模拟电路基础第二章图解法
【模拟电路课件】2.2
2.2.4 温度对BJT特性及参数的影响
1. 温度对 ICBO 和 ICEO 的影响 因为 ICBO 是集电结处于反偏时平衡少子的漂移运动
形成的。所以，当温度升高时，热运动加剧，使更多 的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少 子浓度明显增大。因此，参与漂移运动的少子数目增 多，从外部看就是 ICBO增大。实验测试发现，温度每 升高 100 C ， ICBO 增加约一倍；反之，温度减低 ICBO 时 减小。
图2-6 NPN管共射输出特性曲线
输出特性曲线可以划分为四个区域，对应于BJT的四种工作状态
1. 放大区
条件：e结正偏，c结反偏。
(1) 基极电流 iB对集电极电流iC 有很强的控制作用，即iB 有很小
的变化量IB时， iC 就会有很大的变化量IC 。为此，定义共
发射极交流电流放大系数 来表示这种控制能力，即
3．截止区
条件：e结和c结均处于反向偏置。
IB 0
iC 0
4.击穿区
当 vCE 增大到基极开路时集电结的反向击穿对应
BVCEO 时，集电结发生击穿，集电极电流 iC 急剧增大
的区域。观察该区域的曲线形状会发现，击穿电压
BVCEO
会随参变量的IB增加 而减小。在作为放大
使用时，应避免BJT工作在击穿区。
第二章
双极型晶体三极管（BJT）
2.2 BJT的静态特性曲线
晶体三极管的静态特性曲线是在伏安平面 上作出的反映晶体管各极直流电流与电压关系 的曲线－晶体管图示仪。
利用晶体管的特性曲线可以分析晶体管放 大电路（负载线法）。
2.2.1 输入特性曲线
输入特性曲线对应的函数关系为
iB f (vBE ) vCE 常数 （2-17）
模拟电子技术基础第四版课后答案第二章
第2章基本放大电路自测题一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二．试分析图各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图解：图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三．在图 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0iU V =&时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和 b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时，输出电压有效值'0.6o U V =，则电压放大倍数u A =&( /o iU U - )≈( -120 )。
模拟电路基础ppt课件可编辑全文
1.4.3 三极管的工作状态
1. 放大状态 在上面一部分中分析了三极管的放大原理。为了使三极管有放大能力，在输入回路加基极直流电源VBB，在输出回路加集电极直流电源VCC，且VCC大于VBB，使发射结正向偏置、集电结反向偏置。此时称三极管处于放大状态，条件是发射结正向偏置、集电结反向偏置。 2. 饱和状态 如果输出回路的集电极直流电源VCC小于输入回路的基极直流电源VBB，则发射结和集电结都是正向偏置。由于发射结和集电结都是正向偏置，在开始发射结和集电结上的势垒都变窄，使发射区和集电区的自由电子同时涌入基区，但是由于基区面积很小，且掺杂浓度很低，涌入到基区的电子中只有极少部分与空穴复合，形成基极电流IB，绝大部分扩散到基区的电子堆积在发射结和集电结附近，使发射结和集电结上的势垒加宽，阻止了发射区和集电区的自由电子进一步扩散到基区，由此可见，此时三极管没有放大能力。 此种状态称三极管处于饱和状态，条件是发射结和集电结都是正向偏置。 3. 截止状态 如果在输入回路的基极直流电源VBB小于发射结的开启电压，则发射结处于零偏置或反偏置。由于外加电压没有达到发射结的开启电压，使发射区的自由电子不能越过发射结达到基区，不能形成电流，从而发射极、集电极和基极的电流都很小，也就谈不上放大了。此时称三极管处于截止状态，条件是发射结零偏置或反偏置、集电结反向偏置。
*
1.3.3 二极管的等效电阻
