全极型低功耗霍尔元件YS4913使用说明书
霍尔元件技术指标参考
霍尔元件技术指标1相关参数1.1封装形式 TO-92（三脚插片），SOT-23（三脚贴片）。
还有SIP-4（四脚插片），SOT-143（四脚贴片）和SOT-89（四脚贴片） 1.2电源 有3.5~24V ，2.5~3.5V ，2.5~5V1.3灵敏度Kh 数量级在C m /1033，且数值越大灵敏度越高1.4霍尔电势温度αα越小，设备精确度越大（必要时可以增加温度补偿电路）1.5额定控制电流cI 一般在几mA~几十mA ，尺寸越大其值越大（尺寸大的可达几百mA ）1.6型号 开关型的、线性的、单极性的、双极性的。
双极开关霍尔元件：177A 、177B 、177C 单极霍尔开关元件：AH175、732、1881、S41、SH12AF 、3144、44E 、3021、137、AH137、AH284线性霍尔元件：3503、S496B 、49E 锁定霍尔元件：ATS175、AH173、SS413A 、3172、3075互补双输出开关霍尔元件：276A 、276B 、276C 、277A 、277B 、277C 信号霍尔元件：211A 、211B 、211C 微功耗霍尔元件：TEL4913、TP4913、A3212、A3211。
（具体霍尔开关元件见附录）1.7输入电阻和输出电阻 一般在几Ω到几百Ω，且输入电阻要大于输出电阻1.8外接上拉电阻 一般大于1K Ω。
对一般TTL 电路，由于其高电平电压较低，用于驱动CMOS 电路时，增加上拉电阻，可以提高其高电平的电压。
常用的阻值是4.7k 或10k 。
上拉电阻的是接在1脚电源Vcc 和3脚信号输出Vout 之间。
1.9功能分类 按照霍尔器件的功能可将它们分为: 霍尔线性器件 和 霍尔开关器件 。
前者输出模拟量，后者输出数字量。
都是输出高电平脉冲信号,不同的是开关型相当于到GS 设定值时电平反转；线性的可能是电压逐渐变化,到一定时使后处理电路输出反电平。
一般建议用线性的,开关型常因为温度等原因使得设定值漂移,导致灵敏度下降。
LN4913_C南麟中文版规格书CMOS 无极性高灵敏度微功耗霍尔开关
1.000
1.200
0.800
1.000
0.200MIN
0.200
0.300
0.500TYP
0.174
0.326
Dimensions In Inches
Min
Max
0.014
0.018
0.000
0.002
0.005REF
0.056
0.062
0.076
0.082
0.039
0.047
0.031
0.039
VDD 1 VOUT 2
3 GND
DFN2020-3L (TOP VIEW)
SOT23-3L/TSOT23-3L 2 3 1 -
引脚号 DFN1520-6L
5 3 2 1,4,6
Sensitive Area (感应区）
DFN2020-3L 2 3 1 -
TO-92S (Front View)
引脚名
VOUT GND VDD NC
CMOS 无极性高灵敏度微功耗霍尔开关
LN4913
■ 产品概述
LN4913 是一款基于混合信号 CMOS 技术的无极性霍 尔开关，这款 IC 采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提 供准确而稳定的磁开关点。
在电路设计上，LN4913 提供了一个内嵌的受控时钟机 制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个 受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周 期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期 性的“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过 霍尔器件磁场强度的大小。如果磁通密度高于“操作点”阈 值或者低于“释放点”阈值，则开漏输出晶体管被驱动并锁 存成与之相对应的状态。而在“休眠”周期中，输出晶体管 被锁定在其先前的状态下。在电池供电应用中，这种设计对 于延长工作寿命提供了最好支持。
霍尔元件简介
2工作原理霍尔元件应用霍尔效应的半导体。
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。
金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。
半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。
利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。
霍尔电位差UH的基本关系为:UH=RHIB/d （1）RH=1/nq（金属）（2）式中RH――霍尔系数；n――单位体积内载流子或自由电子的个数；q――电子电量；I――通过的电流；B――垂直于I的磁感应强度；d――导体的厚度。
对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式和式（2）不同，此处从略。
由于通电导线周围存在磁场，其大小和导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。
利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。
其优点是不和被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差和电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
利用这种方法可以构成霍尔功率传感器。
如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。
根据脉冲信号列可以传感出该运动物体的位移。
若测出单位时间内发出的脉冲数，则可以确定其运动速度。
[1]3元件特性1、霍尔系数（又称霍尔常数）RH在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即UH =RH*I*B/δ，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。
另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。
全极低功耗霍尔开关SS248使用手册
CMOS Omnipolar High Sensitivity Micropower Hall Switch
Features
Micropower consumption for battery powered applications Omnipolar, output switches with absolute value of North or South pole from magnet Operation down to 2.5V High sensitivity for direct reed switch replacement applications
VDD IDD IOUT VSAT TAW TSL
Operating Average
IOUT=1mA Operating Operating
Min
Typ
Max
Units
2.5
3
5.5
V
5
μA
1.0
mA
0.4
V
175
μS
70
mS
Magnetic Characteristics
