第17讲 电子衍射
第十七章 选区电子衍射及衍射
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r1 r2
r3
r1×r2= 1 2 3
2)相机常数未知、晶体结构已知时衍射花样的标定 测量靠近中心斑点的几个衍射斑点至
中心斑点的距离R1,R2,R3,R4,…
1
根据R2j的顺序比,结合点阵消光规律判断 晶体的点阵类型。根据与某一R对应的N 值判定衍射面指数 2
其它同第一种情况中(4—8)步
3) 相机常数已知,晶体结构未知时衍射花样的标定
应用实例:18Cr2Ni4WA 钢的淬火组织SAD花样(板条马氏体及板 条间的残余奥氏体复合衍射花样)
板条马氏体的衍射花样标定: 测得R1,R2,R3长度分别为 10.2mm, 10.2mm, 14.4mm. 测得R1和R2之间夹角为90°; R1和R3之间夹角为45°.
残余奥氏体的衍射花样标定: 测得R1,R2,R3长度分别为 10.2mm, 10.2mm, 16.8mm. 测得R1和R2之间夹角为70°; R1和R3之间夹角为35°
测量低指数斑点的R值。应在几个不同方 位摄取电子衍射花样,保证能测出最前 面的8个R值 1 根据R,计算出各个d值 2
查PDF卡片,和各d值都相符的物象即为 3 待测晶体
4)标准花样对照法
将实际观察、记录到的衍射花样直接与标准 花样对比,写出斑点指数并确定晶带轴的方向
5)查表法
根据“衍射矢量”R2/R1及R1和R2之间的夹角查相关晶体结构的数 据表。要求R1≤ R2。
简单矢量运算即可求得。
7
根据晶带定律求零层倒易面法线的方向 即晶带轴指数 8
[uvw]=r1×r2
应用实例 1:
图为纯镍的电子衍射谱 (a=0.3523nm), 相机常数 Lλ=1.12mm.nm
r1 r2
电子衍射
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( )表示平面,*表示倒易, 0表示零层倒易面。
这个倒易平面的法线即正空 间晶带轴[uvw]的方向,倒易平 面上各个倒易点分别代表着正空 间的相应晶面。
0
4. 晶带轴的求法
若已知零层倒易面上任意二个倒易矢量的坐标, 即可求出晶带轴指数.由
得
u=k1l2-k2l1
v=l1h2-l2h1
简单易记法 h1 k1 l1 h1 k1 l1
Hot- and Cold-Stage TEM
20oC a 220oC b 25oC
c
AFE-1 AFE FE
d -100oC
a and b: PbZrO3 single crystal C and d: Pb(ZrSnTi)O3 ceramic
AFE-2
七、多晶电子衍射成像原理与衍射花样特征
图8-2 多晶电子衍射成像原理
金的原子力显微镜照片
倒易点阵
正点阵:晶体点阵
倒易点阵:与正点阵存在倒易关系
a*•b=a* • c=b* • a=b* • c=c* • a=c* • b=0
a* • a=b* • b=c* • c=1
写成标量形式
a*=1/a×cosφ b*=1/b×cosψ c*=1/c×cosω
ω
与正点阵的关系
反射式高能电子衍射分析(RHEED):以高能
电子照射较厚样品分析其表面结构,电子 束以掠射方式(与样品表面的夹角小于5o) 照射样品,使衍射发生在样品浅表层。
RHEED用荧光屏作结果显示,在超高真空
环境下工作。
低能电子衍射(LEED):电子束能量为10~1000eV (一般为10~500) 。由于电子能量低,衍射结果 只能显示样品表面1~5个电子层的结构信息,因 此是分析晶体表面结构的重要方法,广泛用于 表面吸附、腐蚀、催化、外延生长、表面处理 等材料表面科学与工程领域。 低能电子衍射仪器为低能电子衍射仪,也是在 超高真空环境下工作。
电子衍射
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(1)由于电子波波长很短,一般只有千分之几nm, 按布拉格方程2dsin=可知,电子衍射的2角很小(一 般为几度),即入射电子束和衍射电子束都近乎平行 于衍射晶面。
由衍射矢量方程(s-s0)/=r*,设K=s/、K=s0/、 g=r*,则有
K-K=g
(8-1)
此即为电子衍射分析时(一般文献中)常用的衍射矢 量方程表达式。
H3=H1+H2、K3=K1+K2和L3=L1+L3。
单晶电子衍射花样的标定
