TM1926天微电子
天微电子杯柄形态
天微电子杯柄形态
经典必涨形态--欧奈尔的杯柄形态，杯柄形态是一个牛性的持续形态。
如它的名字所示，这个形态有两个部分：杯和柄。
其中杯是在一段上涨后形成，看起来像个圆形底，当杯的部分完成后，出现一段盘整行情，这就是柄。
当柄这段盘整行情被突破后，价格将延续此前的上涨趋势
杯柄形态是一种再上升趋势重显示买入信号的技术模型。
股价先由高位回落，然后再从低位反弹到高位，形成杯形，然后再由高位下跌后迅速反弹，形成杯柄。
买点是杯柄，不过杯炳也是洗人的阶段有时候杀得很凶。
如果不杀，直接拉升，差不多就是圆弧底了
杯子的底部应该有点园，看起来象U字，而非急拉的V形，这样就是一个注底的时间。
随后探底洗出一些投机者。
我们在突破把手的时候的上升趋势运行时进场做多。
但是就这种形态没有明确的出场点。
O'NEIL没有给予一个如何处理失败的例子。
他只是说没有杯柄
的杯。
天高微L2269
SPECIFICATIONL2269Current Mode PWM ControllerVERSION 1.0DescriptionL2269 is highly integrated current mode PWM control IC optimized for high performance, low standby power and cost effective offline flyblack converter applications in sub 80W range.PWM switching frequency at normal operation is externally programmable to tight range. At no load or light load condition, the IC operates in extended ‘burst mode’ to minimize switching loss.Lower standby power and higher conversion efficiency in thus achieved.VDD low startup current and low operating current contribute to a reliable power on startup design with L2269.A large value resistor could thus be used in the startup circuit to minimize the standby power.L2269 offers complete protection cov- erage with automatic self- recovery feature inc- luding Cycle-by-Cycle current limiting (OCP), over temperature protection(OTP),VDD over voltage clamp and under voltage lockout (UV LO).The Gate output is clamped to maximum18V to protect the power MOSFET.Featuresz Proprietary frequency shuffling technology for improved EMI performance.z External programmable PWM switching frequency. z Leading edge Blanking on current sense input.z Internal synchronized slope compensation . z Extended burst mode control for improved efficiency and minimum standby powerdesignz Low VDD startup current and lowoperating current.z Gate output maximum voltage clamp 18V. z Cycle-by-Cycle Current Limiting,Built-in Adaptive Current PeakRegulationz Power on Soft-start, Programmable CV and CC Regulationz VDD Under V oltage Lockout withHysteresis(UVLO),OVP,OCP,OLP,Clamp VDD,Applicationsz Digital Cameras Chargerz Power adaptorz Set_top box power suppliesz Open_frame SMPSz Battery chargerApplication CircuitPin Assignment & Marking InformationOrdering InformationPart numberPackageL2269-SI SOP-8 L2269-DIDIP-8Pin DescriptionPin Number Symbol Type DescriptionPGround.1 Gnd2 FB I Feedback input pin.The PWM duty cycle is determined byvoltage level into this pin and SENSE pin input.3 VIN I Connected through a large value resistor to rectified lineinput for startup IC supply GND and line voltage sensing.oscillator frequency setting pin.Internal4 RII5 RT I Temperature sensing intput pin,connected through a NTCresistor to GND.6 SENSE I Current sense intput pin. Connected to MOSFET currentresistor ode.7 VDD P Chip DC power supply pin8 GATE O Totem-pole gate diver output for the power MOSFET Recommended Out PowerInput:230V AC±15% Input:85-264V AC ProductAdapter Adapter L2269 100W 90WBlock DiagramAbsolute Maximum RatingParameter ValueUnit VDD/VIN supply voltage 30 VVDD zener clamp voltage VDD clamp +0.1 KΩVDD clamp continuous current 10 mAVFB input voltage -0.3 to 7 VVSENSE input voltage to SENSE pin -0.3 to 7 VVRT input voltage to RT pin -0.3 to 7 VVRI input voltage to RI pin -0.3 to 7 VOperating ambient temperature -20 to 85 ℃Min/Max operating junction temperature -55 to 150 ℃Recommended Operating ConditionsSymbol Parameter Min.Max.Unit VDD Supply Voltage Vcc11 29 VRI RIResistorValue24 31 Kohm T A Operating Ambient Temperature-20 85 ℃ESD InformationSymbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. UnitHBM Human BodyModelon All Pins ExceptVIN and VDDMIL-STD 3 KVMM Machine model onAll pinsJEDEC-STD 250 VElectrical Characteristics(T A = 25 ℃, if not otherwise noted)Value Unit Symbol Parameter ConditionsMin. Typ. Max Supply Voltage (VDD Pin)Idd_startup VDD start up current VDD=12.5VRI=24K6 10 uAIdd VDDcurrent VDD=18VRI=24KΩ, FB=3.6V2.3 mAUVLO (enter) VDD under voltage lockoutenter9.510.511.5VUVLO(exit) VDD under voltage lockoutexit15.516.517.5VOVP(enter) VDD over voltageprotection enter2426.527.5VOVP(exit) VDD over voltageprotection exit222425.5VVDD_clamp VDD zener clamp voltage Idd=10mA 29 30 31 V TD_OVP VDD OVP debounce time 80 uS Voltage Feedback (FB Pin)A VCS PWM input gain ΔVFB/ΔVSENSE2.8 V/V VFB_open VFB open loop voltage 5.8 V VFB_burst Burst mode voltage 1.7 VIFB_short FB pin short current Short FB pin to GND andmeasure current1.2mAVTH_PL Power limiting FBthreshold voltageIout=－10mA 4.5VTD_PLPower limiting debouncetime64mSCurrent Sense(CS Pin) T_blankingLeading edge blanking time250nSZSENSE_IN Input impedance 30 K ΩVTH_OC_0Current limiting threshold voltage at no compensation I(VIN)= 0 uA 0.9 V VTH_OC_1Current limiting thresholdvoltage at compensationI(VIN)= 150 uA 0.81 V Oscillator(RT Pin)FoscNormal oscillationfrequencyRI=24K Ω 60 65 70 Khz Δf_temp Frequency temperature stability TA -20℃ to 100℃VDD=16V ,RI=24K Ω2 %Δf_VDD Frequency voltage stability VDD=12V to 25VRI=24K Ω2 %RI_range Operating RI range 12 24 60 K Ω VRI_open RI open load voltage2VFosc_BMBurst mode base frequency 25 KhzDC_MAX Maximum duty cycleVDD=18V , FB=3VSENSE=0V80 % Δf_OSC Frequency modulationrange /Base frequency-5 +5 %Gate Drive Output(Out Pin) VOL Output low level VDD=18V ,IO=-20mA 0.3 V VOH Output high level VDD =18V ,IO =20mA 11 VV_Clamp output clamp voltage level18 V T_r Output rising time VDD=18V ,CL=1nF 110 nS T_f Output falling time VDD=18V ,CL=1nF 40 nS Over Temperature ProtectionI_RT Output current of RT pin 70uA V_OTP OTP threshold voltage0.65VV_OTP_off OTP recovery threshold voltage0.8 V T_OTPOTP de-bounce time100uSTypical Performance CharacteristicsApplication InformationThe L2269 is a highly integrated PWM controller IC optimized for offline flyback converter applications. The extended burst mode control greatly reduces the standby power consumption and helps the design easily meet the international power conservation requirements.Startup Current and Start up ControlStartup current of L2269 is designed to be very low so that VDD could be charged up above UVLO(exit) threshold level and device starts up quickly. A large value startup resistor can