场发射扫描电子显微镜
场发射扫描电镜的样品制备和操作步骤
场发射扫描电镜的样品制备和操作步骤场发射扫描电镜（Field Emission Scanning Electron Microscopy）是一种高分辨率的电子显微镜技术，可用于观察和分析各种材料的表面形貌和微观结构。
为了获得清晰的显微图像，样品制备和操作步骤非常重要。
一、样品制备1. 样品的选择：场发射扫描电镜适用于不同种类的材料，如金属、陶瓷、聚合物等。
选择合适的样品很关键，它应具备研究对象的特性，并且能够承受电子束的辐照。
2. 样品的固定：为了保持样品的形状和结构不变，通常需要将其进行固定。
对于固态材料，可以使用金属夹片或导电胶进行固定。
对于液态材料，可以将其冷冻或凝胶化，以保持其形状。
3. 样品的切割和打磨：有时候，需要将样品切割成适当的尺寸，以便放入样品架中。
这可以通过使用金刚石切割机、电解或机械研磨仪器等设备来完成。
4. 样品的真空处理：在将样品放入场发射扫描电镜前，通常需要将其进行真空处理。
这可以通过将样品放入真空干燥器中、在低压下进行加热或冷冻干燥来完成。
真空处理有助于去除空气中的水分和气体，以减小背景干扰。
二、操作步骤1. 打开电镜系统：在开始操作前，需要将场发射扫描电镜系统打开并进行预热。
预热时间通常需要几十分钟，以保证系统内部达到稳定的工作温度。
2. 放置样品：将样品放置在样品架上，并确保其良好接触。
对于粉末状样品，可以使用导电胶将其固定在样品支架上。
对于固态样品，可以使用金属夹片固定在样品架上。
3. 调整显微镜参数：通过调整电子束能量、聚焦、工作距离等参数，来优化扫描电子显微镜的成像质量。
这些参数的选择取决于样品的特性和所需的分辨率。
4. 开始观察：一切准备就绪后，可以开始观察样品。
通过控制电子束的扫描和探测系统，可以获得样品的表面形貌和微观结构的信息。
在观察过程中，要注意避免样品表面的污染和损坏。
5. 数据分析：场发射扫描电镜获得的图像可以进一步进行数据分析。
可以通过对图像进行增强、测量尺寸和形状、进行结构分析等手段，来得到更详细的样品信息。
场发射电子显微镜技术指标
场发射电子显微镜技术指标1．产品配置要求1.1 场发射扫描电镜主机1套1.2 X射线能谱仪(电制冷) 1套1.3标准附件及工具1套1.4离子溅射仪 1套1.5导电胶带 2卷1.6 场发射灯丝 1根1.7电脑 2台1.8彩色激光打印机 1台2．技术规格2.1 组成：该设备由主机(包括真空系统、电子光学系统、检测器)，自动变压器，冷却循环水系统，X射线能谱仪(SDD)，计算机，标准工具及附件组成。
*2.2 分辨率：1.0nm (15kV，WD=4mm);2.0nm (1kV，WD=1.5mm)常规模式1.4nm(1KV，WD=1.5mm)电子减速功能2.3 加速电压：0.5 ~ 30kV，0.1kV/步2.4 放大倍率：×20 ~ ×800,000*2.5 物镜光栏：加热自清洁式、四孔、可移动物镜光栏2.6 样品室：2.6.1移动范围：X：0~50mm；Y：0~50mm；Z：1.5~30mm；T：-5~70°；R：360°2.6.2最大样品尺寸：100mm*2.7 全自动五轴马达台样品台2.8 电子光学系统具有多种工作模式，可实现高分辨、大束流、大工作距离及磁性样品观测2.9探测器: 具有高位和低位二次电子探头高位探头可选择接受二次电子像或背散射像，并混合*2.10 扫描模式：TV扫描(扫描速度不低于25帧/秒)，慢扫描，用于观察和记录2.11 操作/显示：PC/AT兼容，WindowsXP操作系统2.12 图像储存：640×480，1280×960，2560×1920，5120×3480像素图像文件格式：BMP，JPEG，TIFF2.13数据记录：胶卷号，加速电压，微米标尺，放大倍率，日期，时间，工作距离*2.14电子图像移动：±12μm (WD=8mm)2.15真空系统：2.15.1全自动真空系统2.15.2真空度：10-7Pa (电子枪)；10-4Pa (样品室)*2.15.3真空泵：分子泵×1台；机械泵1台；离子泵×3台2.15.4保护：断电、漏电、真空保护2.16 X射线能谱仪2.16.1探测器制冷方式：电制冷型。
场发射扫描电子显微镜(S-4800)操作规程
场发射扫描电子显微镜（S-4800）操作规程开机1. 检查真空、循环水状态。
2. 开启“Display”电源。
3. 根据提示输入用户名和密码，启动电镜程序。
样品放置、撤出、交换1. 严格按照高度规定高样品台，制样，固定。
2. 按交换舱上“Air”键放气，蜂鸣器响后将样品台放入，旋转样品杆至“Lock”位，合上交换舱，按“Evac”键抽气，蜂鸣器响后按“Open”键打开样品舱门，推入样品台，旋转样品杆至“Unlock”位后抽出，按“Close”键。
观察与拍照1. 根据样品特性与观察要求，在操作面板上选择合适的加速电压与束流，按“On”键加高压。
2. 用滚轮将样品台定位至观察点，拧Z轴旋钮（3轴马达台）。
3. 选择合适的放大倍数，点击“Align”键，调节旋钮盘，逐步调整电子束位置、物镜光阑对中、消像散基准。
4. 在“TV”或“Fast”扫描模式下定位观察区域，在“Red”扫描模式下聚焦、消像散，在“Slow”或“Cssc”扫描模式下拍照。
5. 选择合适的图像大小与拍摄方法，按“Capture”拍照。
6. 根据要求选择照片注释内容，保存照片。
关机1. 将样品台高度调回80mm。
2. 按“Home”键使样品台回到初始状态。
3. “Home”指示灯停止闪烁后，撤出样品台，合上样品舱。
4. 退出程序，关闭“Display”电源。
注意1. 每天第一次加高压后，进行灯丝Flashing去除污染。
2. 冷场发射电镜一般不断电，如遇特殊情况需要大关机时，依次关闭主机正面的“Stage”电源、“Evac”电源，半小时后关闭离子泵开关和显示单元背面的三个空气开关，关闭循环水。
开机时顺序相反。
3. 每半个月旋开空压机底阀放水一次。
4. 待测样品需烘干处理，不能带有强磁性，不能采用铁磁性材料做衬底制样。
5．实验室温度限定在25±5℃，相对湿度小于70% 。
仪器维护1. 每月进行电镜离子泵及灯丝镜筒烘烤。
2. 每半年进行一次机械泵油维护或更新。
场发射扫描电镜工作原理
场发射扫描电镜工作原理场发射扫描电镜（Field Emission Scanning Electron Microscope，FE-SEM）是一种利用电子束扫描样品表面并通过信号与图像处理系统来重现样品表面微观结构的高分辨率电子显微技术。
FE-SEM是目前最常用、最成熟的电子显微技术之一，具有分辨率高、对样品厚度敏感度低、对材料表面信息获取能力强等优点。
FE-SEM的工作原理非常复杂，下面简要介绍其基本原理。
FE-SEM主要由以下几个部分组成：电子枪、聚焦系统、扫描系统、检测系统和成像系统。
其中电子枪和聚焦系统是电子束发射和聚焦的部分，扫描和检测系统则负责扫描样品表面并收集反射的电子信号，最后成像系统则将信号转化为图像。
电子枪通过引入高压电场和热发射，产生一个极小尺寸的电子束。
聚焦系统的作用是将电子束聚焦到样品表面上，使其成为一束高能量、小尺寸的电子束。
这个过程中，电子束会出现能量弥散，需要进行补偿，以形成更加稳定的电子束。
扫描系统的作用是将电子束在样品表面进行扫描，构建出样品表面的形貌和结构信息。
这个过程中，扫描器会通过在x和y方向上推动电子束来进行扫描，电子束与样品表面会产生相互作用，产生不同的信号。
这些信号经过检测系统的收集，可以分为两种类型：二次电子信号和背散射电子信号。
二次电子信号主要反映的是样品表面的形貌和镜像信息，而背散射电子信号则主要反映样品表面的成分和晶体结构信息。
检测系统可以通过检测这些信号并转化为图像，将样品表面的形貌和结构再现出来。
不同的检测系统可以处理的信号类型不同，有些可以处理二次电子信号，有些则只能处理背散射电子信号。
一般情况下，将这两种信号进行叠加可以获得更加完整的样品信息。
总的来说，FE-SEM的工作原理基于电子枪和聚焦系统形成高能量、小尺寸的电子束，扫描系统进行扫描和信号收集，检测系统将信号转化为图像再进行成像的整个过程。
在这个过程中，电子束与样品表面的相互作用是最核心的。
日立SU5000场发射扫描电子显微镜说明书
Fig. 1 External appearance of SU5000 FE-SEM New Schottky FE-SEM, SU5000Shigeaki Tachibana *1 William Podrazky *2Introduction1. Scanning Electron Microscopes (SEM) are used for observation and analysis in various fields. Since Field Emission SEM (FE-SEM) equipped with a field emission electron gun source provide higher resolution than those equipped with a thermionic emission electron gun source, the user base for FE-SEM has broadened significantly due to the need to observe specimen features continually decreasing in size. FE-SEMs are increasingly recognized as a tool for performing various surface analyses, however detection technologies for various signals generated from specimens have advanced beyond topographic observation alone. Typically the operator must utilize previous knowledge, training, and skill in microscopy to generate desirable results; therefore, optimal performance may vary based on experience level. For example, optimal performance may not be realized as a result of improper optical axis alignment or astigmatism correction, utilizing unsuitable accelerating voltage(s), or other parameters. Integrating an automated solution for these problems would allow the user to focus on obtaining comprehensive results under the best possible conditions at all times. Hitachi High-Technologies has developed a novel user interface which augments conventional SEM techniques to assist these problems. The “EM Wizard” user interface was developed to bring “new usability” to EM operators of various levels of experience. This Schottky FE-SEM, the SU5000, incorporated with EM Wizard interface, launched in August 2014 (Fig. 1).Fig. 2 EM Wizard, objectives selection screen.New Interface: EM Wizard2. With EM Wizard, rather than setting individual conditions such as the accelerating voltage, working distance, detector, and other parameters, the operator can select an “Observation Purpose,” such as “Surface Information” or “Elemental Information,” from a selection menu (*2). On the screen, a Radar Chart displays the type of content that will be acquired (resolution, surface information, elemental composition), and a simulated SEM image representing how a specimen will appear under each observational objective. This information provides a visual understanding of SEM image characteristics that can guide the operator in selecting these objectives (Fig. 2). When an “Observation Purpose” is selected, related system parameters are set automatically (e.g., accelerating voltage, working distance, detector), and optical axis parameters as well as astigmatism corrections are adjusted to optimal values. Simply