实验2 存储器设计与仿真
存储器实验
一、实验目的[1]理解计算机存储子系统的工作原理。
[2]掌握静态随机存储器RAM的工作特性和读写方法。
二、实验内容本实验旨在通过搭建静态随机存储器电路,使用M6116芯片,并结合74LS245和74LS373等器件,实现对存储器的读写操作。
具体实验内容包括存储器的基本读写操作和扩展实验要求的IO内存统一和独立编址增加4K的IO地址。
三、实验原理芯片介绍:•74LS245:8位双向缓冲传输门,用于连接数据总线和存储器地址输入。
•74LS373:8位透明锁存器,用于存储地址信息。
•M6116:2K*8位静态随机存储器,具有片选、读使能和写使能等控制线。
操作原理:•写操作:通过设定地址和数据,控制M6116的写使能和数据输入,将数据写入指定存储单元。
•读操作:设置地址并启用读使能,从M6116读取存储单元的数据,并通过数据总线输出。
四、实验步骤及结果(附数据和图表等)1. 基本实验步骤1.电路搭建:o根据图3.4搭建实验电路,连接M6116、74LS245、74LS373等器件。
o设置好数据开关(SW7-SW0)、数码管显示和总线连接。
2.预设置:o将74LS373的OE(——)置0,保证数据锁存器处于工作状态。
o设置M6116的CE(——)=0,使其处于选中状态。
o关闭74LS245(U1),确保数据总线不受影响。
3.电源开启:o打开实验电源,确保电路供电正常。
4.存储器写操作:o依次向01H、02H、03H、04H、05H存储单元写入数据。
o以01H为例:▪设置SW7~SW0为00000001,打开74LS245(U1),将地址送入总线。
▪将74LS373的LE置1,将地址存入AR,并观察地址数码管。
▪将LE置0,锁存地址到M6116的地址输入端。
▪设置数据开关为要写入的数据,打开74LS245(U4),将数据送入总线。
▪将M6116的WE(——)由1转为0,完成数据写入操作。
▪关闭74LS245(U4)。
存储器扩展仿真实验报告
一、实验目的1. 理解存储器扩展的基本原理和方法。
2. 掌握位扩展和字扩展的技巧。
3. 利用仿真软件实现存储器扩展,并验证其功能。
二、实验环境1. 仿真软件:Logisim2. 硬件设备:电脑三、实验原理1. 存储器扩展的基本原理存储器扩展是指将多个存储器芯片组合在一起,以实现更大的存储容量或更高的数据位宽。
存储器扩展主要有两种方式:位扩展和字扩展。
(1)位扩展:当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时,可以通过位扩展方式解决。
位扩展时,将所有存储芯片的地址线、读写控制线并联后与CPU的地址线和读写控制线连接,各存储芯片的数据总线汇聚成更高位宽的数据总线与CPU的数据总线相连。
(2)字扩展:当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时,可以通过字扩展方式来扩展存储器。
字扩展时,将所有存储芯片的数据总线、读写控制线各自并联后与CPU数据总线、读写控制线相连,各存储芯片的片选信号由CPU高位多余的地址线译码产生。
2. 存储器扩展的方法(1)位扩展:选择合适的存储芯片,将多个存储芯片的数据总线并联,连接到CPU的数据总线上。
(2)字扩展:选择合适的存储芯片,将多个存储芯片的数据总线、读写控制线分别并联,连接到CPU的数据总线和读写控制线上。
同时,使用译码器产生片选信号,连接到各个存储芯片的片选端。
四、实验步骤1. 创建一个新的Logisim项目。
2. 在项目中添加以下模块:(1)存储芯片模块:选择合适的存储芯片,如RAM或ROM。
(2)译码器模块:根据存储芯片的数量和地址线的位数,选择合适的译码器。
(3)数据总线模块:根据位扩展或字扩展的要求,设置数据总线的位数。
(4)地址线模块:根据存储芯片的数量和地址线的位数,设置地址线的位数。
3. 连接各个模块:(1)将存储芯片的数据总线连接到数据总线模块。
(2)将存储芯片的地址线连接到地址线模块。
(3)将译码器的输出连接到各个存储芯片的片选端。
(4)将存储芯片的读写控制线连接到CPU的读写控制线上。
储存器实验
HUNAN UNIVERSITY实验报告题目:储存器实验学生姓名姚小涛学生学号20090820632专业班级通信六班指导老师刘峰完成日期2011年10月26日实验二储存器实验基本知识点1、随机储存器RAM的工作特性及使用方法。
2、RAM数据存储和读取的工作原理。
3、LPM存储类元件定制。
实验设备1、PC机一台2、自制数字系统试验箱3、Quartusll配套软件实验概述计算机的存储器是各种二进制信息的记忆装置。
计算机中的内存是计算机不可缺少的主要功能部件,用来存放计算机正在执行或将要执行的程序和数据信息。
预习报告1.Lpm-ram-io参数设置中的Lmp-numwords、Lpm-width、Lpm-widthad分别代表什么含义?如何设置?答:Lmp-numwords为存储单元的数目。
Lpm-width为数据宽度、Lpm-widthad地址总线宽度。
以上数据可在symbol properties中设置。
2.Lpm-ram-io参数设置中的lpm-file含义是什么?如何编写此类文件?答:Lpm-ram-io参数设置中的lpm-file含义是ram里面的数据。
File---new---memory initialization file(.mif)文件。
3.1024*8bit的RAM应有几根地址线?存储单元为4bit的RAM其存储容量为?答:这个RAM有10根地址线,存储单元为4bit的RAM其存储容量为4Kb(容量计算方法为地址的字*数据的位)4.如何将2片512*4bit的RAM构成容量为512*8bit的存储体?画出简单电路图?答:5.如何将2片512*4bit的RAM构成容量为1024*4bit的存储体?画出简单电路图??答:6.地址寄存器的数据源一般是哪些器件?答:地址寄存器的数据源一般是存储器和I/O。
7.如何修改电路使其能连续独处存入连续地址单元中存放的数据?答:将程序文件exp_pc_ar.hdl第十八行中pc直接赋值给ar。
存储器系统设计实验
