《半导体器件物理基础》课程教学大纲
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[4]
[5]刘树林、张华曹、柴常春，半导体器件物理，电子工业出版社，25
[6]
[7]Robert F. Pierret著，黄如等译，半导体器件基础，电子工业出版社，24
[8]
[9]R. M. Warner，B. L. Grung著，吕长志等译，半导体器件电子学，电子工业出版社，25
[10]
七、其它说明（可选）
晶体管的开关作用和静态大信号特性、晶体管的开关过程（了解）
晶体管的设计方法和纵向、横向设计（了解）
（七）场效应晶体管
（八）
绝缘栅及MOS场效应晶体管
的结构、工作原理和输出特性（理解）
阈值电压（理解）
直流电流-电压特性的数学分析（理解）
瞬态电路模型（了解）
交流小信号参数及频率特性（了解）
开关特性、二级效应、温度特性（理解）
4.
5.双极型晶体管（授课学时12）
6.
7.场效应晶体管（授课学时12）
8.
9.金属半导体接触及异质结（授课学时6）
10.
11.其他常用半导体器件（授课学时4）
12.
五、课内实验
无
六、教材与参考资料
[1]傅兴华、丁召、陈军宁、杨健，半导体器件原理简明教程，科学出版社
[2]
[3]刘恩科，半导体物理学，国防工业出版社
金属-半导体整流接触和欧姆接触（理解）
（五）双极型晶体管
（六）
BJT的基本结构、工艺和杂质分布（理解）
电流放大原理（理解）
电流-电压方程及特性曲线（理解）
晶体管反向特性与击穿特性（理解）
基区运输系数与频率关系、电流放大系数与频率关系、交流小信号电流-电压方程、功率增益和最高振荡频率（了解）
大注入效应、基区扩展效应、电流集边效应（了解）
三、课程内容及教学要求
（一）半导体物理基础
（二）
半导体晶体结构和缺陷（了解）
半导体能带理论（理解）
半导体中的载流子及输运现象（பைடு நூலகம்解）
半导体表面（了解）
（三）PN结理论
（四）
平衡PN结（理解）
PN结的直流特性及二极管定律（掌握）
空间电荷区的电场和宽度（理解）
PN结的击穿特性（理解）
电容效应（理解）
开关特性（理解）
先修课程：材料物理、固体物理
考核方式：考试、闭卷平时成绩30％、期末考试70％
教学环境：课堂，多媒体
开课学院：材料科学与工程学院
课程网站（可选）：
二、课程简介
通过本课程的学习使学生掌握各类常用半导体器件的工作原理、性能参数及其半导体材料参数、器件结构参数和制造工艺参数之间的相互关系，学习半导体器件的基本设计方法，从而使学生能够为今后的微电子器件设计及制备、电路设计（包括集成电路在内）打下良好基础。
《半导体器件物理基础》课程教学大纲
一、课程基本情况
课程名称（中文）：半导体器件物理基础
课程名称（英文）：Basics of Semiconductor Devices Physics
课程代码：B
学分：3
总学时：48
理论学时：48
实验学时；
课外学时：
课程性质：专业课（必修课）
适用专业：材料科学与工程
适用对象：本科
（九）金属半导体接触及异质结
（一十）
1.理想金属-半导体接触（理解）
2.金属-半导体接触的电流电压关系（理解）
3.异质结及基本特性（理解）
（一十一）其他常用半导体器件
（一十二）
光电二极管（了解）
发光二极管（了解）
半导体激光器（了解）
四、教学课时安排
1.半导体物理基础（授课学时6）
2.
3.PN结理论（授课学时8）
八、撰写人
田甜、刘志福
九、审核人
江国健
十、学院（部）审核（盖章）
2017.5.20
[5]刘树林、张华曹、柴常春，半导体器件物理，电子工业出版社，25
[6]
[7]Robert F. Pierret著，黄如等译，半导体器件基础，电子工业出版社，24
[8]
[9]R. M. Warner，B. L. Grung著，吕长志等译，半导体器件电子学，电子工业出版社，25
[10]
七、其它说明（可选）
晶体管的开关作用和静态大信号特性、晶体管的开关过程（了解）
晶体管的设计方法和纵向、横向设计（了解）
（七）场效应晶体管
（八）
绝缘栅及MOS场效应晶体管
的结构、工作原理和输出特性（理解）
阈值电压（理解）
直流电流-电压特性的数学分析（理解）
瞬态电路模型（了解）
交流小信号参数及频率特性（了解）
开关特性、二级效应、温度特性（理解）
4.
5.双极型晶体管（授课学时12）
6.
7.场效应晶体管（授课学时12）
8.
9.金属半导体接触及异质结（授课学时6）
10.
11.其他常用半导体器件（授课学时4）
12.
五、课内实验
无
六、教材与参考资料
[1]傅兴华、丁召、陈军宁、杨健，半导体器件原理简明教程，科学出版社
[2]
[3]刘恩科，半导体物理学，国防工业出版社
金属-半导体整流接触和欧姆接触（理解）
（五）双极型晶体管
（六）
BJT的基本结构、工艺和杂质分布（理解）
电流放大原理（理解）
电流-电压方程及特性曲线（理解）
晶体管反向特性与击穿特性（理解）
基区运输系数与频率关系、电流放大系数与频率关系、交流小信号电流-电压方程、功率增益和最高振荡频率（了解）
大注入效应、基区扩展效应、电流集边效应（了解）
三、课程内容及教学要求
（一）半导体物理基础
（二）
半导体晶体结构和缺陷（了解）
半导体能带理论（理解）
半导体中的载流子及输运现象（பைடு நூலகம்解）
半导体表面（了解）
（三）PN结理论
（四）
平衡PN结（理解）
PN结的直流特性及二极管定律（掌握）
空间电荷区的电场和宽度（理解）
PN结的击穿特性（理解）
电容效应（理解）
开关特性（理解）
先修课程：材料物理、固体物理
考核方式：考试、闭卷平时成绩30％、期末考试70％
教学环境：课堂，多媒体
开课学院：材料科学与工程学院
课程网站（可选）：
二、课程简介
通过本课程的学习使学生掌握各类常用半导体器件的工作原理、性能参数及其半导体材料参数、器件结构参数和制造工艺参数之间的相互关系，学习半导体器件的基本设计方法，从而使学生能够为今后的微电子器件设计及制备、电路设计（包括集成电路在内）打下良好基础。
《半导体器件物理基础》课程教学大纲
一、课程基本情况
课程名称（中文）：半导体器件物理基础
课程名称（英文）：Basics of Semiconductor Devices Physics
课程代码：B
学分：3
总学时：48
理论学时：48
实验学时；
课外学时：
课程性质：专业课（必修课）
适用专业：材料科学与工程
适用对象：本科
（九）金属半导体接触及异质结
（一十）
1.理想金属-半导体接触（理解）
2.金属-半导体接触的电流电压关系（理解）
3.异质结及基本特性（理解）
（一十一）其他常用半导体器件
（一十二）
光电二极管（了解）
发光二极管（了解）
半导体激光器（了解）
四、教学课时安排
1.半导体物理基础（授课学时6）
2.
3.PN结理论（授课学时8）
八、撰写人
田甜、刘志福
九、审核人
江国健
十、学院（部）审核（盖章）
2017.5.20