太阳能电池专用等离子体刻蚀机

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等离子体刻蚀机使用说明书(最新版)

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中国电子科技集团公司第四十八研究所
e) 电源：三相交流 380(1±10％)V，频率 50(1±1％)Hz； f) 所用工艺气体压力： 0.1MPa～0.2MPa；压缩空气压力：0.3MPa～0.5Mpa； g) 有良好的接地点，接地电阻小于 4Ω。 2. 工作原理及结构特征 2.1 总体结构本设备由反应室、真空系统、送气系统、高频电源、匹配器等部分组成，见附录 1——等离子体刻蚀机平面安装图。 2.2 设备系统及工作原理
300 片/批
3.4 射频电源
13.56MHZ ，100～1000W 连续可调
3.5 气路系统
手动、1 路浮子流量计,2 路质量流量计
3.6 抽气系统
2X-15 机械泵，工作压力自动控制
3.7 载片架旋转
3.8 刻蚀速率
Si3N4
50nm/min
掺杂硅 200nm/min
3.9 批间时间
25min
3.10 电源
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4.3.3 设备断电，将隔断放气阀与泵进气法兰的快卸卡箍拆下，用 KF40 盲板堵住泵进气法兰口，并装上快卸卡箍。给设备上电，“泵关”有指示后，点动“泵开”按钮，观察机械泵旋转方向是否与标记一致，若反向则任意交换机械泵进线中的两相。确认机械泵旋转方向与标记一致后，拆下盲板，重新装好隔断放气阀。 4.3.4 将旋转开关旋至手动，开机械泵和预抽阀，2min～3min 后压力表应显示有压力值；当压力的测量值小于 600Pa 时，关预抽，开主抽，三分钟后压力值显示应小于 15Pa，如达不到该值，应检查各管路接头。若压升率<10Pa/min（关闭主抽后，反应室内压力上升的速率），则更换机械泵内的机械泵油（泵油型号为 1 号真空泵油）或机械泵。 4.3.5 各开关复位，将旋转开关旋到自动，从控制界面进入手动界面（操作程序见《等离子体刻蚀机 PLC 自动控制操作说明书》），测试各阀门工作状态，确认无异常后，准备进行手动工艺的调试。 4.3.6 将射频电源功率粗调旋钮逆时针旋到底，按下射频电源的“预热”（“电源预热”）按钮，预热 30 分钟。 4.3.7 按下“泵开”按钮，启动机械泵。将O2、CF4的流量及反应室压力设定到工艺值（设定过程详见《等离子体刻蚀机PLC自动控制操作说明书》），并按工艺步骤进行操作。当进行到送气步骤时，电机转速为 10rpm。 4.3.8 当压力稳定后，按下射频电源的“高压开”按钮，将功率旋钮顺时针转动（注意：只能轻微的、缓慢的转动），当板压达到约 500V 时，调节调谐 1 和调谐 2，，使反应室内会产生辉光，并且使反射功率最小(小于入射功率的 5%)； 4.3.9 缓慢旋转功率粗调旋钮，并不断调整匹配盒上的调谐 1 和调谐 2 旋钮，保证反射功率一直最小（小于入射功率的 5%），直到功率增至需要的数值。 4.3.10 等功率稳定 10 分钟后，将功率粗调旋钮逆时针旋到底，等到压力稳定在设定值后，再将功率粗调旋钮顺时针旋转到刚才的位置，观察各参数应与刚才的一致。 4.3.11 关射频电源高压后，用N2清洗反应室 1min（N2流量约 400sccm），按“充气” 开关，蜂鸣器报警后，再次按下“充气”开关，停止充气，退出手动操作界面。 4.3.12 完成上述步骤后，将旋转开关旋至自动，设定各工艺参数，开盖，将待刻蚀的硅片放入反应室，关上盖，按下运行按钮，刻蚀工艺将自动完成。完成后关运行按钮，开盖取片。

