阻抗B：减小零点漂移C：提高电压或电流放大倍数（7）一般情况下，我们用输入短路，将测得的输出电压除以运放的增益的实验法测得输入失调电压U IO。
（8）双入双出的差分放大电路，其共模信号幅值不管多大都不会影响差模输出。
对吗？（不对）（9）共模信号和差模信号都可以是交流信号，也可以是直流信号。
对吗？（对）（10）对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射级电阻R e可一概视为短路。
对吗？（对）（11）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
对吗？（不对）（12）电压输入输出型运放是用量最大的运放，因而产量大、价格低。
对吗？（对）（13）基本镜像恒流源的原理是两个三极管工作在同一条输出特性曲线上。
（14）在运放中恒流源的作用有提供静态工作电流或提供有源负载。
（15）由于频率特性好且易于集成，光电耦合具有很广阔的前景。
2 .如图4-63所示多级放大电路中，试判断各单级放大电路的类型及各级间的耦合方式。
解：（a）两级共射，阻容耦合（b）两级共射，直接耦合（c）共射-共集，直接耦合（d）共源-共射，阻容耦合（e）共射-共源-共射，阻容-变压器耦合3 .画出题2中各图微变等效电路，并写出A u、R i及R o的表达式。
模拟电子技术第四章习题解答概论
第四章习题解答题 4-1 在图P4－1是集成运放BG303偏置电路的示意图，已知V CC =V EE =15V ，偏置电阻R =1MΩ(需外接)。
设各三极管的β均足够大，试估算基准电流I REF 以及输入级放大管的电流I C1、I C2。
图 P4-14-1解：VT4、VT3、R 组成镜像电流源，流过R 的基准电流为CC EE BE REF 15150.7μA 29.3μA 1V V U I R +-+-===C3REF 1=21βI I =+，β足够大，所以C3REF =29.3μA I I ≈VT1、VT2为差分对管，则有C1C2=14.7μAI I ≈题 4-2 在图P4-2中，三极管的β＝100,r be ＝10.3kΩ，V CC =V EE =15V ，R c =36kΩ，R e =27Ω，R =2.7kΩ，R w =100Ω，R w 的滑动端处于中点，负载电阻R L =18kΩ,估算：① 静态工作点； ② 差模电压放大倍数； ③ 差模输入电阻。
4-2解：WBQ BEQ EQ e EE 0(2)2R I R U I R V ---+=- ① EE BEQ BQ 33W e 150.72.6μA 1002.710(1100)(22710)(1)(2R )22V U I A R R β--==≈⨯++⨯+⨯⨯+++CQ BQ 100 2.6μA 260μA 0.26μA I I β≈=⨯=≈[]CQ CC CQ C 150.2636V 5.64V U V I R =-=-⨯=(对地) 63BQ BQ C 0(2.610 2.710)V 7mV U I R -=-=-⨯⨯⨯≈-② L c d 3W be 18//36//221004010010(1)_ 2.710.3(1100)22R R A R R r ββ-=-=-⨯≈-⨯++++++⨯③ W id be 2[(1)]2(2.710.31010.05)k 36k 2RR R r β=+++=⨯++⨯Ω=Ω本题的意图是掌握长尾式差分放大电路的静态和动态分析方法。
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4.1 简述耗尽型和增强型MOS 场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（V DS >0V ，V GS >V T ），画出P 沟道增强型MOS 场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。
解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。
而增强型场效应管需要外加电压V GS 产生沟道。
随着V SG 逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P 型区”，它连接源区和漏区。
如果此时在源极和漏极之间加上一个负电压DS V ，那么空穴就会沿着新的P 型区定向地从源区向漏区移动，从而形成电流，把该电流称为漏极电流，记为D i 。
当SG v 一定，而SD v 持续增大时，则相应的DG v 减小，近漏极端的沟道深度进一步减小，直至DG t v V =，沟道预夹断，进入饱和区。
