硅片层错、位错
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金相显微镜x500倍-边缘金相显微镜x500倍-中间
同样在#36片也发现类似#15片的情况
结论：1）沿〈111〉晶向生长的硅单晶， 常常可以观察到三角形的位错腐蚀坑。其实这种腐蚀坑பைடு நூலகம்位错线露头的地方。
2）边缘与中间位置的位错密度无明显区别。
二：氧化层错的检测
对两个抛光硅片在缺陷腐蚀显示液体中腐蚀1Min，利用金相显微镜进行检测。
36片:
金相显微镜x200倍
金相显微镜x1000倍
在硅片上发现半月型OISF.
#15片:
金相显微镜x200倍
金相显微镜x1000倍
结论:通过腐蚀液缺陷显示后,两片硅片都无明显氧化层错，出现很少的半月型氧化层错，这种层错主要是由于晶片表面由金属杂质或机械损伤所引起的层错。
实验
一．原子力检测
实验硅片：4inch p(111)实验片数：2硅片编号：S1106-4253-36 S1106-4352-15
实验内容：对长有氧化层的硅片进行HF腐蚀，时间为10M，观察表面无颜色不一致的地方，且疏水.然后对两片中心点，以及离中心点1/3半径与边缘取三点检测表面粗糙度。
1）#15片原子力显微图
中心点：
1/3半径
边缘
结论：去除表面氧化层后，选取10um×10um测试，在三个位置抛光片的粗糙度都在1.6-2.07nm之间，表面有凸起的地方，对最高的地方进行检测:凸起的最高的峰值在5-15nm。
2）36片原子力图片
中心位置：
1/3半径
边缘：
结论：去除表面氧化层后，选取10um×10um测试，在三个位置抛光片的粗糙度都在1.2-1.82nm之间，表面有凸起的地方，对最高的地方进行检测:凸起的最高的峰值在3-17nm。
二．位错检测
使用缺陷腐蚀显示液腐蚀15Min
#15片
金相显微镜x50倍-边缘金相显微镜x50倍-中间
通过腐蚀后明显发现中间以及边缘很多缺陷，继续放大倍数观察缺陷的类型。
金相显微镜x500倍-边缘金相显微镜x500倍-中间
经过继续放大，为三角型位错腐蚀坑。
#36
金相显微镜x50倍-边缘金相显微镜x50倍-中间
同样在#36片也发现类似#15片的情况
结论：1）沿〈111〉晶向生长的硅单晶， 常常可以观察到三角形的位错腐蚀坑。其实这种腐蚀坑பைடு நூலகம்位错线露头的地方。
2）边缘与中间位置的位错密度无明显区别。
二：氧化层错的检测
对两个抛光硅片在缺陷腐蚀显示液体中腐蚀1Min，利用金相显微镜进行检测。
36片:
金相显微镜x200倍
金相显微镜x1000倍
在硅片上发现半月型OISF.
#15片:
金相显微镜x200倍
金相显微镜x1000倍
结论:通过腐蚀液缺陷显示后,两片硅片都无明显氧化层错，出现很少的半月型氧化层错，这种层错主要是由于晶片表面由金属杂质或机械损伤所引起的层错。
实验
一．原子力检测
实验硅片：4inch p(111)实验片数：2硅片编号：S1106-4253-36 S1106-4352-15
实验内容：对长有氧化层的硅片进行HF腐蚀，时间为10M，观察表面无颜色不一致的地方，且疏水.然后对两片中心点，以及离中心点1/3半径与边缘取三点检测表面粗糙度。
1）#15片原子力显微图
中心点：
1/3半径
边缘
结论：去除表面氧化层后，选取10um×10um测试，在三个位置抛光片的粗糙度都在1.6-2.07nm之间，表面有凸起的地方，对最高的地方进行检测:凸起的最高的峰值在5-15nm。
2）36片原子力图片
中心位置：
1/3半径
边缘：
结论：去除表面氧化层后，选取10um×10um测试，在三个位置抛光片的粗糙度都在1.2-1.82nm之间，表面有凸起的地方，对最高的地方进行检测:凸起的最高的峰值在3-17nm。
二．位错检测
使用缺陷腐蚀显示液腐蚀15Min
#15片
金相显微镜x50倍-边缘金相显微镜x50倍-中间
通过腐蚀后明显发现中间以及边缘很多缺陷，继续放大倍数观察缺陷的类型。
金相显微镜x500倍-边缘金相显微镜x500倍-中间
经过继续放大，为三角型位错腐蚀坑。
#36
金相显微镜x50倍-边缘金相显微镜x50倍-中间