直流等效电阻也称静态等效电阻。如图1-9所示，在二极管的两端加直流电压UQ、产生直流电流IQ，此时直流等效电阻RD定义为 交流等效电阻表示，在二极管直流工作点确定后，交流小信号作用于二极管所产生的交流电流与交流电压的关系。在直流工作点Q一定，在二极管加有交流电压u，产生交流电流i，交流等效电阻r定义为
*
例1-1 图10(a)是由理想二极管D组成的电路，理想二极管是指二极管的导通电压U为0、反向击穿电压U为，设电路的输入电压u如图10(b)所示，试画出输出uo的波形 解：由二极管的单向导电特性，输入信号正半周时二极管导通，负半周截止，故输出uo的波形如右图所示。
模电第二章电路的分析方法v2
26
(3) 恒压源和恒流源不能等效互换
a
I'
I +
Eb
Is
恒压源和恒流源伏安特性不同！
a Uab' b
(4) 在进行等效变换时，与恒压源串联的电阻 和与恒流源并联的电阻可以作为其内阻处理。
27
(5) 串联的恒压源可以合并， 并联的恒流源可以合并。
4V 8V
6V 6V
4A 2A 1A
3A
28
应用电源的等效变换分析电路的步骤： 1 将待求量所在支路作为外电路； 2 对除外电路以外的电路进行等效变换 3 在将变换后的电路与外电路（待求支 路）相连，求出相应的物理量
iS1 R1
i º+
iS2 R2 u 等效电路
_
º
º
iS
R
º
i i s 1 u R 1 i s 2 u R 2 i s 1 i s 2 ( 1 R 1 1 R 2 ) u i s u R
任意 元件
º+
iS
uR
_
º
等效电路
对外等效！
º
iS
º
20
3.实际电源模型等效变换
实际电压源模型
I A '' 1
I2''
R1 R3
I3''
R2 + E2 _
I2 I2' I2" I3 I3' I3"
I1´ = I1 ″ =
E1
R1 +
R2 R3 R2 + R3
- E2
R3 R1 + R3
R2 +
R1 R3 R1 + R3
模拟电路第二章 放大电路基础
模拟电路第二章放大电路基础模拟电路第二章放大电路基础第2章放大电路基础2.1教学要求1、掌握放大电路的组成原理，熟练掌握放大电路直流通路、交流通路及交流等效电路的画法并能熟练判断放大电路的组成是否合理。
2、熟识理想情况下放大器的四种模型，并掌控增益、输入电阻、电阻值等各项性能指标的基本概念。
3、掌握放大电路的分析方法，特别是微变等效电路分析法。
4、掌控压缩电路三种基本组态（ce、cc、cb及cs、cd、cg）的性能特点。
5、介绍压缩电路的级间耦合方式，熟识多级压缩电路的分析方法。
2.2基本概念和内容要点2.2.1压缩电路的基本概念1、放大电路的组成原理无论何种类型的压缩电路，均由三大部分共同组成，例如图2.1右图。
第一部分就是具备压缩促进作用的半导体器件，例如三极管、场效应管，它就是整个电路的核心。
第二部分就是直流偏置电路，其促进作用就是确保半导体器件工作在压缩状态。
第三部分就是耦合电路，其促进作用就是将输出信号源和输入功率分别相连接至压缩管及的输出端的和输入端的。
（1）偏置电路①在分立元件电路中，常用的偏置方式存有压强偏置电路、自偏置电路等。
其中，分后甩偏置电路适用于于任何类型的放大器件；而自偏置电路只适合于用尽型场效应管（如jfet及dmos管）。
42输出信号耦合电路耦合电路输入功率t偏置电路外围电路图2.1下面详述偏置电路和耦合电路的特点。
②在集成电路中，广泛采用电流源偏置方式。
偏置电路除了为压缩管提供更多最合适的静态点（q）之外，还应当具备平衡q点的促进作用。
（2）耦合方式为了保证信号不失真地放大，放大器与信号源、放大器与负载、以及放大器的级与级之间的耦合方式必须保证交流信号正常传输，且尽量减小有用信号在传输过程中的损失。
实际电路有两种耦合方式。
①电容耦合，变压器耦合这种耦合方式具有隔直流的作用，故各级q点相互独立，互不影响，但不易集成，因此常用于分立元件放大器中。
②轻易耦合这是集成电路中广泛采用的一种耦合方式。
模电02图解法
2） iC<βiB， iC明显随 vCE的增大（减 小）而增大（减小）。
区内vCE很小，称为BJT饱和压降
vCES ，其值随iB 、 iC的变化而变化。
3） vCE=vBE——临界饱和（临界放大）
共射极连接
复习： BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const.