Output Voltage(V)
PARAMETER Operating Point Release Point Hysteresis
Symbol
Min
Bop
-
Brp
+/-5
Bhys
-
SS248
CMOS Omnipolar High Sensitivity Micropower Hall Switch
Type +/-35 +/-21
DC Electrical Characteristics
三相直流无刷霍尔电机驱动器说明书
前言本款产品适合驱动持续工作电流在10A以下、额定电压范围在12V～40V之间的任何一款三相直流无刷霍尔电机。
具有免维护、长寿命、低速下总能保持最大转矩等优势。
本产品广泛应用于针织设备、医疗设备、食品机械、电动工具、园林机械、智能家居等电气自动化控制领域。
本手册阐述了该驱动器的的功能、安装、调试、维护、运行等方面的内容。
使用产品前，请认真阅读本手册并熟知本产品的安全注意事项。
在使用本款产品时，若有疑问，请仔细查阅产品说明书或致电我公司售后服务部，我们将竭诚为您服务。
安全注意事项警示标志：危险：表示该操作错误可能危及人身安全！注意：表示该操作错误可能导致设备损坏！注意事项：安装：防止灰尘、腐蚀性气体、导电物体、液体及易燃物侵入，并保持良好的散热条件。
接线：请由专业人员仔细阅读完使用说明之后进行接线作业；接线必须在电源断开的状态下进行，防止电击。
通电前：接通电源前检查并保证接线的准确无误；请确认输入电源与驱动器的额定工作电压及极性是否一致；通电中：驱动器接通电源后，请勿直接接触输出端子，有的端子上有高电压，非常危险；请确保在驱动器指示灯熄灭后再对驱动器的接线端子进行插拔；请勿对驱动器随意进行耐高压与绝缘性能试验；请勿将电磁接触器、电磁开关接到输出回路。
目录前言 (1)安全注意事项 (2)目录 (3)一．概述 (5)1．型号说明 (5)2．功能参数 (5)3．功能特点 (6)二．端口说明 (7)1．接口定义 (7)2．接线示意图 (8)3．安装尺寸 (9)三．功能与使用 (10)1．出厂说明 (10)2．操作步骤说明 (10)2.1外置电位器调速 (11)2.2外部电压调速 (11)2.3外部PWM信号调速 (11)2.4CAN总线控制 (11)3．功能端子说明 (12)3.1F/R端子：正反转功能 (12)3.2EN端子：使能功能 (12)3.3BRK端子：刹车抱死功能 (12)3.4SV端子：外部调速端子 (13)3.5PG端子：电机转速信号输出 (13)3.6ALM端子：报警输出 (13)3.7PWR/ALM：指示灯 (14)一．概述本款驱动器适用于对直流无刷有霍尔电机进行转速控制，其最大的优点是在低速时总能控制电机保持最大转矩。
OMEGA M-4913-K 产品说明书
Shop online at e-mail:**************For latest product manuals: NORWALK, CTUser’s GuideM12 CONNECTOR STYLEPRS SERIESSpring Loaded SanitaryRTD Sensors with ThermowellsGENERAL DESCRIPTIONThe OMEGA PRS series sensors are designed for use in Sanitary Clean-In-Place (CIP) systems, and are supplied with a Tri-Grip® flanged thermowell for easy installation into Food, Dairy and Biopharmaceutical systems. These sensors are supplied with a stainless steel thermowell, a spring loaded probe assembly with an M12 connector When assembled, the probe is spring loaded into the thermowell. The probe contains a 4-wirePT100 Platinum RTD (Resistance Temperature Detector) that meets the resistance vs. temperature characteristics and Class A requirements of IECtemperature table.PROCESS CONNECTIONThis sensor has a thermowell that includes aTri-Grip® flange so it can be installed into existing process connections. A commercially available gasket is placed between the thermowell flange and process connection, with a clamp used to complete the connection as shown above.The Thermowell is made from 316L Stainless Steel, with wetted surfaces that have a surface WIRING CONFIGURATION:The Omega PRS Style sensors are supplied with 4-Pin, M12 connectors for convenient connection to your process instrumentation. The wiring arrangement of the connector pins are as shown in the detail below.For 4-wire PT100 RTD connections, simply connect the sensor to the instrumentation using a 4-wire extension cable (not supplied, Note: RTD sensors have no polarity). This 4-wire device can also be used with 2-wire or 3-wire devices by connecting only to those pins that are needed (see diagram below).Resistance Vs. Temperature Table: (Resistance Values Stated in Ohms)Temperature °C0123456789-5080.3279.9279.5279.1378.7378.3377.9377.5477.1476.74-4084.2883.8883.4883.0982.6982.3081.9081.5081.1180.71-3088.2287.8387.4487.0486.6586.2585.8685.4685.0784.67-2092.1691.7791.3790.9890.5990.1989.8089.4189.0188.62-1096.0995.6995.3094.9194.5294.1393.7393.3492.9592.55100.0099.6199.2298.8398.4498.0497.6597.2696.8796.480100.00100.39100.78101.17101.56101.95102.34102.73103.12103.5110103.90104.29104.68105.07105.46105.85106.24106.63107.02107.4020107.79108.18108.57108.96109.35109.73110.12110.51110.90111.2930111.67112.06112.45112.83113.22113.61114.00114.38114.77115.1540115.54115.93116.31116.70117.08117.47117.86118.24118.63119.0150119.40119.78120.17120.55120.94121.32121.71122.09122.47122.8660123.24123.63124.01124.39124.78125.16125.54125.93126.31126.6970127.08127.46127.84128.22128.61128.99129.37129.75130.13130.5280130.90131.28131.66132.04132.42132.80133.18133.57133.95134.3390134.71135.09135.47135.85136.23136.61136.99137.37137.75138.13100138.51138.88139.26139.64140.02140.40140.78141.16141.54141.91110142.29142.67143.05143.43143.80144.18144.56144.94145.31145.69120146.07146.44146.82147.20147.57147.95148.33148.70149.08149.46130149.83150.21150.58150.96151.33151.71152.08152.46152.83153.21140153.58153.96154.33154.71155.08155.46155.83156.20156.58156.95150157.33157.70158.07158.45158.82159.19159.56159.94160.31160.68160161.05161.43161.80162.17162.54162.91163.29163.66164.03164.40170164.77165.14165.51165.89166.26166.63167.00167.37167.74168.11180168.48168.85169.22169.59169.96170.33170.70171.07171.43171.80190172.17172.54172.91173.28173.65174.02174.38174.75175.12175.49200175.86176.22176.59176.96177.33177.69178.06178.43178.79179.16210179.53179.89180.26180.63180.99181.36181.72182.09182.46182.82220183.19183.55183.92184.28184.65185.01185.38185.74186.11186.47230186.84187.20187.56187.93188.29188.66189.02189.38189.75190.11240190.47190.84191.20191.56191.92192.29192.65193.01193.37193.74250194.10194.46194.82195.18195.55195.91196.27196.63196.99197.35260197.71198.07198.43198.79199.15199.51199.87200.23200.59200.95For Determining Resistance from Temperature (0°C and above):R t = R 0(1 + A t + B t 2)where:R t = Sensor Resistance at Temperature (°C)R 0 = Sensor resistance at 0°C = (100 Ohms Nominal)A = 3.9083 x 10B = 5.775 x 10-3 °C -1-7 °C -2For Determining Temperature From Resistance (0°C and above):t = [sqrt(A 2-4B(1-R t /R 0))-A]/2B = °C where:t = Temperature at Sensor Resistance R t A, B, R 0 and R t per aboveClass A Tolerance = ± (0.15 + 0.002t) = °C With t = temperature in °C regardless to sign.M-4913-K Instruction Manual for M12 Connector Style PRS Series Spring LoadedSanitary RTD Sensors With ThermowellsDISCLAIMERIf the unit malfunctions, it must be returned to the factory for evaluation. OMEGA’s Customer Service Department will issue an Authorized Return (AR) number immediately upon phone or written request. Upon examination by OMEGA, if the unit is found to be defective, it will be repaired or replaced at no charge. OMEGA’s WARRANTY does not apply to defects resulting from any action of the purchaser, including but not limited to mishandling, improper interfacing, operation outside of design limits, improper repair, or unauthorized modification. This WARRANTY is VOID if the unit shows evidence of having been tampered with or shows evidence of having been damaged as a result of excessive corrosion; or current, heat, moisture or vibration; improper specification; misapplication; misuse or other operating conditions outside of OMEGA’s control. Components in which wear is not warranted, include but are not limited to contact points, fuses, and triacs.OMEGA is pleased to offer suggestions on the use of its various products. 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HAL13S低压微功耗霍尔元件全极霍尔开关4913