by adjusting the brightness/contrast and focus, the operator can easily acquire high quality images at consistent resolution. In addition to an applications selection menu, what makes these functions possible are high-precision automation technologies initially developed for Critical Dimension (CD) SEM. CD-SEM are entirely automated, and must provide highly reproducible measurements, optical axis alignments, and other adjustments; EM Wizard has been designed to use these automation technologies to reproduce and maintain highly precise adjustments invariably. Because optical axis alignment and astigmatism correction values change with lens conditions over time, they cannot be maintained for long periods, even if stored in the system. However, EM Wizard includes an auto-calibration function which automatically restores parameters to optimal values responsive to long-term changes in lens conditions (*3), eliminating any need for proficiency in readjustment procedures. This feature makes it easier for the operator to obtain images in focus, maintain high reproducibility, and acquire data efficiently. Figure 3 is an example of a catalyst observed at 200,000× magnification after auto-calibration with the use of EM Wizard. Metal particles several nm in size are discernible during operation without complex adjustment.Fig. 4 Observation of lithium ion battery positive electrode. Left: Secondary electron image. Right: Backscattered electron image.Magnification: 25,000×.Fig. 3. Catalyst observation. Magnification: 200,000×Low-energy observation3. In addition to the assistance functions provided by automation as shown above, the SU5000 is equipped with optical and detection systems suitable for any variety of analysis required. The emitter used is a Schottky-type device which delivers a spatial resolution of 2.0 nm at 1 kV (*4) and high probe current (>200 nA). Figure 4 is an example of the positive electrode of a lithium-ion battery observed at a landing voltage of 0.3 kV. The positive electrode of Lithium ion batteries is comprised of an active substance consisting of conductors, binders, and other elements. However, some binder materials cannot withstand electron beam irradiation and must be observed at the lowest possible energy. The left image in Fig. 4 was produced by a secondary electron detector mounted inside the electron column, and the right image was produced by a backscattered electron detector inserted below the lens. In the secondary electron image, the binder appears dark by voltage contrast, while the backscattered electron image allows for distribution of contrast based on each material. In this example, multiple signals are used to evaluate different components of the electrode including topographic and compositional distributions. It is inferred that the enhanced voltage contrast in the secondary electron image is attributed to differences in the charge effect of each material due to the secondary electron generation efficiency when irradiated by very low-energy incident electrons.4.Concluding RemarksThe SU5000 was developed to address the various needs of SEM users in materials science, biomedicine, and many other fields. As the FE-SEM grows in popularity, Hitachi will continually place importance on functions such as EM Wizard, which are capable of providing high-resolution and optimized contrast images with high reproducibility, regardless of the user experience level.（*2）Patent No. 5416319（*3）Patent No. 5464534（*4）With use of deceleration mode (optional)ReferencesSato M., History of Technologies in high resolution SEM, Kobunshi, 9 (2014)(Japanese).Authors*1 Shigeaki Tachibana, Hitachi High-Technologies Corp., Marketing Department*2 William Podrazky, Hitachi High-Technologies America, Inc.。
S-4800场发射扫描电子显微镜培训材料
Hitach〔日立〕S-4800 型扫描电子显微镜培训材料一、留意事项：1、严禁没有操作资格的人员操作电镜；2、操作人员要严格依据操作规程进展操作，在仪器产生特别时要准时报告全部事实；3、样品制备严格依据要求进展，特别是磁性样品；4、严禁在试验室吃东西，保持试验室清洁卫生；5、不允许在试验室内使用水槽；6、制止在试验室内使用产生大量粉尘的物质；7、不得在试验室内大声喧哗、扰乱正常工作；8、留意试验室内湿度应当在60%以下，留意下水管漏水状况。
培训加考核共6个半天。
必需按时到场，认真学习，不允许半途离开。
培训考核完毕之后，每人进展操作的前两次必需有娴熟人员伴随，并要求伴随人员在使用登记表上签字。
电镜操作的第一前提是要保证人身安全，其次前提是保证仪器设备安全。
第一次培训内容：生疏S-4800的开机、进样、取样、关机等主要步骤。
1、介绍冷热场放射的扫描电镜〔附件一及附件二〕。
冷场放射电镜特点，灯丝不加热，引出电场，束流小，能量分散小，但需要高真空，有气体分子吸附。
扫描电镜的根本原理。
2、介绍S-4800 及能谱的组成局部、电源掌握。
3、先翻开循环水开关，再翻开主机Display 开关。
4、检查离子泵IP1、IP2、IP3 的数据并记录。
5、进入掌握主机桌面，双击图标进入S-4800 的掌握软件。
6、每天开头工作前做Flashing 2 一次，加电压，观看vext 数值〔例如3.8KV〕，假设跟上一次做完flashing 之后的数值〔例如3.7KV〕差异小于0.2KV，则记录此值。
假设与上次相比差异大于0.2KV〔例如本次做完flashing 后vext 数值为4.0KV〕，则需再做一次flashing2，差值应当减小到0.2KV 以内，记录此vext数值。
7、检查样品高度，样品台粘好样后，肯定要用气枪把未粘牢的样品吹掉，并确定被测样品的最高处在标准范围内，不能超出标准高度，也不能低太多；8、如何进样：（1）按交换舱上的AIR〔放气〕按钮，向交换舱充气，听到“嘀——”的声音，可以翻开交换舱。
场发射扫描电子显微镜安全操作及保养规程
场发射扫描电子显微镜安全操作及保养规程1. 引言场发射扫描电子显微镜（Field Emission Scanning Electron Microscope，FE-SEM）是现代科学研究中常用的一种实验设备。
本文档旨在说明使用FE-SEM的安全操作规程以及设备的保养方法，保障使用人员的安全并延长设备的使用寿命。
2. 安全操作规程2.1 个人安全 - 在使用FE-SEM之前，使用人员应接受相关培训，了解设备的基本操作方式和安全注意事项。
- 在操作过程中，使用人员应佩戴适当的个人防护装备，包括防护眼镜、手套和实验服等。
- 在进行样品处理和加载时，应注意避免接触有毒或腐蚀性物质，并采取适当的防护措施。
- 若出现设备故障或异常情况，应立即停止操作并向相关人员报告。
2.2 设备安全 - 在操作之前，应检查设备的电源、冷却系统和真空系统是否正常工作。
- 禁止在离设备太近的地方放置易燃、易爆物品。
- 避免使用金属工具或其他尖锐物品直接接触设备，以免损坏设备外壳或导致电气短路。
- 在操作时，确保设备周围没有杂物或其他障碍物，以免影响操作或造成伤害。
2.3 样品处理与装载 - 检查待测样品是否符合FE-SEM的尺寸和材料要求。
- 在进行样品处理和装载时，避免给样品带来静电或其他污染源，保持样品表面干净。
- 使用合适的工具和技术进行样品装载，确保样品与设备接触良好。
3. 设备保养规程3.1 日常清洁 - 定期清洁设备外壳和工作区域，避免尘埃和杂物积累。
- 使用清洁棉布或软刷，避免使用酸性、碱性或腐蚀性溶剂来清洁设备。
- 定期清理样品台和探针，确保设备在正常工作状态下进行观察。
3.2 真空系统维护 - 定期检查真空泵和真空管路的密封性能，确保系统处于正常工作状态。
- 定期更换真空泵的油封、滤芯等易损件，延长设备使用寿命。
- 注意监测真空度的稳定性，如发现异常应及时处理。
3.3 电子枪维护 - 定期检查电子枪的工作状况，清洁电子发射区域，避免灰尘和污垢的堆积。
JEOL JSM-7500FA 场发射扫描电子显微镜使用说明书