例：Q点位置与电路参数的关系：
设工作点原为Q2
若VCC、Rb不变， 设RC↑ →直流负载线斜率↓
（IB不变） —— Q点沿IB=常数的出特曲线左移。 从Q2→ Q1
例：Q点位置与电路参数的关系：
设工作点原为Q2
设Rb 、 RC不变， 设VCC↑ → IB↑ ↘直流负载线向上平移
——Q点向上方移动。 从Q2→ Q4
其斜率为 1 RL
而在横轴上的截距为 VCEQ ICQ RL
交流负载线 与直流负载线交于Q点！
电路不带负载时，交流负载线与直流负载线重合！ 交流负载线的出现是否影响最大不失真输出电压幅值？
4. 图解分析法的适用范围
幅度较大而工作频率不太高的情况
优点：直观、形象。 a 有助于建立和理解交、直流共存，静态和动态等重要概念； b 有助于理解正确选择电路参数、合理设置静态工作点的重要 性。 c 能全面地分析放大电路的静态、动态工作情况。
如果位置不合适，则会产生波形失真。
如果位置偏下（接近截止区， VBEQ、IBQ、ICQ太小），
则：截止失真。
iB、iC、vCE均失真，（电流负半周失真，电压正半周失真） 受其限制，最大不失真输出电压幅值Vom≈ICQRC.
截止失真的波形
如果位置偏上（接近饱和区，VBEQ、IBQ、ICQ太大），
模拟电路基础第二章微变等效电路
(Rs rbe R E )Uo rbe rce ] rce (Rs rbe
RE)
R o
Uo Io
rce
R
E (Rs rbe rce ) Rs rbe R E
通常， rce Rs rbe
R o
rce (1
R s
I b Au
Uo Ui
rbe
(1 )R E
Au
Uo Ui
Ib (rce // R C // R L ) Ib rbe (Ib Ib )R E
(rce // R C // R L ) rbe (1 )R E
求输出电阻Ro
Ii
B Ib
B’
Rs
RB
rce
e
二、晶体管共发H参数模型
iC
B
iB
uBE
E
将晶体管视为一二端
口网络，根据两个端
C 口的 电压和电流之间 的相互关系导出的模
型是网络模型，对H
uCE
参数模型，选择的自 变量为iB, 和uCE,因变量
为uBE和iC。
u BE f1 (iB , u CE )
iC f 2 (iB , u CE )
hie
Ic
hfeIb
1
h oe Uce
h ie rbb rbe rbe b Ib h fe g m rbe
h oe
1 rce
Ub
rbe
e
c
Ic
Ib
rce Uce
e
Ib b
c Ic
Ube
rbe
Ib
模拟电子技术2.3图解法.ppt
（2） 动态工作情况图解分析
iB
iB / µA
60
40 20
0
t0
0
Q
iB
0.68 0.7 0.72 uBE
uBE/V
uBE/V
t
iC / mA
iC / mA
4
交流负载线 80
60
ICQ
iC 2
Q
IB = 4 0 µA
20 直流负载线
0
0
t0
4.5 6 7.5 9
uCE
12 uCE/V
0
uCE/V
动画:饱和失真与截止失真
2.2.3 最大不失真输出电压
输出波形没有明显失真时能够输出的最大电压。
Q 尽量设在放大区负载线 AB 的中点。 AQ = QB，CD = DE
iC / mA
A
交流负载 线
Q
OC
D
B
iB = 0
E uCE/V
Uom=(VCC-UCEQ）= (UCEQ-UCES）
放大电路的最大不失真输出电压：
斜率：-1 (R C // RL )
交流负载线应过Q点，且斜 率决定于-（Rc∥RL）
交流负载线的性质：
①交流负载线必过Q点。 ②交流负载线的斜率为
-1/(Rc//RL)。 如何画出交流负载线？如何确定其在两轴上的截 距及其表达式？
B
ICQ RL'
注：最大不失真输出电压Uom=min[(UCEQ-UCES)，(ICQ(RC//RL)]
2.3.2 图解法
前提：首先实测放大管的输入输出特性曲线
iB
iC
0
uBE
0
uCE
一、图解法对静态工作点的分析 （ui=0）
模拟电路基础第二章微变等效电路
rb’c
b’
rce
是输出交流 短路下的输 入电阻
Cb’
rb’e
e
gmuiB CE|QV IC T
rbe
e
2. Uce对ic和ib的控制作用: 电阻rce与 rb’c
由基区宽度调制效应造成，阻值很大，一般，
