FPC良率提升持续改善报告

50.0%
40.0%
30.0%
20.0%
10.0%
0.0%
銅見え
不良割合 累計不良率
13.2% 13.2%
導体欠け メッキビッド 導体凹み
12.6%
9.4%
8.6%
25.9%
35.3%
43.9%
金面キズ 7.5% 51.4%
12月前五大不良推移图
不良割合
80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 10% 0%
不良率% 1.28%
3.06% 1.87% 0.60% 1.11% 0.51%
各不良 所占% 15.15%
36.36%
22.22% 7.07% 13.13% 6.06%
不良描述
现象：不良处表面铜被过蚀， 周边铜 面平整 大小：凹陷程度不一 位置：无面次
现象：不良处有底铜,周边铜面呈不规 则凸点状 凸点大小：1-2mil 位置：无面次
数据来源: FQC 报表
Goal (2月)
① ② ③ ④ ⑤ 统合
3.1% 2.0% 0.5% 1.0% 1.0% 10.0%
改善率 为
60%
统合步留 不良率: 7%(Q2)
8
四、良率提升改善小组改善小结（阶段性）
改善项目 1.线路不良
2.露铜不良
3.导体变色 4.CVL异物 不良 5.金面划伤 不良
100%
80%
69.14%
60% 37.33%
40%
20%
0% 9月(样品)
10月
67.06%
11月
74.47%
12月
原定(9月)计划良率2008/11达到90%； 目前实际步留(12月)为:74.47%； 09年1月将对良率提升的关键工序：黑 孔线进行改造及制订的相关对策在09年 2月份才能实施； 重新制定良率目标计划 (09年2月良率目标:90%).
14
①线路不良改善--镀铜板面不良要因验证
工序
钻孔后板面状况
验证结果
1.裁切/钻孔
全检板面,无氧化,压 点,划痕等不良现象 不良板数（0/46片）
板面品质检查:40X显微镜
15
①线路不良改善--镀铜板面不良要因验证
工序
黑孔后板面状况
验证结果
2.黑孔
类似标记处均有黑 色条痕
40X显微镜放大观察,有黑色条痕
走完黑孔线后，每张 板均出现7条黑色条痕, 且条痕间距在3132mm左右[近似滚轮 片间距32mm]. 判定异常为滚轮片所 造成. 不良板数（46/46片）
16
①线路不良改善--镀铜板面不良要因验证
工序
镀铜后板面状况
验证结果
40X
显
微
镜
3.镀铜
观 察
经镀铜后
单点放大
切片分析
颗粒大小1-3mil 称为“镀瘤”
验证计划说明:
1.验证目的：验证镀铜板面不良所产生的工序及其是否是引起线路不良的真因。 2.验证数量：46 PNL 3.验证过程：根据生产工序[裁切/钻孔 -> 黑孔 -> 镀铜 -> DES(显影/蚀刻/去膜) -> AOI检查]，对每一工序出来 后的板，全检板面品质状况，并统计不良板片数，在不良处做上标记，验证不良标记处对后工序所造成的不良状况。 4.检验工具：40X显微镜，金相显微镜（切片用）
6
三、Zastron TMD FPC 良率提升改善小组（计划、目 标）
3.2、Zastron TMD FPC 良率提升改善小组：
Champion: Mr.陈嘉彦(OP)
Key Member: 工程部：Mr.熊华庆 生产部：Mr.蔡兆龙 品保部：Mr.张治民
改善小组
小组 1
小组 2 小组 3 小组 4 小组 5
不良割合
累計不良率
50%
40%
30%
20%
10%
0%
導体変色 導体欠け 銅見え 金面キズ 導体凹み 不良割合 11.72% 9.87% 8.71% 6.94% 6.68% 累計不良率 11.72% 21.59% 30.29% 37.23% 43.91%
11月份前五大不良推移图
60.0%
不良割合 累計不良率
①銅見え、②導体欠け③メッキ突起④導 体凹み⑤金面キズ
五项生产不良缺陷内容为：
①導体欠け②メッキ突起③導体凹み④銅 見え⑤オープン
小结：AB3L0LCD(TDC007)前五项生产不良缺陷集中表现为①线路不良(导体缺口/导 体凹陷/开路/镀瘤导致)；②露铜不良；③导体变色；④CVL异物不良；⑤金面划伤不良 ;此五项根据十月份数据制定改善项目,后续月份若有新增不良将另成立项目改善小组.
