第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
一、填空题
2．1 BJT用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置；而工作在饱和区时，发射结处于偏置，集电结处于偏置。
2．2 温度升高时，BJT的电流放大系数 ，反向饱和电流 ，发射结电压 。
2．3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大，当输出端开路时， ；都接人负载 电阻时，测得 ，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点；
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻；
(4)若换上一只 =100的管子，放大电路能否工作在正常状态
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）换上一只 的管子，其IC和UCE不变，放大电路能正常工作。
2．31已知图题2．31所示电路中BJT为硅管， =50，试求：
解答：
（1）
（2）
（3）
（4）
2．29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管，输出特性及交、直流负载线如图题2．29所示，试求：
(1)电源电压Vcc；
(2)静态工作点；
(3)电阻Rb、RC的值；
(4)要使该电路能不失真地放大，基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模拟电子技术基础习题答案
ID
10 - 0.7
10 103
0.93 （mA）
（2）小信号工作情况分析。二极管采用交流小信号模型，等效电路如解图 1.3.6（b）
所示。此电路中只有交流分量，称为交流通路，它反映电路的动态工作情况。
当ui 17V时，D1截止，D2导通，uO 17V 17V ui 18V时，D1导通，D2导通，uO ui ui 18V时，D1导通，D2截止，uO 18V
图略
1.4.1 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为 6V 和 8V，正向导通电压为 0.7V。试问：
（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ （2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？ 解：（1）两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V 和 14V 等四种稳压值。
中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压 Uo。
1
图 P1.3.1
解：二极管 D1 截止，D2 导通，UO=-2.3V 1.3.2 电路如图 P1.3.2 所示，已知 ui＝10sinω t(v)，试画出 ui 与 uO 的波形。设二极管正向导
通电压可忽略不计。
图 P1.3.2
解：当 ui>0V 时，D 导通，uo =ui；当 ui≤0V 时，D 截止，uo=0V。ui 和 uo 的波形如解图 1.3.2 所示。
模拟电子技术基础习题答案
电子技术课程组 2016.9.15
目录
第 1 章习题及答案 ................................................................................................................... 1 第 2 章习题及答案 ................................................................................................................. 14 第 3 章习题及答案 ................................................................................................................. 36 第 4 章习题及答案 ................................................................................................................. 45 第 5 章习题及答案 ................................................................................................................. 55 第 6 章习题及答案 ................................................................................................................. 70 第 7 章习题及答案 ................................................................................................................. 86 第 8 章习题及答案 ............................................................................................................... 104 第 9 章习题及答案 ............................................................................................................... 117 第 10 章习题及答案 ............................................................................................................. 133 模拟电子技术试卷 1 ............................................................................................................ 146 模拟电子技术试卷 2 ............................................................................................................ 152 模拟电子技术试卷 3 ............................................................................................................ 158