2、PST-450等离子体蚀刻机软件操作说明书

6、设备静止到工艺结束到设备关机示例
开机：在电脑桌面上双击 PST-450Software.exe 软件真空流程：点击机械泵按钮（等待状态 OFF→ON）→点击预抽阀（等待 Closed →Open）→等待 5-10S 点击规前阀（等待 Closed→Open 并且真空规实时获取腔室真空值）工艺流程：例如设置 Ar 100sccm 点击 Ar 按钮设置，点击 Ar 阀门（等待 Closed →Open），设置功率 100W，设置时间 60S，点击 RFON，工艺开始计时，当工艺计时显示为 60S 时，工艺流程结束，自动关闭射频电源 RFOFF，设置流量计值为 0，关闭 A源是 RFOFF 状态（如果在 RFON 状态请关闭），确保设备流量计是否设置为 0 及流量计阀门是否处于关闭状态（如果流量计读书不为 0 请将流量计设置为 0 并关闭对应的阀门），确保充气阀门处于关闭状态，然后依次关闭规前阀，关闭预抽阀，关闭机械泵，最后点击关机按钮软件退出。
STP-450 刻蚀机软件操作说明书
PST-450 刻蚀设备软件为半自动化控制，如图 1，为系统的主界面。系统控制部分均为手动点击对应按钮控制，工艺部分为自动执行。本系统各部件直接的控制不带互锁。
如图 1
系统控制包括：机械泵、预抽阀、规前阀、充气阀、Ar 流量计及阀、O2 流量计及阀、射频电源。 1、开启真空流程：点击打开机械泵→点击打开预抽阀→延时 5-10s 点击打开规
前阀（真空规显示对应腔室压力）。注：对应部件的会显示不同状态（OFF→ON，Closed→Open）。 2、气体流量设置：在 Ar 按钮后面的黄色框内输入需要设置的流量值（0-300sccm），点击 Ar 设置按钮,点击打开 Ar 阀门。如需关闭气体流量时，在黄色方框内输入 0，点击 Ar 设置按钮。（O2 设置同 Ar 设置）。注：黄色方框的值都是设置值，蓝色方框的值都是实际返回值。 3、工艺实现：在入射功率框中输入设置值后，点击功率设置按钮，在工艺时间框中输入需要设定工艺运行时间，点击 RFON 按钮，射频功率被加载，工艺开始，但工艺时间到时 RFOFF 自动关闭，气体流量被设置为 0，气体前阀门被关闭。注：工艺期间的数据都是自动获取 4、串口测试：此功能不需要用户手动设置，如果设备出现串口通信问题时，才需要点击串口测试按钮来测试串口通信是否正常。

P型太阳能电池简介

单晶硅太阳能电池简介....2010-03-02 16:51:06 阅读14 评论0 字号：大中小目录单晶硅太阳能电池简介太阳能是各种可再生能源中最重要的基本能源，生物质能、风能、海洋能、水能等都来自太阳能，广义地说，太阳能包含以上各种可再生能源。

太阳能作为可再生能源的一种，则是指太阳能的直接转化和利用。

通过转换装置把太阳辐射能转换成热能利用的属于太阳能热利用技术，再利用热能进行发电的称为太阳能热发电，也属于这一技术领域；通过转换装置把太阳辐射能转换成电能利用的属于太阳能光发电技术，光电转换装置通常是利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换的，因此又称太阳能光伏技术。

二十世纪50年代，太阳能利用领域出现了两项重大技术突破：一是1954年美国贝尔实验室研制出6％的实用型单晶硅电池，二是1955年以色列Tabor 提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。

这两项技术突破为太阳能利用进入现代发展时期奠定了技术基础。

70年代以来，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家掀起了开发利用太阳能和可再生能源的热潮。

1973年，美国制定了政府级的阳光发电计划，1980年又正式将光伏发电列入公共电力规划，累计投入达8亿多美元。

1992年，美国政府颁布了新的光伏发电计划，制定了宏伟的发展目标。

日本在70年代制定了“阳光计划”，1993年将“月光计划”（节能计划）、“环境计划”、“阳光计划”合并成“新阳光计划”。

德国等欧共体国家及一些发展中国家也纷纷制定了相应的发展计划。

90年代以来联合国召开了一系列有各国领导人参加的高峰会议，讨论和制定世界太阳能战略规划、国际太阳能公约，设立国际太阳能基金等，推动全球太阳能和可再生能源的开发利用。