Instructions f or o perating J EOL J SM-‐7500FA a nalytical field e mission s canning e lectron m icroscope a t Nanomicroscopy C enterVersion 2.1 (April 2011)Juuso K orhonen (***********************)Latest v ersion o f t his d ocument c an a lways b e d ownloaded f rom:k.fi/en/instruments/sem/jsm-‐7500fa/SEM-‐instructions.pdfOfficial i nformationNew u ser t rainingInexperienced u sers h ave a c ouple o f o ptions, l isted b elow i n t he o rder o f preference.1.Ask f or t raining f rom t he m ost e xperienced S EM u ser o f y ourresearch g roup.2.Attend t o t he c ourses T fy-‐125.4313 a nd T fy-‐125.4314 M icroscopyof n anomaterials (5+5 c r). T hey a re l ectured e ach s pring b y P rof.Janne R uokolainen.3.Ask o ne o f t he a dministrators t o a rrange a t raining s ession.a.Small g roups o f 2-‐3 p eople a re p referred f or t he t rainings.Allow s ome t ime t o g ather e nough p eople f or t he g roup.b.Training i s d one u sing a p ractice s ample a nd p ersonalsamples a re u sually n ot i maged.Experienced u sers c an c ontact o ne o f t he a dministrators f or a s hort introduction t o t he e quipment.Every n ew u ser h as t o b e a pproved b y o ne o f t he a dministrators b efore t hey are a llowed t o u se t he S EM o n t heir o wn. T he a dministrator k eeps a s hort (15-‐30 m in) s ession w here t he e ssential s kills o f t he u ser a re c hecked. User a pplicationUser a pplication h as t o b e f illed i n o rder t o g ain r eservation a ccess t o a ny o f the N MC e quipment. T he f orm c an b e f ound f romk.fi/en/documents/nmc_user_application_form.pdf a nd i t i s returned t o o ne o f t he a dministrators f or a pproval.PricingBilling i s d one u sing t he c urrent N MC p rice l ist. C ontact P rof. J anne Ruokolainen f or t he m ost c urrent l ist. P lease n ote t hat i ndividual t raining given b y t he a dministrators w ill a lso b e c harged.Precautions – r ead c arefully•Always c heck t he l iquid n itrogen l evel a nd f ill i f n ecessary.o First u ser o f t he d ay a lways f ills t he t ank.•Keep a ll p arts c lean a nd c lean t hem i f n ecessary w ith e thanol.o Wear g loves w hen h andling h olders.•Fill t he l og b ook o n t he c omputer.o Mark a ny s trange b ehavior o r p roblems t o t he l og b ook.•If s omething i s m issing f rom t he S EM o r f rom t he s ample p reparation room (e.g. g loves, e thanol, h olders, c arbon t ape), p lease i nform o ne o fthe a dministrators (send e mail o r c all).•Use o nly f eatures y ou a re t rained t o u se. F or e xample, d o n ot u se EDS o r R BEI i f y ou d on’t k now h ow t o o perate t hem s afely.•Use o f U SB s ticks i s s trictly p rohibited d ue t o s ecurity i ssues a nd hardware i ncompatibility.•Stay c alm a nd u se y our c ommon s ense.•Contact a dministrators i f y ou a re i n d oubt. C ontact i nformation i s found o n t he l ast p age o f t hese i nstructions.Quick s tartup p rocedure1.Turn o n b oth m onitors a nd c heck t hat S EM s oftware a nd u sage l og(Excel) a re r unning. S tart t hem i f n ecessary. L og i n a s G uest (nopassword).2.Check t he l iquid n itrogen l evel a nd f ill i f n ecessary. T he f irst u serof t he d ay a lways f ills t he t ank.3.Fill t he u sage l og:a.Date, s tart t ime (and e nd t ime).b.Your n ame (and t he n ame o f y our h ost i f y ou d o n ot h avereservation p ermissions).c.Vacuum l evels b efore s tarting.d.Amount o f f illed l iquid n itrogen (write “0” i f y ou o nlychecked t he l evel).e.Write n otes a nd c omments t o t he l ast f ield i s n ecessary.f.Save t he f ile (Ctrl-‐S).4.Prepare y our s ample.5.Insert s ample i nto m icroscope:a.Press E xchange p osition.b.Press a nd h old V ENT f or c a. 1 s ec. O pen s ecuring l atch. W ait.c.Open c hamber a nd i nsert h older a long t he d irection o f t hearrows.d.Close c hamber.e.Press a nd h old E VAC f or c a. 1 s ec. W ait u ntil b linking s tops.f.Operate t he r od t o m ove t he s ample t o t he s tage. I f y ou’re n otabsolutely c ertain h ow t o d o t his, r ead t he d etailedinstructions!g.Take o ut t he r od.6.Wait u ntil v acuum l evel r eaches l ess t han 5⋅10-‐4 P a.7.Set E mission c urrent t o 10 μA.8.Select A cceleration v oltage.9.Press O bservation O N.Shutdown p rocedure1.Press O bservation O FF t o t urn o ff a cceleration v oltage.2.Press E xchange p osition.3.Take o ut h older u sing t he r od.4.Press a nd h old V ENT f or c a. 1 s ec. O pen s ecuring l atch. W ait.5.Open c hamber a nd t ake o ut t he h older.6.Close c hamber.7.Press a nd h old E VAC f or c a. 1 s ec.8.Mark e nding t ime a nd o bservations t o U sage l og a nd s ave f ile (Ctrl-‐S).9.Set S EM M onitor s oftware t o n ormal s ettings:a.Exchange p osition p ressed (green).b.Mode: S EMc.Magnification: m inimum f or b oth S EM a nd L Md.Probe c urrent: 810.Turn o ff s pecial f eatures y ou h ave u sed: I mage r otation, d ynamicfocus, e tc.11.If y ou m ade a ny c hanges i n t he O peration S ettings m enu, c hangethem t o n ormal v alues (scan s peeds, i mage f unction, e tc.).12.Clean t he h olders w ith e thanol i f n ecessary.13.Clean t ables. I f y ou w ant t o s tore y our s amples, m ark t hem w ith y ourname a nd p ut t hem o nto a s helf. T hings l eft o n t he t able a re t hrowninto t he t rash.14.Transfer y our i mages f rom t he s mall c omputer o n t he b ack t able.You c an f ind y our f iles a t t he n etwork d rive c alled H arley.e U SB s tick, S SH, e mail, o r b urn a C D.b.The f iles c annot b e t ransferred d irectly f rom t he S EMcomputer d ue t o s ecurity r easons.15.Turn o ff m onitors. D o n ot l og o ut f rom t he s oftware o r c lose t heExcel l og b ook.Changing s ample1.Press O bservation O FF t o t urn o ff a cceleration v oltage.2.Press E xchange P osition t o m ove t he s tage t o c orrect p osition.3.Take s ample o ut b y o perating t he r od.4.Press a nd h old V ENT f or c a. 1 s ec. t o f lush c hamber a nd o pen l atch.Wait.5.Open c hamber a nd t ake o ut s ample (pull a long t he a rrows, n ot u p).6.Change s ample a nd i nsert h older a long t he a rrows.7.Close c hamber a nd s ecure w ith l atch.8.Press a nd h old E VAC f or c a. 1 s ec. W ait u ntil b linking s tops.9.Insert s ample b y o perating t he r od. T ake o ut r od.10.Wait u ntil c hamber v acuum r eaches 5⋅10-‐4 P a b efore t urning o nacceleration v oltage.Special f eaturesThis i s o nly a q uick r eference. S pecial t raining i s r equired t o u se R BEI o r E DS, because o f s afety i ssues.Infrared c ameraYou c an s ee i nside t he c hamber u sing t he i nfrared c amera.1.Switch c amera o n f rom t he b utton o n t he t able.2.From S EM s oftware s elect N avigator -‐> I nfrared c amera3.Turn c amera o ff w hen u sing R BEI o r E DS.Probe c urrent m eterProbe