立方晶系多晶体电子衍射标定时应用的关 系式:R21:R22:…:R2n=N1:N2:…:Nn 在立方晶 系单晶电子衍射标定时仍适用,此时R=R。 单晶电子衍射花样标定的主要方法为: 尝试核算法 标准花样对照法
“180不唯一性”或“偶合不唯一性”现象的产生,根 源在于一幅衍射花样仅仅提供了样品的“二维信息”。
通过样品倾斜(绕衍射斑点某点列转动),可获得另一晶带 电子衍射花样。而两个衍射花样组合可提供样品三维信息。
通过对两个花样的指数标定及两晶带夹角计算值与实测 (倾斜角)值的比较,即可有效消除上述之“不唯一性”。
(8-7)
式中:N——衍射晶面干涉指数平方和,即 N=H2+K2+L2。
多晶电子衍射花样的标定
对于同一物相、同一衍射花样各圆环而言,(C2/a2) 为常数,故按式(8-7),有
R12:R22:…:Rn2=N1:N2:…:Nn
(8-8)
此即指各衍射圆环半径平方(由小到大)顺序比等于
各圆环对应衍射晶面N值顺序比。
一、电子衍射基本公式
电子衍射基本公式的导出
设样品至感光平面的距离为L(可称为 相机长度),O与P的距离为R,
由图可知
电子衍射原理
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1. 衍射产生的必要条件:反射受λ、 θ 、d的制约。反射线实质是各原 子面反射方向上散射线干涉加强的结果,即衍射。此处“反射”与“衍 射”可不作区别。
2. 干涉指数和干涉面:将布拉格方程改写成 2dHKLsin θ = λ
其中,dHKL=d/n, H=nh,K=nk,L=nl。即把 (hkl)晶面的n级反射看 成是与之平行、面间距为d/n的晶面(HKL)的一级反射。(HKL)不一定是 真实的原子面,通常称为干涉面,而将 (HKL)称为干涉指数。
ghkl
k′
Δk
k
k
=
k′
=
1
λ
r | Δk |
sinθ = 2r
|k |
kr′
−
r k
=
r Δk
倒易矢量基本性质
grhkl gr hkl
= ⊥
1 d hkl (hkl)晶面
若
r Δk
=
grhkl
则 2d hkl sinθ = λ
所以
kr′
−
r k
=
gr
hkl
——衍射矢量方程
衍射几何
四、厄瓦尔德图 -衍射几何关系
cr*
ar*
r b
*
电子衍射几何
再回到透射电镜上,有
ΔOO*G ~ ΔOO′P
∴
1
λ
=
g hkl
LR
即 R = Lλ ⋅ ghkl
考虑
r R
//
grhkl
r R
=
Lλ
⋅
grhkl
所以,单晶体电子衍射花样是倒易截面的放大
结构因子 结构因子:一个晶胞的散射波合成振幅
电子衍射——精选推荐
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电⼦衍射电⼦衍射 2.1 概述电⼦衍射与X-射线衍射的基本原理是完全⼀样的,两种技能所得到的晶体衍射花样在⼏何特征上也⼤致相似,都遵循劳厄⽅程或布拉格⽅程所规定的衍射条件和⼏何关系。
电⼦衍射与X-射线衍射的主要区别在于:(1)电⼦波的波长短,则受物质散射强(原⼦对电⼦的散射能⽐X-射线约⾼⼀万倍)。
电⼦波长短,决定了电⼦衍射的⼏何特点,使单晶的电⼦衍射谱和晶体的倒易点阵的⼆维截⾯完全相似,从⽽使晶体集合关系的研究变得简单多了。
(2)衍射束强度有时⼏乎与透射束相当,因此就有必要考虑它们之间的相互作⽤,使电⼦衍射花样分析,特别是强度分析变得复杂,不能像X-射线那样从测量强度来⼴泛地测定晶体结构。
(3)由于散射强度⾼导致电⼦穿透能⼒有限,因⽽⽐较适⽤研究微晶、表⾯和薄膜晶体。
(4)许多材料和矿物中得晶粒只有⼏微⽶⼤⼩,有时⼩到⼏千埃,不能⽤X-射线进⾏单个晶体的衍射,但却可以⽤电⼦显微镜在放⼤⼏万倍下,有⽬的地选择这些晶体,⽤选区电⼦衍射和微束电⼦衍射来确定其物相或其结构。
2.2 预备知识 2.2.1 布拉格定律⼊射波⽮量:k ;衍射波⽮量:k ¢;对于弹性碰撞:1/k k l ¢==**1;;2sin K k k r r K k dq ¢=-===当波长为l 的单⾊平⾯电⼦波以掠射⾓q (⼊射⾓⽅向与晶⾯的夹⾓)照射到晶⾯间距为hkl d 的平⾏晶⾯组(hkl )时,若满⾜:2sin hkl d n q l =为了简便起见,把式改为:2()sin hkld nq l =考虑到,可以把任意晶⾯组的n 级衍射都看成是与之平⾏但晶⾯间距⼩于n 倍的(nh nk nl )晶⾯组的⼀级衍射,使布拉格定律表达为:2sin d q l = 2.2.2倒易点阵和Ewald 球作图法(1)倒易点阵所谓倒易点阵,是指量纲为[L]-1的倒易空间内的另⼀个点阵,它与正空间内某⼀点特定的点阵相对应。