（VDD=2.7V，除非特别说明，Ta=25℃）
符号 BOPS BOPN BRPS BRPN BHYS
最小 2 -5 1 -2.6 0.8
最大 5 -2 4.2 -1.2 1.6
单位 mT mT mT mT mT
6
值 -0.3—6.0 -1—4.5 -0.3—6.0 -1—2 -45—150 -150 4000
单位 V mA V mA ℃ ℃ V
AC/DC 特性（VDD=3V，除非特别说明，Ta=25℃） 符号 VDD ISAVG ISOPAVG ISOPT ISSTB VQSAT IQLEAK tr rf top tstb top/tstb tstu 参数 供电电压 平均供电电流 操作时间内平均电流 操作时间内峰值电流 关状态时供电电流 输出饱和电压 输出漏电流 输出上升沿时间 输出下降沿时间 工作时间 关状态工作时间 占空比 芯片启动时间 RL=2.7KΩ CL=10pF RL=2.7KΩ CL=10pF 25 60 IQ=1mA 1 1.9 0.13 0.01 0.5 0.1 100 140 0.071 12 20 测试条件 — 最小 2.4 1 0.5 典型 — 3 2.0 最大 6.0 10 3.5 4.5 8 0.4 1 1 1 160 240 单位 V uA mA mA uA V uA us us us ms % us
此图仅为典型应用电路，而不代表引脚功能图！
SOT-23-3/TSOT-23-3 (TOP VIEW)
GND
2
Sensitive Area (感应区）
Marking
13 1
VS
XY
Date Code
3
Q
LN4913MR
项目 工作电压 工作电流 输出电压 输出电流 贮存温度 结点温度 ESD 参数
霍尔开关集成电路 SDC141 数据手册说明书
数据手册概述SDC141是一款锁定型的霍尔开关集成电路，由反向电路保护器、高稳定度的电压稳压器、霍尔电压发生器、差分放大器、史密特触发器和集电极开路输出级组成。
可广泛应用于三相无刷直流电机、无刷直流风扇、电表、焊接设备、家用电器装置、速度测量等场合。
特点⏹ 宽范围工作电压：4V ~24V ⏹ 内置温度补偿电路 ⏹ 内置电源反向电压保护功能 ⏹ 工作温度范围：-55℃~150℃ ⏹ 开集电极输出 ⏹ 最大20mA 输出电流⏹ 工作速度：0~100kHz 以上⏹封装形式：TO-92S 、SOT-23-3应用⏹ 三相直流无刷电机 ⏹ 高性能数字开关⏹ 流速计⏹速度检测图1. 封装形式SOT-23-3TO-92S SD CO NFID E N T I AL D OCUM EN T数据手册管脚描述GND VCCOUTPackage: SOT-23-3OUT VCCGND Package: TO-92S图2 管脚排布编号名称 功能 SOT-23-3TO-92S 1 1 VCC 电源 3 2 GND 地 23OUT输出脚表1. 管脚描述功能框图VCCGNDOUT图3. 功能框图SD CID E N T I AL D EN T数据手册订购信息SDC141Circuit TypeMagnetic Characteristics: A/a/BE1: Pb-freeG1: Halogen-freeTR: Tape ReelBlank: BulkX X-XPackageTO-92S: ZSSOT-23-3: JX封装温度范围产品编号标识编号包装形式无铅无卤无铅无卤TO-92S-55℃~150℃SDC141AZS-E1 SDC141AZS-G1 S41 S41G 袋装SDC141aZS-E1 SDC141aZS-G1 S41 S41G 袋装SDC141BZS-E1 SDC141BZS-G1 S41 S41G 袋装SOT-23-3 SDC141AJTR-E1 SDC141AJTR-G1 S41 S41G 编带SDC141aJTR-E1 SDC141aJTR-G1 S41 S41G 编带SDC141BJTR-E1 SDC141BJTR-G1 S41 S41G 编带S D CC ON FI DE NT IA LD OC UME NT数据手册极限参数(注意：应用不要超过最大值，以防止损坏。
南京拓微霍尔开关TP4913 电源管理ICTP4054datasheet-视旗电子
南京拓微集成电路有限公司NanJing Top Power ASIC Corp.DATASHEET(TP (TP40544054线性锂离子电池充电器线性锂离子电池充电器))TP4054 线性锂离子电池充电器描述TP4054是一款完整的单节锂离子电池采用恒定电流/恒定电压线性充电器。
其SOT 封装与较少的外部元件数目使得TP4054成为便携式应用的理想选择。
TP4054可以适合USB电源和适配器电源工作。
由于采用了内部PMOSFET架构，加上防倒充电路，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。
热反馈可对充电电流进行调节，以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。
充电电压固定于4.2V，而充电电流可通过一个电阻器进行外部设置。
当充电电流在达到最终浮充电压之后降至设定值1/10时，TP4054将自动终止充电循环。
当输入电压（交流适配器或USB电源）被拿掉时，TP4054自动进入一个低电流状态，将电池漏电流降至2uA以下。
也可将TP4054置于停机模式，以而将供电电流降至45uA。
TP4054的其他特点包括充电电流监控器、欠压闭锁、自动再充电和一个用于指示充电结束和输入电压接入的状态引脚。
特点·高达800mA的可编程充电电流；·无需MOSFET、检测电阻器或隔离二极管； ·用于单节锂离子电池、采用SOT23-5封装的完整线性充电器；·恒定电流/恒定电压操作，并具有可在无过热危险的情况下实现充电速率最大化的热调节功能；·直接从USB端口给单节锂离子电池充电；·精度达到±1%的4.2V预设充电电压；·用于电池电量检测的充电电流监控器输出； ·自动再充电；·充电状态输出引脚；·C/10充电终止；·待机模式下的供电电流为45uA；·2.9V涓流充电器件版本；·软启动限制了浪涌电流；·采用5引脚SOT-23封装。
常闭型全极霍尔YS2481中文产品手册
YS2481
注意事项
1.霍尔是敏感器件，在使用过程以及存储过程中请注意采取静电防护措施。
2.霍尔在安装过程中应尽量避免对霍尔本体施加机械应力，如管脚需要弯曲请在距引线根部3MM 以外操作。
3.建议焊接温度：电烙铁焊接，建议温度350℃，最长5秒。
波峰焊：建议最高温度260℃，最长3秒红外回流焊：建议最高245℃，最长10秒
4.不建议超越数据表中的参数使用，虽然极限参数下霍尔会正常工作，但是长时间处于极限条件下可能会造成霍尔或者实际产品的损坏，为了保障霍尔的正常工作和产品的安全性稳定性，请在数据表许可范围内使用。
低功耗霍尔开关资料