c urrent m eter c an b e u sed t o c heck t he c urrent g oing t o t he s ample. I t is m ost i mportant i n E DS a nalysis.1.Insert t he d etector b y c hecking P CD f rom t he b ottom r ight c orner o fSEM s oftware.2.Take o ut d etector a fter y ou h ave r ead t he c urrent f rom t he S EMsoftware.Retractable b ackscattering d etector (RBEI)Backscattering d etector i s u sed t o d istinguish b etween e lements o n t he sample.1.Set w orking d istance t o 8 m m o r m ore.a.Inserting R BEI w ith l ess t han 8 m m b etween t he s ample a ndthe o bjective l ens w ill r esult i n s erious d amage.2.Turn o ff i nfrared c amera.3.Insert d etector b y c hecking R BEI f rom t he b ottom r ight c orner o f t heSEM s oftware.4.Select C OMPO o r T OPO f or i mage m ode (same m enu a s S EM a nd L M)and u ser a s low s canning s peed f or o bservation.X-‐ray a nalysis (EDS)This g uide i s n ot a dequate f or p roper o peration o f E DS, b ut i s o nly a q uick reference f or t rained u sers.1.Set w orking d istance t o e xactly 8 m m.a.Focus w ith Z h eight u sing t he r ing o f t he s croll w heel i nsteadof F OCUS.2.Insert R BEI.3.Turn o n b ias v oltage b y c licking t he l ightning i ndicator.a.Wait u ntil c ount r ate s tabilizes.4.Select A nalysis f rom t he r ight s ide o f S EM s oftware.5.Click D T (dead t ime) a nd s elect T4 f rom t he l ist.6.Adjust p robe c urrent s o D T b ecomes g reen (around 20-‐30 %) a ndcount r ate i s c a. 2000-‐3000 c ps.7.Take s pectra, l ine s can, o r m apping u sing t he a ppropriate b uttons.8.When a sked a bout s aving t o a n etwork d rive, s elect O K.9.Save t he a nalysis b efore e xiting a nalysis m ode i n o rder t o b e a ble t oreturn t o t he a nalysis l ater.a.Exporting o nly s aves t he i mage a nd y ou c annot r eturn t omake m ore a nalysis o n t he d ata.10.When y ou a re f inished w ith a nalysis, t urn o ff t he b ias v oltage a ndtake o ut R BEI.Saving E DS s pectraIf y ou w ant t o b e a ble t o p lot y our E DS s pectrum, s elect E xport a nd t hen select M SA f ile. I t w ill s ave t he s pectrum i n a c ompatible f ile f or u se i n O rigin, Excel, o r s ome o ther p lotting p rogram.Detailed i nstructionsOperating t he r od (sample e xchange m echanism)This p rocedure d escribes h ow t o u se t he s ample e xchange m echanism i norder t o e ither r emove o r i nsert a s ample h older i nto/from t he m icroscope.Read t his s ection c ompletely t hrough b efore p roceeding a nd m ake s ure t hatyou u nderstand e very s tep.Precondition: T he e xchange c hamber i s i n v acuum a nd t he d oor s eparatingit f rom t he m icroscope i s o pen. C onfirm t hat E VAC l ight i s l it a nd n otblinking. D epending o n w hether y ou a re i nserting o r t aking o ut a s ample, t heholder m ight b e i n t he e xchange c ompartment (HLDR l ight i s o ff) o r i nsidethe m icroscope (HLDR l ight i s o n).See t he v ideo o n t he c omputer d esktop f or a d emonstration. U PDATE: T hefigures a re f rom a n o ld v ersion o f r od.1.Push t he b ar i nside t he m icroscope b y f ollowing t he p rocedure:a.Lower t he r od t o h orizontal l evel, w hile l ightly h olding i tback.b.Let t he r od b e p ulled i n s lowly.c.Push t he b ar g ently a ll t he w ay i nside u ntil i t s tops (d).•There i s a l ittle r esistance a t t he f inal c ouple o fcentimeters.•The s ample s hould b e n ow e ither r eleased f romthe b ar o r a ttached t o i t (depending o n w hetheryou a re i nserting o r r emoving t he h older).•If y ou h ave n ot p ushed t he s ample a ll t he w ayinside a nd s tart t o p ull b ackwards t here i s adanger t hat t he s ample h older w ill f all t o t hebottom t he s ample c ompartment. I f t his h appens,the w hole s ample c ompartment h as t o b e o pened.Contact S EM a dministrators i n t his c ase.2.Pull t he b ar o ut f rom t he m icroscope u sing t he f ollowingprocedure:a.Pull t he b ar o ut a s f ar a s i t c omes (e).•The t wo a rrows o n t he h older s hould a lign w iththe p ipe e nd.•If y ou h ave n ot p ulled f ar e nough, t he r od m ightbe d amaged d uring t he l ift.b.Lift t he r od u pwards t o v ertical.•Now y ou s hould e ither h ave t he s ample i nside t hemicroscope o r i n t he e xchange c ompartment a ndthe e xchange c ompartment i s i n v acuum.Opening t he s ample e xchange c ompartmentThe f ollowing p rocedure d escribes h ow t o b ring t he e xchangecompartment t o a tmospheric p ressure.Precondition: T here i s n o s ample i nside t he m icroscope o r i t h as b eenbrought t o t he e xchange c ompartment, a nd t he e xchange c ompartment i sin v acuum. F irst c heck t hat H LDR l ight i s o ff o n t he s ample e xchangecompartment (i.e. t here i s n o s ample i nside t he s ample c ompartment).Figure. S ample e xchange r od1.Pressurize t he e xchange c ompartment:a.Press a nd h old (for a bout 1 s econd) t he V ENT b utton o n t heexchange c ompartment.i.The b utton s tarts t o b link a nd y ou h ear s ome s ounds.ii.In a f ew s econds, t he d oor b etween t he e xchangecompartment a nd t he s ample c ompartment c loses.You c an o bserve t his b y e ar a nd b y l ooking a t t hebottom r ight c orner o f t he S EM M onitor.2.Open t he l atch a s s oon a s y ou h ear t he c lick.3.Open t he e xchange c ompartment d oor (it s hould o pen a lmost b yitself).a.You d o n ot n eed t o w ait u ntil t he p umping h as s topped.b.The c ompartment w ill c ontinue p urging f or a f ixed a mount o ftime. Y ou d o n ot h ave t o w ait u ntil i t s tops a nd y ou c anevacuate i t a s s oon a s y ou l ike.4.Now y ou h ave t he s ample c ompartment o pen a nd r eady f orloading/unloading t he s ample h older.Inserting a s amplePrecondition: T here i s n o s ample i nside t he s pecimen c hamber a nd exchange c ompartment i s i n v acuum. F irst c heck t hat H LDR l ight i s o ff o n the e xchange c ompartment (i.e. t here i s n o s ample i nside).1.Move t he s tage t o e xchange p osition:a.Click E xchange P osition o n t he S EM M onitor.i.If b utton i s n ot v isible, c lick "Specimen" f rom t herightmost e dge o f S EM M onitor.ii.Make s ure t hat E XCH P OSN i s l it o n t he e