微电子工艺_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

微电子工艺_哈尔滨工业大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

1.在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能

生长杂质陡变分布的薄外延层？

参考答案:

MBE_UHV/CVD

2.IC采用铝互连系统时，下列哪种方法可以避免Al-Si的尖楔现象：

参考答案:

在淀积的铝膜中掺入约1%Si；_在淀积铝之前先淀积一薄层TiN薄膜；3.在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片

是什么晶向?

参考答案:

（111）

4.一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分

布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。

参考答案:

错误

5.如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相

外延速率就会增加。

参考答案:

错误

6.VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：

参考答案:

互扩散效应

7.CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面

迁移。（三个字）

参考答案:

再发射

8.LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点

为：

参考答案:

淀积速率受气相质量输运控制；

9.涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为。

参考答案:

预烘

10.制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。

参考答案:

错误

11.扩散系数在何时不可以看成是常数：

参考答案:

在本征硅上扩散掺入高浓度的杂质硼，同时进行氧化。_在重掺杂p型硅上扩散掺入n型杂质；

12.扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是效应引起的，它直接影响超大

规模集成电路的集成度。

参考答案:

大，横向扩散

13.LOCOS的2）、3）工艺步骤是采取下列哪种工艺方法：【图片】

参考答案:

3) RIE去除Si3N4_2）热氧化生长SiO2

14.CMOS IC的电隔离通常是采用pn结隔离。

参考答案:

错误

15.通常掩膜氧化采用的工艺方法为：

参考答案:

干氧-湿氧-干氧

16.关于氧化速率下面哪种描述是正确的：

参考答案:

生长的氧化层较薄时，氧化速率服从线性规律_温度升高氧化速率迅速增加

17.表征电迁移现象的MTF是指 %互连线失效的时间。

参考答案:

50

18.在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭

参考答案:

正确

19.磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅

锭的电阻率：

参考答案:

轴向递减

20.等离子体是物质的一种热平衡存在形态。

参考答案:

错误

21.拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的造成。

参考答案:

O##%_YZPRLFH_%##氧

22.热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿

氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）

参考答案:

水汽、湿氧、干氧

23.热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质引起的。

（两个字）

参考答案:

分凝

24.关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？

参考答案:

常作为芯片的保护膜；_台阶覆盖性较好；

25.poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？

参考答案:

LPCVD

26.关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确

参考答案:

可以多次缩颈_为了终止籽晶中的线缺陷向晶锭的延伸_为了终止与籽晶结合处的缺陷向晶锭的延伸

27.大尺寸硅片上生长的的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图

形转移的不均匀性。

参考答案:

薄膜厚度

28.在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，

否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。

参考答案:

正确

29.在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条

件下还要扩分钟。（只保留整数）

参考答案:

104

30.通常采用重掺杂硅与金属接触来实现互连系统的欧姆接触，此时硅的掺杂浓

度N> atoms/cm3。

参考答案:

10∧19

31.干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、刻蚀三种。（写文字）

参考答案:

反应离子

32.铝膜作为器件的内电极，有抗电迁移性的特点。（一个字）

参考答案:

差##%_YZPRLFH_%##低

33.多组分多源蒸发的方法有：同时蒸发，蒸发两种。

参考答案:

顺次

34.多晶硅薄膜通常采取哪种方法制备：

参考答案:

LPCVD

35.可以采取哪种方法来提高光刻分辨率？

参考答案:

减小分辨率系数;_增大光学系统数值孔径；_缩短光源波长；

36.蒸镀工艺要求蒸镀室为高真空度的原因：

参考答案:

为了避免蒸发分子（或原子）被氧化；_为了提高蒸发分子（或原子）的平均自由程；_为了降低镀膜中的杂质；

37.下列哪个工艺方法应用了等离子体技术：

参考答案:

溅射_RIE_HDPCVD

38.看图判断，下列哪种描述正确：【图片】

参考答案:

图（b）是注入的高能离子。_图（a）是注入的低能离子；