电阻rb’c达数百千欧至十兆欧，可视为开路。 rcec 在数十千欧，可视情况确定是否为断路。
Ri
R’
E
R’
Ro uo
A u u u io i Ib (rcIb /e rb R /C e /R /L ) (rc/e orR b /C e /R /L )
Ai
Ic Ib
Ii
B Ib
B
Rs R
’
rb’b
Ib
rb’e
B
Ri
R’
E
Ri
iU i Ii
R B // R i
R i
Ui Ib
rbe
rce
e
二、晶体管共发H参数模型
iC
B iB
uBE
将晶体管视为一二端
口网络，根据两个端
C
口的 电压和电流之间 的相互关系导出的模
型是网络模型，对H
uCE
参数模型，选择的自 变量为iB, 和uCE,因变量
为uBE和iC。
E
uBE f1(iB,uCE)
iC f2(iB,uCE)
duBE
uBE iB
diB
Rc
uo
R
RL
E
Ii
B
Rs
R
B
Ib
B
’ rb’b
Ic C Io
rce R c
西安交通大学-赵进全-模拟电子技术基础-第2章全篇
在输入回路
uBE=UBE+ui
uBE波形图
iB的波形图
工作点的移动
uBE波形图
(1) 信号的传递
已知Q
a
b
t
O
O
t
O
a. iB的形成过程
a
b
t
M
N
O
O
t
iB1
iB2
b. 输出波形
已知Q
已知 iB
工作点的移动
uCE波形图
iC波形图
输出电压uo
O
已知输入信号
小结
输出信号波形
饱和状态的特点
(3) 集电极饱和电压降UCES较小，小功率硅管为 0.3~0.5V 。
(5) UCE对IC的影响大，当UCE增大，IC将随之增加。
(4) 饱和时集电极电流
(2) IC=ICBO
3．发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态
截止状态的特点
(1) 发射结反偏
(3) IB=－ICBO
输出电压uo与输入电压ui相位相反
(2) 如果静态工作点Q太低
工作点的移动
uBE波形图
a
b
已知Q
iB1
iB2
iB的波形图
a. 输入波形
a
b
iB1
iB2
已知Q
已知 iB
工作点的移动
uCE波形图
iC波形图
输出电压
b. 输出波形
截止失真
t
M
N
O
t
O
t
O
工作点的移动
uBE波形图
a
b
已知Q
iB1
iB2
2．对ICBO的影响
模拟电路课件2
(4)、输出电阻
b
c
i iRe (1 β )ib
ib rbe
e
β ib i
RS
Rb
+
+
u Re
(1 β )ib
Re
u -
Ro
ib
Rs
u rbe
Rs RS // Rb
Ro
u i
u u ＋ βu Rs rbe Rs rbe
u Re
Re
∥
Rs 1
rbe β
uo ui
(1 β )( Re // RL ) rbe (1 β )( Re // RL )
1
（3）输入电阻
ii
ib b
c ic
RS
+
uS -
+
ui
-
rbe
β ib
e
Rb
+
+
Re
RL
uo -
Ri Ri
Ri＝uibi rbe (1 β )( Re // RL ) Ri Ri // Rb [rbe (1 β)(Re // RL )] // Rb
RL
uo -
Ri Ri
+VCC
T C2
+
Re
RL uo
-
（2）电压放大倍数：
ii
ib b
c ic
RS
+
uS -
+
u i
-
rbe
β ib
e
Rb
+
+
Re
RL
u o
模拟电路-图解法
要想PO大，就要使功率三角形的面积大， 即必须使Vom 和Iom 都要大。
例：试分析图示电路，已知VCC=12V，Rc=3KΩ，
Rb=300 KΩ ,β=50，ui=20sinωt（mv）,求出 uBE、iB 、 iC 、 uCE 、 u0和AV (设T为硅管 )。
注意：输入特性曲线的动态rbe为：
mA
u CE V CC i C R C U CE i c R C 6 3 Sin t V u 0 i c R C 3 Sin t V
i
AU U 0 / U
3 / 0 . 02 150
UCE UCE与Ui反相！
uCE
各点波形
R b1 Cb1 Rc
+ VC C
Cb2
iC
ui
iB
uCE
uo
uo比ui幅度放大且相位相反