xchangecompartment, b efore p roceeding.2.Bring t he e xchange c ompartment t o a tmospheric p ressure b yfollowing p rocedure i n s ection “Opening t he s ample e xchangecompartment”. Q uick n otes:a.Press a nd h old V ENT f or c a. 1 s ec.b.Open l atch. W ait.c.Open c hamber d oor.3.Put o n g loves i f y ou d o n ot h ave t hem a lready o n.a.Parts t hat a re i n c ontact w ith t he v acuum s hould b e k eptabsolutely c lean. I f y ou h ave t ouched s ome p art, c lean t he p artwith e thanol (not a cetone).4.Insert h older t o t he s pecimen c huck:a.Slide t he s pecimen h older i nto t he s pecimen c huck a long t hearrow d irection o n t he s pecimen h older.5.Check t hat t he O-‐ring s eal o n t he d oor i s O K a nd w ipe i t w ith a c leanglove i f n eeded t o g et r id o f a ny d ust.a.If t he r ing i s r eally d irty, w ipe i t w ith e thanol o r i sopropanol(do n ot u se a cetone o r m ethanol).6.Close t he c hamber d oor a nd s ecure i t w ith t he l atch.7.Evacuate t he c ompartment b y p ressing a nd h olding E VAC (forabout 1 s econd). T he l ight w ill s tart b linking.a.Wait u ntil t he l ight s tops b linking a nd t he d oor s eparatingthe e xchange c ompartment i s c losed. Y ou c an o bserve t hisfrom t he b ottom r ight p art o f t he S EM M onitor.8.Insert t he s ample h older i nside t he m icroscopea.Refer t o s ection “Operating t he r od” i f i n d oubt.9.A p opup w indow s hould a ppear o n t he S EM M onitor. N ow s elect t heappropriate h older a nd s et t he o ffset v alue.a.If p opup d oes n ot a ppear, t ake o ut t he h older a nd i nsert i tagain.10.Wait u ntil t he v acuum l evel r eaches 9.6·10-‐5 P a (if t hat i s n otpossible, w ait a t l east u ntil 5·10-‐4 P a).Taking o ut s amplePrecondition: T here i s a s ample i nside t he m icroscope a nd e xchange compartment i s i n v acuum. F irst c heck t hat H LDR l ight i s o n o n t he s ample exchange c ompartment (i.e. t here i s a s ample i nside) a nd E VAC l ight i s o n and n ot b linking.1.Click O bservation O FF t o t urn o ff a cceleration v oltage.2.Click E xchange P osition t o m ove t he s ample h older t o t he e xchangeposition.a.Make s ure t hat E XCH P OSN i s l it o n t he e xchangecompartment b efore p roceeding.3.Bring t he s ample t o t he e xchange c ompartment b y o perating t herod.a.Refer t o s ection “Operating t he r od” i f y ou a re n ot a bsolutelycertain h ow t o d o t his.4.Pressurize t he e xchange c ompartment:a.Press a nd h old V ENT f or c a. 1 s ec u ntil i t s tarts t o b link.b.Open s ecuring l atch. W ait.c.Open c hamber d oor.5.Now y ou h ave t he s ample c ompartment o pen a nd y ou a re r eady t akeout y our s ample. I f y ou a re d one w ith t he i maging, j ust c lose t heexchange c hamber a nd e vacuate i t o therwise c ontinue w ith i nsertinga n ew s ample. D o n ot l eave t he c hamber o pen f or a l ong p eriod o ftime, b ut e vacuate i t i f n eeded.Sample h oldersSample h olders c onsist o f a b ase p art a nd a n a dapter p art (show o n t he f igure right). T here a re t hree d ifferent a dapters f or d ifferent s pecimen s tubs s hown in t he f igure b elow (a, b , c , d ).The m ost b asic h olders a re t he 12.5 m m (b-‐1) a nd 25 m m (c-‐1) a luminum “JEOL” s tubs . T hey s hould b e u sed w henever p ossible. S tubs s hould a lways b e available a t t he s ample p reparation r oom, b ut y ou c an a lso o rder y our o wn ones e .g. f rom E MS (order n umbers 75730, a nd 75700). T he u se o f r egular holders i s i ncluded i n t he o peration p rice o f t he m icroscope.Also “mini-‐stubs” a re a vailable f or u se w ith a p rovided a dapter. T hey a re preferred f or s mall s amples. T hey c an b e o rdered f rom T ed P ella (order numbers 16180, a nd 16181).For s pecial o ccasions, a H itachi a dapter (a) c an b e u sed. S pecial c are m ust b e taken w hen u sing t hese h olders, b ecause t hey l ack s ome s afety f eatures. Ask a dministrators, i f y ou h ave s pecial r equests f or h olders. T here a re a lso different k inds o f c ross-‐section h olders a vailable. A sk t he a dministrators f or more i nformation.Attaching a dapter t o b ase p arta) Make s ure t hat p arts a re n ot d irty, c lean i f n ecessary. b) Place a dapter o n t he b ase p art.c) Tighten s crew o n t he b ase p art l ightly.Figure. A ttaching a dapter t o base p art.Figure. 12.5 m m a nd 25 m m "JEOL" stubs.Figure. "Mini-‐stubs" a nd 12.5 m m a dapter.Figure. C ross-‐section holders.Sample h eightAlign t he t op o f t he s ample w ith t he g roove i nside t he J EOL a dapter p art. U se the s crew o n b ottom t o r aise o f l ower t he s ample. W hen u sing a nother holder, m ake s ure t hat h eight f rom t able t op l evel i s e xactly 25 m m.CoatingFor n on-‐conductive s amples a c oating i s u sually n eeded f or o bservation i n SEM. T his c an b e e asily p erformed b y u sing s putter c oating o f g old, p latinum, or g old-‐palladium. T here i s a s putter c oater a t N MC, w hich c an b e u sed f or this p urpose. R esolution l imiting f actor i s t he g rain s ize, w hich i s u sually 5-‐20 nm d epending o n t he c onditions o f s puttering.Also c arbon c oating c an b e u sed t o m ake s amples c onductive. I t i s a nappealing m ethod, w hen d oing X -‐ray a nalysis. I t c reates a v ery u niform l ayer without n oticeable grains.Figure. A lign t op o f stub w ith t he g roove on t he s ample holder.Basic m icroscope o perationBasic c onceptsWorking d istance a nd Z v alueWorking d istance (WD) v alue s ets t he e ffective f ocal l ength o f t he o bjective lens.Z h eight v alue s ets t he d istance o f t he (supposed) s urface l evel o f t he s ample from t he o bjective l ens.These t wo v alues a re e qual, w hen t op o f s ample i s a ligned w ith t he t op o f the h older (ie. 25 m m h igh f rom t able l evel, s ee f igure). W D > Z, i f y our sample i s l ower t han t he c orrect l evel a nd v ice v ersa. I f W D < Z y ou n eed t o set t he S ample O ffset v alue a ccordingly.Sample o ffsetThe h eight o f t he t op l evel o f t he s ample m easured f rom t able t op l evel should b e e xactly 25 m m. T he s ample c an b