如果正点阵晶胞的单位⽮量(简称基失)为:,,a b c则相对应的倒易点阵基失为:***,,c c cb c c a a ba b c V V V 创 ===V c 为正点阵晶胞体积:()()()c V a b c b c a c a b =状=状=状可以证明,正、倒点阵的晶胞基失之间满⾜:1a ab bc c a b a c b c b a c a c b *********在倒易点阵内,有原点0*(即阵点(000))指向任⼀坐标为(hkl )的阵点的⽮量:1/hkl hkl hkl g ha kb lc d ***=++= 且g这就是说,所定义的倒易⽮量:hkl g或其断点---hkl 到⼀阵点,代表着正点阵中的晶⾯组(hkl )。
电子衍射分析方法原理及应用ppt课件
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5种二维布拉菲点阵与倒易点阵的图示
(1)二维点阵基矢与其倒易点阵基矢之间的关系
若以二维点阵中任意阵点为坐标原点,建立二维 正交坐标系,则二维基矢a与b可表达为: a = axi + ayj b = bxi + byj - - - - - - - (9) 二维倒易基矢也可以表达为: a* = a*xi + a*yj b* = b*xi + b*yj - - - - - - - (10) 将(9) (10)式,代入(8)的矢量点积坐标表达式得: a*xax+a*yay=b*xbx+b*yby=1 a*xbx+a*yby=b*xax+b*yay=0 - - - - - (11) 解(11)式得:
(2) Rd= λL的矢量表达式的推导
当入射电子束的加速电压一定时,电子波长 λ值恒 定,则令 λL=C(C为常数,称为相机常数) 由(4)式Rd= λL知 Rd=C - - - - (5) 由倒易点阵与点阵平面距离间的关系: g=1/d (g为(HKL)面倒易矢量,g为g的模) ∴ R=Cg - - - - - -(6) 因为电子衍射2θ很小,R与g近乎平行,故(6)式可演变 为矢量形式: R = Cg - - - - - -(7) R为透射斑到衍射斑的连接矢量,称为衍射斑点矢量。 由式(7)可知,R与g相比只是放大了C倍,所以从图 中可知单晶电子衍射花样是所有与反射球相交的倒易点 的放大像。
2、二维点阵和二维点阵的倒易点阵
低能电子衍射来自于样品表面的原子的相干 散射,故可将样品表面视为二维点阵。 上图所示单晶表面原子排列规则就可用二维点 阵描述。与三维点阵的排列规则可用14种布拉菲 点阵表达相似,二维点阵的排列可用5种二维布拉 菲点阵表达。(如后图所示) 对于由点阵矢量a与b定义的二维点阵,若由 点阵基矢a*与b*定义的二维点阵满足: a*· a = b*· b=1 a*· b = b*· a=0 - - - - - - - (8) 则称a*与b*定义的点阵是a与b定义的点阵的倒易 点阵。
电子衍射-PPT

❖ 通常电子衍射图的标定过程可分为下列三种情况:
1)已知晶体(晶系、点阵类型)能够尝试标定。 2)晶体虽未知,但依照研究对象估计确定一个范围。就在这
些晶体中进行尝试标定。 3)晶体点阵完全未知,是新晶体。此时要通过标定衍射图,来
确定该晶体的结构及其参数。所用方法较复杂,可参阅电 子衍射方面的专著。
征之因此区别X射线的主要原因。
8-2 偏离矢量与倒易点阵扩展
❖ 从几何意义上来看,电子束方向与晶带轴重合时,零层倒易 截面上除原点0*以外的各倒易阵点不估计与爱瓦尔德球相 交,因此各晶面都可不能产生衍射,如图(a)所示。
❖ 假如要使晶带中某一晶面(或几个晶面)产生衍射,必须把 晶体倾斜,使晶带轴稍为偏离电子束的轴线方向,此时零层 倒易截面上倒易阵点就有估计和厄瓦尔德球面相交,即产 生衍射,如图(b)所示。
量。
倒易点阵扩展
❖ 下图示出偏离矢量小于零、等于零和大于零的三种情况。 如电子束不是对称入射,则中心斑点两侧和各衍射斑点的 强度将出现不对称分布。
8-3 电子衍射基本公式
❖ 电子衍射操作是把倒易点阵的 图像进行空间转换并在正空间 中记录下来。用底片记录下来 的图像称之为衍射花样。右图 为电子衍射花样形成原理图。
❖ Rdhkl=f0·MI·Mp·λ=L'λ ❖ 称Lˊλ为有效相机常数
选区衍射
❖ 选区衍射就是在样品上选择一个 感兴趣的区域,并限制其大小,得 到该微区电子衍射图的方法。也 称微区衍射。