各点波形
i B /uA i B /uA
60 40 20
通过图解分析，可得如下结论： 1. vi vBE iB iC vCE |-vo| 2. vo与vi相位相反； 3. 可以测量出放大电路的电压放大倍数； 4. 可以确定最大不失真输出幅度。
饱和判断：uCE>1V——不饱和；也可以计算ICS判断。
2、静态工作状态的图解分析法
UCE =UCC–ICRC
直流负载线
在输入、输出特性曲线上确定静态工作状态
输出回路负载线
I C f (U CE ) I 常 数 输出回路特性曲线 B
IC/mA
U CC RC
直流负载线 Q
由IB确定的那 条输出特性与 直流负载线的 交点就是Q点
压、电流均是交直流叠加。
非线性器件：三极管PN结的
模拟电子电路 第二章 图解分析法
则产生了新的频率分量。
2016年9月29日星期四 模拟电子线路 8
2―5
放大器图解分析法
静态：输入信号为零（ui= 0 或 ii= 0）时， 放大电路的工作状态，也称直流工作状态。
由于小信号非线性失真很小，一般只在大信号工 作时才考虑THD指标。普通功放THD在（1～
10%） ，高保真功放在1%之内。
2016年9月29日星期四 模拟电子线路 7
五、线性失真
放大器对输入信号中的不同频率分量具有不同的放 大倍数和附加相移，输出波形相对输入波形产生畸
变，称为放大器的线性失真或频率失真。这是由于
iC
Q t 0 0
ib
-1/RL
VCEQ
uCE
uCE
34
t
2016年9月29日星期四 模拟电子线路
t
结论：（1）放大电路中的信
号是交直流共存，可表示成：
ui 0 u BE UBE Q iB 0
t
u BE U BE u be i B I B ib iC I C i c u CE U CE u ce
交流负载线
输出端接入负载RL： 不影响Q 影响动态！
RB RC ICQ ＋ UCEQ －
+UCC RB C1 RC C2
IBQ
UCC
RL
2016年9月29日星期四
模拟电子线路
24
交流负载线
输出端接入负载RL： 不影响Q 影响动态！
ΔiB ＋
Ui
－
RB
ΔiC ＋ ΔUCE －
《模拟电子技术基础》教案第二章基本放大电路(高教版)(中职教育).doc
第二章基本放大电路本章内容简介本章首先讨论半导体三极管（BJT ）的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。
随后着重讨论BJT放大电路的三种组态，即共发射极、共集电极和共基极三种放大电路。
内容安排上是从共发射极电路入手，再推及其他两种电路，并将图解法和小信号模型法，作为分析放大电路的基本方法。
（一）主要内容：◊半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种基本组态◊静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响◊用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标◊共集电极电路和共基极电路的工作原理◊三极管放大电路的频率响应（二）教学要点：从半导体三极管的结构及工作原理入手，重点介绍三种基本组态放大电路的静态工作点、动态参数（电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻）的计算方法，H参数等效电路及其应用。
（三）基木要求：◊了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数◊了解半导体三极管放大电路的分类◊掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及动态工作情况◊理解放大电路的工作点稳定问题◊掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响2.1半导体三极管（BJT）2.1.1BJT的结构简介：半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。
结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。