therefore be used to minimize the power loss yet reliable startup in application. For a typical AC/DC adaptor with universal input range design, a 2 MΩ, 1/8 W startup resistor could be used together with a VDD capacitor to provide a fast startup and yet low power dissipation design solution. Operating CurrentThe Operating current of L2269 is low at 2.3mA. Good efficiency is achieved with L2269low operating current together with extended burst mode control schemes.Frequency shuffling for EMI improvementThe frequency Shuffling/jittering (switching frequency modulation) is implemented in L2269. The oscillation frequency is modulated with a internally generated random source so that the tone energy is evenly spread out.The spread spectrum minimizes the conduction band EMI and therefore eases the system design in meeting stringent EMI requirement.Burst Mode OperationAt zero load or light load condition, most of the power dissipation in a switching mode power supply is from switching loss on the MOSFET ransistor, the core loss of the transformer and the loss on the snubber circuit. The magnitude of power loss is in proportion to the number of swit--ching events within a fixed period of time. Reducing switching events leads to the reduction on the power loss and thus conserves the energy.L2269 self adjusts the switching mode according to the loading condition. At from no load to light/medium load condition, the FB input drops below burst mode threshold level (1.8V). Deviceenters Burst Mode control. The Gate drive output switches only when VDD voltage drops below a preset level and FB input is active to output an on state. Otherwise the gate drive remains at off state to minimize the switching loss thus reduce the standby power consumption to the greatest extend. The nature of high frequency switching also reduces the audio noise at any loading conditions.Oscillator OperationA resistor connected between RI and GND sets the constant current source to charge/discharge the internal cap and thus the PWM oscillator frequency is determined. The relationship between RI and switching frequency follows the below equation within the specified RI in Kohm range at nominal loading operational condition.Fosc = 1560/RI(KΩ) (Khz)Current Sensing and Leading EdgeBlankingCycle-by-Cycle current limiting is offered in L2269 current mode PWM control. The switch current is detected by a sense resistor into the sense pin. An internal leading edge blanking circuit chops off the sense voltage spike at initial MOSFET on state due to snubber diode reverse recovery so that the external RC filtering on sense input is no longer required. The current limit comparator is disabled and thus cannot turn off the external MOSFET during the blanking period. PWM duty cycle is determined by the current sense input voltage and the FB input voltage.Internal Synchronized Slope CompensationBuilt-in slope compensation circuit adds voltage ramp onto the current sense input voltage for PWM generation. This greatly improves the close loop stability at CCM and prevents thesub-harmonic oscillation and thus reduces the output ripple voltage.Over Temperature ProtectionA NTC resistor in series with a regular resistor should connect between RT and GND for emperature sensing and protection. NTC resistor value becomes lower when the ambient temperature rises. With the fixed internal current IRT flowing through the resistors, the voltage at RT pin becomes lower at high temperature. The internal OTP circuit is triggered and shutdown theMOSFET when the sensed input voltage is lower than VTH_OTP.Gate DriveL2269 Gate is connected to the Gate of an external MOSFET for power switch control. Too weak the gate drive strength results in higher conduction and switch loss of MOSFET while too strong gate drive output compromises the EMI.Good tradeoff is achieved through the built-in totem pole gate drive design with right output strength and dead time control. The low idle loss and good EMI system design is easier to achieve with this dedicated control scheme. An internal 18V clamp is added for MOSFET gate protection at higher than expected VDD input.Protection ControlsGood system reliability is achieved with L2269’s rich protection features including Cycle-by- Cycle current limiting (OCP), Over Load Protection (OLP), over temperature protection (OTP), on chip VDD over voltage protection (OVP, optional) and under voltage lockout (UVLO).The OCP threshold value is self adjusted lower at higher current into VIN pin. This OCP threshold slope adjustment helps to compensate the increased output power limit at higher AC voltage caused by inherent Over-Current sensing and control delay. A constant output power limit is achieved with recommended OCP compensation scheme on L2269.At output overload condition, FB voltage is biased higher. When FB input exceeds power limit threshold value for more than 80mS, control circuit reacts to turnoff the power MOSFET.Similarly, control circuit shutdowns the power MOSFET when an Over Temperature condition is detected.L2269 resumes the operation when temperature drops below the hysteresis value.VDD is supplied with transformer auxiliary winding output. It is clamped when VDD is higher than 35V. MOSFET is shut down when VDD drops below UVLO(enter) limit and device enters power on startup sequence thereafterPackage Information：SOP-8DIP-8。
西安微天电子科技有限公司——产品手册