e s et a lso 0-‐4 m m h igher t han t he nominal l evel, b ut t hen t he S ample O ffset v alue h as t o b e s et a fter i nserting sample. I t i s l ocated a t t he b ottom o f t he s ample h older s elect w indow, w hich pops u p a utomatically a fter h older i nsert.Acceleration v oltage, e mission c urrent, p robe c urrent…The f irst t hing t o t hink a bout w hen s tarting i maging i s t he s election o f acceleration v oltage. T he c hoice d epends o n t he t ype o f t he s ample. S ee table b elow f or s ome e xamples.Sample Observation c ondition NotesGold p articles o n conductive s urface 5-‐30 k V, p robe c urrent a t c a. 10, working d istance 1.5-‐8 m mCoated p orous polymer 1-‐5 k V, p robe c urrent 6-‐10, w orking distance 4.5-‐8 m mUncoated p olymer 0.5-‐1 k V, p robe c urrent < 8, g entlebeam m ode, w orking d istance c a. 8mmCoated b iological sample 1-‐5 k V, p robe c urrent c a. 10, w orking distance 4.5-‐25 m m d epending o n feature s izeUncoated p aper 1-‐2 k V, g entle b eam (GB-‐L) m ode,working d istance 4.5 m m, p robecurrent 6-‐10.Coated p aper 5 k V, w orking d istance 4.5-‐25 m m,probe c urrent c a. 10X-‐ray a nalysis o f conductive s ample 15-‐30 k V, w orking d istance e xactly 8mm, h igh p robe c urrentRetractable B EIdetector i nsertedX-‐ray a nalysis o f poorly c onductive sample 5 k V, w orking d istance e xactly 8 m m,probe c urrent a s h igh a s p ossibleRetractable B EIdetector i nsertedThe e mission c urrent i s t he c urrent d rawn f rom t he e mitter. S et i t a lways t o 10 μA. Figure. S ample height s hould b e exactly 25 m m measured f rom t able top l evel.Probe c urrent i s t he c urrent d irected a t t he s ample. H igher v alues g ive better s ignal t o n oise r atio, b ut c ause m ore c harging a rtefacts i n p oorly conducting s amples. V alue o f 8-‐10 i s u sually a g ood c hoice.AligningUsually t he m icroscope i s a ligned w ell e nough f or m icrometer s cale operation. I n t his c ase, o nly f ocusing i s n ecessary. F or h igher m agnification work, t he e lectron b eam n eeds t o b e a ligned a nd a stigmatism o f t he o bjective lens h as t o b e c orrected.FocusThe f irst l evel o f a ligning i s a lways f ocusing. F ocusing i s d one u sing t he FOCUS k nob o n t he o peration c onsole. C lockwise r otation i s u nder f ocus (weaker l ens) a nd c ounterclockwise i s o ver f ocus (stronger l ens).If p ossible s elect s ome f eature, w hich y ou c an u se i n t he m agnification r ange from c a. 1000 t o 20000.Start f rom a l ow m agnification a nd w hen y ou g et g ood e nough i mage m ove on t o h igher m agnification f or f ocusing. I t t he a lignments a re r eally o ff, y ou might n ot g et a c lear i mage a t a ll.Beam a lignBeam a lign i s a lways d one a t p robe c urrent 8. S elect t he c orrect p robe current v alue f rom t he s oftware.Press A LIGN o n o peration c onsole. T he i mage s tarts t o m ove o n t he s creen. Use t he X a nd Y k nobs t o m inimize t he m ovement. P ress A LIGN O FF (STIG) button w hen i mage h as s topped. R epeat f or m agnifications u p t o c a. 20000. Focus t he i mage w henever n ecessary.Astigmatism c orrectionTo c orrect t he o bjective l ens a stigmatism p ress t he S TIG b utton o n t he operation c onsole (it i s u sually a lready s elected a t t his p oint). M ove o n t o a spherical f eature, w hich y ou a re a ble t o o bserve a t m agnification 10000 o r more.Move t he F OCUS k nob s o t hat y ou g o f rom u nderfocus t o o verfocus a nd b ack several t imes. W hen y ou h ave a stigmatism, t he i mage g ets e longated i n diagonal d irections w hen m oving a round t he f ocal p oint. S elect t he f ocal point w here n o e longation o ccurs.Adjust t he X a nd Y k nobs s o t hat y ou g et t he c learest i mage p ossible. F ocus whenever n ecessary.Other c orrectionsThere a re a lso o ther a lignments, s uch a s s ource a lign, c ondenser l ens astigmator, l ow m agnification c enter, a nd s tigmator c enter c orrections. These v alues s hould n ot u sually b e c hanged a nd t heir u se i s n ot d escribed here.Problems a nd t roubleshootingAnswers t o c ommon p roblemsI w ant t o u se U SB s tick t o t ransfer m y f iles!You c an t ransfer y our f iles t o a U SB s tick f rom t he s mall c omputer a t t he b ack wall. Y ou’ll f ind y our f iles u nder t he n etwork d rive H arley.Help! T here i s n o i mage.Follow t he c hecklist t o f ind t he c ause:1.Are y our Z a nd W D v alues t he s ame? I f n ot p ress W D t o s et c orrectdistance.2.What d etector a re y ou u sing? I f W D<8 m m y ou u sually d o n ot g etimage w ith L EI d etector; a nd i f W D>8 m m S EI g ives o nly s tatic n oise.LM m ode s hould w ork f ine i n t his c ase.3.What i s y our p robe c urrent v alue? I f i t i s l ow, t ry i ncreasing i t.4.If n one o f t he a bove i s t rue, t ry r esetting a lignment. G o t o A lignmentpanel a nd c lick R eset A ll.a.In a r eally b ad c ase t he s ource a lignment h as g one b ad.Contact a n a dministrator t o a lign i t.If t here i s n o i mage w hen s tarting o perationFirst, p ress A CB (auto c ontrast & b rightness). I f y ou e ven s ee s ome s tatic noise, y ou o nly n eed t o f ind t he c orrect f ocal p oint. S ee p revious s ection.In c ase y ou h ave c ompletely b lack s creen w hen y ou s tart i maging, f ollow t he list u ntil y ou h ave i mage.1.Restart o f S EM s oftware:a.File-‐>Exit t o g o t o l ogin s creen.b.Close l ogin s creen f rom E xit b utton.c.Wait o ne m inute.d.Start S EM_Monitor s oftware.e.Log i n a s G uest.2.Restart c omputer:a.Close S EM s oftware.b.Save E xcel l og b ook a nd e xit.c.Restart W indows.d.Start S EM s oftware a nd E xcel l og b ook.3.Restart o peration c onsole:a.Read i nstructions b elow.If v acuum b reaks d uring s ample e xchangeVacuum u sually b reaks i f t he l ever i s p ushed o r t wisted d uring t he s ample insertion. T he c omputer w ill r aise a m aintenance w indow s howing e rror messages. T he m icroscope w ill a utomatically s hut d ownsome p arts a nd t he v acuum p umps h ave t o b e r estarted. B ring t he microscope b ack t o i ts n ormal c ondition b efore p