太阳能电池制绒原理以及问题处理
太阳能电池制绒原理以及问题处理
中科院电工所 王文静
好的织构化的效果
很好的织构化 可以加强减反 射膜的效果
左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图，经过不同织构化处理之后的反射图。 右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。
C.J.J. Tool , Presented at the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, Spain, 6-10 June 2005
T=200us
T=2us
绒面产生原理
腐蚀速率快慢由下列三个反应速度来决定。
1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速 率； 2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反 应的反应速率； 3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。
腐蚀的反应物和生成物是利用腐蚀液之浓度梯度然产生的扩散现象来 达到传质的目的。所以，1、3又可称为扩散限制溶解过程 （diffusion－limited dissolution），通过搅拌可以提高。2的速率 取决于腐蚀温度、材料、腐蚀液种类及浓度，和搅拌方式无关，被成 为反应限制溶解过程（reaction－rate limited dissolution）。各 向异性就是由化学反应的各向速率不同造成的。
槽体密封程度乙醇或异丙醇的挥发程度硅的刻蚀速率与表面原子密度晶格方向掺杂浓度腐蚀液成分浓度温度搅拌等参数有关扩散控制过程反应控制过程naoh溶液浓度反应温度制绒的根本ipa浓度nasio3浓度提高溶液浓稠度控制反应速度硅片表面原始状态氢气泡密度及大小以及在硅片表面停留的时间决定金字塔形貌搅拌提高反应物疏运速度提高氢气泡脱附作用图4氢气泡作用图5不同ipa浓度下温度和naoh溶液浓度对反应速度的影响图6一定温度下naoh溶液浓度和ipa含量对反应速率的影响温度越高腐蚀速度越快腐蚀液浓度越高腐蚀速度越快ipa浓度越高腐蚀速率越慢na2sio3浓度越高腐蚀速率越慢对反射率的影响绒面的平均反射率随naoh浓度的变化图7naoh浓度对反射率的影响图8一定条件下naoh浓度和ipa含量对反射率的影响kohonlykohipakohsisolvedkohipasisolved反应15分钟时反射率反应45分钟时反射率和金字塔尺寸和均匀性没有密切关系取决于金字塔有没有布满关键因素的分析naoh的影响051555关键因素的分析温度的影响808590关键因素的分析ipa浓度的影响0510有机溶剂腐蚀tmah等无机溶剂腐蚀kohnaohipa乙醇溶液等新方法腐蚀液超声有利于获得更均匀更小的金字塔等离子体刻蚀等离子体法刻蚀形貌图布满整个硅片表面小而均匀lowdensitytexturehighdensitytexture两个方面实现1提高硅片表面的浸润能力如添加ipa或者把硅片进行酸或碱的腐蚀
晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序
总结词
去除表面污垢，提高表面清洁度
详细描述
碱洗工序主要利用碱性溶液清洗硅片表面，去除油脂、污垢等杂质，提高表面的 清洁度和吸附能力，为后续的制绒工序提供良好的表面条件。
制绒流程
总结词
形成绒面结构，提高光吸收效率
详细描述
制绒工序是利用化学反应在硅片表面形成绒面结构，使入射光在硅片表面产生漫反射和散射，从而提高太阳能电 池的光吸收效率。制绒过程中需控制反应温度、时间和溶液浓度等参数，以保证绒面结构的均匀性和一致性。
硅片在生产过程中会沾染各种污 染物，如灰尘、油脂等，清洗制 绒的目的是将这些污染物去除，
