《半导体器件物理基础》课程教学大纲

八、撰写人
田甜、刘志福
九、审核人
江国健
十、学院（部）审核（盖章）
2017.5.20
《半导体器件物理基础》课程教学大纲
一、课程基本情况
课程名称（中文）：半导体器件物理基础
课程名称（英文）：Basics of Semiconductor Devices Physics
课程代码：B
学分：3
总学时：48
理论学时：48
实验学时；
课外学时：
课程性质：专业课（必修课）
适用专业：材料科学与工程
适用对象：本科
先修课程：材料物理、固体物理
考核方式：考试、闭卷平时成绩30％、期末考试70％
教学环境：课堂，多媒体
开课学院：材料科学与工程学院
课程网站（可选）：
二、课程简介
通过本课程的学习使学生掌握各类常用半导体器件的工作原理、性能参数及其半导体材料参数、器件结构参数和制造工艺参数之间的相互关系，学习半导体器件的基本设计方法，从而使学生能够为今后的微电子器件设计及制备、电路设计（包括集成电路在内）打下良好基础。
晶体管的开关作用和静态大信号特性、晶体管的开关过程（了解）
晶体管的设计方法和纵向、横向设计（了解）
（七）场效应晶体管
（八）
绝缘栅及MOS场效应晶体管
的结构、工作原理和输出特性（理解）
阈值电压（理解）
直流电流-电压特性的数学分析（理解）
瞬态电路模型（了解）
交流小信号参数及频率特性（了解）
开关特性、二级效应、温度特性（理解）
（九）金属半导体接触及异质结
（一十）
1.理想金属-半导体接触（理解）
2.金属-半导体接触的电流电压关系（理解）
3.异质结及基本特性（理解）
（一十一）其他常用半导体器件
（一十二）
光电二极管（了解）
发光二极管（了解）
半导体激光器（了解）
四、教学课时安排
1.半导体物理基础（授课学时6）
2.
3.PN结理论（授课学时8）
4.
5.双极型晶体管（授课学时12）
6.
7.场效应晶体管（授课学时12）
8.
9.金属半导体接触及异质结（授课学时6）
10.
11.其他常用半导体器件（授课学时4）
12.
五、课内实验
无
六、教材与参考资料
[1]傅兴华、丁召、陈军宁、杨健，半导体器件原理简明教程，科学出版社
[2]
[3]刘恩科，半导体物理学，国防工业出版社
金属-半导体整流接触和欧姆接触（理解）
（五）双极型晶体管
（六）
BJT的基本结构、工艺和杂质分布（理解）
电流放大原理（理解）
电流-电压方程及特性曲线（理解）
晶体管反向特性与击穿特性（理解）
基区运输系数与频率关系、电流放大系数与频率关系、交流小信号电流-电压方程、功率增益和最高振荡频率（了解）
大注入效应、基区扩展效应、电流集边效应（了解）
[4]
[5]刘树林、张华曹、柴常春，半导体器件物理，电子工业出版社，25
[6]
[7]Robert F. Pierret著，黄如等译，半导体器件基础，电子工业出版社，24
[8]
[9]R. M. Warner，B. L. Grung著，吕长志等译，半导体器件电子学，电子工业出版社，25
[10]
七、其它说明（可选）
三、课程内容及教学要求Βιβλιοθήκη （一）半导体物理基础（二）
半导体晶体结构和缺陷（了解）
半导体能带理论（理解）
半导体中的载流子及输运现象（理解）
半导体表面（了解）
（三）PN结理论
（四）
平衡PN结（理解）
PN结的直流特性及二极管定律（掌握）
空间电荷区的电场和宽度（理解）
PN结的击穿特性（理解）
电容效应（理解）
开关特性（理解）