场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍
场效应管与三极管
场效应管与三极管嘿，朋友们！今天咱来聊聊电子世界里的两位“大将”——场效应管和三极管。
咱先说说场效应管吧。
你看它呀，就像个特别会控制流量的“管理员”。
电流就像水流，场效应管能轻轻松松地决定让多少水流过，而且它还特别“乖”，输入的控制信号小，它的反应却很灵敏呢！它工作起来可安静了，没啥噪音，就像个默默干活不吱声的老黄牛。
再看看三极管，那可是个厉害的“角色”。
它就像是个能把小力量变成大力量的“魔术师”。
给它一个小小的信号，它就能把电流放大好多倍呢！这本事可不得了哇。
你说这俩家伙像不像咱生活中的两类人？场效应管像是那种做事稳稳当当，不声不响却能把事情办得妥妥帖帖的人；而三极管呢，就像那种能把一点机会抓住，然后迅速放大成果的人。
场效应管在很多电路里那可是立下了汗马功劳啊。
比如在一些需要精确控制电流的地方，它就能大显身手啦。
而且它的结构相对简单，这就好比一个工具，简单好用还不容易出错。
三极管呢，在放大信号方面那绝对是一把好手。
想象一下，一个微弱的信号经过它，一下子就变得强大起来，这多厉害呀！那这俩到底谁更好呢？哎呀，这可不好说，就像你问苹果和香蕉哪个更好吃一样，得看具体情况呀！在不同的电路里，它们各有各的用处，谁也替代不了谁。
有时候需要场效应管的精确控制，有时候又需要三极管的强大放大能力。
总之呢，场效应管和三极管这两位“大将”，在电子世界里那可是有着举足轻重的地位。
它们相互配合，共同为我们创造出各种神奇的电子设备。
咱可得好好认识认识它们，了解它们的特点和用处，这样咱才能更好地利用它们呀！它们就像是电子世界里的宝藏，等着我们去发掘和利用呢！你们说是不是呀？。
三极管 场效应管
三极管场效应管
三极管和场效应管都是电子元件中常用的晶体管类型，它们在电子电路中扮演着重要的角色。
三极管是一种三端口的半导体元件，包括基极、发射极和集电极。
通过在基极和发射极之间施加电压，可以控制从集电极到发射极的电流。
三极管广泛应用于电子电路中的放大、开关和反相等电路中。
场效应管是一种四端口的半导体元件，包括源极、漏极、栅极和衬底。
通过在栅极和衬底之间施加电压，可以控制从源极到漏极的电流。
场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等特性，广泛应用于电子电路中的放大、开关、振荡和滤波等电路中。
三极管和场效应管在工作原理、性能特点和应用领域上都有所不同，各有优缺点。
在电子电路设计中，需要根据具体的应用需求和设计目标来选择合适的晶体管类型。
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场效应管,三极管,可控硅-
2、判定栅极
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接第一阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转，阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接，给G极加上负的触发电压，A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线，万用表读数应不变，保持在10欧姆左右。符合以上规律，说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
二、 PN结，定管型
找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
场效应管与晶体三极管的比较
场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计：晶体管：基极发射极集电极场效应管：栅极源极漏极要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)，场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.一、场效应管的结构原理及特性场效应管有结型和绝缘栅两种结构，每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
1、结型场效应管（JFET）（1）结构原理它的结构及符号见图1。
在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区，形成两个P N结。
在P区引出电极并连接起来，称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，从图1中可见，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
（2）特性曲线1）转移特性图2（a）给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线，称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似，当栅极电压VGS=0时的漏源电流。
三极管场效应管
图 1.3.1
三极管的外形
三极管有两种类型：NPN 型和 PNP 型。
主要以 NPN 型为例进行讨论。
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下: 用字母表示同一型号中的不同规格 3 D G 110 B 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
大规模集成电路的主要有源器件。
场效应管分类：
MOS 场效应管 结型场效应管
• 根据国际GB249-1974规定，场效应管的型号有 三部分组成，如：CS14A 其中CS表示场效应 管，14表示用数字表示型号的序号，A表示同一 型号中的不同规格
场效应管（FET）
• 通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压 控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源 功率，因此它的输入电阻很高。 • 分类：场效应管是靠一种极性的载流子导电，它 又被称为单极性三极管，它分为结型场效应管 （JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管） • 优点：场效应管具有很好的温度特性、抗干扰能 力强、便于集成、抗辐射能力强、输入阻抗高， 被广泛应用于各个电子领域。 • 作用：场效应管在电路中主要起信号放大、阻抗 变换等作用。
四种 MOS 场效应管比较
电路符号及电流流向
D D
ID
G U S NEMOS 增强型N沟道管 G
ID
U G
D
D
ID
U S PEMOS 增强型P沟道管 G
ID
U S PDMOS 耗尽型N沟道管Hale Waihona Puke S NDMOS 耗尽型P沟道管
场效应管和三极管的比较总结
场效应管和三极管的比较总结场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
[整理]三极管及场效应管原理讲解.