roceeding. F or e xample, lift t he r od b ack t o i ts u pright p osition.1.Locate t he t wo V AC S W b uttons b elow t he t able. T here a re a lso M AINSW b uttons, b ut d o n ot t ouch t hem.2.Shut d own v acuum p umps b y p ressing V AC O FF (0=OFF, 1=ON)button. T he p umps s hould n ow s top, i f t hey w ere n ot s hut d ownalready.3.Wait a m oment a nd r estart p umps b y p ushing V AC O N b utton.a.There i s a 20 m in t imer f or s tarting t he p umps s o y ou w illhave t o w ait a t l east 20 m inutes b efore p roceeding.4.After a ll o f t he e rror m essages h ave d isappeared f rom t he d isplay,you c an c ontinue o perating.Turning o ff c omputer1.Log o ut f rom t he S EM s oftware (File-‐>Exit).2.Save t he E xcel l og b ook (File-‐>Save o r C trl-‐S).3.Close t he E xcel l og b ook.4.Select S hutdown f rom S tart m enu.Powering o n c omputer1.Start c omputer f rom t he p ower s witch.2.Log i n a s S EMUser (password: S EMUser).3.Start E xcel l og b ook b y d ouble c licking “SEM U sage L og” o n t he r ightmonitor d esktop.4.Start S EM s oftware b y d ouble c licking S EM_Monitor.5.Log i n a s G uest.Restarting o peration c onsole1.Turn o ff c omputer.2.Press O P S W O FF f rom b elow t he t able.3.Wait c a. 10 s econds.4.Press O P S W O N.5.Turn o f c omputer.6.Wait a c ouple o f m inutes b efore s tarting S EM_Monitor s oftware.。
场发射扫描电子显微镜系统 技术参数
场发射扫描电子显微镜系统技术参数一、货物名称及数量：场发射扫描电子显微镜系统一台二、主要技术规格及要求2.1 基本要求2.1.1发射源：热场发射电子枪*2.1.2物镜系统：电磁/静电式物镜系统，电子束无交叉光路设计*2.1.3分辨率：0.8 nm @ 15kV1.6 nm @ 1kV*2.1.4加速电压范围：20V－30kV，连续可调*2.1.5放大倍数范围：12X－1,000,000X，连续可调2.1.6探针电流：范围 4pA-20nA，连续可调稳定度优于 0.2 %/h2.1.7减震方式：自动水平系统2.2 真空系统2.2.1样品室极限真空度：≤2×10-4 Pa2.2.2换样抽真空时间：小于3 min。
2.3 样品室及样品台*2.3.1样品室尺寸（不小于）：内部直径520mm，高度300mm2.3.2 集成8英寸样品交换室*2.3.3 配备四个探测器：环形高效完全内置式In-lens二次电子探测器样品室内ET SE二次电子探测器4QBSD AsB背散射电子探测器样品室内红外CCD摄像机*2.3.4 样品台：类型 6轴全自动马达驱动超优中心样品台安装抽屉式控制双操纵杆控制盒*2.3.5 样品台马达移动范围（不小于）： 152mm（X方向），152mm（Y方向），43mm（Z方向），10mm（Z’方向），-15 - 60°（倾斜），360°（旋转）2.3.6 能谱仪工作条件：工作距离8.5 mm，X射线出射角35°*2.3.7 物镜光栏：数量不少于 6孔更换与对中方式电磁式2.4 图像处理系统2.4.1配套计算机系统（不低于）：CPU Intel Pentium 2 Quad;2.33 GHz Quad Core，RAM 4 Gb，硬盘 1TB，光盘刻录机，19″TFT显示屏，键盘，鼠标，USB接口。
2.4.2显示图像分辨率：不小于 1024×768像素2.4.3最大存储图像分辨率：不小于3072×2304像素2.4.4存储图象格式：TIFF、BMP与JPEG2.4.5降噪方式：像素平均、帧/行平均、帧/行叠加2.5 控制系统2.5.1操作系统Windows XP，电镜操作控制软件。
场发射扫描电子显微镜参数
场发射扫描电子显微镜参数：1．工作条件:1.1电源: 230V (-6%/+10%) / 50Hz (±1%)1.2 主机功耗：< 3.0 kV A1.3运行环境温度: 17-23 C1.4运行环境：相对湿度< 80% (无冷凝)1.5残余交流磁场<100nT (非同步频率)；<300nT (同步频率)1.6噪音：< 60 dBC1.7干燥无油压缩空气4-6 bar1.8仪器运行的持久性：可连续运行2．设备用途：2.1高分辨扫描电子显微分析系统主要用于纳米材料的超高分辨微观形貌观察和微区分析。
独特的双物镜设计以及低电压成像技术，对导电性不好的样品等适用性更强。
具有低真空功能，对不导电样品进行更全面的分析。
3．技术规格3.1 电子光学系统3.1.1 分辨率：二次电子（SE）像*3.1.1.1高真空模式：15 kV时优于1.0 nm；1 kV时优于1.4 nm（非减速模式）*3.1.1.2 低真空模式：30kV时优于1.5nm*3.1.2背散射（BSE）像：100V时优于3.5 nm3.1.3 放大倍率范围：1 ～1,000,000倍(根据加速电压和工作距离的改变，放大倍数自动校准)3.1.4 着陆电压：50V 至30 kV3.1.5 电子枪：高稳定度Schottky肖特基场发射电子枪*3.1.6电子束流：0.6pA ～200 nA，连续可调，既保证对高分子纳米材料高分辨成像所需的低速流，也要保证EDS和EBSD分析所需的高束流高效率。
3.1.7 束流稳定性：每10小时< 0.4%*3.1.8 具有双物镜系统（电磁透镜和静电透镜），保证对纳米材料、不导电有机无机材料、合金、磁性材料的全方位分析*3.1.9 物镜光阑：物镜光栏应能自加热自清洁；无需拆卸镜筒即可更换物镜光阑。
至少6孔光阑设计3.1.10 电子束位移范围：不小于±110um3.2 样品室和样品台3.2.1 样品室尺寸：不小于360mm×360mm*3.2.2 抽屉式大开门结构，样品台安装在仓门上，全方位观察，方便取放样品，防止碰撞3.2.3样品台：五轴运动全对中样品台，有效移动范围：X /Y ≧110mm，Z ≧25mm，T = -10°to +70°，R= 360°连续旋转3.2.4样品台最大承重量不小于2.0 kg3.2.5最大样品高度不小于65mm，分析工作距离不小于5mm3.2.6重复精度：2um (X/Y 方向)，步进进度优于100nm3.2.7至少15个探测器/附件接口（所有端口程序均免费开放，可安装能谱、波谱、EBSD、CL、STEM探头、红外探头、拉曼等），方便后期升级*3.3 探测器：3.3.1 电子探头：样品室二次电子检测器极靴内二次电子探测器极靴内背散射电子探测器低真空二次电子探测器3.3.2 样品室镜头安装背散射电子探测器3.3.3 样品室IR-CCD相机3.3.4样品室光学显微镜导航相机探头3.4 真空系统*3.4.1完全无油真空系统（标配高真空模式和低真空模式，要求有验收指标）3.4.2 一个220L/S的涡旋干泵和一个分子泵3.4.3 两个离子泵*3.4.4 穿过透镜的压差真空系统（列出原理），保证真空条件下避免对系统的污染。
材研实验报告(扫描电镜+红外光谱+热分析)
《材料研究方法》课程演示实验报告冯恩科091623一、扫描电子显微镜1 实验的名称：场发射扫描电子显微镜（FESEM）。
2 仪器的型号：FEI—QUANTA 200F3 实验材料及样品形式：添加了缓凝剂的水泥，并水化三天，固体块状。
4 研究材料表观特性：研究样品表面微观形貌。
5 实验条件：保护气体：水蒸气；束斑：4.0；加压电压：20kV；气压：70Pa。
6 制样方法：先将导电胶或双面胶纸粘结在样品基座上，再用镊子将块状样品放置在胶带上面黏牢，最后镀上一层导电膜，然后就可以放入扫描室内进行观察。
7 所观察到的实验现象：上图为实验当天拍下来的两幅扫描图。
在实验中随着放大倍率不断提高，通过与扫描电子显微镜想连接的计算机进行聚焦后我们可以观察到，屏幕上出现一些棒状的物体（缓凝剂）、并且分布均匀，通过对这些凹凸和颜色的分析，可以确定表面物质组成和结构。
8 观后感：在观看实验之前，对扫描电子显微镜的理解和认识并不深刻，尽管知道它的一些原理和功能，但是它具体使用的方法是什么，如何利用这件宝贝看到自己想看的东西却完全不懂，通过这次实地地观摩和与老师的交流，终于明白一二。
老师给我们介绍了一些制样时需要注意的问题：通常要选取具有代表性的样品或样品区域，处理断面时应尽量选择新鲜自然形成的断面，避免人工手段对样品断面结构、物质造成变化而失真。
在处理样品时应防止电荷的积累，避免由此导致的表面过亮而使形貌特点难以观测。
粉末样品的颗粒应小而均匀，防止对观测产生不利影响。
在进行实验观察时，首先要弄清楚我们所要得到的信息，然后选择有代表性的区域，小心仔细地调节，由大到小，一步一步聚焦放大，直到看到想要看的区域为止。
二、红外光谱1 实验的名称：傅里叶变换<FTIR>红外光谱分析仪2 仪器的型号：EQUINOX 55配套OPUS软件。
生产厂家：德国BRUKER公司分辨率：< 0.5 1/cm波数精度：优于0.01 1/cm信噪比：>3600:1光谱范围：7500—370 1/cm功能及应用范围：主要应用于有机、无机材料的分子组成和结构检测主要附件：单反射ATR附件、漫反射附件、红外显微镜3 实验材料及样品形式：添加了3%高分子材料的水泥基，灰色粉末状。
场发射扫描电子显微镜技术要求解析
附件：场发射扫描电子显微镜技术要求1. 场发射扫描电镜技术规格1.1.分辨率：≤1.0nm(15kV)；≤1.4nm(1kV)1.2 加速电压：0.1kV ～30kV1.3 放大倍数：25×～800,000×以上1.4 电子枪：场发射型1.5在样品室上提供不少于六个附件接口，可同时接X射线能谱、背散射电子探测器等。
1.6探测器：普通二次电子检测器高分辨二次电子/背散射电子探测器BSE探测器*1.7样品台：全对中型X方向位移：≥50mm；Y方向位移：≥50mm马达控制：5轴(X, Y, Z, R, T)1.8真空系统前级机械泵配油雾过滤器1.9动态视频保存*2. 配置要求2.1场发射扫描电子显微镜基本单元1台2.2 电镜正常工作所需的稳压电源、循环冷却水、变压器、不间断电源等完整1套2.3备用电子枪1个2.4场发射扫描电镜长期使用所需要的备品备件、专用工具(列详细清单) 完整1套3.售后服务3.1 卖方应在合同生效后的一个月内，对可能的设置室进行地面振动、杂散磁场的测量，并向买方提出详细的安装要求和提供技术咨询。
3.2 仪器到达用户所在地后，在接到用户通知后两周内进行安装调试，直至通过验收。
3.3 设备安装后，在用户现场对用户进行免费培训，培训内容包括仪器的操作和仪器基本维护等，使用户达到独立操作水平。
3.4卖方提供三年的免费保修，保修期自仪器验收签字之日起计算；卖方免费提供软件升级（在不涉及硬件升级的前提下）。
3.5在保修期外软硬件出现问题，应在接到用户通知后两个工作日内给与解决方案或在三个工作日内到达用户现场解决问题。
4.交货期：6个月。
S 4800场发射扫描电子显微镜测聚合物
S 4800场发射扫描电子显微镜测聚合物s-4800场发射扫描电子显微镜测聚合物ｓ－４８００场发射扫描电子显微镜观测聚合物一、实验目的1.了解扫描电子显微镜的工作原理、仪器的结构。
2.掌握仪器的操作方法、聚合物样品的制备和处理方法。
3.观察聚合物样品表面形貌、结构、聚集状态等。
二、实验原理1.电镜的成像原理电子枪（场发射枪）升空一束电子，这就是电子源，其最少横截面的直径对场发射枪而言大约为10～20nm，这个小束斑经3和5两级聚光镜进一步增大几百倍，最后再经物镜增大并著眼在样品面上，这时束斑直径最轻可至3～6nm（约大于扫描电镜的分辨本领），电子束踢在样品上，就产生各种信号。
二次电子和背散射电子信号就是最常用的两种信号，尤其就是二次电子。
信号由接收器抽出，经光电倍增器和电子放大器压缩后，做为视频信号回去调制高分辨显示器的亮度，因此显示器上这一点的亮度与电子束踢在样品上那一点的二次电子升空强度相对应当。
由于样品上各点形貌等各有不同，其二次电子升空强度相同，因此显示器屏上对应的点的亮度也相同。
用同一个读取发生器产生帧洗和行扫信号，同时回去掌控表明的偏移器和镜筒中的电子束读取偏移器，并使电子束在样品表面上与显示器中电子束在荧光屏上同步进行帧洗和行扫，产生相近于电视机上的读取光栅。
这两个光栅的尺寸比就是扫描电镜的摆倍数。
在显示器屏幕光栅上的图像就是电子束在样品上所读取区域的压缩形貌像是。
图像中亮点对应于样品表面上凸起部分，暗点则表示凹陷的部分或背向接收器的阴影部分。
由于显示器屏幕上读取尺寸就是紧固的，如14in(1in=25.4mm）显示器的读取面积就是267×200mm2，在压缩倍数为十万倍时样品面上的读取面积为2.67×2μm2如压缩倍数为20倍时，则为13.35×10mm2。
因此发生改变电子束读取偏移器的电流大小，就可以发生改变电子束在样品上的读取尺寸，从而发生改变扫描电镜的压缩倍数。
JSM7800F场发射扫描电子显微镜EDSEBSD