恢复硅片表面的洁净。
去除切割损伤
晶体硅太阳能电池的制造过程中， 硅片需要进行切割，这个过程中会 在硅片表面产生损伤，清洗制绒可 以去除这些切割损伤。
增强表面活性
通过清洗制绒，可以去除硅片表面 的氧化层，暴露出新鲜的硅表面， 增强其表面活性。
定期进行应急演练，提高员工的应急 处理能力。
配备相应的应急处理设备和物资，如 急救箱、灭火器等。
在发生紧急情况时，应迅速采取相应 措施，确保人员安全和设备稳定。
环保措施及排放标准
清洗制绒过程中应采用环保型清洗剂，减少对环境的污 染。
定期对生产线进行清洁和维护，确保生产环境的整洁和 卫生。
废气、废液等废弃物应按照国家相关标准进行排放和处 理。
展方向。企业致力于研发环保型清洗制绒工艺，降低能源消耗和环境污
染。
03
高精度与高效率
为了提高产品质量和生产效率，生产线清洗制绒技术向高精度和高效率
方向发展。企业不断优化清洗制绒工艺，提高设备的精度和稳定性，实
现高效生产。
市场前景及竞争态势
光伏电池制备工艺项目二清洗制绒
多晶硅生产
❖ 1．准备工作 ❖ 1）穿戴好工作衣帽、防护口罩和干净的橡胶手套； ❖ 2）操作员打开包装，查看规格、电阻率、厚度、
单多晶、厂家、编号是否符合要求； ❖ 3）操作员检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺
致密，相邻金字塔之间没有间隙。
任务二 单晶制绒操作工艺
1. 装片 ：
❖
1）戴好防护口罩和干净的橡胶手套，以200片为一个
生产批次,把硅片插入清洗小花篮， 对来料中如有缺角、崩
边、隐裂等缺陷的硅片不能流入生处理；有缺片现象时，要在缺片
记录上记录缺片的批号、厂商、箱号和缺片数。
❖ 出现的原因是IPA添加 过多；或者出制绒槽后， 没有立即放入漂洗槽，导 致药液残留在硅片表面反 应
❖ 解决的方法：重新进行清 洗
表面污染
❖ c图出现的是在同一批 片子中相同位置有类似于 油污的污渍；出现的原因 主要是来料问题，可能在 硅片包装时引入；
❖ 解决的方法：与硅片车 间协商解决
表面污染
❖ 3）对绒面质量合格的硅片，收片员详细填写“工 艺流程卡”，并装在小花篮内（每200片为一批， 每个小花篮装25片硅片），每一批硅片有一张流程 卡，流入到扩散工序；
❖ 4）操作员在设备自动运行过程中，不能离开，需 时刻监视设备运行情况；
生产
❖ 5）收片
❖
收片员在小花篮下垫
海绵垫片，双手轻轻拿硅
片两端，将硅片轻轻插入
清洗制绒槽
供液间
❖ 4．换液
❖ 1）工序长将设备“自动”转换为“手动”，点 击“废液排放”；
❖ 2）观察PC柜电脑画面，工作槽内液体排完后会 自动停止；
单晶制绒常见问题及解决办法
、划痕（表面泛白的除外）、手
单晶制绒常见冋题及解决办法
制绒是处理硅片的一种工艺方法，硅太阳能电池片生产的首道工序。
不管是单晶硅片还是多晶硅片，都可以用酸或者碱来处理。
无论用哪种方法处理，一般 情况下，用碱处理是为了得到金字塔状绒面；用酸处理是为了得到虫孔状绒面。
不管是哪种 绒面，都可以提高硅片的陷光作用。
单晶制绒常见异常
亮面:
导致亮面的原因：反应剧烈，溶液配比不平衡；反应时间不足;
处理方法：依亮面程度及硅片减重情况，决定是否须补加酒精。
可返工异常：白斑、脏片、小雨点、暗斑、亮面、阴阳面、齿痕、水痕。
发白: 导致发白的原因：制绒不充分；处理方法：依硅片发白程度，决定是否须补加NaOH 。
雨点：导致雨点的原因：溶液表面张力过大制绒过程中产生的气泡脱离困难；处理方法：依情况补加适当酒精，以降低其溶液表面张力。
白点：导致发白的原因：溶液不匀；处理方法：进药后搅拌溶液。
齿痕
导致发白的原因：药量配比不足以消除齿痕；处理方式：调整药量，适当多增加10~20gNaOH 。
光伏电池片制绒技术
1 引言清洗设备在整个太阳能电池生产线上起到至关重要的作用。
主要可以分为：扩散前的制绒、酸洗，磷硅玻璃(PSG)的湿法腐蚀、漂洗等几类。