实验报告实验人:赵汝鹏学号: 09381052 日期: 2010.11.08 院(系):计算机系专业(班级):网络工程实验题目:存储器系统设计实验一. 实验目的1.了解存储器的组成结构,原理和读写控制方法2.了解主存储器工作过程中各信号的时序关系3.了解挂总线的逻辑器件的特征4.了解和掌握总线传送的逻辑实现方法二. 实验原理1.基本操作:读写操作读操作是从指定的存储单元读取信息的过程;写操作是将信息写入存储器指定的存储单元的过程2.读写操作过程首先要由地址总线给出地址信号,选择要进行读写操作的存储单元,然后,做写操作时,先从数据总线输入要存储在该单元的数据,通过控制总线发出相应的写使能和写控制信号,这时,数据保存在该单元中;做读操作时,只要通过总线发出相应的读控制信号。
该数据就出现在总线上了3. 总线传送计算机的工作过程,实际上也就是信息的传送和处理过程,而信息的传送在计算机里面频度极高,采用总线传送必不可少,它可减少传输线路、节省器件、提高传送能力和可靠性。
总线传送器件中大量使用的是三态门。
三态门(ST门)主要用在应用于多个门输出共享数据总线,为避免多个门输出同时占用数据总线,这些门的使能信号(EN)中只允许有一个为有效电平(如低电平),由于三态门的输出是推拉式的低阻输出,且不需接上拉(负载)电阻,所以开关速度比OC门快,常用三态门作为输出缓冲器。
其中74LS244是专用做挂总线用的三态门器件之一。
原理结构图:4.LPM_RAM_DQ介绍LPM_RAM_DQ是一个参数化RAM,有独立的输入和输出端口此外,需设置的相关参数为:LPM_WIDTH=8,LPM_WIDTHAD=8,LPM_NUMWORDS=256,INCLOCK=”Used”, OUTCLOCK=”Used”,LMP_OUTDATA=”REGISTERED”, LMP_INDATA=”REGISTERED”LPM_ADDRESS_CONTROL=”UN REGISTERED”三. 实验内容设计一个存储容量为256X8位可读写的存储器,规定:·CP-MAR(地址寄存器)为接受地址的控制信号,IN-DATA、OUT-DATA、为三态八缓冲器控制信号,其中IN-DATA控制数据是否输入到总线上,OUT-DATA控制数据是否输出到总线上;·RD为读RAM信号,WR为写RAM信号,WR-E为写使能信号。
计算机组成原理实验报告_存储系统设计实验
实验四存储系统设计实验一、实验目的本实训项目帮助大家理解计算机中重要部件—存储器,要求同学们掌握存储扩展的基本方法,能设计MIPS 寄存器堆、MIPS RAM 存储器。
能够利用所学习的cache 的基本原理设计直接相联、全相联,组相联映射的硬件cache。
二、实验原理、内容与步骤实验原理、实验内容参考:1、汉字字库存储芯片扩展设计实验1)设计原理该实验本质上是8个16K×32b 的ROM 存储系统。
现在需要把其中一个(1 号)16K×32b 的ROM 芯片用4个4K×32b 的芯片来替代,实际上就是存储器的字扩展问题。
a) 需要4 片4个4K×32b 芯片才可以扩展成16K×32b 的芯片。
b) 目标芯片16K个地址,地址线共14 条,备用芯片12 条地址线,高两位(分线器分开)用作片选,可以接到2-4 译码器的输入端。
c) 低12 位地址直接连4K×32b 的ROM 芯片的地址线。
4个芯片的32 位输出直接连到D1,因为同时只有一个芯片工作,因此不会冲突。
芯片内数据如何分配:a) 16K×32b 的ROM 的内部各自存储16K个地址,每个地址里存放4个字节数据。
地址范围都一样:0x0000~0x3FFF。
b) 4个4K×32b 的ROM,地址范围分别是也都一样:0x000~0xFFF,每个共有4K个地址,现在需要把16K×32b 的ROM 中的数据按照顺序每4个为一组分为三组,分别放到4个4K×32b 的ROM 中去。
HZK16_1 .txt 中的1~4096个数据放到0 号4K 的ROM 中,4097~8192 个数据放到 1 号4K 的ROM 中,8193~12288 个数据放到2 号4K 的ROM 中,12289~16384个数据放到3 号4K 的ROM 中。
c) 注意实际给的16K 数据,倒数第二个4K(8193~12288 个数据)中部分是0,最后4K(12289~16384 数据)全都是0。
模拟储存技术实验报告
一、实验目的1. 了解模拟存储技术的概念和原理;2. 掌握模拟存储器的基本结构和功能;3. 通过实验验证模拟存储技术的性能特点;4. 分析模拟存储技术在现代计算机系统中的应用。
二、实验环境1. 实验平台:PC机2. 实验软件:C++ Builder3. 实验工具:Visual Studio三、实验原理模拟存储技术是一种在计算机系统中实现存储器虚拟化的技术。
通过模拟存储器,计算机可以实现对物理存储器的高效管理和利用。
模拟存储技术主要包括以下几种:1. 虚拟存储器:通过将物理内存和硬盘存储空间结合起来,实现大容量内存的模拟;2. 页面置换算法:根据页面访问的频率和顺序,选择合适的页面进行置换,以提高内存利用率;3. 快速缓存:通过将频繁访问的数据存储在快速缓存中,减少对物理内存的访问次数。
四、实验内容1. 模拟存储器的基本结构设计(1)设计模拟存储器的基本结构,包括物理内存、硬盘存储空间、虚拟内存和页面置换算法等模块;(2)实现模拟存储器的初始化、数据读写、页面置换等功能。
2. 页面置换算法的实现(1)实现三种页面置换算法:FIFO、LRU和OPT;(2)对每种算法进行性能分析,包括缺页率和页面命中率等指标。
3. 快速缓存的设计与实现(1)设计快速缓存的结构,包括缓存大小、替换策略等;(2)实现快速缓存的数据读写、替换等功能。
4. 模拟存储技术的应用实例(1)模拟一个简单的计算机系统,包括CPU、内存、硬盘等模块;(2)在计算机系统中应用模拟存储技术,实现虚拟内存和快速缓存等功能;(3)通过实验验证模拟存储技术在计算机系统中的应用效果。
五、实验步骤1. 设计模拟存储器的基本结构,实现初始化、数据读写、页面置换等功能;2. 实现三种页面置换算法:FIFO、LRU和OPT,并分析其性能;3. 设计快速缓存的结构,实现数据读写、替换等功能;4. 模拟一个简单的计算机系统,应用模拟存储技术,实现虚拟内存和快速缓存等功能;5. 对实验结果进行分析,总结模拟存储技术的性能特点和应用效果。
储存器实验报告
一、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类。
2. 掌握储存器的读写原理和操作方法。