❖ 光阑选区衍射(Le Poole方式) 此法用位于物镜像平面上的光阑 限制微区大小。先在明场像上找 到感兴趣的微区,将其移到荧光 屏中心,再用选区光阑套住微区 而将其余部分挡掉。理论上,这 种选区的极限≈0、5μm。
电子衍射的原理
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第一节 电子衍射的原理1.1 电子衍射谱的种类在透射电镜的衍射花样中,对于不同的试样,采用不同的衍射方式时,可以观察到多种形式的衍射结果。
如单晶电子衍射花样,多晶电子衍射花样,非晶电子衍射花样,会聚束电子衍射花样,菊池花样等。
而且由于晶体本身的结构特点也会在电子衍射花样中体现出来,如有序相的电子衍射花样会具有其本身的特点,另外,由于二次衍射等会使电子衍射花样变得更加复杂。
上图中,图a和d是简单的单晶电子衍射花样,图b是一种沿[111]p方向出现了六倍周期的有序钙钛矿的单晶电子衍射花样(有序相的电子衍射花样);图c是非晶的电子衍射结果,图e和g 是多晶电子的衍射花样;图f是二次衍射花样,由于二次衍射的存在,使得每个斑点周围都出现了大量的卫星斑;图i和j是典型的菊池花样;图h和k是会聚束电子衍射花样。
在弄清楚为什么会出现上面那些不同的衍射结果之前,我们应该先搞清楚电子衍射的产生原理。
电子衍射花样产生的原理与X 射线并没有本质的区别,但由于电子的波长非常短,使得电子衍射有其自身的特点。
1.2 电子衍射谱的成像原理在用厄瓦尔德球讨论X射线或者电子衍射的成像几何原理时,我们其实是把样品当成了一个几何点,但实际的样品总是有大小的,因此从样品中出来的光线严格地讲不能当成是一支光线。
之所以我们能够用厄瓦尔德来讨论问题,完全是由于反射球足够大,存在一种近似关系。
如果要严格地理解电子衍射的形成原理,就有必要搞清楚两个概念:Fresnel(菲涅尔)衍射和Fraunhofer(夫朗和费)衍射。
所谓Fresnel(菲涅尔)衍射又称为近场衍射,而Fraunhofer(夫朗和费)衍射又称为远场衍射.在透射电子显微分析中,即有Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍射)现象,同时也有Fraunhofer(夫朗和费)衍射(远场衍射)。
Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍射)现象主要在图像模式下出现,而Fraunhofer(夫朗和费)衍射(远场衍射)主要是在衍射情况下出现。
电子衍射原理 ppt课件
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六、偏离矢量与倒易阵点扩展
• 在电子衍射操作时,即使晶带轴和电子束的轴 线严格保持重合(即对称入射)时,仍可使g 矢量端点不在爱瓦尔德球面上的晶面产生衍射 ,即入射束与晶面的夹角和精确的布拉格角θB (θB=sin-12dhkl )存在某偏差Δθ时,衍射强 度变弱但不一定为零,此时衍射方向的变化并 不明显
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二、布拉格定律 布拉格方程一般形式
Aλ
B
θ Qθ
d
ST
R
SR RT n
SR RT 2d sin
A ’ B’
2d sin n
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二、布拉格定律 衍射角θ的解释
2d sin
sin
2d
通常透射电镜的加速电压为100-200KV, 电子波的波长λ在10-2-10-3nm左右 常见晶体的晶面间距d 在1nm左右 •所以Sinθ很小,也就是入射角θ很小.
• 散射强度高导致电子透射能力有限,要求试样薄,这就使试样 制备工作较X射线复杂;在精度方面也远比X射线低。
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一、电子衍射原理 透射电镜
电子束
透射电镜的最大特点是既可以得到 电子显微像又可以得到电子衍射花 样。晶体样品的微观组织特征和微 区晶体学性质可以在同一台仪器中 得到反映。
电镜中的电子衍射,其衍射几何与X 射线完全相同,都遵循布拉格方程所 规定的衍射条件和几何关系. 衍射 方向可以由爱瓦尔德球作图求出.因 此,许多问题可用与X射线衍射相类 似的方法处理.