2.1.2BJT的电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
i B =(l_Q )x* a1-a 2.三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE 表示。
共基极接法，基极作为 公共电极，用CB 表示。
共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC 表示。
q =必耳=«厶=厶/⑴《）BJT 的三种组态4. 放大作用综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传 输，然后到达集电极而实现的。
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直流分量
交流分量
注意
各种符号的不同含义
iC ICQR’L 0 -ICQ
uCE
iC
交流负载线
ICQ
0
UCEQ
uCE
iC 的变化范围为 3. 输出端开路时进行动态分析 0.75~2.25mA。 iC / mA 输出端开路 iC / mA 80 时交、直流 3 N
2.25 2.25
Q1
60
负载线重合
IB=40 µA
交流通路
RS uS+ –
ii + ui RB –
ib
2. 在输入特性上作图
iB /µA
60 60
iB /µA
Q1
ib
40
40
Q
Q2
0.7 0.68 0.72
iB
20
20
IB t
0 0
0
uBE/V
iB 的变化范围
为20 ~ 60 µA。
UBE
t
ui = ube uBE/V
uBE 波形的分解
根据输入回路的KVL方程：
N N'
工作点 Q向 左下方移动
80 µA
60 µA
静态工作点 40 µA Q Q'
1.5
1
I' B
20µA
M'
0 2 4
M
12
6
8
10
IB=0µA UCE /V UCC
结论（1）共射组态的输出电压和输入反相
（2）交流信号是迭加在直流上的
（3）有合适的工作点Q（否则产生非线性失
真：饱和或截止失真）。 （4）在分析时可单独求交流量
1.5
0.75
ic
IC t
U om U o U im U i
1.5
0.75
Q
Q2
20 0 M
0
0
电压放大倍数
Au
0
3 3
6 6
9 9
12
uCE /V uCE /V
UCE t
Ucem
uce (uo) ICE 的变化范围为
0.75~2.25mA。
利用
4. 输出端接负载时进行动态分析
iC / mA iC / mA
0
0
Q2
0
uCE /V
uo 的波形
正半周 变平
uCE /V
正半周 变平
t
发生截 止失真
uce(uo
)
6.1
5.
用图解法分析非线性失真 设静态值 IB= 40 µA
60 A
（3）输入信号过大引起非线性失真 iC / mA iC / mA
3
N
Q1 Q
80 A
I CQ
ic
IB =
2
40 A 20A
VCC
uCE
一、利用图解法进行动态分析
放大电路有输入信号 (ui 0) 时的工作状态称为动态。
用图解法进行动态分析步骤：
1. 画出放大电路的交流通路； 2. 在输入特性上作图，确定 uBE 和 iB 的变化范围； 3. 在输出特性上作直流负载线(放大器输出端开路时) 或交流负载线(放大器输出端接负载时)，根据 iB的 变化范围，确定 iC 和 uCE的变化范围；
uBE =
UBE + ui = UBE +Uim sin t= 0.7 + 0.02 sin t (V) ube 可看成直流分量和交流分量的叠加。
uBE/V ube UBE /V ui /V (ube/V)
0.72 0.7 0.68
=
UBE
0.7
+
t
0.02 0 – 0.02
Ubem t
0
t
0
交直流总量
2.25
uce= – ic RL
交流负载线
80
作交流负载线
3 N
2.25
Q1 Q1 Q Q2 Q2
iB / uA
IB=40 µA
20 0 M
60
1.5
0.75
ic
1.5
0.75
0
t
0
接负载后, Uom 减小,
0
3 3
6 6
9 9
12
uCE /V uCE /V
Au下降。
t
uce (uo)
空载输出电压 负载输出电压
5.