3. 学会使用常用储存器芯片,如RAM、ROM等。
4. 熟悉储存器的扩展方法,如字扩展、位扩展等。
二、实验仪器与设备1. 实验台2. 信号发生器3. 数字示波器4. 静态随机存储器(RAM)芯片5. 只读存储器(ROM)芯片6. 译码器7. 74LS系列集成电路芯片8. 连接线三、实验原理1. 储存器的基本概念:储存器是计算机系统中用于存放数据和指令的设备,分为内存储器和外存储器。
内存储器包括RAM和ROM,外存储器包括硬盘、光盘等。
2. 储存器的读写原理:储存器的读写操作主要依靠控制电路来实现。
控制电路根据地址信号选择相应的存储单元,并根据读写信号决定是读取数据还是写入数据。
3. 常用储存器芯片:(1)RAM:随机存取存储器,具有读写速度快、存储容量大、价格低等特点。
RAM 分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两种类型。
(2)ROM:只读存储器,只能读取数据,不能写入数据。
ROM分为掩模ROM、可编程ROM(PROM)、可擦写可编程ROM(EPROM)和闪存(Flash)等类型。
四、实验步骤1. 储存器读写原理实验:(1)搭建实验电路,包括RAM芯片、地址译码器、控制电路等。
(2)使用信号发生器产生地址信号、读写信号和控制信号。
(3)观察数字示波器上的波形,分析读写操作过程。
2. 储存器扩展实验:(1)字扩展:使用多个RAM芯片扩展存储容量。
将多个RAM芯片的地址线和控制线连接在一起,数据线分别连接。
(2)位扩展:使用译码器将地址信号转换为片选信号,控制多个RAM芯片的读写操作。
将译码器的输出端连接到RAM芯片的片选端,地址信号连接到译码器的输入端。
3. 基于AT89C51的RAM扩展实验:(1)搭建实验电路,包括AT89C51单片机、RAM芯片、译码器等。
(2)编写程序,设置RAM芯片的地址、读写信号和控制信号。
存储器模块的构建及仿真实验原理
存储器模块的构建及仿真实验原理存储器模块是计算机系统中非常重要的组成部分,它用于存储和检索数据。
存储器模块的构建和仿真实验原理涉及到多个方面,包括硬件设计、逻辑电路、信号处理等内容。
首先,存储器模块的构建涉及到选择合适的存储介质,常见的存储介质包括静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)。
这些存储介质具有不同的特性和工作原理,需要根据实际需求进行选择。
在构建存储器模块时,需要考虑存储器的容量、速度、功耗等因素,同时还需要考虑如何与计算机系统的其他部件进行接口和通信。
其次,存储器模块的构建还涉及到逻辑电路的设计。
存储器模块通常由大量的存储单元组成,这些存储单元需要按照一定的结构进行组织和管理。
在构建存储器模块时,需要设计合适的地址译码器、数据选择器、写入控制电路等逻辑电路,以实现对存储器的地址译码、数据读写等操作。
此外,存储器模块的构建还需要考虑信号处理的问题。
存储器模块与计算机系统的其他部件之间需要进行数据和控制信号的交互,因此需要设计合适的信号处理电路和协议。
在存储器模块的构建过程中,需要考虑如何实现数据的稳定存储和可靠读写,以及如何处理存储器访问的并发和冲突等问题。
在进行存储器模块的仿真实验时,通常会使用计算机辅助设计(CAD)工具进行建模和仿真。
通过CAD工具,可以对存储器模块进行逻辑仿真、时序仿真、功能仿真等多方面的验证,以确保存储器模块的设计符合预期的要求。
在仿真实验中,需要考虑存储器模块的读写时序、数据稳定性、功耗等方面的性能指标,以及存储器模块与计算机系统其他部件的接口和协议是否符合要求。
综上所述,存储器模块的构建及仿真实验原理涉及到硬件设计、逻辑电路、信号处理等多个方面,需要综合考虑存储介质选择、逻辑电路设计、信号处理和仿真验证等内容。
通过细致的设计和仿真实验,可以确保存储器模块在计算机系统中的稳定性和可靠性。
实验二 RAM扩展实验
实验二RAM扩展实验(请在实验课前写好预习报告,预习报告日期必在做实验课之前,预习报告中应该出现跟实验1内容相关的原理,电路图(可简画),流程图(或是程序,有程序就必带注释))实验仪器:pc机,8086k微机原理实验箱实验目的:1.掌握存储器芯片的特性及与CPU的连接方法。
2.掌握访问连续存储空间的方法。
实验内容:(1必须在实验课前通过仿真实验完成,电路为EX2_1.DSN,程序为EX2_1.ASM)1.利用62256(32K×8bit)的静态SRAM芯片进行扩展,要求扩展的存储器容量为64KB,且要求和8086CPU相连接。
扩展后,利用此扩展的存储体进行读写访问,将内存0000H:4000H 地址开始的位置至0000H:4063H位置处依次写上0-99。
实验连线:提示:应该有哪三类线?实验流程图参考实验程序:assume cs:codecode segmentstart:mov ax,0000h ;设置DS的段地址值为0mov ds,axmov bx,4000H ;利用BX存放存储单元的偏移地址,从200H开始mov al,0 ;AL中为要写到存储单元中的数据。
初始值为1mov ds:[bx],al ;将1写入内存0000H:4000H地址处mov cx,100 ;设置循环次数为100次l1:mov ds:[bx],al ;循环体目的将AL中的值填入存储器inc bx ;偏移地址指针下移一个字节inc al ;待填充到存储单元的数据也自增1loop l1 ;根据CX的次数执行上面的循环体int 3 ;断点中断,目的是为了观察内存结果,用实验箱做实验时,不用这步code endsend start提示:如果仿真过程中把内存窗口关掉,可以按图中所示选择调试菜单中:即可出现思考问题:1)通过EX2_1.DSN仿真运行结果观察两块62256芯片写入的内容各有什么特点?为什么会产生这样的结果?2)停止运行,观察EX2_1.DSN仿真图,U7:62256芯片的片选段CE由那两个信号进行或运算获得?这两个信号都为哪种电平时才能选中这块U7:62256芯片。
存储器实验
电路连接图如下,电路增加的部分为寻址部分,由于内存大了,需要增加地址线数量,内存大于4K小于8K,所以要13根地址线。图中KEY2、LOADAR、MRW三开关的作用不变,图中M/IO开关用来分辨送来的地址是内存地址还是IO地址。在独立编址中要给出控制信号分辨地址类型。图中都用A11与A12(M/IO)产生片选。