开发利用太阳能和可再生能源成为国际社会的一大主题和共同行动，成为各国制定可持续发展战略的重要内容。

自“六五”以来我国政府一直把研究开发太阳能和可再生能源技术列入国家科技攻关计划，大大推动了我国太阳能和可再生能源技术和产业的发展。

等离子体刻蚀仪的使用注意事项

等离子体刻蚀仪的使用注意事项等离子体刻蚀仪是一种常见的物理刻蚀技术，广泛应用于半导体、光电子、纳米制造等领域。

然而，由于其操作复杂而精细，仪器较为昂贵，使用者在操作时需要注意一些事项，以确保仪器正常运行并保证实验效果。

本文将从前期准备、操作要点和后期保养等方面介绍等离子体刻蚀仪的使用注意事项。

一、前期准备在使用等离子体刻蚀仪之前，首先需要检查和准备相关设备和材料。

检查仪器是否处于正常工作状态，确保主要部件、接线和电源等完好无损。

检查刻蚀室内是否清洁，确保没有杂质和污渍。

此外，还需要准备刻蚀样品和刻蚀试剂，并保持干燥和防尘。

二、操作要点1. 温度控制：等离子体刻蚀仪对温度要求较高，操作时需要根据实验要求设定刻蚀室内的温度。

过高或过低的温度都可能影响刻蚀效果。

使用者应合理选择刻蚀温度，并确保仪器能稳定控制温度。

2. 气体选择与流量控制：刻蚀过程中需要使用不同种类的气体，如氧气、氮气等。

在选择气体时要根据样品材料和刻蚀要求进行合理选择，并参考仪器使用手册设置正确的流量。

过高或过低的流量都可能导致刻蚀不均匀或刻蚀速率不稳定。

3. 防护措施：等离子体刻蚀过程中会产生大量有害气体和粉尘，使用者需要注意安全和卫生。

在操作时需要戴好防护眼镜、手套和口罩，以防止对眼睛、皮肤和呼吸道造成伤害。

同时，保持实验室通风良好，及时清理刻蚀后的残留物和废气。

4. 刻蚀参数设置：刻蚀室内的参数设置直接影响刻蚀效果。

使用者应仔细阅读仪器使用手册，根据样品性质和所需刻蚀效果来设置刻蚀参数，如功率、气体压力、刻蚀时间等。

合理的参数设置可以提高刻蚀效率和质量。

三、后期保养使用完等离子体刻蚀仪后，需要注意保养清洁。

首先，刻蚀室内的残留物需要及时清除，以避免对下一次实验造成影响。

使用者应根据仪器使用手册的要求进行彻底清洁，可以使用适当的溶液和工具。

其次，定期检查和维护设备，如紧固螺丝、电缆等，以确保它们处于良好的工作状态。

另外，使用者还需要定期校正和测试刻蚀仪的参数，以保证其稳定性和准确性。

等离子体刻蚀机原理

等离子体刻蚀机原理什么是等离子体？▪随着温度的升高，一般物质依次表现为固体、液体和气体。

它们统称为物质的三态。

▪当气体的温度进一步升高时，其中许多，甚至全部分子或原子将由于激烈的相互碰撞而离解为电子和正离子。

这时物质将进入一种新的状态，即主要由电子和正离子（或是带正电的核）组成的状态。

这种状态的物质叫等离子体。

它可以称为物质的第四态。

等离子体的应用等离子体的应用等离子体的产生等离子体刻蚀原理▪等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。

▪这种腐蚀方法也叫做干法腐蚀。

等离子体刻蚀反应▪首先，母体分子CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。

CF4→CF3，CF2，CF，C，F▪其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，并在表面上发生化学反应。