现象：线路缺口处断面平齐 大小：缺口程度不一 位置：无面次
现象：线路缺口处呈圆弧状 大小：横跨1至2条线路 位置：无面次
现象：线路开口处断面平齐 大小：一根线路居多 位置：无面次
现象：线路开口处呈圆弧状 大小：横跨1至2条线路 位置：无面次
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①线路不良改善--要因分析
人
作业人员 品质意识
机
作业人员熟练 度及品质判定
2009/01/05 2008/11/06
CVL Punch/ DES
同露铜不良要因; 胶丝/干膜反沾在CVL下 造成CVL下异物不良.
同露铜不良对策.
2009/01/20 2009/01/05
镀金后工序
冲切刀模刀口划伤金面.
刀模加装泡棉,且泡棉高 度高于刀口保护金面不 被刮伤.(刀口高度5mm, 泡棉高度8mm)
80%
60%
62.67%
40%
20%
0% 9月
(样品歩留)
異物不良率 不良率趋势
作業不良率
30.86%
32.94%
25.53%
10月
11月
12月
备注: 10月 (同比9月),实施电测时取板高度规定改善金面划伤;裁切机螺丝打磨改善CVL划伤;CVL贴合时先 贴手指面改善露铜;CVL用镭射切割后手动贴合改为模具切割后治具贴合改善CVL皱折; 等改善行动,生产良率上升31.8% 11月(同比10月),由于黑孔线异常,导致铜瘤不良增加,生产良率下降了2%. 12月(同比10月), 实施了DES后到CVL贴合停留时间小于12小时等改善行动,生产良率上升 7.41%
2.78%
2.09% 2.67% 2.56%
異物不良率
22.22%
9.35% 13.95% 12.84%
作業不良率
29.69%
6.26% 7.1216% 9.21% 6.38%
不良率趋势
62.67% 30.86% 32.94% 25.53%
機能不良率 その他不良率
改善率 为
60%
世成(ZPT)型号: AB3L0LCD(TDC007) 客户(TMD)型号: NEL41-AB3L0221
5
三、Zastron TMD FPC 良率提升改善小组（计划、目 标）
3.1、2008年10-12月份AB3L0LCD(TDC007)主要五项生产不良状况:
10月份前五大不良
60%
镀铜后产生的镀瘤，呈 条状分布,与黑孔后产生 的条状痕迹吻合,判定异 常来源为黑孔线所产生. 不良板数（46/46片）
17
①线路不良改善--镀铜板面不良要因验证
工序
DES后板面状况
选3处条状镀瘤处的各1点，做上标记
标记1 标记2
DES后
4.DES -AOI
单点 放大 上述 标记
标记3
标记1
DES-AOI后
标记2
DES-AOI后
标记3
DES-AOI后
标记1 标记2 标记3 同缺陷⑥
验证结果
铜瘤标记位置处产 生的线路不良现象 同前面定义的缺陷 ②/ ④ /⑥.故判定板 面镀瘤为引起线路
不良写真
要因工程
具体要因
改善对策
实施日期
Black Hole
黑孔传动不稳定形成条 状残碳,镀铜后形成铜 瘤,DES后造成线路不良.
黑孔线改造[传动滚轮由 1带4或6改成1带2]
2009/01/20
CVL Punch
CVL冲切胶丝反沾板面, 镀金不上造成露铜.
CVL PI面冲切方向朝下, 模具重新开立.