图3 独立编址
内存地址:0x0000 0000~0x1111 1111,共256字节的内存,地址输入时使用A7~A0八根地址线。
IO地址:0x0000 0000 0000~0x1111 1111 1111,共4KB内存。
此时地址线A11~A0共12根,M/IO(A12)用作地址类型识别信号。 下表为A11与M/IO产生片选的对照表(独立编址方式):
如上图完成了要求,将保存在地址为0x0c的内存单元中的内容输出。 思考题:
可以利用高速缓冲机制,多体交叉,多通道的技术来提高效率。
五.结论
通过这次实验学习了解寄存器基本单元的结构,了解了计算机存储系统的基本结构,并利用6116完成了基本的读写内存系统操作。
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3.实现方法(含实现思路、程序流程图、实验电路图和源程序列表等)
基本要求实现步骤:
第一步:向373中输入地址(0x0c)并锁存。
第二步:输入“X”的ASCCII码(88 0x58)MRW拨到中间时保存。
第三步:关闭输入,输出保存在0x0c中的信息。
四.实验结果分析(含执行结果验证、输出显示信息、图形、调试过程中所遇的问题及处理方法等)
成绩:
计算机原理实验室实验报告课 程 计算机组成原理姓 名 :
专 业 :网络工程
实验二双端口存储器原理实验
实验二双端口存储器原理实验实验目的:1.了解双端口存储器的工作原理;2.了解双端口存储器的读写时序;3.掌握双端口存储器的控制方式。
实验器材:1.双端口RAM芯片;2.数字逻辑实验箱;3.示波器。
实验原理:双端口存储器是一种具有两个访问端口的存储器,其中一个端口用于读数据,另一个端口用于写数据。
两个端口可以同时进行读写操作,且可以独立操作,互不干扰。
双端口存储器广泛应用于多核处理器、高速路由器、交换机等领域,其性能优越,能提供更高的并行处理能力。
双端口存储器的读写时序如下:1.读操作时序:1)使能端CE1置低,选中读数据的端口;2)地址信号输入地址端口AD1;3)等待一段时间,取数据端口的读数据。
2.写操作时序:1)使能端CE2置低,选中写数据的端口;2)地址信号输入地址端口AD2;3)数据输入数据端口D;4)等待一段时间,完成写操作。
实验步骤:1.连接双端口RAM芯片到数字逻辑实验箱上,确保电路连接正确;2.连接示波器到仪表箱,用于监测信号波形;3.按照双端口存储器的读写时序,设置实验箱上的信号发生器;4.编写控制代码,控制实验箱上的信号发生器模拟读写操作;5.观察示波器上的波形,验证读写操作的正确性;6.分析实验结果,总结双端口存储器的工作原理和性能。
实验注意事项:1.操作实验箱时要小心谨慎,防止损坏实验箱和芯片;2.实验过程中需要观察示波器上的波形,确保信号发生器的设置正确;3.根据实验目的和步骤设定实验结果的收集和分析方式;4.实验后及时关闭实验箱和示波器,保持实验室整洁。
实验结果与分析:根据实验步骤设置好实验箱上的信号发生器,并编写相应的控制代码后,进行实验。
通过示波器监测到的信号波形可以验证读写操作的正确性。
实验结果的收集和分析主要包括以下内容:1.读操作时序的验证:通过示波器观察到CE1端信号在读操作开始时置低,地址信号AD1输入正确,数据端口读数据正确。
2.写操作时序的验证:通过示波器观察到CE2端信号在写操作开始时置低,地址信号AD2输入正确,数据端口D输入正确。
存储器实验报告实验结果
一、实验目的1. 了解存储器的概念、分类和工作原理;2. 掌握存储器扩展和配置方法;3. 熟悉存储器读写操作;4. 分析存储器性能,提高存储器使用效率。
二、实验环境1. 实验设备:计算机、存储器芯片、编程器、示波器等;2. 实验软件:Keil uVision、Proteus等。
三、实验内容1. 存储器芯片测试2. 存储器扩展实验3. 存储器读写操作实验4. 存储器性能分析四、实验结果与分析1. 存储器芯片测试(1)实验目的:测试存储器芯片的基本性能,包括存储容量、读写速度等。
(2)实验步骤:① 将存储器芯片插入编程器;② 编程器读取存储器芯片的容量、读写速度等信息;③ 利用示波器观察存储器芯片的读写波形。
(3)实验结果:存储器芯片的存储容量为64KB,读写速度为100ns。
2. 存储器扩展实验(1)实验目的:学习存储器扩展方法,提高存储器容量。
(2)实验步骤:① 将两块64KB的存储器芯片并联;② 利用译码器将存储器地址线扩展;③ 连接存储器芯片的读写控制线、数据线等。
(3)实验结果:存储器容量扩展至128KB,读写速度与原存储器芯片相同。
3. 存储器读写操作实验(1)实验目的:学习存储器读写操作,验证存储器功能。
(2)实验步骤:① 编写程序,实现存储器读写操作;② 将程序编译并烧录到存储器芯片;③ 利用示波器观察存储器读写波形。
(3)实验结果:存储器读写操作正常,读写波形符合预期。
4. 存储器性能分析(1)实验目的:分析存储器性能,优化存储器使用。
(2)实验步骤:① 分析存储器读写速度、容量、功耗等参数;② 比较不同存储器类型(如RAM、ROM、EEPROM)的性能;③ 提出优化存储器使用的方法。
(3)实验结果:① 存储器读写速度、容量、功耗等参数符合设计要求;② RAM、ROM、EEPROM等不同存储器类型具有各自的特点,可根据实际需求选择合适的存储器;③ 优化存储器使用方法:合理分配存储器空间,减少存储器读写次数,降低功耗。
实验静态存储器实验
实验二存储系统设计实验存储器是计算机各种信息存储与交换的中心。
在程序执行过程中,所要执行的指令是从存储器中获取,运算器所需要的操作数是通过程序中的访存指令从存储器中得到,运算结果在程序执行完之前又必须全部写到存储器中,各种输入输出设备也直接与存储器交换数据。
把程序和数据存储在存储器中,是冯·诺依曼型计算机的基本特征,也是计算机能够自动、连续快速工作的基础。
§1 静态存储器实验一、实验目的掌握静态存储器RAM的工作特性及数据的读写方法。
二、实验设备TDN-CM+教学系统一套,PC微机一台。
三、实验原理本实验中静态存储器采用6116(2KX8)芯片,其原理图如图3.3-1所示,数据线接至数据总线,地址线由地址寄存器(74LS273)给出。
地址灯基AD0-AD7与地址线相连,显示地址线内容。
数据开关经一个三态门(74LS245)连至数据总线,分时给出地址与数据。
