2016年最新电路过电压过热保护解决方案

TE电路保护产品的创新历史可以追溯到1980 年，当年TE 率先在电路保护应用中将PPTC器件作为可变电阻使用。从手机电池到汽车方向盘，TE电路保护产品已在日常生活中无处不在，始终致力於为更安全的生活环境并提高电子产品的可靠性。时至今日，数以亿计的TE电路保护产品已在众多电子产品领域中被广泛运用：计算机，电池，便携式电子产品，电子消费品，汽车电子，工业以及电信业市场等。

全球范围内的TE电路保护产品的各家机构均已通过IS09000 / TSl6949 标准认证。

泰科电子的过压过热电路保护解决方案：

PESD过压保护器件

TE的高分子PESD器件系列专为HDMI 1.3、便携

式视频播放器、LCD和等离子电视、USB 2.0、数

字视频接口（DVI）及天线开关的输入/输出端口保

护而设计。可使高清电视、打印机、手提电脑、手

机和其他便携式装置中的敏感电路免受静电放电

的破坏。

PESD优于传统的保护器件，例如多层压敏电阻器

（MLV）。传统的保护器件在高速数据传输应用中会

导致信号质量下降或失真。另一方面，小型气体放

电管（GDTs）对目前体积日趋减小的紧凑型信息设备而言，显得过大或过于昂贵。

PESD保护器件可提供极低电容值；符合传输线路（TLP）测试。

特性：

•符合RoHS规范•无铅•无卤素器件（溴≦900ppm，氯≦900ppm，溴+氯≦1500ppm）•典型电容为0.25pF •泄露电流低•箝位电压低•反应速度快（<1ns）

•能够承受大量的静电放电冲击•适用于标准回流焊•厚膜技术•双向保护

优点：

•为高频率应用（HDMI 1.3）提供静电放电保护•节省电路板空间

•有助于保护敏感的电子电路不受静电放电（ESD）的破坏•帮助设备通过IEC61000-4-2 等级4 测试

ChipSESD过压保护器件

TE Circuit Protection的ChipSESD硅静电放电保护

器件系列采用了EIA-0201 和EIA-0402尺寸的矩

形SMT无源器件封装，有助於保护电子电路免受

静电放电的损坏。

0201 尺寸的SESD0201P1BN-0400-090 ChipSESD

器件为微型结构设计（0.6mm x 0.3mm x 0.3mm），

比之前的器件约小70%。这就能够灵活地安装在空

间有限的应用中。

ChipSESD器件为高电容双向器件，可适用於低速

通用接口，例如便携式电子设备中的键盘、电源按钮、扬声器和麦克风端口。双向工作设计消除了极性限制，无需顾虑极性。采用表面贴装技术（SMT）的无源器件封装让器件能够通过标准的PCB组装方法方便地安装到印刷电路板上。由於ChipSESD以焊接的方式安装到板上，因此可方便地检查其端电极填角焊缝。

特性

•输入电容为4.5pF（典型值）•漏电流低, 为1.0μA（最大值）

•反向工作电压低,为 6.0V（最大值）•能够耐受各种ESD冲击•符合RoHS 的要求

•无卤素（溴≤900ppm，氯≤900ppm，溴+氯≤1500ppm

优点

•硅静电放电保护器件采用EIA-0201和EIA-0402尺寸的矩形SMT无源器件封装

•其双向工作设计消除了极性限制•可使用标准的PCB组装及返工方法

•在空间有限的便携式电子设备和行动电话中提供ESD保护

•保护电子电路免受ESD的损坏，有助於设备通过IEC61000-4-2的4级测试

GDT气体放电管

TE电路保护GDT（气体放电管）并联在电源线、

电信线、信号线和数据传输线等敏感通讯设备的前

端，进而保护它们免受因闪电和设备开关操作引起

的瞬间浪涌电压的破坏。正常情况下，这些器件并

不会影响信号的正常工作。在过压情况下，GDT 可

转换到低阻状态，使能量离开敏感的设备。

GDT 气体放电管提供高水准的浪涌保护，具有多种

电压、低电容和形状, 包括新型的表面贴装式器

件，适用於MDF（主配线架）模组、高速数据电信

（例如ADSL、VDSL），以及电源线的浪涌保护等应用。在与PolySwitch自复式器件配合使用的综合电路保护方案中，它们能帮助设备厂家符合最严格的安全标准。

特性：

•符合RoHS规范•无卤素器件（溴≤900ppm，氯≤900ppm，溴+氯≤1500ppm）

•多种电压选择（75V-4000V）•外形多样化（3mm, 5mm, 6mm, 7mm, 8mm 直径）

•电容及插入损耗低•具有低弧光电压的过压保护器件，无放射性材料

•较高精度的放电电压, 适用于高精密设计•不同引线形状和表面贴装式选择

•可选择失效保护机构，符合UL497B和UL1449认证，依据ITU K.12 测试

MHP-TAM过热保护器件

新型MHP（金属混合PPTC）器件, 即MHP-TAM

器件, 具有9VDC 的额定电压值, 其电流额定值高

於普通用於电池保护的带状PPTC。其满足最新式

平板电脑和超薄计算设备中更大容量的锂聚合物

和方形电池安全性的要求。混合型MHP 技术将双

金属保护器与PPTC（高分子正温度系数）器件并

联。由此得到的MHP-TA（热保护）系列器件提供

自复式过热保护,并同时将PPTC器件用作加热器

并保持双金属片在故障消除前一直处於断开状态。特性：

•9VDC 额定值

•两级载流容量：- 小电流（25˚C 下的标称保持电流为6A）

- 大电流（25˚C 下的标称保持电流为15A）

•多个温度保护额定值（72˚C, 77˚C, 82˚C, 85˚C, 90˚C）

•结构紧凑（长x宽x高：5.8mm x 3.85mm x 1.15mm）有助於实现超薄电池组设计

优点：

•适用於较高电压和放电电流的大容量锂聚合物和方形电池

•在大容量锂聚合物和方形电池应用中提供自复式过热保护

大电流RTP过热器件

可过回流焊的热保护（RTP）器件是电阻低且结构

坚固的表面贴装式热保护器件。大电流RTP

（HCRTP）是专为汽车应用定制的器件，可帮助设

计人员达到AECQ 标准的要求。HCRTP器件具有

预设的断开温度，可借助无铅（Pb）的表面贴装器件

（SMD）组装及回流焊工艺来安装。器件在23˚C

的条件下具有90A的大电流能力，在ABS模块、

电热塞以及引擎散热扇等应用中，当功率开关管以

及其他组件发生故障的情况下提供热保护。

特性：

•在关键热保护阈值温度（210˚C）下断开

•激活前，可承受无铅焊接回流工艺，峰值温度最高可达到260˚C，不会断开

•串联电阻低，能够允许直流断开电压，符合RoHS的要求，无铅，无卤

•结构坚固，适用于根据严格性能鉴定规范进行测试的恶劣环境

优点：

•有助于防止故障器件在发热的情况下造成损坏，可使用标准表面贴装法，无需耗费专门的组装成本

•功耗低，压降小，支持直流电路，适用于大功率、大电流汽车应用

•可实现绿色设计，符合汽车AECQ标准，包括振动测试

综合保护器件