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案精华版
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.3电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。
《模拟电子技术基础(第4版_周良权)》电子教案 1教学基本要求
第1章 教学基本要求
N型和P型半导体区别、PN结和二极管的正偏和 反偏概念及单向导电性特点、硅和锗二极管阈值 电压和正向导通电压、温度对反向饱和电流的影 响、光电及变容二极管以及倍压整流使用要点。
会画出 单相桥式整流电容滤波电路、二极管及稳压管限 幅电路输出波形。
会计算 会确定
理想和恒压模型的二极管电路参数；单相桥式整 流及电容滤波电路的输出电压；变压器、二极管、 滤波电二极管、稳压管所依据的主要参数。
会判断 二极管的导通和截止状态、万用表测二极管。
会分析 单相桥式整流及电容滤波电路中故障原因。
模拟电子技术基础第四版习题解答完整版
模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √)GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=。
图解：U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V。
五、电路如图所示，V CC =15V ，=100，U BE =。
模拟电子技术基础答案全解(第四版)
第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt(V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。
（1） 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值； （2） 若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V33.3I L LO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故LO I L5VR U U R R =⋅≈+ 当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1 ≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2VU O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1 ＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mA UCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCCUCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BB U BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V10 1.1（1）A C （2）A （3） C （ 4）A1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
Otu o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
Ot1.4 u i 和 u o 的波形如图所示。
u i /V5 3 O t-3u O /V3.7 Ot-3.7 1.5 u o 的波形如图所示。
u I1 /V3 0.3Otu I2 /V30.3 tOu O /V3.71 Ot1.6 I D ＝（ V － U D ） /R ＝2.6mA ， r D ≈ U T /I D ＝ 10Ω， I d ＝ U i /r D ≈ 1mA 。
模拟电子技术基础第四版课后答案 (4)
模拟电子技术基础第四版课后答案第一章简介1. 什么是模拟电子技术？模拟电子技术是研究和应用模拟电路原理和技术的学科，主要用于处理连续变化的信号。
与数字电子技术相对应，模拟电子技术涉及到模拟信号的生成、调制、传输和处理等方面。
2. 为什么要学习模拟电子技术？模拟电子技术在各个领域都有广泛的应用，特别是在电子设备和电子系统设计方面。
学习模拟电子技术可以帮助我们理解和掌握电子设备的基本原理和工作方式，为我们将来的工作和研究提供必要的基础。
3. 模拟电子技术的基本原理是什么？模拟电子技术的基本原理包括模拟信号的表示、传输、放大、滤波、调制、调节和混合等方面。
其中，模拟信号的表示通常使用连续的函数来描述；模拟信号的传输要考虑信号的失真和噪声；放大器可以将小信号放大到合适的幅度；滤波器可以筛选出感兴趣的频率成分；调制可以将模拟信号转换为调制信号等。
第二章基本电子元器件1. 什么是电子元器件？电子元器件是指用于构成电子电路的基本元件，它们可以作为电子电路的构建模块。
常见的电子元器件包括电阻、电容、电感、二极管、三极管和集成电路等。
2. 电阻的基本特性是什么？电阻是一种用于限制电流流动的元件，它的特性主要包括阻值、功率和温度系数。
阻值是电阻对电流的阻碍程度，单位是欧姆（Ω）；功率是电阻可以承受的最大功耗，单位是瓦特（W）；温度系数是电阻阻值随温度变化的程度。
3. 电容的基本特性是什么？电容是一种储存电荷的元件，它的特性主要包括电容值、工作电压和损耗因子。
电容值是电容可以储存的最大电荷量，单位是法拉（F）；工作电压是电容可以承受的最大电压，单位是伏特（V）；损耗因子是电容对电流的阻碍程度。
4. 电感的基本特性是什么？电感是一种存储能量的元件，它的特性主要包括电感值、工作电流和品质因数。