▪生产过程中，在CF4中掺入O2，这样有利于提高Si和SiO2的刻蚀速率。

等离子体刻蚀工艺▪装片在待刻蚀硅片的两边，分别放置一片与硅片同样大小的玻璃夹板，叠放整齐，用夹具夹紧，确保待刻蚀的硅片中间没有大的缝隙。

将夹具平稳放入反应室的支架上，关好反应室的盖子。

检验方法▪冷热探针法检验原理▪热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。

▪同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。

▪此电势差可以用简单的微伏表测量。

▪热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。

检验操作及判断•确认万用表工作正常，量程置于200mV。

•冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。

•用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为负值，说明导电类型为p，刻蚀合格。

相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为p型。

刻蚀设备十大品牌

应用领域
广泛应用于半导体、微电子、太阳能等领域。
排名第二的品牌：xxx
公司介绍
xxx公司是一家国际知名的刻蚀设备制造商，拥有全球化的销售网络和专业的售后服务团队。
产品特点
xxx公司的刻蚀设备采用先进的制造工艺和材料，具有高精度、高稳定性和长寿命等特点。
应用领域
广泛应用于半导体、微电子、太阳能等领域。
技术创新与产业升级趋势
01
产业升级趋势
02
03
04
产业链整合：通过并购、合作等方式，整合产业链资源，提
高整体竞争力。
高端化发展：推动刻蚀设备向高端化发展，满足更高品质的
产品需求。
国际化合作：加强与国际先进企业的合作，共同推动刻蚀设
备技术的进步和发展。
THANKS
谢谢您的观看
种微结构。
太阳能光伏
刻蚀设备在太阳能光伏领域用于制作太阳能电
池。
其他领域
除了上述领域，刻蚀设备还应用于医疗、航空
航天等其他领域。
行业发展趋势及预测
01
技术技术创新，提高
加工精度和效率。
02
产业升级
随着国内半导体产业的快速发展，刻蚀设备产业将不断升级，提高国产
02
刻蚀设备广泛应用于微电子、纳米科技、光学、半导体等领域，是现代制造业中不可或缺的一部分。
刻蚀设备的发展历程
早期的刻蚀设备主要采用机械方法，如磨削、铣削等，但这些方法效率低下且精度不高。
随着科技的发展，出现了以等离子体刻蚀为代表的现代刻蚀设备，这种设备利用等离子体中的离子和电子对材料表面进行轰击，以达到刻蚀的目的。
高稳定性和长寿命等特点。
应用领域