我公司所提供的产品囊括了上述环节的所有类型的清洗设备，完全可以满足各个环节的工艺要求。
本文将着重就制绒设备研究过程中的几个重要问题进行阐述。
2 工艺研究在太阳能电池生产中，刻蚀具有两个作用，即去除切割过程中产生的表面缺陷，同时进行硅片表面构化。
构化的目的就是延长光在电池表面的传播路径，从而提高太阳能电池对光的吸收效率。
构化的主要方法可以分为干法和湿法两种。
后者是目前应用最广泛的刻蚀方法，即用碱(NaOH、KOH)或酸液(HNO3、HF)对硅片表面进行腐蚀。
由于硅片的内部结构不同，各向异性的碱液刻蚀主要用于晶向分布均匀的单晶硅，而晶向杂乱的多晶硅采用各向同性的酸液刻蚀会有更好的构化效果。
本研究以单晶硅制绒为例进行工艺实验，对于多晶硅材料而言，我们正与厂家进行实际工艺摸索，本文仅对单晶硅制绒工艺进行阐述。
工业生产中通常采用碱和醇的混合溶液对<100>晶向的单晶硅片进行各向异性腐蚀，在表面形成类似"金字塔"状的绒面，有效地增强硅片对入射太阳光的吸收，从而提高光生电流密度。
对于既可获得低的表面反射率，又有利于太阳能电池的后续制作工艺的绒面，应该是金字塔大小均匀，单体尺寸在2～10μm之间，相邻金字塔之间没有空隙，即覆盖率达到100%。
理想质量绒面的形成，受到了诸多因素的影响，例如硅片被腐蚀前的表面状态、制绒液的组成、各组分的含量、温度、反应时间等。
而在工业生产中，对这一工艺过程的影响因素更加复杂，例如加工硅片的数量、醇类的挥发、反应产物在溶液中的积聚、制绒液中各组分的变化等。
为了维持生产良好的可重复性，并获得高的生产效率。
就要比较透彻地了解金字塔绒面的形成机理，控制对制绒过程中影响较大的因素，在较短的时间内形成质量较好的金字塔绒面。
经实验证明，我们得到的如下工艺的可重复性和可靠性都很好，可以用来进行大规模的工业化生产。
单晶硅太阳能电池的制绒方法
未经处理的单晶硅表面具有高反射率 ，通过制绒技术可以降低表面反射， 减少光能的损失，提高太阳能电池的 光电转换效率。
国内外研究现状
国外研究
国外对单晶硅太阳能电池的制绒技术进行了广泛的研究，提 出了多种制绒方法和工艺，包括酸腐蚀、碱腐蚀、激光刻蚀 等。其中，酸碱联合制绒工艺因其效果显著而得到广泛应用 。
废水处理和回收
建立废水处理设施，对废 水进行回收处理，实现废 水零排放。
05 结论与展望
研究结论
制绒方法优化
通过对比不同制绒工艺参数，发 现碱浓度、温度和时间等因素对 制绒效果具有显著影响。优化后 的制绒工艺可提高硅片表面绒面
结构的质量和效率。
表面形貌改善
研究结果显示，优化后的制绒工 艺能够获得更细小、更均匀的绒 面晶胞结构，显著提高了硅片表
03 实验结果与分析
实验结果
制备出单晶硅太阳能 电池，表面制绒后呈 现出明显的绒面结构 。
经过制绒处理，太阳 能电池的短路电流和 开路电压均有所提高 。
绒面结构增加了太阳 能电池的表面积，提 高了光的吸收效率。
结果分析
制绒处理能够改善单晶硅太阳 能电池的表面形貌，增加光吸 收面积。
通过对比实验，发现制绒处理 能够提高太阳能电池的性能。
效果。
04 讨论与优化建议
制绒工艺优化
01
02
03
工艺参数优化
通过调整制绒液浓度、浸 泡时间、清洗温度等工艺 参数，提高制绒效果。
设备改进
采用新型的制绒设备，提 高设备运行效率和稳定性 。
清洗技术改进
采用先进的清洗技术，如 超声波清洗、喷淋清洗等 ，提高清洗效果。
提高太阳能电池效率的途径
选用高质量硅材料
太阳能电池片生产流程解析
太阳能电池片生产流程解析一、概念太阳能电池：就是将太阳能转化为电能的半导体器件。
二、工艺流程太阳能电池工艺流程：清洗制绒→扩散→刻蚀→去PSG→ PECVD→丝网印刷→烧结→测试分档→分选→包装（一）、制绒和清洗硅片表面处理的目的：去除硅片表面的机械损伤层，清除表面油污和金属杂质，形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收效率。