因地址寄存器为8位,所以接入6116的地址为A7-A0,而高三位A8-A10接地,所以实际容量为256字节。
6116有三位控制线:CE、OE、WE。
当片选信号CE=0有效时,OE=0,WE=1为存储器写操作,OE=0,WE=0为存储器读操作,其读写时间与T3宽度一致。
图中SW-B是低电平有效,LDAR是高电平有效。
图3.3-1 存储器实验原理图四、实验步骤1.连接实验线路,连好检查无误后再接通电源。
2.写存储器:用手动开关控制的方法在存储器中写入几个数据。
操作流程如下:3.读存储器:用手动开关控制的方法读出刚才写入的数据。
操作流程如下:五、记录实验结果,完成实验报告。
实验二 3-5 3-6 存储器组成逻辑框图
南京信息工程大学实验(实习)报告实验(实习)名称存储器组成逻辑框图实验日期 2012.12.13 指导教师林美华专业计算机科学与技术年级 2010 班次 1 班姓名孙小荣学号 20102308032 得分一、实验目的1) 理解位扩展法和字扩展法;2)学会设计存储器组成逻辑框图。
二、实验题目见教材P104页的习题3-5、3-6【问题描述】1、已知某16位机主存采用半导体存储器,其地址码为20位,若使用16K*8位的SRAM 组成该机所允许的最大主存空间,并选用模块板结构模式,问:1)若每个模块板位128K*16,共需几个模块板?2)每个模块板内共有多少SRAM芯片?3)主存共需要多少SRAM芯片?CPU如何选择各模块板?4)画出该存储器的组成逻辑框图。
2、有一个16K*16位的存储器,由1K*4位的DRAM芯片构成(芯片内部是64K*64结构)。
问:1)总共需要多少DRAM芯片?2)设计此存储器组成框图(要考虑刷新电路部分)。
3)若采用异步刷新方式,且刷新间隔不超过2ms,则刷新信号周期是多少?4)若采用集中刷新方式,存储器刷新一遍最少用多少读/写周期?设读/写周期T=0.1μs,那么死时间率是多少?三、实验内容第一题1)(220×16)/(217×16)=23=82)(128k×16)/(16k×8)=8×2=163)16×8=128 ,CPU通过译码与片选方式选择模块板。
D0……D15第二题(1)芯片1K×4位,片内地址线10位(A9--A0 ),数据线4位。
芯片总数为: (16K×16)/(1K×4)=16×4=64片(2)存储器容量为16K,故地址线总数为14位(A13─A0),其中A13A12A11A10通过4:16译码器产生片选信号CS0─CS15。
存储器组成框图见下:(3)刷新信号周期为:2ms/64=31.3us。
存储器设计实验报告
实验一:存储器设计一、实验目的:1、掌握随机存储器RAM 的工作特性及使用方法;的工作特性及使用方法;2、掌握半导体存储器存储和读写数据的工作原理。
、掌握半导体存储器存储和读写数据的工作原理。
二、实验电路及其原理:二、实验电路及其原理:1.实验电路图.实验电路图2、设计原理、设计原理存储器就是选择RAM 地址,并对其操作存入数据,在需要时对其读取,并把数据输出到数据总线。
实验思路大致为:并把数据输出到数据总线。
实验思路大致为: ①第一个74273用来接收数据存放在RAM 里的地址,即A0A0……7。
当CPMAR 有效时数据进入芯片。
有效时数据进入芯片。
②当WE=1,RD=0时,RAM 进行写操作,接收存储在74273里的数传到地址端口,同时接收从B0B0……7输入的数据传到数据端口,把数据写到相应RAM 里。
③当WE=0。
RD=1时,RAM 进行读操作,把对应存储单元的数据传到第二个74273,通过74273传到74244芯片输出。
芯片输出。
三、实验步骤三、实验步骤1、根据实验原理在maxplus 下连接电路图,对其进行编译。
下连接电路图,对其进行编译。
2、根据实验原理设计各个输入端的波形图,对其进行仿真模拟获得输出数据,仿真波形如下图。
仿真波形如下图。
四、仿真图四、仿真图说明:RAM 在WRE=1时才工作,为方便起见WRE 置为1;74244在RAM_BUS=0时工作,为方便起见RAM_BUS 置为0。
因CPMOR 为一个周期变换一次,为了不浪费存储空间,A0为两倍的周期变换,A1为四周期变换,以此类推。
存储的数据从11H 起依次增加。
起依次增加。
五、实验总结五、实验总结通过本次实验熟练掌握MAX+PLUS 软件,并运用该软件设计存储器,了解了存储器的结构设计和工作原理,并在理解的基础上自己设计了一个简单的存储器。
在之后的波形仿真图模拟时,发现自己不能很好控制各个芯片的片选信号,不知道如何使各个芯片在合适的时间工作,在经过仔细分析后,设置了上图的波形图,保证每个存储单元都可以存到数,保证每个存储单元都可以存到数,没有刚开始的浪费现象,没有刚开始的浪费现象,没有刚开始的浪费现象,数据在各个数数据在各个数据线之间的传输也正常,存储器的数据输出为两个周期输出一次(这是因为WR 、RD 为一个周期变换一次,在两个周期后才会读有效)。
存储器实验报告
1. 了解存储器的分类、组成和工作原理;2. 掌握静态随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)的基本操作;3. 熟悉存储器扩展技术,提高计算机系统的存储容量;4. 培养动手实践能力和分析问题、解决问题的能力。
二、实验原理1. 存储器分类:存储器分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种类型。
RAM用于存储程序和数据,具有读写速度快、易失性等特点;ROM用于存储程序和固定数据,具有非易失性、读速度快、写速度慢等特点。
2. RAM工作原理:RAM主要由存储单元、地址译码器、数据输入输出电路和控制电路组成。
存储单元由MOS晶体管构成,用于存储信息;地址译码器将地址信号转换为对应的存储单元地址;数据输入输出电路负责数据的读写;控制电路控制读写操作。
3. ROM工作原理:ROM主要由存储单元、地址译码器、数据输入输出电路和控制电路组成。
与RAM类似,ROM的存储单元由MOS晶体管构成,用于存储信息;地址译码器将地址信号转换为对应的存储单元地址;数据输入输出电路负责数据的读写;控制电路控制读写操作。
4. 存储器扩展技术:通过增加存储器芯片,提高计算机系统的存储容量。
常用的扩展技术有位扩展、字扩展和行列扩展。