Ø 波导同轴转换器.......................................................................................................................19 Ø 端接波导同轴转换...................................................................................................................20 Ø 波导微带转换器(正交形式) ...................................................................................................21 Ø 波导微带转换器（端接形式） ...............................................................................................21 Ø 圆波导同轴转换器...................................................................................................................22 Ø 矩圆转换过渡...........................................................................................................................22 Ø 线～圆极化转换器...................................................................................................................23 1.2.4 阻抗匹配元件 ............................................................................................................................24 1.2.1.1 螺钉调配器......................................................................................................................24 1.2.4.2 多阶梯阻抗变换器..........................................................................................................24 1.2.4.3 渐变型阻抗变换器..........................................................................................................25 1.2.5 旋转关节 ....................................................................................................................................25 Ø 波导旋转关节(单路)...............................................................................................................25 Ø 波导旋转关节（双路） ...........................................................................................................26 Ø 波导旋转关节（多路） ...........................................................................................................26 Ø 圆波导旋转关节.......................................................................................................................27 Ø 单路同轴旋转关节...................................................................................................................28 Ø 双路同轴旋转关节...................................................................................................................29 1.2.2 波导开关 .....................................................................................................................................29 Ø 波导电动开关...........................................................................................................................29 Ø 波导手动开关...........................................................................................................................31 Ø 电动同轴开关...........................................................................................................................32 1.2.3 电缆组件 .....................................................................................................................................32 2 功率分配元器件 .......................................................................................................................................32 2.1 耦合器.................................................................................................................................................32 2.1.1 定向耦合器 .................................................................................................................................32 Ø 波导双定向耦合器...................................................................................................................33 Ø 同轴定向耦合器.......................................................................................................................33 2.1.2 波导十字耦合器 ........................................................................................................................34 2.2.3 波导环耦合器（双脊波导环耦合器）.....................................................................................35 2.1.4 波导电桥 ....................................................................................................................................35
TM512-AX_V1.0
特性描述TM512-AX是DMX512差分并联协议LED驱动芯片，可选择1/2/3/4通道高精度恒流输出，并带解码转发功能，可通过DO口转换成单线800Kbps数据输出，输出数据编码形式有归0码和归1码两种产品可供选择，DO输出数据可直接控制我公司800Kbps速率IC，可转发192个通道数据。
TM512-AX 解码技术精准解码DMX512信号，可兼容并拓展DMX512协议信号，TM512-AX对传输频率在200Kbps～500Kbps以内的DMX512信号完全自适应解码，无需进行速率设置，寻址可达4096通道。
TM512-AX内置E2PROM，无需外接，同时支持在线写码，芯片提供4个耐压30V可达60毫安的高精度恒流输出通道，并且通过1个外接电阻来设定电流的输出大小。
TM512-AX有PWM反极性降频输出功能，此功能适合外挂三极管，MOS管进行扩流驱动。
高端口刷新率，大幅提高画面刷新率。
TM512-AX更可将多组恒流输出接口短路以扩大电流应用领域点光源，线条灯，洗墙灯，舞台灯光系统，室内外视频墙，装饰照明系统内部结构框图图2图3集成电路系静电敏感器件，在干燥季节或者干燥环境使用容易产生大量静电，静电放电可能会损坏集成电路，天微电子建议采取一切适当的集成电路预防处理措施，不正当的操作焊接，可能会造成ESD 损坏或者性能下降，芯片无法正常工作。
1、通信数据协议：TM512-AX数据接收兼容标准DMX512(1990)协议及拓展DMX512协议，数据传输速率200Kbps至500Kbps 自适应解码。
协议波形如下所示：芯片是AI、BI差分输入的，图中画出的是AI的时序波形，BI与AI相反。
OUT/OUTR/OUTGB/OUTW 4个输出管脚并接使用，这时最大输出电流可达240mA。
上述字段选择为数据转发及扩流情况下才需要，当不需要扩流且在点光源应用(无需转发数据)情况下，从单色到RGB三色应用时PORT0和PORT1都悬空即可。
LCD驱动集成电路TM1729规格书V1.0
--
最小值 -
2.5 0.6 1.3 100 100 1.3 0.6 0.6 0.6
TM1729 典型值
-
最大值 0.3 0.3 -
单位
us us us us us ns ns us us us us
8.4. 二线串行数据传输时间波形
SDA
t BUF
t LW
SCL
SDA
t HD:STA
tr
t SDH
SDA SCL
开始条件
停止条件
在利用2线I/F输入命令以及数据时必须形成开始条件和停止条件的固有形态发生。
Slave_Address S0 1111100AC
COMMAND
A C DISPLAY DATA A P
开始条件
ACK 命令或数据判定位
停止条件
本芯片在输入命令或显示数据时，必须按照以下步骤：
©Titan Micro Electronics
V1.0
2
6. 输入/输出等效电路
VDD
VDD
VLCD
GND
GND
52 SEG×4 COM LCD 驱动芯片 TM1729
VDD TEST1
GND
VDD TEST2
GND
SDA
SCL
VDD
OSCIO
GND
GND
GND
2. 功能特点
工作电压范围：2.5～5.5V 液晶驱动输出：52 SEG×4 COM 内置DDRAM显存容量：52×4=208bit 液晶驱动模式：1/3Bias、1/2Bias 液晶翻转模式：Line、Frame 串行数据输入接口：SCL、SDA 低功耗设计 内置振荡电路 搭载等待模式 内置上电复位功能 搭载闪烁模式 封装形式： TSSOP48,SSOP48,LQFP64
天微产品选型表
固定花样三色灯驱动IC 6路LED恒流驱动IC LED照明及装饰驱动IC 9路LED恒流驱动IC LED照明及装饰驱动IC LED照明及装饰驱动IC LED照明及装饰驱动IC LED照明及装饰驱动IC LED照明及装饰驱动IC LED照明及装饰驱动IC LED照明及装饰驱动IC LED照明及装饰驱动IC
产品型号 TC1011 TC1006 TC1005 TC1003 TM1108 TM1107 TM1106 TM1105 TM1102 TM1103 TM1101 TM-SX670 TC1002
产品类型 电机控制专用IC 电机控制专用IC 电机控制专用IC 电机控制专用IC 仪器仪表专用IC 仪器仪表专用IC 仪器仪表专用IC 仪器仪表专用IC 仪器仪表专用IC 仪器仪表专用IC 仪器仪表专用IC 系统控制专用IC 电机控制专用IC
电力电子专用控制IC 电源管理IC
场效应管（MOSFET）
M1N60A M1N60B M1N60C M1N65 M1N65A M1N65B M2N60 M2N60B M2N65 M3N60 M3N65 M4N60 M4N65 M5N60 M5N65 M6N65 M7N65 M8N60 M8N65 M9N60
产品型号 TM1621 721 TM1722 TM1723 TM1726 TM1727 TM1728 TM1729 TM1730 TM75823
产品类型 LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC LCD面板显示驱动IC
LED照明及装饰驱动IC
特性描述 1路恒流驱动,15~45mA电流,端口耐压24V 输入电压1.5V,升压驱动,80~200mA电流 3路恒流驱动,单线级联,灰度256级可调 3路恒流驱动,单线级联,灰度2568级可调,工作电压6～24V
TM1638规格书
Add：401-503,4/F,Bldg. No.4,Keji Central Road 2, Software Park,High-Tech Industrial Park,Shenzhen
电话：86-755-86185069
传真： 86-755-86185059
邮编：518057
网址：
℃
储存温度
Tstg
-65 ～+150
℃
正常工作范围（Ta = -20 ～ +70℃，Vss = 0 V）
参数
符号
最小
典型 最大 单位
逻辑电源电压
VDD
5
V
高电平输入电压
VIH
0.7 VDD
-
VDD
V
测试条件 -
低电平输入电压
VIL
0
-
0.3 VDD
V
-
电气特性（Ta = -20 ～ +70℃，VDD = 4.5 ～ 5.5 V， Vss = 0 V
技术支持：86-755-86185092
-1-
深圳市天微电子有限公司
SHENZHEN TITAN M ICRO ELECTRONI CS CO.,LTD.