电感值是电感可以存储的最大能量量，单位是亨利（H）；工作电流是电感可以承受的最大电流，单位是安培（A）；品质因数是电感的能量储存效率。
模拟电子技术基础第四版课后答案解析
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 电路如图 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图 解图解：i u 与o u 的波形如解图所示。
电路如图所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图 解图电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流 ()/ 2.6DD I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：；14V ；；。
(2)并联相接可得2种：；6V 。
已知图 所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =，最小稳定电流min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35IU V=时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。
第章模拟电子技术基础第版课后习题答案周良权
第4章 集成运算放大器及其应用基础解答：差 平均 10 15A u d 与A u c 抑制零漂和抗共模干扰 ∞ ∞ 00 虚短 0 虚断 c g c bb a b（√） （×） （×） （×） 解答：两个输入端加上两个幅度相同而极性相反的信号，称为差模信号。
两个输入端加上两个幅度相同而极性也相同的信号，称为共模信号。
差模输入电压u id =–1) V= V ，两输入端的差模输入信号各为：id1id 1=0.05V2u u =+，id2id 1=0.05V 2u u =--，共模信号为：ic 1(1.11)V =1.05V 2u =+。
解答：共模抑制比定义为d CMR cu u A K A =，用分贝表示，即dCMR c20lgdB u u A K A =。
双端输出时抑制零点漂移能力强，因在双端输出时，利用电路对称，漂移量相互抵消，在理想情况下，共模电压放大倍数A u c =0，则CMR K ≈∞。
单端输出时，是利用射极电阻的负反馈作用来抑制零漂的，显然，单端输出抑制零漂能力比双端输出差。
对基本差分放大电路，eCMR beR K r β≈。
解答：（1）如图题解(a)所示EE BE E1P1e (2)V V I R R =++ E160.7(0.12 5.25)I =++⨯，得E10.5mA I = （2）be bb E 26mV 26mV (1)300(1100) 5.5k 0.5mA 'r r I β⎡⎤=++=++Ω=Ω⎢⎥⎣⎦根据单边差模交流通路如图题解（b ）所示（R e 对于差模信号，相当于短路）可得（3）根据单边共模交流通路（对一个管子而言，发射极除了有P 12R 电阻外，还有2R e3），如图(c)所示可得单端输出时：图题解解答：（1）E3E12300 I I ==μA ，因I R 2=I C3，所以 （2）因单端输出，差模电压放大倍数为 差模输入电阻：（3）静态时，U o =10–I C2·R 1=(10– ×20)V=7V，输入信号U 后，U o =4V ，则输出变化量ΔU o =(4–7)V= –3 V 故 o d 3V 50 mV 60u U U A ∆-===- 解答： 解答：如表题解所示。
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《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。
1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。
1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。
1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。
1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。
( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。
( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。
( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 （b ）1.7 （b ） （a ）1.8 （b 1） （c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。
和交流电阻r d 。
(提示：二极管的直流电阻R D =U D /I D ；交流电阻I U r d ∆∆=。
) 1.13解答：0.2 V 时，3D T /90.2/26106D1S (e 1)110(e 1)A 2.1910A u U I I --⨯-=-=⨯-=⨯0.4 V 时，390.4/26103D2110(e 1)A 4.810A I --⨯-=⨯-=⨯则直流电阻3D1D16D10.291102.1910U R I -==Ω=⨯Ω⨯(0.2 V 时)D230.4834.810R -=Ω=Ω⨯(0.4 V 时) 交流电阻d13D126mV 26mV k 2.1910mA r I -≈==11.8Ω⨯ (0.2 V 时) d2D226mV 26mV 4.8mA r I ≈==5.42Ω (0.4 V 时) 从上计算结果，说明该二极管在0.2 V 时在阈值电压以下，而0.4 V 在阈值电压以上，正常工作状态。
1．14用万用表的Rxl0挡和Rxl00挡分别测量同一个二极管的正向电阻，试分析两次测试结果是否相同。
若不同，哪一次测得的结果大?(提示：用Rxl00挡时表内等效内阻约为用Rxl0挡时表内等效电阻的10倍。
)1.14解答： 用万用表的不同量程去测量二极管的正向电阻，由于表的内阻不同，使流过管子的电流大小不同，也就是工作点的位置不同（参见图题解 1.14），故测出的正向电阻（直流电阻）将不同。
因为R D =U D /I D =1/tan α，而用R ×10挡测量时，由于其内阻小，使流过管子的电流大，其工作点如图题解1.14中的Q 1；用R ×100挡测量时，其工作点如图题解1.14中的Q 2；而α1>α2，故用R ×100挡测出的电阻大。