三、实验仪器与设备1. 电脑一台;2. Proteus仿真软件;3. AT89C51单片机实验板;4. SRAM 6116芯片;5. 译码器74HC138;6. 排线、连接线等。
1. 将AT89C51单片机实验板与电脑连接,并启动Proteus仿真软件。
2. 在Proteus中搭建实验电路,包括AT89C51单片机、SRAM 6116芯片、译码器74HC138等。
3. 编写实验程序,实现以下功能:(1)初始化AT89C51单片机;(2)编写SRAM 6116芯片读写程序,实现数据的读写操作;(3)编写译码器74HC138控制程序,实现存储器地址译码。
4. 运行仿真程序,观察实验结果。
五、实验数据记录与分析1. 实验数据记录:(1)位扩展实验:使用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机RAM存储器(2KB),选择8个连续的存储单元的地址,分别存入不同内容,进行单个存储器单元的读/写操作。
Proteus仿真I2C存储器实验
Proteus仿真I2C存储器实验一、实验目的1、了解I2C总线的工作原理2、掌握I2C总线驱动程序的设计和调试方法3、掌握I2C总线存储器的读写方法二、实验说明1、I2C总线常识I2C总线上的每个器件均由一个存储于该器件中的唯一地址来识别,并可被用作一个发送器或接收器(视其功能而定)。
AT24C02是一个2K位串行EEPROM,内部含有256个8位字节,AT24C02有一个8字节页写缓冲器,该器件通过I2C总线接口进行操作。
引脚名称和功能如图1所示。
图1 24系例I2C存储器引脚说明通过器件地址输入端A0、A1和A2可以实现将最多8个24C02器件连接到总线上。
2、I2C总线协议(1)只有在总线空闲时才允许启动数据传送。
(2)在数据传送过程中,当时钟线为高电平时,数据线必须保持稳定状态,不允许有跳变。
时钟线为高电平时,数据线的任何电平变化将被看作总线的起始或停止信号。
(3)起始信号,时钟线保持高电平期间,数据线电平从高到低的跳变作为I2C总线的起始信号。
(4)停止信号,时钟线保持高电平期间,数据线电平从低到高的跳变作为I2C 总线的停止信号。
I2C 总线时序:3、页写操作的数据帧结构根据页缓冲区的大小,页写的字节数不能超过缓冲区大小。
如果在发送停止信号之前主器件发送超过缓冲区大小,地址计数器将自动翻转,先前写入的数据被覆盖。
如图2所示。
图2页写操作数据帧结构三、实验内容先搭建一个“I2C存储器实验”的仿真电路,该单片机系统功能是采用页写的方式,把器件地址为A0H的24C02器件的片内50H地址开始的8个存储单元分别写入数据“00、11、22、、、、、、77”。
四、.参考硬件电路五、参考汇编程序SDA EQU P3.5 ;定义24c02的串行数据线SCL EQU P3.4 ;定义24c02的串行时钟线SNUM EQU 40HSLAW EQU 41HORG 0000HAJMP MAINORG 0040HMAIN:MOV SP,#5FHLCALL LDATAMOV SLAW,#0A0H ;24c02的器件地址MOV SNUM,#9 ;要发送9个字节数据MOV R1,#30H ;数据缓冲区的首地址CALL WRNB ;调用发送n个字节的子程序SJMP $LDATA:MOV R0,#30H ;片内ram的地址:30H 31H 32H 33H 34H 35H…..MOV @R0,#50H ;存放的数据:50H 00H 11H 22H 33H 44H……INC R0MOV @R0,#00HINC R0MOV @R0,#11HINC R0MOV @R0,#22HINC R0MOV @R0,#33HINC R0MOV @R0,#44HINC R0MOV @R0,#55HINC R0MOV @R0,#66HINC R0MOV @R0,#77HRET;起始信号STA:SETB SDASETB SCLNOPCLR SDANOPNOPCLR SCLRET;终止信号STP:CLR SDASETB SCLNOPNOPSETB SDANOPNOPCLR SDACLR SCLRET;发应答位"0" ASK:CLR SDASETB SCLNOPNOPCLR SCLSETB SDARET;发非应答位"1" NAS:SETB SDASETB SCLNOPCLR SCLCLR SDARET;应答位检查,正常应答时F0标志为0,否则F0为1 ASKC:SETB SDASETB SCLCLR F0MOV C,SDAJNC CEND ;应答位为1,不置位F0SETB F0CEND: CLR SCLRET;发送到24c02一个字节,预发送的数据存于A中WRB:MOV R0,#08HLOOP0:RLC AMOV SDA,CNOPNOPSETB SCLNOPNOPNOPNOPCLR SCLDJNZ R0,LOOP0RET;--------------------------------*;*函数名称:WRNB *;*功能描述:对E2PROM指定的页写入SNUM个字节的数据* ;*调用函数:STA WRB ASKC STP *;*入口条件:SLAW--I2C器件写地址*;* R1-片内RAM发送数据缓冲区的首地址* ;--------------------------------*WRNB:LCALL STAMOV A,SLAWLCALL WRB ;写器件的写地址LCALL ASKCJB F0, WRNBWLP: ;向E2PROM写入SNUM个字节的数据MOV A,@R1LCALL WRBLCALL ASKCJB F0, WRNBINC R1DJNZ SNUM, WLPLCALL STPRETEND六、思考练习题1、请说说I2C总线的优点有哪些?2、编写程序,将自己学号写入24C02地址为30H开始的存储单元。
实验二 双端口存储器原理实验
实验二双端口存储器原理实验一、实验目的(1)了解双端口静态随机存储器IDT7132的工作特性及使用方法。
(2)了解半导体存储器怎样存储和读出数据。
(3)了解双端口存储器怎样并行读写,产生冲突的情况如何。
二、实验电路图7 双端口存储器实验电路图图7示出了双端口存储器的实验电路图。
这里使用了一片IDT7132(U36)(2048×8位),两个端口的地址输入A8—A10引脚接地,因此实际使用存储容量为256字节。
左端口的数据部分连接数据总线DBUS7—DBUS0,右端口的数据部分连接指令总线INS7—INS0。