四、管脚功能说明：
符号
管脚名称
说明
DIN
数据输入
在时钟上升沿输入串行数据，从低位开始
DOUT STB
数据输出
在时钟下降沿输出串行数据，从低位开始。输出 为N-ch open drain
二、 特性说明
• 采用功率CMOS 工艺 • 显示模式 10 段×8 位 • 键扫描（8×3bit） • 辉度调节电路（占空比8 级可调） • 串行接口（CLK，STB，DIO） • 振荡方式：RC 振荡（450KHz+5%） • 内置上电复位电路 • 采用SOP28封装
高可靠性微电子装备国产焊膏研制工程
2021年3月电子工艺技术Electronics Process Technology第42卷第2期113作者简介：樊融融，男，研究员，中兴通讯股份有限公司终身荣誉专家。
摘 要：针对当前国内高可靠性微电子装备用焊膏完全受制于国外，国内尚无一品牌产品可以替代的问题，分析了这一隐患的严重性，对高可靠性微电子装备国产焊膏研制工程的立项背景、实施路线和研制工程试验大纲等进行了详实介绍。
研制工程团队历时两年多先后完成了摸底试验和定型认证试验，积累了海量数据，并进行了归纳处理。
对近千幅分析图像判读和比较，不断浓缩迭代，最终获得受试的１１种焊膏（有铅焊膏国内３种，国外２种；无铅焊膏国内和国外各３种）的全部测试数据项（有铅焊膏５７项、无铅焊膏６３项），并逐项按其性能的优劣进行排序，最后再按获得优项的次数和权重，对受测试的公司再排序，从而获得了对高可靠性微电子装备国产焊膏研制工程成果的评价结论。
关键词：焊膏；互连可靠性；应用工艺性；成果评价；微电子装备中图分类号：ＴＮ６０４ 文献标识码：Ａ 文章编号：１００１－３４７４（２０２１）０２－０１１３－０７Abstract: In view of the problem that the domestic solder paste for high reliability microelectronic equipment is completely controlled by foreign countries, and there is no domestic brand product to replace, the seriousness of this hidden danger is analyzed, and the project background, implementation route and test program of domestic solder paste for high reliability microelectronic equipment is introduced in detail. It took more than two years for the research and development and engineering team to complete the thorough test高可靠性微电子装备国产焊膏研制工程Research and Development of Domestic Solder Paste with High Reliability forMicroelectronic Equipment樊融融FAN Rongrong（中兴通讯股份有限公司，广东 深圳 ５１８０５７）( Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China )高可靠性微电子装备国产焊膏研制工程ｄｏｉ： １０．１４１７６／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１－３４７４．２０２１．０２．０１５【编者按】 当前国内高可靠性微电子装备用焊膏完全受制于国外，国内尚无一品牌产品可以替代。
2021年天微电子产品介绍
发展历程／ＴＨＥ ＤＥＶＥＬＯＰＭＥＮＴ ＣＯＵＲＳＥ
２００３年成立于深圳国家集成电路设计产业化基地，是深圳首批民营ＩＣ设计企业 ２００４年公司首颗产品ＴＭ１６２８推出，迅速占领市场
２００５年公司在ＬＥＤ段位显示驱动占７０？？市场份额
２００６年被认定为深圳市高新技术企业，通过ＩＳ０９００１：２０００质量认证 ２００７年被认定为深圳市第一批自主创新龙头企业
业自动化、ＬＥＤ高端城市亮化、智能家居、物联网以及消费电子等市场。
依托于研发及综合技术能力，天微坚持以客户为中心的战略，理解客户需求。为客户提供全面、 高效的集成方案和服务，公司秉承“严谨创芯、无微不至”的宗旨，打造民族集成电路的产业链，以
自主研发的新技术和高品质产品回馈社会，推动我国民族集成电路产业的发展，把天微建设成为世界
ＴＩＴＡＮ ＭＩＣＲＯ°
ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ
２０２１
天微电子产品介绍
公司简介／ＣｏＭＰＡＮＹ ＩＮＴＲＯＤＵＣＥ
深圳市天微电子股份有限公司成立于２００３年，总部位于深圳市南山区高新技术产业园北区紫光信
息港，天微是以集成电路（ＩＣ）设计、集成电路封装、产业化营销为特色的综合性企业。天微围绕客
户的需求持续创新，有超过３，０００家客户在使用天微的集成电路产品，包括ＬＥＤ／ＬＣＤ显示驱动、电源管
ＴＭ１６２９Ａ
３线ＳＰＩ
１２８
１６＊８
Ｎ管下拉／共阴
８＊２
ＳＯＰ３２
ＴＭ１６２９Ｂ
３线ＳＰＩ
１１２
１４＊８
Ｎ管下拉／共阴
８＊１
ＳＯＰ３２
ＬＥＤ面板显示驱动芯片
产品型号
ＴＭ１６２９Ｃ ＴＭ１６２９Ｄ ＴＭ１６２９ ＴＭ１６３０
TM1622_V1.2 天微小康
特性描述TM1622是256点内存映象和多功能的LCD驱动专用芯片,TM1622的软件配置特性使它适用于多种LCD 应用场合,包括:LCD模块和显示子系统。
用于连接主控制器和TM1622的管脚只有4或5条，TM1622还有一个节电命令用于降低系统功耗。
本产品性能优良、质量可靠。