图题解1.141．15试判断图题1．15电路中二极管是导通还是截止。
并分别求出各电路中A、O两端电压U AO。
设二极管是理想器件。
1.15解答：图（a）：二极管D导通，U AO= – 4 V图（b）：二极管D1导通、D2截止，U AO ≈ 0 V图（c）：二极管D1截止、D2导通，U AO ≈– 6 V1．16试估算图题1．16各电路中流过二极管的电流I D。
和A点的电位。
设二极管的正向压降为0．7 V。
1.16解答：图（a ）：二极管导通，U A =0.7 V ，I D =(10 V –0.7 V)/3 k Ω–0.7 V/1 k Ω=2.4 mA 图（b ）：二极管导通，U A ≈6.7 V ，I D =(10 V –6.7 V)/0.5 k Ω–6.7 V/2 k Ω=3.25 mA 图（c ）：先将10 V 电源和R 1、R 2这部分利用戴维南定理等效化简，如图题解1.16（c ）所示，即 oc o D A D 31010V 7.69V 310(3//10)k2.31k (7.690.7)V /(2.312)k m =0.7 1.62m k V V U R U I R I =⨯=+=Ω=Ω=-+Ω=1.62A +=A⨯2Ω+0.7=3.94图题解1.16（c ）1．17二极管电路如图题1．17所示，已知u i =5sin 3140t mV ，V DD =4 V ，R=1 k Ω，试求二极管两端的电压u D 及流过二极管的电流i D 。
(提示：电容C 对直流不通，对交流u i 可通。
)1.17解答：（1）静态分析令u i =0 V ，用恒压降模型求得U DQ =0.7 VI DQ =(4–0.7) V/1 k Ω=3.3 mA（2）动态分析r d =26 mV/3.3 mA ≈8 Ω∆u D =u i =5 sin 3 140t mV∆i D =5sin 3 140t mV/8 Ω=0.625 sin 3 140 t mA（3）总电压、电流u D =U DQ +∆u D =(0.7+0.005 sin 3 140 t ) Vi D =I DQ +∆i D =(3.3+0.625 sin 3 140 t ) mA1.18二极管电路如图题1.18所示，已知电源tV u ωsin 5.12=，试分别使用二极管理想模型和恒压降模型(U F =0．7 V)分析，绘出负载电阻R L 两端电压u o 的波形，并标出幅值。
1.18解答：负载电阻R L 两端的电压u O =u 2–U F =1.5 sin ωt V –0.7 V当使用二极管理想模型分析时，其波形如图题解1.18（a ）所示；当使用二极管恒压降模型分析时，其波形如图题解1.18（b ）所示。
图题解1.181.19在图题1．19所示桥式整流电容滤波电路中，已知R L =50 Ω，c=1 000 μF 。
(1)用交流电压表测得u 2=20 V ，用直流电压表测得R L 两端的电压u O 为：①u O =28 V ，②u O =18 V ，③u O =24 V ，④u O =9 V ，试分析该电路分别处于何种情况下测出。
(2)当桥式整流电路中任一个二极管出现下列情况：①短路，②开路，③接反，试分析各会出现什么情况和危害。
（1）① 负载R L 断路；② 电容断路；③ 正常工作；④ 电容断路且其中一个二极管断路。
（2）① 造成电源变压器二次侧短路，使变压器及和短路相通的二极管烧坏；② 构成了半波整流电容滤波电路；③ 情况同①。
1．20 已知一桥式整流电容滤波电路的交流电源电压U 1=220 V ，f =50 Hz ，负载电阻R L =40Ω，要求输出直流电压为24 V ，纹波较小。
(1)求选择整流管的参数要求；(2)选择滤波电容(容量和耐压)；(3)确定电源变压器二次绕组的电压和电流。
1.20解答：（1）确定选择整流管的参数要求电源变压器二次绕组电压有效值 U 2=U O /1.2=24 V/1.2=20 V 二极管承受的最大反向电压 DRM 2228.3V U U ==流过二极管的平均电流 D O 1124V 300mA 2240I I ==⨯=Ω所选整流二极管的最大整流电流需I F >I D整流二极管的最高反向工作电压需U RM >U DRM（2）选择滤波电容的电容量3L 0.02s (3~5)/410F 1000F 2240TC R -≥=⨯==μ⨯Ω电容的耐压>2228.3V U =选择电解电容1 000 μF/50 V（3）确定变压器二次绕组的电压 U 2=20 V变压器二次绕组的电流 I 2=(1.5~2)I O =2 I O =2×24 V/40 Ω=1.2 A1.21在图题1．21所示的限幅电路中，已知输入信号为t u i ωsin 6=V ，试画出输出电压u o 的波形。
设二极管为理想器件。
图题1.21所示电路的u O 波形如图题解1.21(a)、(b)、(c)、(d)所示。
图题解1.211．22在图题1．22所示电路中，设t u sωsin 15=V ，硅稳压二极管D Z 的稳定电压为8 V ，试近似画出u o 的波形。
1.22解答：u O 的波形如图题解1.22所示。
图题解1.22(a) (b)1．23 已知两只硅稳压二极管的稳定电压值分别为8 V和7．5 V，若将它们串联使用，问能获得几组不同的稳定电压值?1.23解答：可获得四组不同的稳定电压值，分别是：15.5 V（两个稳压管均反向偏置）1.4 V（两个稳压管均正向偏置）8.7 V（8 V稳压管反偏，7.5 V稳压管正偏）8.2 V（8 V稳压管正偏，7.5 V稳压管反偏）1.24图题1．24所示电路中稳压二极管为2CW7B，它的稳定电流为10 mA，稳定电压值为5 V，额定功耗为200 mW。
试问：若电源电压U O在18～30 V范围内变化，输出电压U O是否基本不变?稳压二极管是否安全?1.24解答：稳压管允许的最大工作电流I Zmax=200 mW/5 V=40 mA当U S=18 V时，稳压管的工作电流I Z=(18–5) V/1 kΩ=13 mA可见I Zmin(10 mA)<I Z(13 mA)<I Zmax(40 mA)当U S=30 V时，稳压管的工作电流I Z=(30–5) V/ 1 kΩ=25 mA可见同样I Zmin<I Z<I Zmax因而能实现U O基本不变，稳压管能安全工作。
1．25为什么发光二极管必须正向偏置，而光电二极管却要反向偏置?1.25解答：发光二极管的工作原理是载流子通过PN结时产生复合，释放的能量转换为光能，故只有处于正向偏置，才能使较多的空穴与电子在空间电荷区中相遇复合。