电子衍射原理
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第一节电子衍射的原理1.1电子衍射谱的种类在透射电镜的衍射花样中,对于不同的试样,采用不同的衍射方式时,可以观察到多种形式的衍射结果。
如单晶电子衍射花样,多晶电子衍射花样,非晶电子衍射花样,会聚束电子衍射花样,菊池花样等。
而且由于晶体本身的结构特点也会在电子衍射花样中体现出来,如有序相的电子衍射花样会具有其本身的特点,另外,由于二次衍射等会使电子衍射花样变得更加复杂。
上图中,图a和d是简单的单晶电子衍射花样,图b是一种沿[111]p方向出现了六倍周期的有序钙钛矿的单晶电子衍射花样(有序相的电子衍射花样);图c是非晶的电子衍射结果,图e和g是多晶电子的衍射花样;图f是二次衍射花样,由于二次衍射的存在,使得每个斑点周围都出现了大量的卫星斑;图i和j是典型的菊池花样;图h和k是会聚束电子衍射花样。
在弄清楚为什么会出现上面那些不同的衍射结果之前,我们应该先搞清楚电子衍射的产生原理。
电子衍射花样产生的原理与X射线并没有本质的区别,但由于电子的波长非常短,使得电子衍射有其自身的特点。
1.2电子衍射谱的成像原理在用厄瓦尔德球讨论X射线或者电子衍射的成像几何原理时,我们其实是把样品当成了一个几何点,但实际的样品总是有大小的,因此从样品中出来的光线严格地讲不能当成是一支光线。
之所以我们能够用厄瓦尔德来讨论问题,完全是由于反射球足够大,存在一种近似关系。
如果要严格地理解电子衍射的形成原理,就有必要搞清楚两个概念:Fresnel(菲涅尔)衍射和Fraunhofer(夫朗和费)衍射。
所谓Fresnel(菲涅尔)衍射又称为近场衍射,而Fraunhofer(夫朗和费)衍射又称为远场衍射.在透射电子显微分析中,即有Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍射)现象,同时也有Fraunhofer(夫朗和费)衍射(远场衍射)。
Fresnel(菲涅尔)衍射(近场衍射)现象主要在图像模式下出现,而Fraunhofer (夫朗和费)衍射(远场衍射)主要是在衍射情况下出现。
电子衍射
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第17讲教学目的:使学生了解透射电子衍射原理教学重点:电子衍射花样标定教学难点:电子衍射花样标定作业:1.电子衍射花样种类有哪些?2.晶体结构已知的单晶电子衍射花样的标定方法有哪些?3.尝试-校核法的标定步骤是什么?第五节 透射电子显微分析5.2 电子衍射5.2.1 电子衍射与X 射线衍射比较5.2.2 电子衍射原理5.2.2.1 布拉格公式两个平行波(它们的波长为λ)以θ入射角照射到晶面间距为dhkl 的衍射晶体上,分别被上平面散射和下平面散射后产生光程差,两波的光程差为2 dhkl sin θ当光程差等于n λ时,波的相长干涉将会发生,即:λθn d hkl =sin 2式中,θ是入射角或衍射角,它被定义为入射波与(hkl)晶面之间的夹角;n=0,±1,±2,±3…是衍射级数。
如果n=0,对应的衍射称为零级衍射,表明入射波不会被(hkl)晶面反射,保持原入射方向,而形成透射波。
5.2.2.2 爱瓦尔德球构图是布拉格方程的图解,其优点是直观明了,只需从倒易阵点(图3.3中的G)是否落在爱瓦尔德球面上就能判断是否能产生衍射,并能直接显示出衍射的方向。
因此,在电子衍射分析中,通常是运用爱瓦尔德球构图,而不是布拉格方程。
5.2.2.3 结构因子产生布拉格衍射的充要条件:满足布拉格定律(必要条件,决定衍射点的位置),结构因子F hkl≠0(充分条件,决定衍射点的强度)。
5.2.2.4 干涉函数与晶体的尺寸以及衍射方向相对于布拉格偏离量大小有关。
真实晶体的大小是有限的,且晶体内部还含有各式各样的晶体缺陷,因此衍射束的强度分布有一定的角范围,相应的倒易阵点也是有一定的大小和几何形状的。
这意味着在尺寸很小的晶体中,倒易阵点要扩展,扩展量与晶体的厚度(考虑一维的情况)成反比,当厚度为t,扩展量等于2/t,倒易阵点扩展为倒易杆。
考虑三维空间的情况,不同形状的实际晶体扩展后的倒易阵点也就有不同的形状。
电镜中的电子衍射及分析实例课件.ppt

间的散射也会发生干涉作用。
设晶体在x,y,z方向的边长分别为
t1,t2,t3,
(P25,图2-10,2-11)
s=0, 强度最大;s=±1/t,强度为0.