低功耗霍尔开关资料:Allegro推出微功率霍爾開關IC A3212美國Allegro MicroSystem 最近推出推出微功率霍爾開關IC A3212. A3212是一顆超高感度，雙磁極性，且具有栓鎖輸出的霍爾開關IC.可直接取代傳統的磁簧開關，啟動點只要40高斯，釋放點30高斯.特別適用於使用電池電源的手持型電子產品，如行動電話，無線電話，筆記型電腦,PDA等.操作電壓介於2.5V至3.5V之間，特殊的時脈運作使得平均消耗功率只需15uW.A3212具有雙磁極性，亦即只要磁北極或磁南極靠近即可啟動.磁極離開後磁場消失，輸出便關閉.與其他一般霍爾IC不同的是並不要特定南極或北極才可動作，減少組裝時分辨磁極的困擾. 並且內含切割型穩定電路，可達到動態抵補消除，減少霍爾原件中常因溫度或物理壓力而引起的抵補電壓，提高動作的穩定性.A3212的特點如下：□微操作功率□磁北極或磁南極皆可啟動□2.5V至3.5V的電池操作電壓□切割式穩定電路，具有優良的溫度穩定度，低切換點的飄移，及低物理壓力敏感度□超小型包裝，無磁極性限制,生產組裝容易.□高可靠度固態原件.in~nrvw oinr(a)图L A32XX的引脚分布777TIMINGLOGICOUTPUTVro CNDOUT(b)1 概述美国Allegro Microsystems 公司生产有各种类型的磁 敏感（霍尔）器件，其中A32xx 系列是一组微功耗霍尔开关型传感器。
该系 列有A 3209、A3210、A3212等三种器件，它们的共同特点为工作 电压和功耗极低、不依赖于磁极，即任何磁极都能使其动作（开关导通）、超敏 感、数字锁存输出等。
特别适用于电池供电的手持设备。
A32xx 系列的2.5V 〜3.5V 低工作电压和内部定时工作结构降低 了器件的平均功耗°A 3 2 0 9的功耗为4 0 0 pW 、A321 0为25 谭、A3212为15 诃。
4913全极型霍尔开关
4913 Hall-effect sensor is a temperature stable, stress-resistant , micro-power switch. Superior high-temperature performance is made possible through a dynamic offset cancellation that utilizes chopper-stabilization. This method reduces the offset voltage normally caused by device over molding, temperature dependencies, and thermal stress.includes the following on a single silicon chip: voltage regulator, Hall voltage generator, small-signal amplifier, chopper stabilization, Schmitt trigger, open-drain output. Advanced CMOS wafer fabrication processing is used to take advantage of low-voltage requirements, component matching, very low input-offset errors, and small component geometries.This device requires the presence of omni-polar magnetic fields for operation. is rated for operation between the ambient temperatures –40℃ and + 85℃ for the E temperature range. The four package styles available provide magnetically optimized solutions for most applications. Package types is an SOT-23(1.1 mm nominal height )The package type is in a lead Halogen Free version was verified by third party Lab.Features and Benefits● CMOS Hall IC Technology ● Solid-State Reliability● Micro power consumption for battery-powered applications● Omni polar, output switches with absolute value of North or South pole from magnet ● Operation down to 2.5 V and Max at 3.5V .● High Sensitivity for direct reed switch replacement applications ● Multi Small Size option● Custom sensitivity selection is available in optional package. ● Pb Free/Green chip is qualified by third party lab.Applications● Solid state switch● Handheld Wireless Handset Awake Switch ( Flip Cell/PHS Phone/Note Book/FlipVideo Set)● Lid close sensor for battery powered devices● Magnet proximity sensor for reed switch replacement in low duty cycle applications4913 4913Functional DiagramNote : Static sensitive device; please observe ESD precautions. Reverse V DD protection is not included. For reverse voltage protection, a 100Ω resistor in series with V DD is recommended.C1：10nF C2：100pF R1：100K ΩTypical Application circuitC1VccAbsolute Maximum Ratings At (Ta=25℃)CharacteristicsValues Unit Supply voltage,(V DD ) 5 V Output V oltage,(V out ) 5 V Reverse voltage, (V DD ) (V OU T ) -0.3 V Magnetic flux density UnlimitedGauss Output current(I OUT )2 mAOperating temperature range, (Ta ) -40 to +85 ℃ Storage temperature range, (Ts ) -55 to +150℃ Maximum Junction Temp,(Tj ) 150℃Thermal Resistance(θJA ) 543 ℃/W (θJC )410 ℃/W Package Power Dissipation, (P D )230 mWNote: Exceeding the absolute maximum ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.Electrical SpecificationsDC Operating Parameters T A =+25℃, V DD =3.0VParametersTest ConditionsMinTypMaxUnitsSupply Voltage,(V DD ) Operating 2.5 3.5 V Supply Current,(I DD ) Awake State 2.5 4.0 mA Sleep State 8.0 12 μA Average 10 16 μA Output Leakage Current,(I off ) Output off 1 uA Output Low Voltage,(V sat ) I OUT =1mA 0.3 V Awake mode time,(T aw ) Operating 70 uS Sleep mode time,(T SL ) Operating 70 mS Duty Cycle,(D,C )0.1% Operate Point, (B OPS ) S pole to branded side, B > BOP , V out On 6 60 Gauss (B OPN ) N pole to branded side, B > BOP , V out On -60 -6 Release Point (B RPS ) S pole to branded side, B < BRP, V out Off 5 59 Gauss (B RPN )N pole to branded side, B < BRP, V out Off -60-5 Hysteresis,(B HYS )|BOPx - BRPx|7Gauss4913SO Package Hall Plate Chip Location(Top View) (Bottom view)123NOTES:1. PINOUT (See Top View at left :) Pin 1 V DDPin 2 OutputPin 3 GND2. Controlling dimension: mm3. Lead thickness after solder platingwill be 0.254mm maximumLocation34913。
YS3141E中文技术资料
11、联系方式： 天津越尔兴电子科技有限公司 地址：天津市海河工业园区聚兴道 9 号 电话：022-58653038 网址：
邮编：300350 传真：022-88919721-806
1）安装时要尽量减小施加到电路外壳或引线上的机械应力。 2）焊接温度要低于 260℃，时间小于 3 秒。 3）电路为 OC 输出，需要在 1、3 腿（电源与输出）之间加一上拉电阻。上拉电阻的阻值与工作
电压、通过电路的电流有关。 4）因为霍尔是敏感器件，请在仓储及生产过程中注意静电防护措施。 5）我们不建议您超越数据表中的参数使用，虽然在极限参数下霍尔会正常工作，但是长时间处
越尔兴技术咨询 QQ: 2719493142 电话 022-58653038
YS3141E 单极霍尔元件
中文数据手册
1、概述：
YS3141E 霍尔开关集成电路应用霍尔效应原理，采用半导体集成技术制造的磁敏电路，它是由 电压调整器、霍尔电压发生器、差分放大器、史密特触发器，温度补偿电路和集电极开路的输出级 组成的磁敏传感电路，其输入为磁感应强度，输出是一个数字电压讯号。具有较宽的工作电压范围 和较宽的工作温度范围，非常适合在汽车、工业电器和家电等产品中用作固态电子开关。 2、产品特点：
天津越尔兴电子科技有限公司 第 4 页 业务咨询 022-58653038
量值 单位
最小 典型 最大
4.5
-
24
V
- 0.2 0.4 V
- 0.1 10 μA
-
5
- mA
- 0.பைடு நூலகம் 2.0 μS
SEC全极低功耗霍尔开关SS248使用手册
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SEC 全极低功耗霍尔开关SS248基本资料
概述：
SS248是一款采用混合信号CMOS 技术的全极霍尔效应传感IC 器件. 它集成了先进的斩波稳定技术，这使得该器件能提供准确而稳定的磁开关工作点。
该器件提供了小外形利用Transis-TOR （SOT ），或在塑料单列直插（SIP3L 平），两个3引脚封装均符合RoHS 标准。
优点和特性：
– 工作电压可低至2.5V
– CMOS 技术
– 非常适用于电池供电应用的微功耗技术
– 高灵敏度，能直接替代磁簧开关
– 对应南北极磁场强度绝对值的全极输出开关
– 优化的睡眠模式极大的延长了其使用寿命
– 均符合RoHS 标准的小尺寸SOT23 3L 或SIP 3L 封装
应用实例：
– 固态开关
– 手持式无线话筒唤醒开关
– 电池供电设备的盖关闭传感器
– 磁近感传感器可用于低占空比应用中簧片开关的替代
封装：
3引脚的SOT23封装 (器件标号后缀为SO) ； 3引脚的
SIP
封装 (器件标号后缀为UA)。
霍尔元件YS251 高灵敏低电压霍尔开关YS251
微功耗霍尔元件YS251 高灵敏低电压霍尔开关
YS1251 微功耗霍尔元件是一款基于混合信号CMOS 技术的无极性霍尔开关，这款IC 采用了先进的斩波稳定，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
YS1251全级性霍尔元件灵敏度高、体积小、耐压强、寿命长、价格低等特点，适合玩具等小电压电子产品当中，元件内部集成了霍尔效应片、电压调节器、休眠唤醒控制电路、信号放大滤波电路、偏移补偿电路、施密特触发器，它是一种双磁极性磁感应开关，能够感应到磁体的N极和S极的磁场强度，YS251通过周期性休眠和唤醒工作，达到降低功耗的作用。
，唤醒期间检测环境磁场强度，休眠状态保持最后输出状态。
微功耗霍尔元件YS251有贴片直插的两种封装，超小超薄DFN 封装，适合用于越来越轻薄的便携移动设备中，所有封装都符合RoSH 环保标准。
低功耗5uA，工作电压可低至1.65V，
YS251是看互补推挽输出，在电路的使用中是不需要加上拉电阻的，灵敏度温漂小，高灵敏度。
一致性稳定性好，被广泛应用在低功耗的产品上。
全极低功耗霍尔开关SS239使用手册
Packages Features and Benefits– Operation down to 2.5V– Micropower consumption for batterypowered applications– High sensitivity for direct reed switchreplacement applications– Omnipolar, output switches with absolutevalue of North or South pole from magnet 3 pin SOT23 (suffix SO) 3 pin SIP (suffix UA)Functional Block Diagram Application Examples–Solid-state switch– Handheld Wireless Handset Awake Switch – Lid close sensor for battery powered devices –Magnet proximity sensor for reed switch replacement in low duty cycle applicationsChopper stabilized amplifier stage2．