绒面腐蚀原理：利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形成角锥体密布的表面形貌，就称为表面织构化。
角锥体四面全是由〈111〉面包围形成，反应式为：Si+2NaOH+H2O →NaSiO3+2H2↑制备绒面的目的：减少光的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换效率。
陷光原理：当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
影响绒面质量的关键因素：1.NaOH浓度 2.异丙醇浓度 3.制绒槽内硅酸钠的累计量 4. 制绒腐蚀的温度 5.制绒腐蚀时间的长短 6.槽体密封程度7.异丙醇的挥发程度化学清洗原理HF去除硅片表面氧化层：SiO2 + 6HF → H2[SiF6] + 2H2OHCl去除硅片表面金属杂质：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Pt2+、Au3+、 Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶于水的络合物。
★注意事项NaOH、HCl、HF都是强腐蚀性的化学药品，其固体颗粒、溶液、蒸汽会伤害到人的皮肤、眼睛、呼吸道，所以操作人员要按照规定穿戴防护服、防护面具、防护眼镜、长袖胶皮手套。
一旦有化学试剂伤害了员工的身体，马上用纯水冲洗30分钟，送医院就医。
（二）、扩散太阳电池制造的核心工序——PN结（太阳电池的心脏）扩散的目的：形成PN结太阳能电池磷扩散方法1.三氯氧磷（POCl3）液态源扩散2.喷涂磷酸水溶液后链式扩散3.丝网印刷磷浆料后链式扩散，现大多采用的是第一种方法。
晶体硅太阳电池制绒工艺解读
反应控制过程
氢气泡密度及大小 以及在硅片表面停 留的时间
决定金字塔形貌
• 温度越高腐蚀速度越快
• 溶液浓度越高腐蚀速度越快
• IPA浓度越高腐蚀速率越慢
• Na2SiO3浓度越高腐蚀速率越慢
• 工业中的腐蚀应使参数处于比较平缓的变化区域。以使
反应速度不致因为参数的微小变化造成较大的变化。
• IPA浓度应使用较低的水平，使反应速度控制在较理想
0%
5%
10%
• 当IPA的浓度从3%增加到10%时，反应速度会明显下降。
78℃
83℃
88℃
• 在同样的NaOH浓度下，当温度升高时，反应速度明显
加快。
• 多晶制绒反应的发生点为表面的缺陷点，如果过分完整
的表面反而无法制绒——水至清则无鱼。但是反过来，
制绒的情况也受表面状态影响很大，不容易控制。
3.1 单晶
3.1 多晶
4.制绒的化学原理
4.1 单晶
4.1.1 化学原理 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有
不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形 成金字塔结构密布的表面形貌，就称为表面织构化。金 字塔的四面全是由〈111〉面包围形成。
4.1.2 陷光原理 当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度
6.1.1 单晶工艺控制方法
6.1.2 怎样才是“好”的金字塔
•在制绒过程中有三个变量需要控制：
•IPA浓度 •KOH or NaOH 浓度 •硅酸盐浓度
•其他需要控制的因素：
•温度（高低和均匀性） •时间 •水流（搅动或鼓泡）
•要控制的结果：
•金字塔的大小 •金字塔的铺满程度 •表面的花片
关键：降低硅片表面及溶液的界面能
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多晶制绒原理及相应对策
多晶硅织构化应使用各项同性织构技术
湿法各项同性腐蚀
使用HF/HNO3/H2O
• HNO3在硅表面形成SiO层 • HF将氧化层除去