苏玉长
图2-10 计算晶体尺寸效应单胞示意图
苏玉长
图2-11 沿 方向 或
苏玉长
分布图
各种晶形相应的倒易点宽化的情况
概述
电镜中的电子衍射,其衍射几何与X射线完 全相同,都遵循布拉格方程所规定的衍射 条件和几何关系. 衍射方向可以由厄瓦尔 德球(反射球)作图求出.因此,许多问题可 用与X射线衍射相类似的方法处理.
苏玉长
• 电子衍射与X射线衍射相比的优点
•电子衍射能在同一试样上将形貌观察与结构分析 结合起来。 •电子波长短,单晶的电子衍射花样婉如晶体的倒 易点阵的一个二维截面在底片上放大投影,从底片 上的电子衍射花样可以直观地辨认出一些晶体的结 构和有关取向关系,使晶体结构的研究比X射线简 单。 •物质对电子散射主要是核散射,因此散射强,约 为X射线一万倍,曝光时间短。
A:以入射束与反射面的交点为原点,作半径 为1/l的球,与衍射束交于O*.
B:在反射球上过O*点画晶体的倒易点阵; C:只要倒易点落在反射球上,,即可能产生 衍射.
苏玉长
入射束 厄瓦尔德球 试样
2q
倒易点阵
底板 图2-8 电子衍射花样形成示意图
苏玉长
K-K0=g r/f=tg2q≈sin2q≈2sinq = l/d r=fl/d , r=flg R=Mr, R=Mfl/d=Ll/d L=Mf, 称为相机常数 衍射花样相当于倒易点阵被反射球所截 的二维倒易面的放大投影. 从几何观点看,倒易点阵是晶体点阵 的另一种表达式,但从衍射观点看,有 些倒易点阵也是衍射点阵。
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第17讲教学目的:使学生了解透射电子衍射原理教学重点:电子衍射花样标定教学难点:电子衍射花样标定作业:1.电子衍射花样种类有哪些?2.晶体结构已知的单晶电子衍射花样的标定方法有哪些?3.尝试-校核法的标定步骤是什么?第五节 透射电子显微分析5.2 电子衍射5.2.1 电子衍射与X 射线衍射比较5.2.2 电子衍射原理5.2.2.1 布拉格公式两个平行波(它们的波长为λ)以θ入射角照射到晶面间距为dhkl 的衍射晶体上,分别被上平面散射和下平面散射后产生光程差,两波的光程差为2 dhkl sin θ当光程差等于n λ时,波的相长干涉将会发生,即:λθn d hkl =sin 2式中,θ是入射角或衍射角,它被定义为入射波与(hkl)晶面之间的夹角;n=0,±1,±2,±3…是衍射级数。
如果n=0,对应的衍射称为零级衍射,表明入射波不会被(hkl)晶面反射,保持原入射方向,而形成透射波。
5.2.2.2 爱瓦尔德球构图是布拉格方程的图解,其优点是直观明了,只需从倒易阵点(图3.3中的G)是否落在爱瓦尔德球面上就能判断是否能产生衍射,并能直接显示出衍射的方向。
因此,在电子衍射分析中,通常是运用爱瓦尔德球构图,而不是布拉格方程。
5.2.2.3 结构因子产生布拉格衍射的充要条件:满足布拉格定律(必要条件,决定衍射点的位置),结构因子F hkl≠0(充分条件,决定衍射点的强度)。
5.2.2.4 干涉函数与晶体的尺寸以及衍射方向相对于布拉格偏离量大小有关。
真实晶体的大小是有限的,且晶体内部还含有各式各样的晶体缺陷,因此衍射束的强度分布有一定的角范围,相应的倒易阵点也是有一定的大小和几何形状的。
这意味着在尺寸很小的晶体中,倒易阵点要扩展,扩展量与晶体的厚度(考虑一维的情况)成反比,当厚度为t,扩展量等于2/t,倒易阵点扩展为倒易杆。
考虑三维空间的情况,不同形状的实际晶体扩展后的倒易阵点也就有不同的形状。
对于透射电子显微镜中经常遇到的试样,薄片晶体的倒易阵点拉长为倒易“杆”,棒状晶体为倒易“盘”,细小颗粒晶体则为倒易“球”。
有缘学习更多+谓ygd3076考证资料或关注桃报:奉献教育(店铺)5.2.2.5 与晶体几何关系若试样内某(hkl)晶面满足布拉格条件,则在与入射束呈2θ角方向上产生衍射。
透射束(零级衍射)和衍射束分别与距试样为L 的照相底片相交于O′和P ′点。