电流D i 不再随SD v 的变化而变化，而是一个恒定值。
4.2 考虑一个N 沟道MOSFET ，其nk '= 50μA/V 2，V t = 1V ，以及W /L = 10。
求下列情况下的漏极电流：（1）V GS = 5V 且V DS = 1V ； （2）V GS = 2V 且V DS = 1.2V ； （3）V GS = 0.5V 且V DS = 0.2V ； （4）V GS = V DS = 5V 。
(1) 根据条件GSt v V ，()DS GS t v v V <-，该场效应管工作在变阻区。
()2D n GS t DS DS 12W i k v V v v L ⎡⎤'=--⎢⎥⎣⎦=1.75mA(2) 根据条件GS t v V ，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区。
()2D n GS t 12W i k v V L'=-=0.25mA (3) 根据条件GS t v V <，该场效应管工作在截止区，D 0i =(4) 根据条件GS t v V ，()DS GS t v v V >-，该场效应管工作在饱和区()2D n GS t 12W i k v V L'=-=4mA4.3 由实验测得两种场效应管具有如图题4.1所示的输出特性曲线，试判断它们的类型，并确定夹断电压或开启电压值。
图题4.1图（a ）P 沟道耗尽型 图 (b) P 沟道增强型4.4 一个NMOS 晶体管有V t = 1V 。
当V GS = 2V 时，求得电阻r DS 为1k Ω。
为了使r DS = 500Ω，则V GS 为多少？当晶体管的W 为原W 的二分之一时，求其相应的电阻值。
解：由题目可知，该晶体管工作在变阻区，则有()D n GS t DS W i k v V v L'≈- ()nGS t 1DS DS D v r i W k v V L=≈'- 当1DS r k =Ω时，代入上式可得2n 1W k mA V L '= 则1DS r k =Ω时，()()GS t GS GS t 210.5231k v V V v V mA v V VΩ=⇒-=⇒=- 当晶体管的W 为原W 的二分之一时，当V GS = 2V 时，2DS r k =Ω 当晶体管的W 为原W 的二分之一时，当V GS = 3V 时，1DS r k =Ω 4.5 （1）画出P 沟道结型场效应管的基本结构。
（2）漏极和源极之间加上适当的偏置，画出V GS = 0V 时的耗尽区，并简述工作原理。
解：（1）(2)4.6 用欧姆表的两测试棒分别连接JFET 的漏极和源极，测得阻值为R 1，然后将红棒（接负电压）同时与栅极相连，发现欧姆表上阻值仍近似为R 1，再将黑棒（接正电压）同时与栅极相连，得欧姆表上阻值为R 2，且R 2>> R 1，试确定该场效应管为N 沟道还是P 沟道。
解：GS 0v <时，低阻抗，GS 0v >时，高阻抗，即GS 0v <时导通，所以该管为P 沟道JFET 。
4.7 在图题4.2所示电路中，晶体管VT 1和VT 2有V t = 1V ，工艺互导参数nk '=100μA/V 2。
假定λ = 0，求下列情况下V 1、V 2和V 3的值：（1）(W /L )1 = (W /L )2 = 20； （2）(W /L )1 = 1.5(W /L )2 = 20。
图题4.2（1） 解：因为(W /L )1 = (W /L )2 = 20；电路左右完全对称，则D12I 50D I A μ==则有1215204D V V V I k V ==-⨯Ω=4GD t V V V =-<，可得该电路两管工作在饱和区。
则有：()2D n GS t 1 1.222GS W I k V V V V L'=-⇒= 3 1.22s V V V ∴==-（2） 解：因为(W /L )1 = 1.5(W /L )2 = 20，121.5D D I I ∴=，同时12100D D I I A μ+= 可求得：1260,40D D I A I A μμ==则有11520 3.8D V V I k V =-⨯Ω=，22520 4.2D V V I k V =-⨯Ω=1 3.8GD t V V V =-<，2 4.2GD t V V V =-<可得该电路两管工作在饱和区。
则有：()()2D1n GS t 11 1.2452GS W I k V V V V L '=-⇒= 3 1.245s V V V ∴==-4.8 场效应管放大器如图题4.3所示。
nk '(W /L )=0.5mA/V 2，t 2V V = （1）计算静态工作点Q ； （2）求A v 、A vs 、R i 和R o 。