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三極管及場效應管原理講解大綱: 一三極管與場效應管的簡介二三極管與場效應管的工作原理三三極管與場效應管的區別四三極管與場效應管的實際應用一三極管與場效應管的簡介1.三機管的簡介半導体三極管又稱晶体三極管,簡稱晶體管.它是由三塊半導体組成,構成兩個PN結,即集電結和發射結,基結3個電極,分別是集電極,基極,發射極,如下圖所示:B為基極,C為集電極,E為發射極半導体三極管TRANSISTOR Test # Description1 h FE Forward-current transfer ratio2 V BE Base emitter voltage(see also Appendix F)3 I EBO Emitter to base cutoff current4 V CESAT Saturation voltage5 I CBO Collector to base cutoff current6 I CEO Collector to emiter cutoff currentI CER, with base to emiter loadI CEX, reverse bias,orI CES short(see also Appendix F)7 BV CEO Breakdown voltage,collector to emitter,BV CER with base to emiter load,BV CEX reverse bias,orBV CES short(see also Appendix F)8 BV CBO Breakdown voltage,collector to base9 BV EBO Breakdown voltage,emitter to base10 V BESAT Base emitter saturation voltage2 .場效應管簡介場效應管又稱金属-氧化物-半導体場效應管,也就是我們通常所說MOS(Metal Oxide Semiconductor )管.場效應管是一種由輸入信號電壓來控制其輸出電流大小的半導体場效應管,是電壓控制器件,輸入電阻非常高.場效應管分為:結型場效應管(JFET)和絕緣栅型場效應管(IGFET)兩大類.結型場效應管JEFT Test # Description1 VGSOFF Gate to source cutoff voltage.2 lDss Zero gate voltage drain current.3 BVDGO Drain to gate breakdown voltage.4 IGSS Gate reverse current.5 IDGO Drain to gate leakage.6 IDOFF Drain cut-off current.7 BVGSS Gate to source breakdown voltage.8 VDSON Drain to source on-state voltage.結型場效應管有N型和P型溝道兩種,電路符號如下結型場效應管有三極:珊極g g 源極 N型漏極結型場效應管有兩個PN結,在栅源極上加一定電壓,在場效應管內部會形成一個導電溝道,當d,s極間加上一定電壓時,電流就可以從溝道中流過,即通過源電壓來改變導電溝道電阻,實現對漏極電流的控制.結型場效應管的主要參數1.夾斷電壓U DS(off),當U DS等于某一個定值(10v),使Id等于某一個微小電流(如50uA)時,栅源極間所加的U GS即為夾斷電壓.U DS(off)一般為1~10V.2.飽和漏極電流I DS:當U GS=0時,場效應管發生預夾斷時的漏極電流.3.直流輸入電阻R GS.4.低頻跨導GM5.漏源擊穿電壓U(BR)DS6.栅源擊穿電壓U(BR)GS7.最大耗散功率P DM絕緣栅型場效應管是由金屬氧化物和半導体組成,故稱為MOSFET,簡稱MOS管,其工作原理類似於結型場效應管絕緣栅場效應管MOSFET Test # Description1 V GSTH Threshold voltag2 IDss Zero gate voltage drain current.lDSx with gate to Source reverse bias.3 BVDss Drain to Source breakdown voltage.4 VDSONDrain to Source on-state voltage.5 IGSSFGate to Source leakage current forward.6 IGSSRGate to Source leakage current reverse.7 VF Diode forward voltage. 8 VGSF Gate to Source voltage (forward) required for specified In at specified Vos. (see SISQ Appendix F)9 VGSR Gate to Source voltage (reverse) required for specified ID at specified VDS. (see also Appendix F) 10 VDSON On-state drain current11VGSON On-state gate voltage符號和極性(1)增強型 NMOS (2)增強型 PMOS(3)耗盡型 NMOS (4)耗盡型PMOS絕緣栅型場效應管主要參數1.