等离子体刻蚀

等离子体刻蚀等离子体刻蚀的任务时除去因扩散在硅片边缘形成的一层N型层,若该N型层不去除,会再硅片边缘形成电流回路,电流经过此回路的消耗会降低电池的转换效率,在分档测试段可表现为转化效率低,并联电阻小,反向电流偏大,整个I-V曲线会变成如下情况:I I并联电阻偏小 V 正常曲线V我们采用的设备时中国电子科技集团公司第48研究所的等离子体刻蚀机.本设备的工作原理是,CF4气体在低气压的情况下,被高频微波电离成等离子体态,这样CF4的活性被激发,使之与硅反应,带走硅片边缘的硅原子,进而除去硅片边缘因扩散形成的N型层,达到刻蚀的目的.其工作分为预抽,主抽,送气,辉光,清洗,充气.预抽和主抽反应腔内的气压达到工艺要求以实现低气压,下以步送气即输送CF4气体.在这样的条件下辉光使CF4等离子态,辉光是整个刻蚀过程的关键步骤.主要工艺参数是:辉光功率,反射功率,辉光时间.控制好这三个参数,基本整个刻蚀过程就自动按要求完成.辉光功率过大,时间过长的话,会使硅片被刻蚀过度,等离子体中高能电子会轰击硅原子,造成缺陷,影响电池质量,而影响整个硅片的转换效率.刻蚀功率过小时间过长也不好,会使刻蚀不完全,漏电流增大.因此功率过大,过小,时间过长过短都会影响电池的性能.所以必须找到每台机器功率和辉光时间之间平衡点,使刻蚀完全,又不会对电池造成损伤.目前的设备功率设定在500W,辉光时间设定为820S.这是比较合适的一组选择,经过长期实践证明是可行的.当然,在以后的工作要求下,该参数可能被更改,但是有一条原则是在不损伤硅片的情况下使硅片刻蚀完全.目前的设备情况有几台机器不是很稳定,有时辉光功率显示值与设定值偏差太大,反射功率也很大,这就需要工艺人员在现场时刻关注着,保证功率在工艺要求的范围内.等离子刻蚀工艺段在操作方面要注意的是装片时尽量将硅片的边缘对齐,因为在等离子体中,电子速度要远大于原子速度,因此在界面处,进入界面的电子要多于原子,这样就会在界面处形成电势,在这个电势的影响下,等离子体活化的CF4不能与硅反应而造成刻蚀不足.凸出来的片子,表面N型层受到损伤,而凹进去的片子边缘刻蚀不到.另外每次一起刻蚀的片子和玻璃夹具接触的一片要求反放以保护正面的N型层,和夹片玻璃一起用弹簧夹具夹起来.弹簧夹具的松紧也很重要,如果太松,会使硅片脱落,即使不脱落,由于缝隙的存在,硅片的表面会受到损伤.太紧有可能夹裂硅片,在以后的工艺流程中,可能会造成硅片的碎裂.以上的各种操作方法都是为了使硅片刻蚀完全,而又不受到损伤,操作工人们应该严格按照规程操作.等离子体刻蚀是否已经刻蚀完全呢,这就需要一个检验的方法.首先,刻蚀完的硅片四周很光亮,不会有发暗的阴影.再就用仪器进行检测.用冷热探针法进行检验,其步骤是:首先确认电压表工作正常,将量程置于200mw,冷探针与电压表的正极相连,热探与电压表的负极相连,用冷,热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点,电压显示正值且正值越来越大,这就说明导电类型为P型,刻蚀合格.检查经过扩散处理的表面,电压显示为负值,并且负值越来越大,则为N型.其中要注意的是,测试时先放冷探针(电压表的正极),再放热探针(电压表的负极)于同一片距离不超过2-5mm之内,接触时间不宜过长(不超过5秒)下一道工序便是清洗了.经过磷扩散的硅片表面有一层含磷的二氧化硅层.它是不导电的,所以必须将其清除,清洗用到的化学反应方程式为:P2O5+Si==SiO2+P (磷硅玻璃生成的化学方程式)SiO2+HF==SiF4+H2O (去处磷硅玻璃的化学方程式,用的是5%浓度的HF溶液)硅片再HF中浸泡几分钟后放到热水中清洗.清洗不干净的硅片,在干燥以后表面会有水痕,PECVD结束后,能在其表面看到很明显的白斑,这影响了电池的外观.水痕控制也就是延长清洗时间,但现在基本都使用甩干机甩干,与烘干相比,水纹片要少痕多,根据当月的产量要求可以稍微减少清洗时间.二 PECVDPECVD全称是 ,既该工段的目的和任务是在硅片表面镀上以成SixNx减反射膜,利用光的干涉原理,将照射在硅片上的光线尽量少的反射出去,以提高电池的转换效率,对于多晶硅来说还起到以种钝化的效果,即产生的H原子与硅片表面的硅原子结合形成共价键,中和硅片的电性,提高电子在电池中的存在时间,即提高少子寿命.有关化学方程式是:SiH4+NH4==SixNx+H2 (高温,低气压)本设备采用的是德国SINA.PECVD镀膜机,分为进料腔,加热腔,工艺腔,冷却腔,出料腔.首先在石墨框上放上硅片,注意要正面朝下,进料腔充氮气,压强达到和外界一致是,1号门打开,石墨框进入进料腔,关闭1号门,进料腔抽真空,当压强达到与工艺腔一致时开2号门,石墨框进入加热腔,按照设定的带速慢慢驶向工艺腔,镀膜结束,打开3号门,石墨框进入出料腔,关3号门,出料腔充氮气,打开4号门,石墨框进入下料台,由操作工人将硅片用真空吸嘴小心取下.整个工艺自动完成.PECVD主要工艺参数就是8个微波源的发射功率和传送带带速.这两个参数是影响镀膜质量的主要方面.其他一些参数是最基本的参数,一般不会改动.PECVD段在生产中主要出现的问题有如下几个方面:1 镀膜不均.这也分好几种不均匀,要针对不同的情况,采取不同的措施.有:同一框片子,左红(膜太薄)右白(膜太厚)或者左白右红,这时就需要调节两边微波源的功率,以均匀等离子体场.还有的情况就是两边红,中间白,这是就需要同时提高两边微波源的功率,然后在稍微提高传送带的带速就可以.还有就是整框的发红或者发白,这是只需要调节带速就可以.2 卡盘掉片的问题.出现这样的问题首先要看看是不是石墨框的问题,因为石墨框使用时间过长的话,整体变形会很严重,中间都会凹下去,和传送滚轮接触部分磨损也很严重.这就可能与机器发生摩擦阻挡,进而卡住石墨框,使片子掉落.倘若在工艺腔里面掉片子,阻挡了等离子体在硅片表面的沉积,会影响好几框的片子都会镀膜不均.因此,卡盘掉片情况一定要尽量不发生.出现了就立刻检查原因,是石墨框的问题要立即停用,或更换挂钩.3 石英管更换问题由于石英管工作是在其表面会沉积很多的SixNx 固体,时间长了变的厚了就会阻挡微波,影响了镀膜的质量.一般国产的石英管工作极限时间是40小时.超过30小时的根据镀膜质量判断是否需要更换.更换石英管时首先要等到加热腔温度降到200度才可以打开工艺腔,因为工艺腔和加热腔时连在一起的.打开以后将石英管取出,用盖子挡住和微波源相连的部分,防止有杂物进入.清理干净U型槽,通好气孔.石英管必须用胶带裹严实,不能有露在外面的.因为在工作的时候,会有大量的SixNx沉积在石英管上,若没有用胶带保护,由于石英管的延展性不好很容易破裂.微波天线要擦干净并且要和石英管的铜管连接好.各项工作都按要求完成了才能关盖,开工艺生产.一般每次更换石英管后都要进行测片,其流程如下:首先在石墨框托盘中间放置一片正片(从清洗工艺流下来的清洁硅片)其周围放置假片,淀积氮化硅减反膜.看反射膜颜色是否满足工艺要求(沉积在有绒面的硅片的减反射膜颜色从正面看为深蓝色,侧面看为蓝色)若发白,说明太厚,加快带速.若发红,说明太薄,放慢带速.然后在石墨框托盘一侧放一行正片,其外一侧放置假片,淀积氮化硅减反膜.观察片与片之间的颜色是否一致,如果一侧的硅片膜偏厚,则减少那一侧微波功率,反之增加微波功率.如果中间硅片的颜色有变化,则需同时改变两侧的微波功率,每次调整幅度为100W为宜.且根据系统说明不可超过其取值范围.在整个工段要求操作严格按照操作规程来进行,不按操作规程操作,会造成硅片的损失,污染,不满足工艺要求,进而造成损失.。