功能特点工作电压2.4~ 5.2V内置32 KHz RC振荡器可外接32KHz频率源作为时钟输入内置时基频率源内置蜂鸣器输出驱动，有两种输出频率可选(2 KHz或者4 KHz)内置节电模式，可用于减少功耗内置时基发生器和看门狗（WDT）输出内置32ⅹ8位显示寄存器,32个SEG，8个COM输出驱动四线串行接口提供VLCD管脚用于调整LCD操作电压三种数据访问模式八个时基/看门狗定时器时钟源数据模式和命令模式指令四种封装形式可选：QFP44，LQFP44，QFP52，LQFP64内部结构框图OSCI CS RD WR DATAVDD GNDBZ BZ COM0 COM7 ........... SEG0 VLCD IRQ管脚排列111098765DATA 4321T222212019181716151413T 3122324252627282930313233SEG23435363738394041424344TM1622T1IRQ VSS WR RD CS C O M 0SEG10SEG11SEG12S E G 23VLCD VDD OSCI SEG3SEG4SEG5SEG6SEG7SEG8SEG9S E G 0S E G 1S E G 22S E G 21S E G 20S E G 19S E G 18S E G 17S E G 16S E G 15S E G 14S E G 13141312111098765432115T316VLCD 30292827262524232221201918C O M 017313235363738394041424344454647483433NC5152535455565758596061626364S E G 315049N CT2T1BZ NC BZ IRQ VDD OSCI VSS DATA WR RD NC CS NC NC SEG7C O M 1C O M 2C O M 3C O M 4C O M 5C O M 6C O M 7TOP VIEWQFP44/LQFP44TM1622TOP VIEWLQFP64C O M 1N CC O M 2C O M 3C O M 4C O M 5C O M 6C O M 7S E G 0S E G 1S E G 2S E G 3S E G 4S E G 5S E G 6SEG8SEG9SEG10SEG11SEG12SEG13SEG14SEG15SEG16SEG17SEG18SEG19N CN CN CS E G 30S E G 29S E G 28S E G 27S E G 26S E G 25S E G 24S E G 23S E G 22S E G 21S E G 2013121110987654321VLCD 262524232221201918171615C O M 1142728293031323334353637383940414243444546474849505152S E G 31S E G 19COM0T3T1IRQ VDD OSCI VSS DATA WR RD CS SEG6TM1622TOP VIEWQFP52C O M 2C O M 3C O M 4C O M 5C O M 6C O M 7S E G 0S E G 1S E G 2S E G 3S E G 4S E G 5SEG8SEG9SEG10SEG11SEG12SEG13SEG14SEG15SEG16SEG17SEG18S E G 30S E G 29S E G 28S E G 27S E G 26S E G 25S E G 24S E G 23S E G 22S E G 21S E G 20T2SEG7管脚功能 信号上升沿时，DATA线上的数据被写进TM1622串行数据输入/输出接系统地外接一32KHz频率源，若用内部RC振荡器，该脚应该浮空芯片电源输入 LCD偏压输入时基或看门狗定时器溢出标志位，NMOS开漏输出蜂鸣器输出驱动偏压输入，正常使用中不建议使用LCD COM端驱动输出口 LCD SEG端驱动输出口不连接封装为例。
tm1651_V1.0 天微小康
无关项， 填0
灰度设置
显示开关设置
八、串行数据传输格式
微处理器的数据通过两线总线接口和 TM1651 通信，在输入数据时当 CLK 是高电平 时，DIO 上的信号必须保持不变；只有 CLK 上的时钟信号为低电平时，DIO 上的信号才 能改变。数据输入的开始条件是 CLK 为高电平时，DIO 由高变低；结束条件是 CLK 为高 时，DIO 由低电平变为高电平。 TM1651 的数据传输带有应答信号 ACK， 当传输数据正确时， 会在第八个时钟的下降 沿，芯片内部会产生一个应答信号 ACK 将 DIO 管脚拉低，在第九个时钟的上升沿释放 DIO 口线。
初始化
发送写显存的数据命令
设置显存地址
传送1Byte数据 NO
送完数据？
发送显示控制命令
发送读按键命令
读按键数据并存储到MCU寄存器
有键按下？
YES
按键处理程序 NO
结束
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V1.0
LED 驱动控制专用电路
十 、参考程序
TM1651
/* *版权信息： 深圳天微电子 *文件名： TM1651 *当前版本： 1.0 *单片机型号： AT89S52 *开发环境： Keil uVision3 *晶震频率： 11.0592M *程序功能： 把 TM1651 所有显示寄存器地址全部写满数据 0xff，并开显示，然后再读按键值。 */ #include<reg52.h> #include<intrins.h> //定义端口 sbit clk = P1^2; sbit dio = P1^1; ///======================================= void Delay_us(unsigned int i) //nus 延时 { for(;i>0;i--) _nop_(); } ///====================================== void I2CStart(void) // 1651 开始 { clk = 1; dio = 1; Delay_us(2); dio = 0; } //============================================= void I2Cask(void) //1651 应答 { clk = 0; Delay_us(5); while(dio); clk = 1; Delay_us(2); clk=0; //在第八个时钟下降沿之后延时 5us，开始判断 ACK 信号
超导材料的发展历史
超导材料的发展历史1992年一个以巨型超导磁体为主的超导超级对撞机特大型设备，于美国得克萨斯州建成并投入使用，耗资超过82亿美元。
下面是有关于超导材料的发展历史及相关内容，欢迎阅读。
超导材料的发展历史1911年，荷兰物理学家昂尼斯(1853～1926)发现，水银的电阻率并不像预料的那样随温度降低逐渐减小，而是当温度降到附近时，水银的电阻突然降到零。