两者形成竞争
效率增加： 电池片：7% 组件： 4.8%
温度与腐蚀速度的关系
100
HNO3:HF:CH3COOH 4.5 : 2 : 3.5
Etch-rate, m/min
表面油脂去除方案
有机溶剂+超声——有机溶剂溶解有机物质 酸性液体去除法——如RCA工艺：热硫酸煮硅片
表面活性剂
NaOCl热处理——利用O自由基的强腐蚀性
方案一、利用NaOCl预清洗
实验条件
1 传统织构化工艺 新工艺条件 NaOH (8%，75C，2min) NaOCl(12%，80C，15min) 2 NaOH(2%)+IPA(7%) NaOH(2%)+IPA(7%)
等离子体法刻蚀形貌图
怎样是“好”的金字塔
小而均匀 布满整个硅片表面
Low density texture
High density texture
怎样得到“好”的金字塔 关键：降低硅片表面/溶液的界面能
两个方面实现：
1、提高硅片表面的浸润能力，如添加IPA或者把硅片进行酸或碱的 腐蚀。
{111}
各向异性的原因
Si+2NaOH+H2O==Na2SiO3+2H2
1、水分子的屏蔽效应（screening effect）阻挡了硅原子与OH根离子的 作用，而水分子的屏蔽效应又以原子 排列密度越高越明显。
2、在{111}晶面族上，每个硅原子具 有三个共价健与晶面内部的原子健结 及一个裸露于晶格外面的悬挂健， {100}晶面族每一个硅原子具有两个共 价健及两个悬挂健，当刻蚀反应进行 时，刻蚀液中的OH－会跟悬挂健健 结而形成刻蚀，所以晶格上的单位面 积悬挂健越多，会造成表面的化学反 应自然增快。
图7 NaOH浓度对反射率的影响
图8 一定条件下NaOH浓度和IPA含量对反射率的影响
对形貌的影响
KOH only
KOH ＋IPA
KOH ＋Si solved
KOH ＋IPA＋Si solved
反应15分钟时反射率
反应45分钟时
反射率和金字塔尺寸和均匀性没有密切关系， 取决于金字塔有没有布满
硅片经过热碱处理后提出在空气中，时间过长会与空气中的氧反
应形成一层氧化层，这层氧化层一旦形成就很难再清洗下去了。 因此，在碱清洗后不能在空气中暴露12秒以上。
表面油脂货摊沾污的结果
减缓去损伤层的量 无法形成织构化的成核
表面织构化无法形成
制绒注意事项
1、加强制绒前硅片表面的处理，包括表面的清洗及去除损伤层（粗 抛） 2、控制硅酸钠含量，包括粗抛及制绒两道工序
硅片表面的沾污之一
FTIR谱 存在： C=O拉伸键 S-C-O键 烷基硫酸盐
硅片表面的沾污之二
FTIR谱 存在Triazines (C3N3Y3)
存在沾污的结果
新的清洗工艺
注：去损伤层使用10%的NaOCl
清洗后表面FTIR谱之一
清洗后表面FTIR谱之二
新工艺处理后的硅片表面
结果比较
10
selective etching
polish etching
5
10
15
20
25
30
35
o
40
45
50
55
Temperature, C
温度对腐蚀速度和反射率的影响
24
23
20 C
o
Average Reflection, %
22 4 oC
21
20
19
18 0 5 10 15 20 25 30 35
Ganggopadhyay et al: Solar Energy Materials & Solar Cells 91(2007)1147-1151
如何检测硅酸钠含量
硅酸钠具体含量测量是没必要的，只要判定它的含量是否过量即可。实 验是用100%的浓盐酸滴定，若滴定一段时间后出现少量絮状物，说明硅 酸钠含量适中；若滴定开始就出现一团胶状固体且随滴定的进行变多，说 明硅酸钠过量。
{100}
图3 悬挂健对反应的影响
腐蚀速度的差别造成金字塔的形状
较快的腐蚀速度 较慢的腐蚀速度
影响因素分析
硅的刻蚀速率与表面原子密度、晶格方向、掺杂浓
度、腐蚀液成分、浓度、温度、搅拌等参数有关
1. 2.
NaOH浓度 无水乙醇或异丙醇浓度
3.
4. 5. 6.