等离子体增强化学气相沉积设备说明书

中国电子科技集团公司第四十八研究所M82200-3/UM型等离子体增强化学气相淀积设备使用说明书中国电子科技集团公司第四十八研究所目录1 概述2 结构特征与工作原理3 主要性能指标4安装与调试5使用与操作6常见故障分析与排除7保养与维修8安全防护及处理9运输、贮存与开箱检查10重量与外形安装尺寸11文件资料1 概述PECVD设备的特点1.1.1 利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离子体增强CVD。

电子和离子的密度达109~1012个/cm3，平均电子能量可达1~10ev。

1.1.2 成膜过程在真空中进行，大约在5~500Pa范围内。

1.1.3 由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。

PECVD在200℃~500℃范围内成膜，远小于其它CVD在700℃~950℃范围内成膜。

1.1.4 PECVD成膜均匀，尤其适合大面积沉积。

1.1.5 如果用于刻蚀可以刻蚀0.3μm以下的线条。

1.1.6 由于在氨气压条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度，一般可达（30-300）nm/min以上。

1.2PECVD设备的主要用途1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。

这样厚度的膜与光发生各种作用，具有光学功能性。

即：具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。

由于这种性质的存在，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。

1.2.2 用于集成光电子器件介质Si Y N X膜的制备，如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。