漏源擊穿電壓BV DS2.最大漏極電流I DMSX3.閥值電壓V GS (開啟電壓)-+4.導通電阻R ON5.跨導(互導) (GM)6.最高工作瀕率7.導通時間TON 和關斷時間二 三極管與場效應管的工作原理(1)NPN (2) PNPi v be ce(3)輸入特性曲線 (4) 共發射極輸出特性曲線三極管的三種狀態: (1) 放大放大區發射結正偏,集電結反偏,E1>E2,即 NPN 型三極管Vc>Vb>Ve,PNP 型三極管V c <V b <V e ,三極管處于放大狀態.由于Ic=βIb,即Ic 受Ib 控制,而Ic 的電流能量是由電源提供的,此時Ube=0.6~0.7V(NPN 硅管)(2) 截止Ib≦0的區域稱截止區,UBE<0.5V時,三極開始截止,為了截止可靠,常使UBE≦0,即發射結零偏或反偏(NPN管Vb≦Ve, PNP型三極管Vb≧Ve),截止時,集電結也反向偏置(NPN管Vb<Vc, PNP型三極管Vb>Vc).(3)飽和當VCE<VBE,即集電結正向偏置(Vb<Vc),發射結正向偏置(Vb>Ve)時,三極管處于飽和區.飽和壓降UCE(sat),小功率硅管UCE(sat)≒0.3V,鍺管UCE(sat)≒0.1V.1.主要參數(1)共發射極直流電流放大系數β,即Hfe, β=IC/IB(2)共發射極交流電流放大系數β. β=ΔIC/ΔIB(3)集電極,基極反向飽和電流ICBO(4)集電極,發射極反向飽和電流ICEO,即穿透電流(5)集電極最大允許功耗PCM(6)集電極最大允許電流ICM(7)集電極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO(8)發射極,基極反向擊穿電壓U(BR)CBO(9)集電極,發射極反向擊穿電壓U(BR)CBO2.場效應管的工作原理2.1結型場效應管场效应晶体三极管是由一种载流子导电的、用输入电压控制输出电流的半导体器件。
场效应管与三级管的比较
场效应管与三级管的比较：1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件；3）场效应管灵活性比三级管好；4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
发表于2007-5-30 05:23 资料个人空间短消息加为好友MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。
它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。
场效应管是靠一种极性的载流子导电，它又被称为单极性三极管，它分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）张先生管理员UID 3847精华8积分93131 帖子7799 经验77814 点人气96 点阅读权限200注册2007-3-24来自陕西咸阳状态在线#4发表于2007-5-30 05:48 资料个人空间短消息加为好友MOS = 金属氧化物绝缘栅半导体F ET=场效应管MOS管= 场效应管的一种，目前最常见的。
其原理是由电场改变沟道宽度，从而改变漏源电阻，或者说电场控制漏源电阻。
还可以分P型沟道和N沟道，增强型和匮乏型。
三极管= 利用PN结的原理做成，分为NPN型，PNP型[本帖最后由张先生于2007-5-30 06:46 编辑]MOS,场效应管,三极管.区别他们是不是都是由三极管组成的，还是另外的芯片,能给我发个对应主板上的图片看看吗??我是刚开始学维修的，这两天看论坛我快被这三个管弄疯了,2007-5-30 05:22 张先生先看[url]/viewthread.php?tid=5144[/url]2007-5-30 05:23 黄定宇MOS,场效应管,三极管.区别场效应管。
它是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入电阻很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。
场效应管和三极管的异同
场效应管和三极管的异同1.引言1.1 概述概述:场效应管和三极管是现代电子器件中常用的两种晶体管。
它们都是半导体器件，具有放大、开关、调节电流等功能。
虽然场效应管和三极管都属于晶体管的范畴，但它们在结构、工作原理和特性等方面存在一定的不同。
场效应管，又称为晶体管的一种，是一种基于电场调控电流的半导体器件。
场效应管的主要组成部分包括栅极、源极和漏极。
通过在栅极上施加电压来改变栅极和漏极之间的电场强度，从而控制漏极电流的大小。
场效应管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，在许多应用中得到了广泛的应用。
而三极管是另一种常见的晶体管类型，也被称为双向晶体管。
它由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，主要包括基极、发射极和集电极。
通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流放大倍数。