某些金属、合金和化合物，在温度降到绝对零度附近某一特定温度时，它们的电阻率突然减小到无法测量的现象叫做超导现象，能够发生超导现象的物质叫做超导体。
超导体由正常态转变为超导态的温度称为这种物质的转变温度(或临界温度)TC。
现已发现大多数金属元素以及数以千计的合金、化合物都在不同条件下显示出超导性。
如钨的转变温度为，锌为，铝为，铅为。
超导体得天独厚的特性，使它可能在各种领域得到广泛的应用。
但由于早期的超导体存在于液氦极低温度条件下，极大地限制了超导材料的应用。
人们一直在探索高温超导体，从1911年到1986年，75年间从水银的提高到铌三锗的，才提高了19K。
1986年，高温超导体的研究取得了重大的突破。
掀起了以研究金属氧化物陶瓷材料为对象，以寻找高临界温度超导体为目标的“超导热”。
全世界有260多个实验小组参加了这场竞赛。
1986年1月，美国国际商用机器公司设在瑞士苏黎世实验室科学家柏诺兹和缪勒首先发现钡镧铜氧化物是高温超导体，将超导温度提高到30K;紧接着，日本东京大学工学部又将超导温度提高到37K;美国休斯敦大学宣布，美籍华裔科学家朱经武又将超导温度提高到。
1987年1月初，日本川崎国立分子研究所将超导温度提高到43K;不久日本综合电子研究所又将超导温度提高到46K 和53K。
中国科学院物理研究所由赵忠贤、陈立泉领导的研究组，获得了的锶镧铜氧系超导体，并看到这类物质有在70K 发生转变的迹象。
2月15日美国报道朱经武、吴茂昆获得了98K超导体。
2月20日，中国也宣布发现100K以上超导体。
TM1722_V1.1 天微电子
LCD驱动控制专用电路 TM1722一、 概述TM1722是一种LCD驱动控制专用电路，内部集成有MCU 数字接口、数据锁存器、LCD驱动、幻彩背光驱动等电路。
本产品性能优良，质量可靠，无须更改解码板底层指令，与天微现有LED驱动IC的指令集完全兼容。
同时支持PWM背光驱动；主要应用于VCR、VCD、DVD 及家庭影院等产品的显示屏驱动。
二、 特性说明Ø采用低功耗CMOS工艺Ø最大15X4点LCD驱动Ø3路LED驱动，具有64级PWM，可用于LCD幻彩背光驱动；Ø1/2或1/3LCD驱动偏压可选ØLCD工作电压可调Ø串行接口（CLK，STB，DIO）Ø振荡方式：内置RC振荡，典型振荡频率为128KHZØ封装形式：SOP24三、 管脚定义- 1 - ©Titan Micro Electronics LCD驱动控制专用电路 TM1722四、管脚功能定义：- 2 - ©Titan Micro Electronics LCD驱动控制专用电路 TM1722五、 显示寄存器该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到TM1722的数据，地址从00H-0FH共16字节单元，实际的地址有02H、03H、06H、07H、0AH、0BH、0EH、0FH共8字节单元,分别与芯片SGE和COM 管脚所接的LCD灯对应，没有的SEG引脚相对应的地址单元写0。
分配如下图：写LCD显示数据的时候，按照从显示地址从低位到高位，从数据字节的低位到高位操作。
上电后所有寄存器初始状态为0- 3 - ©Titan Micro Electronics LCD驱动控制专用电路 TM1722七、 指令说明指令用来设置显示模式和LCD 驱动器的状态。
在STB下降沿后由DIO输入的第一个字节作为一条指令。
经过译码，取最高B7、B6两位比特位以区别不同的指令。
TM1652_V1.0天微电子
SG驱动强度 8/8,SG1~SG8端口 为高电平时加压3V
测试
SG 驱动强度 8/8,SG1~SG8 端口 为高电平时加压 2V
测试
GR1~GR6 端口为低 电平时加压 0.3V
测试
VDD=5V，其它脚悬 空
最小值
20
20 80 —
TM1652 典型值
25
30 140 —
最大值
30
40 — ±1
单位
特性描述
LED 驱动控制专用电路 TM1652
TM1652 是一款LED（发光二极管、数码管、点阵屏）驱动控制专用芯片，内部集成了数字通讯电路、 解码电路、数据锁存器、震荡器、LED驱动电路。通讯方式采用异步串口通信（UART）协议，因芯片只 接收单片机发来的数据，仅需要单片机的一个TX端口发送数据给芯片即可，实现单线通讯；在显示驱动 方面，芯片采用动态扫描方式，两种显示模式可选，8级段驱动电流可调，16级位占空比可调；TM1652 内置消隐处理优化电路。
输入输出等效电路
GRx
SDA
SGx
图3
©Titan Micro Electronics
V1.0
2
LED 驱动控制专用电路 TM1652
集成电路系静电敏感器件，在干燥季节或者干燥环境使用容易产生大量静电，静电放电可能会损坏集成电路， 天微电子建议采取一切适当的集成电路预防处理措施，不正当的操作 焊接，可能会造成 ESD 损坏或者性能下降，芯片无法正常工作。
V
VDD=5V
—
0.35
—
V
无负载，显示关
—
—
5
mA
开关特性
在-20℃~+85℃下测试,除非另有说明 VDD=5V, GND=0V
TM1729_V1.1
SDA SCL
开始条件
停止条件
在利用2线I/F输入命令以及数据时必须形成开始条件和停止条件的固有形态发生。
Slave_Address S 0 1 1 1 1 10 0 A C
COMMAND
A C DISPLAY DATA A P
开始条件
ACK 命令 或数据判 定位
停止条件
本芯片在输入命令或显示数据时，必须按照以下步骤：
输出“L”信号。然后第9个信号下降时输出停止。
但是，输出时为了NMOS开路的形式，H电平不输出。
在不需要ACK信号时，从SCL信号的第8个信号下降到第9个信号的下降为止请输入“L”。
开始条件
停止条件
SDA
SCL
1-7 8 9
1-7 8 9
1-7 8 9
ACK
ACK
ACK
9.3. Command的传送方法 开始条件生成后，输入Slave Address(0111 1100)。输入Slave Address后，必须输入1byte的命令。
--
开始条件建立时间 tSU:STA
--
停止条件建立时间 tSU:STO
--
最小值 -
2.5 0.6 1.3 100 100 1.3 0.6 0.6 0.6
TM1729 典型值
-
最大值 0.3 0.3 -
单位
us us us us us ns ns us us us us