1.2.3 在医用生体材料的表面改性，功能性薄膜的制备等。

1.2.4 在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。

1.2.5 在半导体工艺中不仅用于成膜，而且用于刻蚀，也是一个较为理想的设备，它可刻0.3μm以下的线条。

《太阳能电池生产工艺原理》PPT模板课件

太阳电池的设计
▪ 光生载流子的收集几率 ▪ 结深 ▪ 电极设计（使电阻损耗最小） ▪ 减反射膜的厚度和折射率
太阳电池的光谱响应ABSDEPTH
—被收集的载流子数与入射光子数之比
EQE & IQE (0-1)
QE vs. Wavelength
1.00
0.90
0.80
0.70 0.60
0.50
0.40
电池片生产流程
装片－制绒－化学清洗－扩散－刻蚀－去磷硅玻璃－PECVD－丝网印刷－烧结－分类检测－包装
原始硅片制绒
单晶电池片生产过程
包装
分类检测
丝网印刷正面电极
丝网印刷背电场
清洗甩干
扩散
刻蚀和去磷硅玻璃 PECVD
丝网印刷背电极
原始硅片制绒
多晶电池片生产过程
包装
分类检测
丝网印刷正电极
● 种类 1) Si太阳电池 2) GaAs太阳电池 (砷化镓） 3) 染料敏化电池 4) Cu2S电池
● 硅太阳电池 1)单晶硅片 2)多晶硅片 3)非晶硅薄膜 4)多晶硅薄膜
二、太阳能辐射
1、太阳辐射能的来源—电磁辐射
大气层对太阳辐射的影响
大气质量—太阳光线通过大气层的路程对到达地球
表面的太阳辐射的影响 AM0—地球大气层外的太阳辐射 AM1—穿过1个大气层的太阳辐射（太阳入射角为0）
丝网印刷
▪ 原材料的特性
硅片的厂家、型号、批次、厚度、尺寸、少子寿命、对角线
▪ 丝网印刷的辅助材料
刮条、浆料、胶带、封网浆、酒精、松油醇
▪ 丝网印刷表单的填写
工序流程卡、电池生产记录、首检记录、浆料领用/使用记录、刮条更换记录、网板更换记录、网板使用寿命跟踪记录、台面称重记录、碎片称重记录、设备维护申请单…

等离子体刻蚀机使用说明书

等离子体刻蚀机使用说明书【使用说明书】等离子体刻蚀机(最新版)第一部分：简介1.1产品概述本产品是一种使用等离子体技术进行刻蚀的专用设备，广泛应用于半导体、光电子、微纳加工等领域。

本产品结构紧凑、操作简单、稳定可靠，适用于各种规格的衬底材料。

1.2主要特点(1)采用高频等离子体生成系统，能够产生高浓度的等离子体，提高刻蚀效率；(2)设备中配备了多种腐蚀和刻蚀气体，满足不同材料的刻蚀需求；(3)具备自动控制系统，实现精确的刻蚀参数设定和控制；(4)设备外壳采用防腐蚀材料制作，确保设备长期稳定的工作；(5)设备具备自动清洗功能，方便用户进行日常维护。

第二部分：安装与调试2.1安装(1)将设备放置在通风良好的地方；(2)将设备连接至电源，并确保电源接地可靠；(3)连接进气管道，确保刻蚀气体供应正常；(4)确保设备周围环境无振动和灰尘。

2.2调试(1)打开设备电源，确保设备正常启动；(2)检查刻蚀气体供应是否正常并按需设定气体流量；(3)按照刻蚀材料的要求设定刻蚀参数，如功率、时间等；(4)开始刻蚀，观察刻蚀结果并根据需求调整参数；(5)在设备切换或维护前，先关闭电源，并等待设备冷却后再进行操作。

第三部分：操作说明3.1设备界面设备界面包括显示屏、按键、控制面板等。

显示屏显示当前设备状态和刻蚀参数设定，按键用于选择和调整参数，控制面板用于启动和停止设备等。

3.2参数设定(1)使用方向键选择需要设定的参数；(2)使用增减键调整参数值；(3)按下确认键保存设定值。

3.3刻蚀操作(1)将待刻蚀样品放置在夹持台上，并调整位置；(2)打开气源，确保刻蚀气体正常供应；(3)设定刻蚀参数，确保设定值符合实际需求；(4)开始刻蚀，观察刻蚀过程中的参数波动；(5)刻蚀完成后关闭设备，等待设备冷却后取出样品。

第四部分：维护与保养4.1日常维护(1)定期清洁设备外壳，以防止腐蚀和灰尘积累；(2)检查气源管道和阀门是否正常，定期更换损坏或老化的部件；(3)检查设备接地是否可靠，防止静电积累；(4)定期检查刻蚀参数和设备状态，确保设备正常工作。