DescriptionThe SS239 Omnipolar Hall effect sensor IC is fabricated from mixed signal CMOS technology. It incorporates advanced chopper-stabilization techniques to provide accurate and stable magnetic switch points.The circuit design provides an internally controlled clocking mechanism to cycle power to the Hall element and analog signal processing circuits. This serves to place the high current-consuming portions of the circuit into a “Sleep” mode. Periodically the device is “Awakened” by this internal logic and the magnetic flux from the Hall element is evaluated against the predefined thresholds. If the flux density is above or below the B OP /B RP thresholds then the output transistor is driven to change states accordingly. While in the “Sleep” cycle the output transistor is latched in its previous state. The design has been optimized for service in applications requiring extended operating lifetime in battery powered systems.The output transistor of the SS239 will be latched on (B OP ) in the presence of a sufficiently strong South or North magnetic field facing the marked side of the package. The output will be latched off (B RP ) in the absence of a magnetic field.Typical Application CircuitSEC's pole-independent sensing technique allows for operation with either a north pole or south pole magnet orientation, enhancing the manufacturability of the device. The state-of-the-art technology provides the same output polarity for either pole face.It is strongly recommended that an external bypass be connected (in close proximity to the Hall sensor) between the supply and ground of the device to reduce both external noise and noise generated by the chopper-stabilization technique. This is especially true due to the relatively high impedance of battery supplies.Internal Timing CircuitPin Definitions and DescriptionsSOT Pin №SIP Pin №Name Type Function1 1 VDD Supply Supply Voltage pin2 3 OUT Output Open Drain Output pinGroundpin3 2 GNDGroundTable 1: Pin definitions and descriptionsAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Value UnitsSupply Voltage (operating) V DD 6 VmASupply Current I DD 5Output Voltage V OUT 6 VOutput Current I OUT 5mA85°CtoOperating Temperature Range T A -40150°CStorage Temperature Range T S -50toESD Sensitivity - 4000 VTable 2: Absolute maximum ratingsExceeding the absolute maximum ratings may cause permanent damage. Exposure to absolute-maximum-rated conditions for extended periods may affect device reliability.DC Electrical CharacteristicsDC Operating Parameters: T A = 25℃, V DD= 2.75V.Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitsSupply Voltage V DD Operating 2.5 3 5.5 VSupply Current I DD Average 5 µAmA Output Current I OUT 1.0 Saturation Voltage V SAT I OUT = 1mA 0.4 VAwake mode time T AW Operating 175µsms Sleep mode time T SL Operating 70Table 3: DC Electrical CharacteristicsMagnetic CharacteristicsOperating Parameters: T A = 25°C, V DD = 2.75V DCSS239Parameter Symbol Min Type Max Units Operating Point B OP- +/-35 +/-60 Gs Release Point B RP+/-5 +/-21 - Gs Hysteresis B HYST- 14 - Gs Table 4: Magnetic SpecificationsESD ProtectionHuman Body Model (HBM) tests according to: Mil. Std. 883F method 