2图题4.3解：（1）0G V =，18182GS S D S D V V I R I ∴=-=-=- 考虑到放大器应用中，场效应管应工作在饱和区，则有：()2D n GS t 12W I k V V L'=- 代入上式可得：2DD 17640I I -+= 解得D111.35mA I =，D2 5.65mA I =，当D111.35mA I =时场效应管截止。
因此，D D2 5.65mA I I ==，GS 1811.3 6.7V V =-=，D 182 5.65 6.7V V=-⨯=，DS6.7( 6.7)13.4V V =--= (2) D m OV 211.32.44.7I g ms V ≡==，忽略厄尔利效应 ()ov m D L i// 4.36v A g R R v ==-=- ii G i100v R R k i ===Ω ivs vi sig 3.96R A A R R ==-+o D 2R R k ≈=Ω4.9 图题4.4所示电路中FET 的t 1V V =，静态时I DQ = 0.64mA ，nk '(W /L )=0.5mA/V 2求： （1）源极电阻R 应选多大？（2）电压放大倍数A v 、输入电阻R i 、输出电阻R o ； （3）若C 3虚焊开路，则A v 、R i 、R o 为多少？图题4.4 解：（1）G 100186V 200100V =⨯=++()2D n GS t 1 2.62GS W I k V V V V L'=-⇒= 2.4V S G GS V V V =-=3.75SDQV R k I ==Ω (2) Dm OV20.8I g ms V ≡=，忽略厄尔利效应 ()ov m D L i// 4.8v A g R R v ==-=- ii G i(100200)10v R R k k M i ==+ΩΩ≈Ω o D 10R R k ≈=Ω（3）()m DL ov i m //1g R R v A v g R==-+=1.2ii G i(100200)10v R R k k M i ==+ΩΩ≈Ω o D 10R R k ≈=Ω4.10 共源放大电路如图题4.5所示，已知MOSFET 的μn C ox W /2L = 0.25mA/V 2，t 2V V =，o 80k r =Ω，各电容对信号可视为短路，试求：（1）静态I DQ 、V GSQ 和V DSQ ； （2）A v 、R i 和R o 。
2图题4.5解：（1）0G V =，30302GS S D S D V V I R I ∴=-=-=- 考虑到放大器应用中，场效应管应工作在饱和区，则有：()2D n GS t 12W I k V V L'=- 代入上式可得：2DD 291960I I -+= 解得D118.25mA I =，D210.75mA I =，当D118.25mA I =时场效应管截止。
因此，D D210.75mA I I ==，GS 302*10.758.5V V =-=，D 30210.758.5V V =-⨯=，DS 8.5(8.5)17V V =--=(2) D m OV 211.3 3.34.7I g ms V ≡==，忽略厄尔利效应 ()m D L ov i m //0.871g R R v A v g R==-=+ ii G i1v R R M i ===Ω o D 2R R k ≈=Ω4.11 对于图题4.6所示的固定偏置电路： （1）用数学方法确定I DQ 和V GSQ ； （2）求V S 、V D 、V G 的值。
Vt图题4.6解：（1）3V GS V =-假设该JFET 工作在饱和区，则有2GS D DSS t 1 1.1D V I I I mA V ⎛⎫=-⇒= ⎪⎝⎭(2) 0V S V =，16 2.213.58D D V I V =-⨯=， 3V G V =- 4.12 对于图题4.7所示的分压偏置电路，V D =9V ，求： （1）I D ； （2）V S 和V DS ； （3）V G 和V GS 。
Vt图题4.7G 11020 2.16V 110910V =⨯=+，GS G S D 2.16 1.1V V V I =-=-2GS D DSS t 1 3.318.01(D V I I I mA mA V ⎛⎫=-⇒= ⎪⎝⎭或舍去） 则GS G S D 2.16 1.1V V V I =-=-=-1.48V, 则D 1.1 3.64S V I V == DS S (20 2.2) 3.649.07D D V V V I V =-=--=4.13 如图题4.8所示，求该放大器电路的小信号电压增益、输入电阻和最大允许输入信号。