制绒槽内硅酸钠的累计量
制绒腐蚀的温度 制绒腐蚀时间的长短 槽体密封程度、乙醇或异丙醇的挥发程度
0,2
0,0 400 600 800 1000 1200
Wavelength, nm
一对矛盾
多晶硅织绒较深会引起并联电阻减小，反向电流增大，甚至击穿。但是 织绒较浅，会影响件反射效果。实际中发现，深度以3~5m为宜
深沟腐蚀区表面形貌
对于表面形成深沟的样 品，其并联电阻一般较 小，反向电流较大
多晶硅织绒工艺控制要素
各个因素作用
反应控制 过程 NaOH溶液浓度 制绒的根本 反应温度 氢气泡密度 及大小以及 在硅片表面 停留的时间
IPA浓度 NaSiO3浓度 扩散控制 过程 提高溶液浓稠度， 控制反应速度 提高反应物疏运 速度，提高氢气 泡脱附作用
决定金字塔形貌
搅拌
硅片表面原始状态
图4 氢气泡作用
对反应速度的影响
Etch-time, min
腐蚀时间对表面形貌的影响
2.5min
3.0 min
窄的晶界；小而均匀的腐蚀坑
腐蚀深度的线状谱
各项同性腐蚀的拓扑图
具有多孔硅的织构化
50 45 40 Alkaline etching (36.0 %) multi-Si
Acidic texturing: macrotexturisation (23.4 %) double texturisation with por-Si (9.4 %)
单晶制绒原理及相应对策
中科院电工所 王文静
好的织构化的效果
很好的织构化 可以加强减反 射膜的效果
左图中蓝色线为抛光后的Si的反射图，经过不同织构化处理之后的反射图。 右图为在织构后再沉积SiNx:H薄膜的反射光谱图。
C.J.J. Tool , Presented at the 20th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Barcelona, Spain, 6-10 June 2005
图5 不同IPA浓度下温度和NaOH溶液浓度对反应速度的影响
图6 一定温度下NaOH溶液浓度和IPA含量对反应速率的影响
温度越高腐蚀速度越快 腐蚀液浓度越高腐蚀速度越快 IPA浓度越高腐蚀速率越慢 Na2SiO3浓度越高腐蚀速率越慢
对反射率的影响
绒面的平均反射率随NaOH浓度的变化
多晶硅织绒反应的发生点为警惕比表面的缺陷点，如果过分完整 的表面反而无法织绒——水至清则无鱼。 但是反过来，多晶硅织绒的情况也受表面状态影响很大，不容易 控制 酸性溶剂有除油效果，因此多晶硅表面的织绒对于前期硅片表面 沾污不是很敏感 酸性溶剂在表面如遇空气，很容易干躁形成氧化层的着色现象， 一旦着色很难再行清除。多晶硅在酸洗之后还未经清水漂洗之前 出水不应长于8秒。因此，最好使用在线式连续清洗 酸性溶剂的浓度对于腐蚀速度的控制具有决定意义，应严格控制 酸性溶剂的温度对于腐蚀速度的控制具有重要意义
T=200us
T=2us
绒面产生原理
腐蚀速率快慢由下列三个反应速度来决定。
1、腐蚀液流至被腐蚀物表面的移动速 率； 2、腐蚀液与被腐蚀物表面产生化学反 应的反应速率； 3、生成物从被腐蚀物表面离开的速率。
腐蚀的反应物和生成物是利用腐蚀液之浓度梯度然产生的扩散现象来 达到传质的目的。所以，1、3又可称为扩散限制溶解过程 （diffusion－limited dissolution），通过搅拌可以提高。2的速率 取决于腐蚀温度、材料、腐蚀液种类及浓度，和搅拌方式无关，被成 为反应限制溶解过程（reaction－rate limited dissolution）。各 向异性就是由化学反应的各向速率不同造成的。
绒面作用： 1、减少表面反射 2、提高内部光吸收
100 80 60 40 20 0 400 600 800 1000 1200
100 80
IQE
IQE
without with
60 40 20 0 400 600
with without
800
1000
1200
wavelength(nm)
wavelength
2、减少溶液的张力，如添加添加剂。添加剂有很多极性或非极性 的功能团来降低腐蚀液表面的张力。
Байду номын сангаас
添加剂作用
增加反应速度
减缓反应速度
不影响反应速度
工业制绒常见问题及对策
影响绒面均匀性的因素：
1、原始硅片表面均匀性
2、反应溶液均匀性
工艺控制方法
斑点
绒面没有制满 白 斑 水印 硅酸钠过量 喷林效果不理想 黑斑 没有及时清洗(碱腐蚀后暴露空气时间过长) 硅酸钠附着 雨点状斑点 增加IPA
关键因素的分析 ——NaOH的影响