一片GAL22V10(U37)作为左端口的地址寄存器(AR1),内部具有地址递增的功能。
两片4位的74HC298(U28、U27)作为右端口的地址寄存器(AR2H、AR2L),带有选择输入地址源的功能。
使用两组发光二极管指示灯显示地址和数据:通过开关IR/DBUS 切换显示数据总线DBUS和指令寄存器IR的数据,通过开关AR1/AR2切换显示左右两个端口的存储地址。
写入数据由实验台操作板上的二进制开关SW0—SW7设置,并经过SW_BUS三态门74HC244(U38)发送到数据总线DBUS上。
指令总线INS的指令代码输出到指令寄存器IR(U20),这是一片74HC374。
存储器IDT7132有6个控制引脚:CEL#、LRW、OEL#、CER#、RRW、OER#。
CEL#、LRW、OEL#控制左端口读、写操作,CER#、RRW、OER#控制右端口读、写操作。
CEL#为左端口选择引脚,低有效。
当CEL# =1时,禁止左端口读、写操作;当CEL# =0 时,允许左端口读、写操作。
当LRW为高时,左端口进行读操作;当LRW为低时,左端口进行写操作。
当OEL#为低时,将左端口读出的数据放到数据总线DBUS上;当OEL#为高时,禁止左端口读出的数据放到数据总线DBUS上。
CER#、RRW、OER#控制右端口读、写操作的方式与CEL#、LRW、OER#控制左端口读、写操作的方式类似,不过右端口读出的数据放到指令总线上而不是数据总线上。
存储器读写仿真课程设计
存储器读写仿真课程设计一、课程目标知识目标:1. 学生能理解存储器读写的基本原理,掌握存储器仿真操作的基本步骤;2. 学生能描述不同类型存储器的特点及其在计算机系统中的作用;3. 学生能了解存储器地址和数据线的连接方式,解释其工作原理。
技能目标:1. 学生能运用存储器仿真软件进行读写操作,完成特定程序的存储与执行;2. 学生能通过仿真实验分析存储器性能,解决简单故障问题;3. 学生能设计简单的存储器扩展方案,提高系统存储容量。
情感态度价值观目标:1. 学生培养对计算机硬件的兴趣,增强对存储器技术发展的关注;2. 学生培养团队协作精神,提高沟通与表达能力,善于分享与交流;3. 学生认识到存储器技术在国家信息化建设中的重要性,增强科技创新意识。
课程性质:本课程为信息技术学科选修课程,以实践操作为主,理论讲解为辅。
学生特点:学生为八年级学生,具备一定的计算机操作基础,对硬件知识有一定了解,对实践操作充满兴趣。
教学要求:结合学生特点,注重理论与实践相结合,提高学生的动手操作能力和问题解决能力。
通过本课程学习,使学生在掌握存储器读写仿真技术的基础上,培养其信息技术素养和创新精神。
二、教学内容1. 存储器基本概念:存储器的作用、类型、存储单元和地址;2. 存储器工作原理:读写过程、存储器芯片结构、地址译码器;3. 存储器分类及特点:RAM、ROM、EEPROM、闪存等;4. 存储器仿真软件介绍:软件功能、操作界面、使用方法;5. 存储器读写操作:仿真软件操作步骤、数据写入与读取、编程实现;6. 存储器扩展技术:存储器容量扩展、地址线与数据线连接;7. 存储器性能分析:读取时间、写入时间、功耗等;8. 故障分析与解决方案:常见故障现象、原因及解决方法;9. 实践项目:设计存储器读写程序,进行存储器扩展实验。
教学内容安排与进度:第一课时:存储器基本概念与工作原理;第二课时:存储器分类及特点、仿真软件介绍;第三课时:存储器读写操作;第四课时:存储器扩展技术;第五课时:存储器性能分析;第六课时:故障分析与解决方案;第七课时:实践项目设计与实施。
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预做实验报告2 存储器设计与仿真一、实验目的理解并掌握寄存器堆的基本电路结构及其设计方法,学会使用Verilog HDL 对电路进行行为建模、结构建模以及仿真测试。
二、实验内容利用Verilog HDL 设计一个寄存器堆模型,并进行仿真测试。
要求该寄存器堆具有32个32位的寄存器,并具有2个读端口和1个写端口。
要求采用层次化的建模方法,即先搭建低层模块,然后再逐级搭建高层模块。
三、实验环境PC 机1台、Modelsim 仿真软件1套。
四、实验步骤 1、电路结构设计 寄存器堆外框图:寄存器堆内部结构图:N1<4:0>N2<4:0> WE CLK2、建立Verilog模型module registerfile(Q1,Q2,DI,clk,reset,writeen,AD,A1,A2);output[31:0] Q1,Q2;input[31:0] DI;input clk,reset,writeen;input[4:0] AD,A1,A2;wire[31:0] decoderout;wire[31:0] regen;wire[31:0]q0,q1,q2,q3,q4,q5,q6,q7,q8,q9,q10,q11,q12,q13,q14,q15,q16,q17,q18,q19,q20,q21,q22,q23,q24,q25,q26,q27,q28,q29,q30,q31; decoder dec0(decoderout,AD);assign regen[0]=decoderout[0] & writeen;assign regen[1]=decoderout[1] & writeen;assign regen[2]=decoderout[2] & writeen;assign regen[3]=decoderout[3] & writeen;assign regen[4]=decoderout[4] & writeen;assign regen[5]=decoderout[5] & writeen;assign regen[6]=decoderout[6] & writeen;assign regen[7]=decoderout[7] & writeen;assign regen[8]=decoderout[8] & writeen;assign regen[9]=decoderout[9] & writeen;assign regen[10]=decoderout[10] & writeen;assign regen[11]=decoderout[11] & writeen;assign