8.4. 二线串行数据传输时间波形
命令的MSB位是判断下一组数据是命令还是显示数据（即MSB位是Command或Display Data的判定位）。 Command或Display Data的判定位只有为“1”,才有可能输入后续的命令； Command或Display Data的判定位只有为“0”,才有可能输入后续的显示数据。
TM1621D天微电子
©Titan Micro Electronics
V1.0
6
14x4 LCD 驱动器
引脚驱动波形
给出使用 1/4 复用，1/3 偏压驱动下显示“2”的波形：
14x4 LCD 驱动器
TM1621D
特性描述
TM1621D是56点、内存映象和多功能的LCD驱动器,TM1621D的软件配置特性使它适用于 多种LCD应用场合,包括LCD模块和显示子系统。主控制器和TM1621D的通讯时序简单， TM1621D还有一个节电命令用于降低系统功耗。
功能特点
工作电压2.4~ 5.2V 内嵌256KHz RC 振荡器 可选1/2或1/3偏压和1/2、1/3或1/4的占空比 片内时基频率源 节电命令可用于减少功耗 一个14x4的LCD 驱动器 一个内嵌的14x4位显示RAM 内存 三线串行接口 片内LCD驱动频率源 软件配置特征 数据模式和命令模式指令 两种数据访问模式 提供VLCD管脚用于调整LCD操作电压 封装形式：SOP24
BIAS 1/3
TOPT TNORMAL 注: X：0或1;
101
D
写数据到RAM
a5a4a3a2a1a0d0d1d2d3
1000000ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ000X
C
关闭系统振荡器和LCD 偏压
发生器
10000000001X
C
打开系统振荡器
10000000010X
C
关闭LCD 偏压发生器
10000000011X
C
打开LCD 偏压发生器
TM1681天微电子
图2
管脚功能
管脚名称
管脚序号 I/O
功能说明
VDD
21
- 芯片逻辑电源正极
VSS
14
- 芯片逻辑电源负极
LED_VDD
7/38
- LED驱动电源正极，每个 LED_VDD 是双键的
LED_VSS
25/36
- LED驱动电源负极，每个 LED_VSS 是双键的
ROW0～ROW23
1～6/8～13/41～ 52
V1.0
1
管脚排列
32*8 & 24*16 LED 驱动芯片 TM1681
52 ROW12 51 ROW13 50 ROW14 49 ROW15 48 ROW16 47 ROW17 46 ROW18 45 ROW19 44 ROW20 43 ROW21 42 ROW22 41 ROW23 40 ROW24/COM15
参数名称
系统时钟
LED 驱动扫描频率
参数符号 VDD
Fsys
5.0V
Fled
5.0V
WR 时钟频率 RD 时钟频率 CS 复位脉宽
WR , RD 输入脉宽 DATA 上升/下降时间
DATA 建立时间
Fclk1 Fclk2 Tcs
Tclk Tr/Tf Tsu
5.0V 5.0V
-
5.0V -
DATA 保持时间
O LED行驱动输出
ROW24/COM15 ～ROW31/COM8
31～35/37/39/40
O LED行驱动输出端或者公共输出端，每个 COM 引脚是双键的
COM0～COM7 22～24/26～30
O LED公共输出端，每个COM引脚是双键的
天微LED驱动IC_段位驱动—TM1652_V1.2
LED段位驱动IC TM1652
TITAN MICRO ELECTRONICS
TM1652主要应用领域
TITAN MICRO ELECTRONICS
1
主要应用产品-空调面板
TITAN MICRO ELECTRONICS
2
主要应用产品-洗衣机面板
TITAN MICRO ELECTRONICS
3
主要应用产品-DVD显示面板
TITAN MICRO ELECTRONICS
4
主要应用产品-机顶盒显示
TITAN MICRO ELECTRONICS
特点1单线通信。三 Nhomakorabea二
一 只需MCU一个 I/O口，让MCU 能做更多的事 采用串口通信 协议。 控制命令简单
TITAN MICRO ELECTRONICS
特点2
段驱动电流可调。
不只通过位占空比来调 节数码管亮度，还可以 通过段的驱动电流大小 来调节数码管亮度。（ 恒压驱动）
TITAN MICRO ELECTRONICS
特点3
解决暗亮问题。
内置优化电路，可解决由于 LED数码管漏电流过大引起的 暗亮现象。
TITAN MICRO ELECTRONICS
TITAN MICRO ELECTRONICS
特点4
两种显示模式。
1、7段×6位 2、8段×5位
TITAN MICRO ELECTRONICS
TM1652
VDD SG1 SG2 SG3 SG4 SG5 SG6 SG7
管脚信息（SOP16）
1 2 3 4 5 6 7 8
Top View
16 15 14 13 12 11 10 9
1668的说明书
深圳市天微电子有限公司SHENZHEN TITAN M ICRO ELECTRONI CS CO.,LTD.LED 驱动 IC—TM1623xx 应用手册一、 概述1． 本手册针对 TM1623XX 系列 LED 驱动 IC 作详细的说明。
2． 本手册适用于 TM1616，TM1618，TM1618A，TM1668，TM1620，TM1620B，TM1623， TM1624，TM1628，TW1628，TM6924 等。
3．下面给出的实例如果无特别说明均为 TM1623。
其他同类型产品的应用请参考 TM1623。
4. TM1623 系列 IC 支持驱动点数较多，在靠近 IC 管脚“VDD”放置 100UF 和 0.1UF 的电容，否则会出现显示不正常的现象。