等离子蚀刻机的工作原理

等离子蚀刻机的工作原理
等离子蚀刻机的工作原理是将气体通过高频电场激发成等离子体，利用等离子体的化学和物理反应对半导体材料表面进行高精度的加工。

具体来说，等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。

等离子刻蚀具有更高的准确性、更好的控制性和更高的效率，相比传统机械切割和磨削方式。

它广泛应用于微电子芯片制造、太阳能电池、生物芯片等领域，是半导体制造过程中不可或缺的设备之一。

以上信息仅供参考，如有需要，建议您咨询专业技术人员。

晶体硅太阳能电池片的生产流程

一、基本概念1、制绒制绒，是指处理硅片的一种工艺方法，利用硅的各向异性腐蚀特性，使用腐蚀液在硅片表面刻出类似于金字塔或者是蜂窝状的结构。

制绒按硅原料的不同可分为单晶制绒与多晶制绒，按腐蚀液的酸碱性可分为酸制绒与碱制绒。

2、掺杂掺杂就是使杂质进入晶片内部，并在晶片中的某区域以一定浓度分布，从而改变器件的电学性能，掺入的杂质可以是IIIA族和VA族的元素。

利用掺杂技术，可以制作PN结、欧姆接触区以及电阻等各种器件。

常用的掺杂技术有扩散和离子注入两种。

3、PN结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区，又称PN结。

PN结具有单向导电性。

4、等离子体刻蚀等离子体刻蚀（也称干法刻蚀）是集成电路制造中的关键工艺之一，其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，其范围涵盖前端CMOS栅级（Gate）大小的控制，以及后端金属铝的刻蚀及Via和Trench的刻蚀。

刻蚀的工艺水平直接影响最终产品质量及生产技术的先进性。

5、PSGPSG（Phospho Silicate Glass）是磷硅玻璃的意思，在太阳能电池片的扩散工艺后，硅片表面会形成一层PSG，必须去除。

6、PECVDPECVD:（Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition ）等离子增强化学气象沉积,等离子体是由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。

二、晶体硅太阳能电池片的生产工艺与设备生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制PN结、刻蚀、镀减反射膜、金属化、和测试分选包装等主要步骤。

下面依序介绍晶体硅太阳能电池片生产的各项工艺与设备。

1、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。

IPC刻蚀机介绍

480，正面为全开门，用于装卸工件，右侧接口为ICP源接口，左侧接口为抽气接口，底板上有工件转动接口
原理框图 elements diagram
片夹及工装
采用自定位片夹，硅片直接插入片夹中的两个限位条之间，在限位条的作用下，硅片自动对准，保证各硅片对齐，然后用上端螺杆通过滑块将硅片压紧。
产地 1 1 1 1 1 1 4 2 2 1 1 1
数量
1
1 1 1 1 1 2 1
五、刻蚀机对比
指标刻蚀介质刻蚀部位射频电源匹配网络气路系统抽气系统载片架装片量批间时间刻蚀均匀性电源抗干扰性一条25MW线需配备量维护周期传统刻蚀机掺杂硅、氮化硅 5”,6”方片周边国产13.56MHZ ，100～1000W 连续可调手动调节手动、1 路浮子流量计,2 路质量流量计 2X-15 机械泵，工作压力自动控制旋转，转速10rpm 300片/批 25min ±5% 3N， 380V，50HZ，5KVA 差 3台 1周 ICP刻蚀机掺杂硅、氮化硅 5”,6”方片周边进口13.56MHZ ，100～1000W 连续可调自动调节手动、2 路浮子流量计, 2 路质量流量计进口90m3/h干式泵，工作压力自动控制旋转，转速0－10rpm可调 800片/批 25min ±5% 3N， 380V，50HZ，5KVA 好 1台 24周备注
整机布置图
整机布局图
四、主要配置
序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
名称主机架、反应室等加工件耦合石英窗 RF电源射频匹配器 PLC显示器 PLC模块气路电磁阀1/4” 质量流量计浮子流量计电气动挡板阀电磁阀DN10 压控仪蝶阀电子执行器薄膜规真空泵机组电机调速器同步轮同步带 48所进口进口进口进口进口进口进口国产合资合资国产国产国产进口进口国产国产国产国产