2016国际光伏技术路线图
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ITRPV
2016年技术路线图
技术中心技术管理部
2016年3月
目录
第一章ITRPV介绍 (3)
第二章光伏学习曲线和成本降低 (4)
第三章原材料工艺 (6)
第四章产品和系统 (16)
第五章总结和展望 (19)
第一章ITRPV介绍
◆ITRPV-工作组架构研究方法
第7版的技术路线图由VDMA提供;
工作组包括来自亚洲、欧洲和美国的30多个供应商;
制定流程:参与单位-数据的独立收集/VDMA加工数据/发布之前数据校正/区域主席-制定下一版ITRPV。
主要领域参数的讨论-中值图表。
图1第7版ITRPV考虑的价值链要素
◆2016ITRPV编制的主要参与单位
图22016年ITRPV编制的主要参与单位
第二章光伏学习曲线和成本降低
光伏学习曲线
图3组件学习曲线:光伏价格与累计发货量
发货量/年底平均价格
显然地,生产成本的降低决定了光伏成本的降低;图表1为组件价格曲线图,展示了组件的平均价格(采用2015年汇率,美元/瓦)与1976年到2015年组件累计发货量(兆瓦)的走势。组件发货量一直领先于光伏系统的安装量,在对数坐标表示下,数据点在3.1GWp 之前一直保持线性,直到100GMWp有一个突变。这一线性关系表明,每当累计发货量翻倍时,根据学习曲线,价格就会降低21%,这一学习曲线的突变来自于2003年到2013年市场的巨变。
最后两个点指出了平均价格和2015年底相应的发货量。2015年发货量50GWp,0.58美元/瓦;200GWp的坐标显然是超过2015年的,现在组件的累计功率大约是234GWp,假设组件安装量为50GWp,全
球组件功率继2014年177GWp之后在2015年底达227GWp。
图4多晶硅、单晶硅片、电池、碳化硅组件价格趋势情况(假设每片硅片耗硅
5.4g,多晶电池效率17.55%)
图5组件价格分解
◆成本降低
组件价格两年内下降了20%;多晶硅料仍然是价格最贵的特殊原材料。现在组件的市场份额仅占41%。
价格的下降主要取决于:
✓效率的提升(原材料和设备的使用);
✓特殊市场产品的优化(大规模、低成本产品);
✓提升电池效率和组件工作和CTM值。
第三章原材料工艺
◆原材料-硅料
硅料价格趋势:2010年67美元/公斤;2012年20美元/公斤;2016年2月大约14美元/公斤。价格与供过于求有关。西门子工艺仍然保持主流趋势,FBR(流化床)工艺有降低成本的优势,FBR(流化床)工艺的市场份额将适当的增加。其它技术(如改良金属硅技术)还没有成熟。
图6多晶硅生产技术份额预期变化
◆原材料-硅片切割
图7多晶硅片切割技术的市场份额
多晶硅片切割技术:目前,使用浆料的切割方法还是主导技术,金刚线切割技术成为主流受期待。
图8单晶硅片切割技术的市场份额
单晶硅片切割技术:金刚线切割技术将成为主流。
原材料-硅片厚度
180um厚度的硅片仍是用于电池和组件生产线的首选厚度。随着技术的发展,硅片厚度缓慢降低。
图9批量生产碳化硅电池硅片厚度预期图
图10硅片厚度预期图
对第6版的ITRPV预期重新做了修订,因为对硅片厚度的降低预期过度;
自2009年期,180um厚度的硅片是生产线的首选厚度,随着组件技术的发展,将来可以做到100um;
多晶硅片厚度在2020年后可以做到160um以下;
单晶硅片的厚度可以做到更薄,主要取决于金刚线技术;
随着技术的发展,硅片厚度缓慢降低。
原材料-每片电池的银浆消耗量
银浆仍然在碳化硅电池中占主导。
图11每片电池的银浆消耗量趋势图
第6版的ITRPV的预测被证实了,自2009年至2015年降低了66%。如下图所示:
图12每片电池的银浆消耗量
银浆成本在2016年约占电池成本的7%,银浆消耗量的降低是强制的和持续的,银浆消耗量的降低会延迟替代品铜和其它材料的市场份额。预期2018年铜会占据6%的市场份额;从2017年起,无铅浆料会广泛应用于碳化硅电池的生产中。
工艺制造-电池设备产能
图13预期电池设备产能
趋势:电池生产线前后工序设备产能匹配;
利用设备的综合效率对我们来说是一种挑战;
提升电池设备产能包括:设备的可运行时间;产能;利用率;标准电池片;
提升设备产能达到最优是降低设备成本的最好方法;两种提升设备产能的方法:
一种方法是循序渐进提升产能,这种方法适用于成批处理或链式设备;另一种方法是通过更新自动化设备来提升产能,这种方法适用于链式或簇式设备;
湿化学法,通过更新自动化设备来提升产能方面是领先的,可生产7500片/小时。
工艺制造-电池制绒
酸制绒:成熟且用于批量化生产;
下一步:湿法黑硅技术;
替代品已经出现,但未用于批量化生产;
预期2018年后RIE法(反应离子制绒)会用于批量化生产。
图14不同制绒工艺的市场份额
工艺技术-复合电流
P型材料:在降低复合损失上取得了好的效果;
N型材料:克服了P型基底材料的局限;
通过优化晶体生长工艺,JO值进一步降低;
P型多晶JO值从2010年650fA/m2降低到2015年275fA/m2。
JO值将来进一步降低:
P型多晶JO值从2015年275fA/m2降低到2026年100fA/m2;
P型单晶JO值从2015年170fA/m2降低到2026年60fA/m2;
N型单晶JO值从2015年30fA/m2降低到2026年15fA/m2;
电池正面和背面复合损失:
预期JO值降低50%以上(小于60fA/m2);
P型材料在正面复合损失的改善是有限的;(例如:需要改善扩散/新的浆料);
铝背场的背面复合电流做不到200fA/m2以下。
图15电池正面、背面和硅基底的复合电流趋势图