（见应用电路图）二、 内部功能框图：三、 管脚定义：地址：深圳市高新技术产业园中区软件园一期 4 号楼 522 室 Add：522,4/F,Bldg. No.4,Keji Central Road 2, Software Park,High-Tech Industrial Park,Shenzhen 电话：86-755-86185092 传真： 86-755-86185093 邮编：518057 网址： 技术支持：86-755-86156570-1-深圳市天微电子有限公司SHENZHEN TITAN M ICRO ELECTRONI CS CO.,LTD.地址：深圳市高新技术产业园中区软件园一期 4 号楼 522 室 Add：522,4/F,Bldg. No.4,Keji Central Road 2, Software Park,High-Tech Industrial Park,Shenzhen 电话：86-755-86185092 传真： 86-755-86185093 邮编：518057 网址： 技术支持：86-755-86156570-2-深圳市天微电子有限公司SHENZHEN TITAN M ICRO ELECTRONI CS CO.,LTD.地址：深圳市高新技术产业园中区软件园一期 4 号楼 522 室 Add：522,4/F,Bldg. No.4,Keji Central Road 2, Software Park,High-Tech Industrial Park,Shenzhen 电话：86-755-86185092 传真： 86-755-86185093 邮编：518057 网址： 技术支持：86-755-86156570-3-深圳市天微电子有限公司SHENZHEN TITAN M ICRO ELECTRONI CS CO.,LTD.四、管脚功能定义：符号 DIN DOUT 管脚名称 数据输入 数据输出 说明 在时钟上升沿输入串行数据，从低位开始 在时钟下降沿输出串行数据①，从低位开始。
比利时45nm以下微电子技术和193nm浸入光刻技术进入试验阶段
比利时45nm以下微电子技术和193nm浸入光刻技术进入
试验阶段
佚名
【期刊名称】《《传感器世界》》
【年(卷),期】2005(011)006
【摘要】比利时微电子研究中心(IMEC)在世界上纳米微电子和纳米技术研究一直处理地位领先，其研究方向主要集中在下一代芯片、系统和智能环境技术上。
在半导体技术方面，IMEC拥有先进CMOS技术、Ⅳ-Ⅴ和有机半导体平台。
【总页数】1页(P37)
【正文语种】中文
【中图分类】TN4
【相关文献】
1.193nm浸没式光刻技术发展现状及今后难点 [J], 《电子工业专用设备》编辑部
2.193nm浸入式光刻技术独树一帜 [J], 翁寿松
3.193nm光刻技术延伸方法 [J], 翁寿松
4.落水山鸡变凤凰——193nm浸没式光刻技术之回顾与展望 [J], 汪辉
5.比利时两项纳米先进技术进入试验阶段 [J],
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TM1926是十二通道LED固定恒流驱动控制专用电路，内部集成有MCU单线数字接口、数据锁存器、LED 固定恒流驱动，PWM辉度控制等电路。
芯片可通过单线数字接口（DI、DO）级联，外部控制器只需单线就可控制该芯片和与其级联的后续芯片。
TM1926输出端口的PWM辉度可单独通过外部控制器设置。
VDD 引脚内部集成5V稳压管，外围器件少。
本产品性能优良，质量可靠。
功能特点
采用功率CMOS工艺
图1
VDD
GND
DO
GND
OUTn DIN
图3
十二通道LED恒流驱动 TM1926集成电路系静电敏感器件，在干燥季节或者干燥环境使用容易产生大量静电，静电放电可能
会损坏集成电路，天微电子建议采取一切适当的集成电路预防处理措施，不正当的操作和焊
接，可能会造成ESD损坏或者性能下降，芯片无法正常工作。
极限参数（1）（2）
十二通道LED 恒流驱动 TM1926
电气特性
时序特性
DIN
DO
图4
十二通道LED恒流驱动 TM1926功能说明
本芯片采用单线通讯方式，采用归一码的方式发送信号。
芯片在上电复位以后，接受DIN端送来的数据，接收完24×4bit后，DO端口开始转发DIN端继续发来的数据，为下个级联芯片提供输入数据。
在转发数据之前，DO口一直为高电平。
如果DIN输入RESET复位信号，芯片将在复位成功后根据接收到24×4bit数据输出相对应PWM占空比，且芯片重新等待接受新的数据，在接收完开始的24×4bit数据后，通过DO口转发数据，芯片在没有接受到RESET信号前，OUTR、OUTG、OUTB管脚原输出保持不变。
芯片采用自动整形转发技术，信号不会失真衰减，使得该芯片的级联个数不受信号传送的限制，仅受限于刷屏速度的要求。
PWM
位可
十二通道LED 恒流驱动 TM1926
数据传输和转发
图5
其中D1为控制器发送的数据，D2、D3、D4为级联TM1926转发的数据。
个
十二通道LED恒流驱动 TM1926
应用信息
1、如何计算数据刷新速率
数据刷新时间是根据一个系统中级联了多少像素点来计算的，一组RGB通常为一个像素（或一段），一个TM1926芯片可以控制四组RGB。
按照正常模式计算：
一BIT传输最高速率为1200ns（频率800KHz），一个像素数据包括红（8BIT），绿（8BIT），蓝（8BIT）共24BIT位，传输时间为24×1.2uS=28.8uS，如果一个系统中共有2000个像素点，一次刷新全部显示的时间为28.8uS×2000=57.6mS（忽略RESET码时间），即一秒钟刷新率为：1÷57.6×1000≈17.36Hz。
以下是级联点数对应最高数据刷新率表格：
TM1926
2
OUT端
3V之间较好，得：
十二通道LED恒流驱动 TM1926
3、使用TM1926如何扩流
TM1926每个OUT端最大只能输出20mA恒流，如果用户需要扩大恒流值驱动，可将其中三个OUT端短接后使用，每短路一个OUT端，恒流值最大和将增加20mA，三路短接后最高可恒流60mA左右，但是此方法缺点是需软件同时配合控制，分别写三组寄存器值，优点是可精确得到想要的电流值和恒流电流较大。
4
法：
5
流就为20mA。
5.3 不停改变PWM的值，就能随心所欲调节LED亮度。
设定PWM值为0，输出全高，LED灭。
设定PWM 值为FFH，输出最大低电平占空比，LED最亮。
十二通道LED恒流驱动 TM1926恒流曲线
将TM1926应用到LED面板设计上时，通道间甚至芯片间的电流差异极小。
此源于TM1926的优异特性：
另外，当负载端电压发生变化时，其输出电流的稳定性不受影响，如下图8所示。
TM1926端口驱动电流为固定恒流值。
十二通道LED恒流驱动 TM1926封装示意图(SOP16)
11
©Titan Micro Electronics
V1.1
十二通道LED 恒流驱动 TM1926
封装示意图（DIP16）
(以上电路及规格仅供参考，如本公司进行修正，恕不另行通知)。