O ′点称为衍射花样的中心斑点,用000表示;P ′点则以产生该衍射的晶面指数来命名,称为hkl 衍射斑点。
衍射斑点与中心斑点之间的距离用R 表示。
由图可知R/L =tan 2θ 对于高能电子,2θ很小,近似有2sin θ2tan θ代入布拉格公式得 λ/d =2sinθ=R/L 即 Rd=λL5.2.3 电子衍射种类5.2.3.1选区电子衍射1)选区电子衍射:在物镜像平面处插入一个限定孔径的选区光阑,实现了选区形貌观察和电子衍射结构分析的微区对应的方法。
2)作用:通过微区形貌和结构的对照研究,可以得到一些有用的晶体学数据,在物相鉴定及衍射图像分析中用途极广。
3)操作步骤:为了保证物镜像平面和选区光阑的重合,获得选区电子衍射花样,必须遵循下面的标准操作步骤。
(1)插人选区光阑,调节中间镜电流使荧光屏上显示该光阑边缘的清晰像。
此时意味着中间镜物平面和选区光阑重合。
(2)插入物镜光阑,精确调节物镜电流,使所观察的试样形貌在荧光屏上清晰显示;意味着物镜像平面与中间镜物平面重合,也就是与选区光阑重合。
(3)移去物镜光阑,降低中间镜电流,使中间镜的物平面上升到物镜的背焦面处,使荧光屏显示清晰的衍射花样(中心斑点最细小、最圆整)。
此时获得的衍射花样仅仅是选区光阑内的晶体所产生的。
5.2.3.2 会聚束电子衍射会聚束电子衍射是测定晶体点群、空间群的有效方法。
5.2.4 电子衍射谱在透射电镜的衍射花样中,对于不同的试样,采用不同的衍射方式时,可以观察到多种形式的衍射结果。
电子衍射谱种类:✓单晶电子衍射花样✓多晶电子衍射花样✓非晶电子衍射花样✓会聚束电子衍射花样✓二次电子衍射、孪晶电子衍射、高阶劳厄带电子衍射、菊池线、超点阵结构、超周期结构等复杂上图中,图a和d是简单的单晶电子衍射花样,图b是一种沿[111]p方向出现了六倍周期的有序钙钛矿的单晶电子衍射花样(有序相的电子衍射花样);图c 是非晶的电子衍射结果,图e和g是多晶电子的衍射花样;图f是二次衍射花样,由于二次衍射的存在,使得每个斑点周围都出现了大量的卫星斑;图i和j是典型的菊池花样;图h和k是会聚束电子衍射花样。
5.2.5 电子衍射花样标定电子衍射花样的标定指的是:对多晶试样,确定各个产生衍射环的晶面族{hkl}指数;对单晶试样,确定其衍射斑点的晶面组(hkl)和它们的晶带轴[uvw]指数。
花样指数化后,可获得晶体点阵类型和点阵常数。
电子衍射谱的标定主要有以下几种情况:✓晶体结构已知;✓晶体结构虽然未知,但可以确定它的范围;✓晶体结构完全未知。
5.2.5.1多晶电子衍射花样标定多晶电子衍射花样的主要用途有两个:利用已知晶体标定仪器的相机常数和大量弥散粒子的物相鉴定。
1)晶体结构已知的多晶电子衍射花样的标定✓测出各衍射环的直径,算出它们的半径;✓考虑晶体的消光规律,算出能够参与衍射的最大晶面间距,将其与最小的衍射环半径相乘即可得出相机常数和相机长度(如果相机常数已知,则直接到第三步);✓由衍射环半径和相机常数,可以算出各衍射环对应的晶面间距,将其标定。
如果已知晶体的结构是面心、体心或者简单立方,则可以根据衍射环的分布规律直接写出各衍射环的指数。
2)晶体结构未知,但可以确定其范围的多晶电子衍射花样的标定✓首先看可能的晶体结构中有没有面心、体心和简单立方,如有,看花样与之是否对应;✓测出各衍射环的直径,算出它们的半径;✓考虑各晶体的消光规律,算出能够参与衍射的最大晶面间距,将其与最小的衍射环半径相乘得出可能的相机常数和相机长度,用此相机常数来计算剩下的衍射环对应的晶面间距,看是不是与所选的相对应;每个可能的相都这样算一次,看哪一个最吻合;✓按最吻合的相将其标定。
3)晶体结构完全未知的多晶电子衍射花样的标定✓首先想办法确定相机常数;✓测出各衍射环的直径,算出它们的半径;✓算出各衍射环对应的晶面的面间距;✓根据衍射环的强度,确定三强线,查PDF卡片,最终标定物相;这种方法由于电子衍射的精度有限,而且电子衍射的强度并不能与X射线一样可信,因此这种方法很有可能找不到正确的结果。
5.2.5.2单晶电子衍射花样标定1) 晶体结构已知的单晶电子衍射花样的标定✓标准花样对照法这种方法只适用于简单立方、面心立方、体心立方和密排六方的低指数晶带轴。