用图解法分析非线性失真
（1）静态工作点偏高引起饱和失真 iC / mA iC / mA
正半周 变平
3
设静态值 IB = 60 µA
iB / uA
80 A
N
Q1 Q Q2
ic
IB=60
40 A
A
2
1
20A
0
t
0 0
0 M
3
6
9
12
uo波形
uCE i
uBE / V uBE / V
（2）工作点偏低引起截止失真 （b）工作点偏低引起 ic、uce (uo)失真 iC /mA
iC /mA
3
2
80 60
设静态值 IB= 5 µA
20
0.75 0.25
正半周 变平 1
40
ic
0.75 0.25
Q1
3 9
Q IB= 5 µA
6
0
t
T uCE
RS
uBE ui
RL
uo
iE
共射极基本放大电路
2-2-1 静态分析
+UCC VCC RB RC
T
直流通路
+UCC VCC +VCC
IC
+
IB + UBE
–
UCE
–
RB RC IB
+
IC
+
UCE
– –
UBE T
IE
在同一坐标系中，作出三极管的输入特性和电路的伏 安 特性 (直线)，交点为 IB 和 UBE 的静态值； 在同一坐标系中，作出三极管的输出特性和电路的伏 安
图解法的优点：直观，准确
缺点：麻烦，不知道每一个管子的曲线
1
I CEO
0
Q2
t
0 0
3
6
9
0 12 M
uo波形
uCE /V uCE /V
UCE(sat )
uce (uo)
t
两边同时 发生失真
（4）不产生削波失真的条件
I CQ I cm I CEO U CEQ U cem U CE (sat )
（5）放大电路的动态范围 动态范围Up-p在下两值中取最小值
负半周 变平
uce (uo)
发生饱 和失真
5.
用图解法分析非线性失真
（2）工作点偏低引起截止失真 （a）工作点偏低引起 ib失真 iB / µA iB / µA
设静态值 IB = 5 µA 在 ube 负半周 t1 ~
t2
Q1
区间内，uBE小于
死区电压，iB = 0。
ib
0
t1 t2 t
5 0 0
特性 (直线)，交点为 IC 和 UCE 的静态值。
+VCC
RB RC IB
+
IC
+
iB
VCC / RB
I BQ
UCE
– –
Q
直流负载线
UBE T
IE
O
U BEQ
VCC
uBE
VCC U BE IB RB
UCE = VCC – ICRC
iC
VCC / RC
直流负载线
Q
I BQ
I CQ
O
U CEQ
2-2
放大器的图解分析法
图解法适用于大信号、纯电阻的场合，主 要用来讨论放大电路的非线性失真与静态 工作点位置的关系
2-2-1 静态分析
以BJT固定偏置电路为例
对BJT放大电路而言， 关键求IBQ, ICQ, UCEQ
+ VCC RB
RC
c A 1 + iB
+
c2
对FET放大电路而言， 关键求IDQ, UGSQ, UDSQ us
Q'
I' B
20µA M
0
2013年8月19日
2
4
6
8
10
12
IB=0µA UCE /V VCC 17
北京理工大学502教研室
静态工作点与电路参数的关系
' （2）VCC和 RB不变, RC增大为RC
IC /mA
VCC RC 3 N
VCC R 2 N C
IC 减小为 I'， C
工作点 Q向 左方移动
U om 4. 求电压放大倍数 Au 。 U im
1. 画交流通路 根据C1, C2对交流
可 视为短路；VCC 对交 流可视为短路，画出 交流通路。
RS + uS –
+UCC
RB RC T RL
C1
+
C2
+ uo
+
–
因为交流电流通过VCC 时，不产生交流压降。
ic T + uce RC – + RL uo –
80 µA
60 µA
Q' 静态工作点 40 µA 20µA
1.5
1
Q
IB=0µA UCE /V 12 UCC 18
M
0
2013年8月19日
2
4
北京理工大学502教研室