3015.7Limit ValuesUnit Notes Parameter SymbolMin MaxESD Voltage V ESD 4 kVPerformance CharacteristicsUnique FeaturesCMOS Hall IC TechnologyThe chopper stabilized amplifier uses switched capacitor techniques to eliminate the amplifier offset voltage, which, in bipolar devices, is a major source of temperature sensitive drift. CMOS makes this advanced technique possible. The CMOS chip is also much smaller than a bipolar chip, allowing very sophisticated circuitry to be placed in less space. The small chip size also contributes to lower physical stress and less power consumption.Installation CommentsConsider temperature coefficients of Hall IC and magnetic, as well as air gap and life time variations. Observe temperature limits during wave soldering. Typical IR solder-reflow profile:– No Rapid Heating and Cooling.– Recommended Preheating for max. 2minutes at 150°C– Recommended Reflowing for max. 5seconds at 240°CESD PrecautionsElectronic semiconductor products are sensitive to Electro Static Discharge (ESD).Always observe Electro Static Discharge control procedures whenever handling semiconductor products.Package UA, 3-Pin SIP:Package SOT, 3-Pin SOT-23:SOT-23 Package Hall Location:Ordering InformationPart No. Pb-free Temperature Code Package Code PackingSS239ESOT YES -40°C to 85°C SOT-23 7-in. reel, 3000 pieces/reel SS239EUA YES -40°C to 85°C TO-92 Bulk, 1000 pieces/bagSS239KSOT YES -40°C to 125°C SOT-23 7-in. reel, 3000 pieces/reel SS239KUA YES -40°C to 125°C TO-92 Bulk, 1000 pieces/bagSS239LSOT YES -40°C to 150°C SOT-23 7-in. reel, 3000 pieces/reel SS239LUA YES -40°C to 150°C TO-92 Bulk, 1000 pieces/bag。
全极性霍尔元件YS4913参数规格书
高灵敏度全极霍尔开关订购信息：型号YS4913-T工作温度-40～85℃封装TO-92S包装1000只/袋型号YS4913-S工作温度-40～85℃封装SOT23包装3000只/盘概述：YS4913是一款基于混合信号CMOS技术的无极性霍尔开关，这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提供准确而稳定的磁开关点。
在电路设计上，YS4913提供了一个内嵌的受控时钟机制来为霍尔器件和模拟信号处理电路提供时钟源，同时这个受控时钟机制可以发出控制信号使得消耗电流较大的电路周期性的进入“休眠”模式；同样通过这个机制，芯片被周期性的“唤醒”并且根据预定好的磁场强度阈值检测外界穿过霍尔器件磁场强度的大小。
如果磁通密度高于“操作点”阈值或者低于“释放点”阈值，则开漏输出晶体管被驱动并锁存成与之相对应的状态。
而在“休眠”周期中，输出晶体管被锁定在其先前的状态下。
在电池供电应用中，这种设计对于延长工作寿命提供了最好支持。
YS4913的输出晶体管在面向封装标示一面存在一定强南极或北极磁场时被锁定在开状态，而在无磁场时锁定在关状态。
产品特点：2.4V—6V电池应用;磁开关点的高灵敏度高稳定性;抗机械应力强;数字输出信号;无极性的开关典型应用：移动电话,笔记本电脑,便携电子设备等功能方框图：高灵敏度全极霍尔开关典型应用参考：磁电转换特性图极限参数：电源电压Vcc ··················6V 电源电流Icc ··················4.5mA极限参数：输出电压Vcc ··················6V 输出电流I OUT ··················2mA储存温度T S ..................-45℃to +150℃结温..................150℃ESD . (4000V)使用注意：该产品为CMOS 电路，在使用过程中要做好防静电措施，并且尽量减小施加到电路外壳或引线上的机械应力。
霍尔效应实验说明书
霍尔效应实验霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机构时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展，现在广泛用于非电量检测、电动控制、电磁测量和计算装置方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来，霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家冯·克利青（K.Von Klitzing ）研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
[实验目的]1、了解霍尔效应原理及测量霍尔元件有关参数.2、测绘霍尔元件的s H I V -，M H I V -曲线了解霍尔电势差H V 与霍尔元件控制（工作）电流s I 、励磁电流M I 之间的关系。
3、学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。
4、判断霍尔元件载流子的类型，并计算其浓度和迁移率。
5、学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
[实验原理]霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
如右图（1）所示，磁场B 位于Z 的正向，与之垂直的半导体薄片上沿X 正向通以电流s I （称为控制电流或工作电流），假设载流子为电子（N 型半导体材料），它沿着与电流s I 相反的X 负向运动。