(完整版)半导体公式
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为基区少数载流子浓度
缓变：
基区自建电场 为梯度因子
第4章：
结型场效应晶体管：
夹断电压： ，夹断时所需要加的栅源电压Vp=Vbi-VP0。Vbi为 结的接触电势差。Vbi= 沟道电导：G0=2qμn（a-x0）Z/L即： VDS=VDsat称为饱和漏源电压VDsat=VP0Biblioteka Baidu（Vbi-VGS）
绝缘栅场效应晶体管 MOS结构：
第1章：
第二章：
第3章：
共基极直流电流放大系数 为集电极电流与发射极电流之比
基极运输系数 发射结注入效率
发射结复合系数 ， ，
均匀：
为共发射极直流电流放大系数
为基区渡越时间， 为基区少数载流子的寿命， 为中性基区宽度
， 分别为发射区和基区杂质浓度。 和 分别为发射区和基区的电阻率， 和 分别为发射区和基区的方块电阻
零偏导条件下：φms=φm-φs=φm-（X-Eg/2q+φf）=0
φm为金属功函数φs为半导体功函数X为半导体的电子亲和势
费米势φf=（Es-EFs）/qP型φf>0;N型φf<0 .
电荷面密度Qs=εε0Es
耗尽区宽度达到最大值 氧化层压降Vox= - Qs/CoxCox=εox/toxεox=εrε0Cox为氧化层单位面积电容εox为栅氧化层介电常量tox为氧化层厚度
强反型时的表面势力φsi2=2φfp
1.理想MOSFET的阈值电压：
n沟道阈值电压Qd= - qNAXdmax
2. 金属半导体功函数差对VT的影响
3. 氧化层及界面电荷对VT的影响
缓变：
基区自建电场 为梯度因子
第4章：
结型场效应晶体管：
夹断电压： ，夹断时所需要加的栅源电压Vp=Vbi-VP0。Vbi为 结的接触电势差。Vbi= 沟道电导：G0=2qμn（a-x0）Z/L即： VDS=VDsat称为饱和漏源电压VDsat=VP0Biblioteka Baidu（Vbi-VGS）
绝缘栅场效应晶体管 MOS结构：
第1章：
第二章：
第3章：
共基极直流电流放大系数 为集电极电流与发射极电流之比
基极运输系数 发射结注入效率
发射结复合系数 ， ，
均匀：
为共发射极直流电流放大系数
为基区渡越时间， 为基区少数载流子的寿命， 为中性基区宽度
， 分别为发射区和基区杂质浓度。 和 分别为发射区和基区的电阻率， 和 分别为发射区和基区的方块电阻
零偏导条件下：φms=φm-φs=φm-（X-Eg/2q+φf）=0
φm为金属功函数φs为半导体功函数X为半导体的电子亲和势
费米势φf=（Es-EFs）/qP型φf>0;N型φf<0 .
电荷面密度Qs=εε0Es
耗尽区宽度达到最大值 氧化层压降Vox= - Qs/CoxCox=εox/toxεox=εrε0Cox为氧化层单位面积电容εox为栅氧化层介电常量tox为氧化层厚度
强反型时的表面势力φsi2=2φfp
1.理想MOSFET的阈值电压：
n沟道阈值电压Qd= - qNAXdmax
2. 金属半导体功函数差对VT的影响
3. 氧化层及界面电荷对VT的影响