常用电平及接口电平
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一.常用逻辑电平标准 (2)
1.1 COMS电平 (3)
1.2 LVCOMS电平 (3)
2.1 TTL电平 (3)
2.2 LVTTL电平 (3)
3.1 LVDS电平 (3)
4.1 PECL(VCC=5V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平 (3)
5.1 CML电平 (3)
6.1 VML电平 (3)
7.1 HSTL电平 (3)
7.2 SSTL电平 (3)
二.常用接口电平标准 (3)
1. RS232、RS485、RS422 (3)
2 DDR1 ,DDR2,DDR3 (3)
3 PCIE2. 0、PCIE3.0 (3)
4 USB2.0, USB3.0 (3)
5 SATA2.0, SATA3.0 (3)
6 GTX高速接口 (3)
一.常用逻辑电平标准
附图1:
附图2:
附图3:
附图4:
1.1 COMS电平
电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 5.5 5 4.5 V
输入高压(VIH) 3.5 V
输入低压(VIL) 1.5 V
输出高压(VOH) 4.44 V
输出低压(VOL)0.5 V
共模电压(VT) 2.5 V
最高速率传输延迟时间(25-50ns)
耦合方式
1.2 LVCOMS电平
LVCOMS电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC) 3.6 3.3 2.7 V
输入高压(VIH)0.7VCC V
输入低压(VIL) 0.2VCC V
输出高压(VOH) VCC-0.1 V
输出低压(VOL)0.1 V
共模电压(VT)0.5VCC V
最高速率
耦合方式
2.2 LVTTL电平
最高速率:3.125Gbps
耦合方式:
4.1 PECL(VCC=5V)/LVPECL(VCC=3.3V)电平
最高速率:LVPECL为10+Gbps
耦合方式:
最高速率:10+Gbps
耦合方式:VCC相同时CML与CML之间采用直流耦合,VCC不同时CML与CML 之间采用交流耦合
6.1 VML电平
电平参数条件最大值典型值最小值单位备注电源电压(VCC)V
输入高压(VIH)V
输入低压(VIL) V
输出高压(VOH) 1.65 V
输出低压(VOL) 0.85 V
共模电压(VT) 1.25 V
最高速率
耦合方式
VML电平与LVDS电平兼容,TLK2711输出是VML电平。
7.1 HSTL电平
HSTL 最主要的应用是可以用于高速存储器读可。
该标准专门针对高速内存(特别是SDRAM)接口,它可获得高达200MHz的工作频率,SSTL 主要用于DDR 存储器。和HSTL 基本相同。V¬¬CCIO=2.5V,输入为输入为
比较器结构,比较器一端接参考电平1.25V,另一端接输入信号。对参考电平要求比较高(1% 精度),HSTL 和SSTL 大多用在300M 以下.
二.常用接口电平标准
1. RS232、RS485、RS422
2 DDR1 ,DDR2,DDR3
备注
DDR4:速率1.6~3.2Gbps;I/O接口SSTL_12;VDD 1.2V;
3 PCIE2. 0、PCIE3.0
参考时钟直流规范
辅助信号直流规范
4 USB2.0, USB3.0 USB引脚定义
5 SATA2.0, SATA3.0
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6 GTX高速接口
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