regen[12]=decoderout[12] & writeen;assign regen[13]=decoderout[13] & writeen;assign regen[14]=decoderout[14] & writeen;assign regen[15]=decoderout[15] & writeen;assign regen[16]=decoderout[16] & writeen;assign regen[17]=decoderout[17] & writeen;assign regen[18]=decoderout[18] & writeen; assign regen[19]=decoderout[19] & writeen; assign regen[20]=decoderout[20] & writeen; assign regen[21]=decoderout[21] & writeen; assign regen[22]=decoderout[22] & writeen; assign regen[23]=decoderout[23] & writeen; assign regen[24]=decoderout[24] & writeen; assign regen[25]=decoderout[25] & writeen; assign regen[26]=decoderout[26] & writeen; assign regen[27]=decoderout[27] & writeen; assign regen[28]=decoderout[28] & writeen; assign regen[29]=decoderout[29] & writeen; assign regen[30]=decoderout[30] & writeen; assign regen[31]=decoderout[31] & writeen;register reg0(q0,DI,clk,reset,regen[0]); register reg1(q1,DI,clk,reset,regen[1]); register reg2(q2,DI,clk,reset,regen[2]); register reg3(q3,DI,clk,reset,regen[3]); register reg4(q4,DI,clk,reset,regen[4]); register reg5(q5,DI,clk,reset,regen[5]); register reg6(q6,DI,clk,reset,regen[6]);register reg7(q7,DI,clk,reset,regen[7]); register reg8(q8,DI,clk,reset,regen[8]); register reg9(q9,DI,clk,reset,regen[9]); register reg10(q10,DI,clk,reset,regen[10]); register reg11(q11,DI,clk,reset,regen[11]); register reg12(q12,DI,clk,reset,regen[12]); register reg13(q13,DI,clk,reset,regen[13]); register reg14(q14,DI,clk,reset,regen[14]); register reg15(q15,DI,clk,reset,regen[15]); register reg16(q16,DI,clk,reset,regen[16]); register reg17(q17,DI,clk,reset,regen[17]); register reg18(q18,DI,clk,reset,regen[18]); register reg19(q19,DI,clk,reset,regen[19]); register reg20(q20,DI,clk,reset,regen[20]); register reg21(q21,DI,clk,reset,regen[21]); register reg22(q22,DI,clk,reset,regen[22]); register reg23(q23,DI,clk,reset,regen[23]); register reg24(q24,DI,clk,reset,regen[24]); register reg25(q25,DI,clk,reset,regen[25]); register reg26(q26,DI,clk,reset,regen[26]); register reg27(q27,DI,clk,reset,regen[27]); register reg28(q28,DI,clk,reset,regen[28]);register reg29(q29,DI,clk,reset,regen[29]);register reg30(q30,DI,clk,reset,regen[30]);register reg31(q31,DI,clk,reset,regen[31]);mux_32mux0(Q1,q0,q1,q2,q3,q4,q5,q6,q7,q8,q9,q10,q11,q12,q13,q14,q15,q 16,q17,q18,q19,q20,q21,q22,q23,q24,q25,q26,q27,q28,q29,q30,q31, A1);mux_32mux1(Q2,q0,q1,q2,q3,q4,q5,q6,q7,q8,q9,q10,q11,q12,q13,q14,q15,q 16,q17,q18,q19,q20,q21,q22,q23,q24,q25,q26,q27,q28,q29,q30,q31, A2);endmodulemodule decoder(decoderout,waddr);output[31:0] decoderout;input[4:0] waddr;reg [31:0] decoderout;always @ (waddr)case(waddr)5'd0:5'd1:decoderout=32'b0000_0000_0000_0000_0000_0000_0000_0010; 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