4
二、Zastron TMD FPC 品质良率目标
Zastron TMD FPC 品质良率目标(For Model：AB3L0LCD):
Baseline (2008年10-12月数据)
分类
10月 投入15336
统合步留率 69.14％
AOI步留率 92.89％
电测步留率 99.19％
FQC步留率 75.04％
⑤金面划伤不良改善
For Model： 世成(ZPT)型号: AB3L0LCD(TDC007) 客户(TMD)型号: NEL41-AB3L0221
2
一、Zastron TMD FPC生产良率状 况
1.1、2008年9月样品阶段到10-12月量产AB3L0LCD(TDC007)生产良率状况如下:
统合步留率实绩
一、Zastron TMD FPC 生产良率状况
二、Zastron TMD FPC 品质良率目标
三、Zastron TMD FPC 良率提升改善小组（计划、目标）
四、良率提升改善小组改善小结（阶段性）
五、各良率提升改善小组改善结果报告：
①线路不良改善
②露铜不良改善
③导体变色不良改善
④CVL异物不良改善
改善内容
①线路不良 改善
②露铜不良 改善
③导体变色 ④CVL异物
不良改善
不良改善
⑤金面划伤 不良改善
7
三、Zastron TMD FPC 良率提升改善小组（计划、目 标）
3.3、Zastron TMD FPC 良率提升各小组改善目标：
Baseline (2008年10-12月数据)
对TMD AB3LOLCD FPC良 率改善中五大不良缺陷 内容的良率改善目标。
标注部分为可能影响到线路良率的相关工序
镀金
镀金前处理
11
①线路不良改善—不良现象分类
不良 缺陷
不良分类
① 一般凹陷
导体 凹陷
② 不规则凹陷
③ 一般缺口 缺口
④ 圆弧形缺口
⑤ 一般开路 开路
⑥ 圆弧形开路
不良图片
不良数/检 验pcs数 15/1176
36/1176
22/1176 7/1176 13/1176 6/1176
①：线路不良率
7.09%
②：露铜不良率
2.83%
③：导体变色不良率 4.05%
④：CVL异物不良率 1.52%
⑤：金面划伤不良率 3.72%
统合步留不良率 30.86%
9.87% 7.91％ 4.36% 3.06％ 1.63% 1.60％ 1.73% 1.71％ 2.47% 1.73％ 32.94% 25.53％
2009/01/20
DES
DES/CVL前 处理/CVL压
合
干膜残留在板面,镀金不 上造成露铜.
产品CVL压合前放置时间 过久,板面氧化造成铜面 导体变色.
①.去膜药液更换频率1 次/3天更改为1次/天; ②.去膜新液补充由 60L/H变更为150L/H.
DESCVL压合各工序间 产品放置时间小于12H.
導体欠け
不良割合 16.35% 累計不良率 16.35%
メッキ突起 13.94% 30.28%
導体凹み 12.27% 42.55%
銅見え 11.98% 54.53%
累計不良率
オープン 7.36% 61.90%
五项生产不良缺陷内容为：
①導体変色、②導体欠け、③銅見え④金 面キズ⑤導体凹み
五项生产不良缺陷内容为：
压膜轮硬度 滚轮表面针孔
滚轮划伤板面
干膜性能
镀铜板 面不良
料
压膜方式
前处理后 板面状况
清洁方式
不当板面
异物残留
法
隔板清洗 不干净 干膜附着力
环
压膜车间 作业环境
曝光车间 作业环境
导体凹陷 开路缺口
从以上不良图片现象看，优先从镀铜板面不良、清洁方式不当板面异物残留做分析验证。
13
①线路不良改善--镀铜板面不良要因验证
11月 投入3072
67.06% 92.75% 99.61% 74.02%
12月 投入9416
74.47％ 92.09％ 99.73％ 81.08％
数据来源: 生产报表
Goal (2月)
分类 统合步留率 AOI步留率 电测步留率 FQC步留率
目标 90.0% 98.0% 99.7% 93.0%
统合:93%(Q2)
100% 90% 80% 70% 60% 50%
统合步留率提升
74.47%
90.00%
12月(08年)
2月(09年)
3
一、Zastron TMD FPC生产良率状 况
1.2、AB3L0LCD(TDC007) 样品阶段(9月)到量产阶段生产良率改善说明:
9月 (样品歩留)
10月
11月
12月
機能不良率
Zastron FPC(客户 TMD)良率提升持续改
善报告
[Model: AB3L0LCD(TDC007)] ZASTRON ELECTRONIC (SHENZHEN) COMPANY Ltd. Department ：PE&QC&PD/FPC Div. Date : 06-Jan-2009
Zastron FPC(TMD)良率提升持续改善内容概要
2008/12/23
9
五、各良率提升改善小组改善结果报告： ①线路不良改善 ②露铜不良改善 ③导体变色 ④CVL异物不良改善 ⑤金面划伤不良改善
①线路不良改善--生产流程
下料/裁切
钻孔
黑孔
镀铜
干膜前处理
去膜
蚀刻
显影
LDI曝光
干膜压合
AOI检验
CVL前处理
CVL贴合
CVL压合
CVL烘烤
检验
镀金后处理