因为这些晶系的低指数晶带的标准花样可以在有的书上查到,如果得到的衍射花样跟标准花样完全一致,则基本上可以确定该花样。
不过需要注意的是,通过标准花样对照法标定的花样,标定完了以后,一定要验算它的相机常数,因为标准花样给出的只是花样的比例关系,而对于有的物相,某些较高指数花样在形状上与某些低指数花样十分相似,但是由两者算出来的相机常数会相差很远。
所以即使知道该晶体的结构,在对比时仍然要小心。
✓尝试-校核法a)量出透射斑到各衍射斑的矢径的长度,利用相机常数算出与各衍射斑对应的晶面间距,确定其可能的晶面指数;b)首先确定矢径最小的衍射斑的晶面指数,然后用尝试的办法选择矢径次小的衍射斑的晶面指数,两个晶面之间夹角应该自恰;c)然后用两个矢径相加减,得到其它衍射斑的晶面指数,看它们的晶面间距和彼此之间的夹角是否自恰,如果不能自恰,则改变第二个矢径的晶面指数,直到它们全部自恰为止;d)由衍射花样中任意两个不共线的晶面叉乘,即可得出衍射花样的晶带轴指数。
尝试-校核法应该注意的问题对于立方晶系、四方晶系和正交晶系来说,它们的晶面间距可以用其指数的平方来表示,因此对于间距一定的晶面来说,其指数的正负号可以随意。
但是在标定时,只有第一个矢径是可以随意取值的,从第二个开始,就要考虑它们之间角度的自恰;同时还要考虑它们的矢量相加减以后,得到的晶面指数也要与其晶面间距自恰,同时角度也要保证自恰。
另外晶系的对称性越高,h,k,l之间互换而不会改变面间距的机会越大,选择的范围就会更大,标定时就应该更加小心。
✓查表法(比值法)-1a)选择一个由斑点构成的平行四边形,要求这个平行四边形是由最短的两个邻边组成,测量透射斑到衍射斑的最小矢径和次小矢径的长度和两个矢径之间的夹角r1, r2,θ;b)根据矢径长度的比值r2/r1 和θ角查表,在与此物相对应的表格中查找与其匹配的晶带花样;c)按表上的结果标定电子衍射花样,算出与衍射斑点对应的晶面的面间距,将其与矢径的长度相乘看它等不等于相机常数(这一步非常重要);d)由衍射花样中任意两个不共线的晶面叉乘,验算晶带轴是否正确。
✓查表法(比值法)-2a)测量透射斑到衍射斑的最小、次小和第三小矢径的长度r1, r2, r3;b)根据矢径长度的比值r2/r1 和r3/r1查表,在与此物相对应的表格中查找与其匹配的晶带花样;c)按表上的结果标定电子衍射花样,算出与衍射斑点对应的晶面的面间距,将其与矢径的长度相乘看它等不等于相机常数(这一步非常重要);d)由衍射花样中任意两个不共线的晶面叉乘,验算晶带轴是否正确。
之所以有两种不同的查表法,是因为有两种不同的表格,它们的查询方法和原理基本上是一致的。
查表法应该注意的问题:首先查表法标定完了以后一定要用相机常数来验算,因为即使物相是已知的,同一种物相中也会有形状基本一样的花样,但它们不可能是由相同的晶面构成,因而算出来的相机常数也不可能相同;由两个矢径和一个夹角来查表时,有的表总是取锐角,这样有好处,但查表时要注意你的花样也许和表上的晶带轴反号,所以标定完了之后,一定要用不共线的两矢量叉乘来验算;如果夹角不是只取锐角,一般不存在这个问题;如果从衍射花样上得到的值在表上查不到,则要注意与你的夹角互补的结果,因为晶带轴的正反向在表中往往只有一个值。
2) 晶体结构范围可以确定的单晶电子衍射花样标定在这种情况下的标定方法与晶体结构完全确定时没有区别,只不过是用每一种物相的晶体结构去尝试,看用哪种物相的晶体结构标定时与衍射花样的结果最吻合,那该花样就有可能是属于该物相的某一晶带轴花样,一般情况下这种花样都能很好地标定。
只有在比较特殊的情况下,比如说有两种物相都能对花样标定,这时一般先用相机常数验算,如果还不能区分,则只能借助于第二套花样。
3) 晶体结构未知的单晶电子衍射花样标定(1) 此方法的核心是构造三维倒易点阵(2) 方法:A. 几何重构法B. 维约化胞法180°不唯一性电子衍射图中附加的2次旋转对称操作给单个的电子衍射谱带来了180°不唯一性的问题。