JSM-7800F场发射扫描电子显微镜（EDS，EBSD）
样品测试相关说明
一、样品要求：
1、样品不能含有水份及挥发性溶剂，能够承受一定的温度及真空度不变形；
2、EDS样品如需定量时，要求样品表面平整；
3、EBSD样品测，需对样品表面进行抛光处理；
4、样品高度不能超过35mm，样品直径最大为150mm。
二、设备主要技术参数及指标：
1、场发射扫描电子显微镜
规格型号：JSM-7800F
厂家：日本电子
产地：日本
分辨率：二次电子：0.8nm (15kV), 1.2nm (1kV)
加速电压：0.01 - 30KV 连续可调
放大倍数：25X–1,000,000X ；放大倍数连续可调
2、X射线能谱仪（EDS）
有效探测面积：50mm2
分辨率：优于127eV，（Mn Ka处，计数率为50000cps）
分析元素范围：Be（4）--Cf（98）
3、背散射电子衍射分析仪（EBSD）
相机分辨率：1344*1024像素
角分辨率：<0.1°
实验仪器中心分析测试中心
2015-5-11。
场发射扫描电镜使用方法
场发射扫描电镜使用方法一、场发射扫描电镜的基本了解。
1.1 场发射扫描电镜是个相当厉害的家伙呢。
它就像一个超级放大镜，可以把微观世界的东西看得清清楚楚。
这东西构造可不简单，有电子枪、电磁透镜这些重要部件。
电子枪就像是它的能量源，产生电子束，然后通过电磁透镜聚焦，最后打到样品上。
1.2 它能观察的样品类型可多啦。
不管是金属、陶瓷，还是生物样品，它都能一展身手。
不过不同的样品，在观察之前得做不同的处理，这就像是给不同的人梳妆打扮，各有各的讲究。
二、样品的制备。
2.1 对于金属样品，如果表面比较粗糙，那得先打磨得光滑平整些。
这就好比把一块坑坑洼洼的石头打磨成漂亮的鹅卵石。
打磨之后呢，还得清洗干净，可不能让杂质留在上面捣乱。
2.2 生物样品就更麻烦些了。
有的生物样品含水量高，那得先进行脱水处理。
这脱水就像把湿漉漉的衣服晾干一样重要。
然后还得固定、镀膜等一系列操作。
如果这些步骤没做好，就像盖房子没打好地基，后面观察就会出问题。
2.3 陶瓷样品相对来说可能没那么复杂，但也得把表面处理干净，确保没有灰尘或者其他脏东西附着。
这就如同洗脸一样，要把脸洗得干干净净才能见人。
三、电镜的操作。
3.1 开机那可得小心谨慎。
就像启动一辆超级跑车，得按照步骤来。
先打开电源，然后预热一段时间。
这个预热就像运动员比赛前的热身，必不可少。
预热完了，要检查各种参数设置是否正确，这就好比出门前检查钥匙有没有带一样重要。
3.2 放置样品的时候也要轻拿轻放。
把样品放到样品台上，要确保它放得稳稳当当的。
这时候就像把宝贝放在一个安全的地方一样。
然后调整电子束的参数，像调整电子束的强度、聚焦等。
这就像调整相机的焦距一样，要让图像清晰。
在观察过程中，可能还需要根据实际情况不断调整参数，直到得到满意的图像。
这就像厨师做菜，得不断调味才能做出美味佳肴。
四、图像的获取与分析。
4.1 当参数调整好后，就可以获取图像啦。
这图像就像是微观世界的一扇窗户，通过它能看到很多奇妙的东西。
场发射扫描电子显微镜使用方法说明书
场发射扫描电子显微镜使用方法说明书一、引言场发射扫描电子显微镜（以下简称场发显微镜）是一种高分辨率的显微镜，利用电子束与样品相互作用产生的信号来获取样品表面的形貌和结构信息。
本说明书将详细介绍场发显微镜的使用方法，帮助用户正确操作和利用该仪器。
二、仪器准备在使用场发显微镜之前，需进行以下准备工作：1. 保证实验室环境在恒定的温度和湿度下，避免影响仪器性能。
2. 检查仪器电源和相关线缆的连接是否牢固，并确保电源供应稳定。
3. 准备待观察的样品，并确保样品表面干净、光滑。
三、开机及基本操作1. 打开仪器电源，待仪器完成自检后，进入操作界面。
2. 鼠标操作：使用鼠标控制光标移动至所需功能区域，并点击打开相应功能菜单。
3. 设置扫描参数：选择扫描模式、像素大小等参数，以适应不同样品的观察需求。
4. 样品安装：将待观察的样品安装到样品台上，并使用调节螺丝微调样品的位置，保证与电子束的最佳对准。
5. 自动对焦：使用自动对焦功能，校准焦距，确保样品图像清晰可见。
四、图像观察与分析1. 扫描图像获取：点击“扫描”按钮，开始获取样品表面的扫描图像。
图像会逐行扫描，根据设定参数生成图片。
2. 放大与缩小：使用鼠标左键点击图像区域，可进行图像的放大和缩小操作。
右键点击可还原图像原始大小。
3. 焦点平移：使用光标控制器或滚轮移动焦点位置，观察样品各个区域的细节。
4. 图像调节：根据需要调整图像的亮度、对比度等参数，以获得更清晰的图像。
5. 图像保存：观测到满意的图像后，点击“保存”按钮，将图像保存到指定路径，便于后续分析与报告撰写。
五、仪器维护与操作注意事项1. 仪器维护：固定时间段内对仪器进行清洁和维护，清除积尘，以保证仪器正常运行。
2. 样品处理：在安装样品之前，确保样品表面干净，避免影响观察效果。
避免使用尖锐物体接触样品，防止刮伤样品表面。
3. 仪器操作：在操作中避免突然断电，以免损坏仪器设备。
操作完毕后，及时关闭仪器电源。
扫描电子显微镜之冷场发射、热场发射、肖特基
扫描电子显微镜之冷场发射、热场发射、肖特基作者：驰奔COXEM(酷塞目)有限公司Beijing Office(转载请注明出处)目前市场上可以提供的商品化大分类，一般而言是以发射方式区分为：场发射和热发射。
场发射电子枪的高性能结合，使得场发射扫描电镜相对普通热发射扫描电镜的性能有了质的飞跃。
热发射概念比较简单，是以钨灯丝扫描电镜为主，最常见，也有采用六硼化镧电子枪的扫描电镜。
场发射概念相对比较混乱，市场经常出现的名称为：冷场发射扫描电镜：就两家日本电子和日本日立，是日本的特色，也是日本人的性格体现，尖（不要理解成奸）的要命！因为不太好用，所以较量重点在于看谁能够为用户主动排忧解难。
超高分辨热场发射扫描电镜：为了和冷场较真，又兼顾热场优越性.很多人认为这是真正可以叫做热场发射的扫描电镜; 但也有业内著名人士云，现在根本没有真正的热场, 理由是肖特基发射电子源，配合双模式物镜（一种模式为半内透镜，一种为无场模式），当采用无场模式时，分辨率马上落到底。
热场发射扫描电镜：前面没有形容词，就是某业内人士所云的并非真正热场发射扫描电镜，但名称可以借一下超高分辨的概念。
肖特基Schottky热发射扫描电镜：一般制造商都不肯这么叫，其实这反映其实质肖特基热场发射扫描电镜：实质同上，但借助热场概念。
混乱的原因，是统治话语权的人有意或者无意的一种引导,本文不存在商业引导，驰奔认为几十年前真正的科学家就已经搞清楚了，而且早已厘清了事实。
在很多资料中都可以查到下面的这个图。
这才是最正确的回答。
但是大多数需要扫描电镜的人并非都熟悉量子物理，稍有必要做一些解释。
发射体前电子的势能曲线V（z），外加电场-e I E I z，电子的势能曲线。
实际增加外电场的主要途径是减小阴极的曲率半径，为100微米，六硼化镧阴极约为5微米，肖特基热发射阴极（单晶六硼化镧或者ZrO/W)为小于1微米，冷场发射阴极小于100nm，热场发射阴极在100nm到1μm之间。
场发射扫描电子显微镜
场发射扫描电子显微镜一、场发射扫描电子显微镜大体原理被加速的高能电子束照射到样品上(在高真空状态下)，入射电子束与样品彼此作用，产生各类信号，通过不同的探测器检测各类不同的信号, 即能够取得有关样品的各类信息。
例如, 最多见的二次电子信息, 就能够直接取得样品表面的图像信息。
场发射扫描电子显微镜(与一般扫描电镜不同的是采纳高亮度场发射电子枪, 从而取得高分辨率的高质量二次电子图象)能够观看和检测非均相有机材料、无机材料及微米、纳米材料样品的表面特点。
是纳米材料粒径测试和形貌观看有效仪器。
可普遍用于生物学、医学、金属材料、高分子材料、化工原料、地质矿物、商品检测、产品生产质量操纵、宝石鉴定、考古和文物鉴定及公安刑侦物分析等。
1. 光学显微镜与扫描电子显微镜光学显微镜是用可见光照射在样品表面，反射光通过一系列玻璃透镜放大后而呈现出样品的放大图象，由于波长和光干与限制, 极限只能观看到小至m左右的颗粒。
与光学显微镜不同，场发射扫描电子显微镜(电子束波长极短)是用电子束在样品表面扫描，电子束轰击样品表面，释放出二次电子和反射电子等，通过二次电子探测器检测二次电子信号, 按相同扫描规律, 在荧光屏上成像。
由于二次电子信号与样品的原子系数大小和入射角有关, 而入射角因样品表面粗糙度(形貌)而转变, 故可直接取得高质量的样品表面形貌图象。
而扫描图象景深大, 取得的二次电子图象有“三维空间成效”(立体感相当好)。
目前, 高分辨率场发射扫描电子显微镜能观看到小至1nm (对一般样品一样只能观看几纳米以上的样品)左右的颗粒。
2. 电子束与样品的彼此作用入射电子照射到样品上，其中一部份几乎不损失其能量地在样品表面被弹性散射回来，把这一部份电子称为背散射电子(BE)；若是样品超级薄，那么入射电子的一部份会穿过样品，将这一部份电子称为透射电子(TE)；其余电子的全数能量都在样品内消耗掉而为样品所吸收，即为吸收电子(AE)；另外，入射电子会将样品表面(大约10nm)层的电子打出样品表面，发射出能量极小(<50eV)的二次电子(SE)，其中也包括由于俄歇(Auger)效应而产生的具有特点能量的俄歇电子。
场发射扫描电子显微镜实验操作
场发射扫描电子显微镜实验操作扫描电子显微镜（SEM）是一种能够获得高分辨率表面形貌信息的重要工具。
在实验室中，我们经常会使用场发射扫描电子显微镜来观察样品的微观结构和形貌。
本文将介绍场发射扫描电子显微镜的实验操作步骤。
实验准备在进行场发射扫描电子显微镜实验之前，我们需要进行一些准备工作。
首先，确保实验室环境干净整洁，以避免样品受到污染。
其次，检查扫描电子显微镜设备，确保设备正常工作。
最后，准备好待观察的样品，并确保样品表面平整干净。
样品处理与加载处理样品是进行场发射扫描电子显微镜实验的关键步骤。
首先，将待观察的样品切割成适当大小，并利用相关方法处理表面以去除可能的杂质。
然后，将样品加载到扫描电子显微镜样品台上，并使用夹具固定样品。
参数设置在进行扫描电子显微镜实验前，需要设置合适的参数以获得清晰的显微结构图像。
首先，调整加速电压和工作距离，以适应待观察样品的性质和尺寸。
其次，设置扫描速度和倍率，以获得所需的图像分辨率。
最后，根据需要选择不同的检测模式和滤波器。
图像获取与分析当参数设置完成后，可以开始进行样品的图像获取。
通过扫描电子束对样品进行成像，获得样品表面的细微结构信息。
在获取图像后，可以利用相应软件对图像进行分析，包括测量尺寸、分析形貌等。
同时，可以记录图像和相应数据以备后续分析。
结束实验与维护实验结束后，及时关闭扫描电子显微镜设备，并对设备进行清洁和维护。
将样品从样品台取下，妥善保存或处理。
同时，整理实验记录和数据，保留有关信息以备后续参考。
通过以上步骤，我们可以完成一次成功的场发射扫描电子显微镜实验操作。
这不仅可以帮助我们深入了解材料的微观结构和形貌，还可以为科学研究和工程应用提供重要参考。
希望本文对您进行场发射扫描电子显微镜实验操作有所帮助。
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2012
44 （1）
141-147
Yixiao Wang， 3 Le Ye，
Huailin Liao
Cost-efficient CMOS RF tunable bandpass filter with active inductor-less biquads
Circuits and Systems (ISCAS)
获得更多的有用信息 2.主动式减震器：提高了抗震 能力，减小了外部环境对电镜的影响3.标配的五轴 马达驱动全对中样品台4.全自动样品更换气锁5.低角 度背散射电子图像，提供更多表面细节和成份信息
6.r-Filter能量过滤器，可得到不同能级的二次电子像 和背散射电子像7.GB Mode柔和电子束模式 提供良 好的低电压图像 。
联系 电话
62753130
开放 时间
14:30-17:主要研 究方向 微电子领域的微纳结构表面微观形貌及组成、尺寸的观察、测量
在研 或曾 承担 重大 项目
国家自然科学基金11项，973课题5项，863课题2项，重大专项2项
奖项 获奖：2012年，北京市科学技术一等奖，超大规模集成电路65-40纳米成套产品工艺研发与产业化 专利 专利：不少于6项/年
分辨率：1.0nm（15kV），1.4nm（1kV）。放大倍 数：25倍－1,000,100倍（SEM模式）。加速电压： 0.1kV-30kV。电子枪种类：冷场发射电子枪。WD工 作距离：1.5--25mm。 1.多通道显示：能够同时显示二次电子和背散射电 子等四种信号，可以更好的观察和研究样品表面，
Fei Tan， 2 Dong Yang，
Xia An
A MIM Device Featuring both RRAM and Diode Behavior
ECS Transactions
2012
44 （1）
79-85
Effect of Heavy Ion Irradiation on the RF Performance of 0.18μm Bulk Si MOSFETs
2012
—
2139-2142
知名 用户
共 是否对 享 外开放 信 联系人 息
备 注
清华大学、哈工大、西安交大、大连理工、中北大学、防化研究院、中国兵器工业系统总体部、中科院半导体所、中科院化学 所等
服务
是
对象
面向社会开放
收费 标准
700元/小时
戴晓涛
电子 邮件
daixiaotao@
场发射扫描电子显微镜
院系：信科学院
仪器
所属
编号 200710316 实验室
微米纳米加工技术 国家级重点实验室
制造商 国别
日本
制造 厂商
日本电子 型号 JSM-7500F
经费 来源
211工程
单价
购置 199.82万元 日期 2007年03月
责任 教授 基
杨芳
存放 地点
微电子工艺实验室
本
信
息 技术指 标及功 能简介
人才 培养 协助完成科研工作：不少于20名硕士生/年，不少于9名博士生/年
相
三年内利用该仪器作为主要科研手段发表学术论文（三大检索） 32 篇，其中代表论文：
关
序号 作者（前三名）
论文题目
期刊名 年 卷（期） 起止页码
科
研
信
息 学 术 论 文
Shenghu Tan， 1 Lijie Zhang，
Yue Pan