三极管具有高电流放大倍数、可靠性高等特点，被广泛应用于放大、开关和稳压等电路。
在工作原理上，场效应管是通过改变栅极电压来调节漏极-源极之间的电流，而三极管则是通过调节基极电流来控制发射极-集电极之间的电流。
由于两者的工作原理不同，它们的特性表现也有所区别。
总结起来，场效应管和三极管在结构、工作原理和特性等方面存在明显的差异。
场效应管主要通过改变电场来调节电流，而三极管则是通过改变电流来实现电流放大。
尽管存在差异，但它们都是现代电子器件中不可或缺的重要组成部分，两者在电子领域中都有着广泛的应用。
在接下来的章节中，我们将更加深入地探讨场效应管和三极管的工作原理、特性以及它们在实际应用中的优劣势。
1.2 文章结构文章结构:本文主要围绕场效应管和三极管展开讨论，分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分首先对场效应管和三极管进行了概述，介绍了它们的基本特点和在电子学中的应用。
接着，介绍了本文的结构以及各个部分的内容和目的。
正文部分分为两个小节，分别讨论了场效应管和三极管的特点和工作原理。
在场效应管部分，我们将重点探讨了它的两个要点。
第一个要点将介绍场效应管的基本结构和工作原理，包括栅极、漏极和源极的作用以及通过改变栅极电压控制漏电流。
场效应管与晶体三极管的比较
场效应管与晶体三极管的比较原理区别：1、三极管是双极型晶体管，场效应管是单极型晶体管；2、三极管是电流控件，场效应管是电压控件；3、三极管输入阻抗低，场效应管输入阻抗高；4、三极管分NPN和PNP两种类型，有硅管和锗管之分。
场效应管分结型和绝缘栅型两大类，每类又可分为N沟道和P沟道两种，都是硅管；5、三极管的集电极和发射机不可互换，场效应管的源极和漏极可以互换；场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计：晶体管：基极发射极集电极场效应管：栅极源极漏极要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)，场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.在主板中的区别：第一种方法最有效果，就是查资料。
第二种是看看芯片脚下的铜片，场管一般只有G极是信号线，是细线，其余的都为粗线。
如果是复合管的话就有两根细线，并有一脚接地。
三端稳压器没有接地的脚而且都为粗线，一般电脑上不用三极管走电压线，只走信号线。
场效应管用万用表测第3脚和第2脚单向导通，其他脚不通。
三极管是第1脚和第2脚第3脚两组正向导通的。
在板上测不看图纸，很难区分三极管和场管的，CPU供电都是N沟道的场管。
拿下来测才准。
用万用表的三极管档，测三极管的B极和E极，有0.6V的压降，因为这是一个PN结而MOS管则测不到此压降。
三极管和场效应管
三极管和场效应管三极管是电子电路中最基本的元件，在数字电路中扮演着十分重要的角色。
三极管可以通过控制电流或电压，来控制另一个电路中的电流或电压，从而发挥重要作用。
在大多数应用中，三极管被用于去转换或控制一种信号，以达到控制电路的目的。
而场效应管是电路中比较常用的元件，它的特点是几乎没有体积，可以在微型电路中进行使用。
场效应管是由一个外部电源控制的一种可控制半导体，它具有很大的放大倍数。
它可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。
此外，场效应管还可以用来控制电流、电压或双向功率。
三极管和场效应管的最大区别在于它们的工作原理。
三极管是一种可放大和减小电流，从而控制对其他电路的输入和输出的元件。
它的工作原理是通过两个硅的双向电晶体管（一个叫n型晶体管，一个叫p型晶体管），来控制另一个电路中的电流或电压。
而场效应管是一种只有一个晶体管的可控制半导体。
它使用一个外部电源控制，以改变它的导通状态，从而影响另一个电路中的电流或电压。
在使用时，外部电源需要把输入电压和输出电压控制在一定的范围之内，以保证场效应管的正常工作。
三极管和场效应管都可以用于微型电路中，但它们的应用不同。
三极管可以用于放大小的电流或变换一种信号，以实现控制电路的功能。
另外，三极管也可以用来制作电路双向功率控制。
而场效应管多用于数字电路或器件的控制，可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。
即使三极管和场效应管有着不同的原理，但它们在微型电路中的应用也是有许多类似之处的。
它们可以被用来实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号。
总而言之，三极管和场效应管是电子电路中两种最基础的元件，它们可以用于实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号，在微型电路中应用极为广泛，是电子电路中不可缺少的重要元件。
三极管与场效应管的差别
三极管与场效应管的差别•三极管（BJT）和场效应管（FET）是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件，最初发明的是三极管，以其优异的性能迅速代替了电子管，但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷，在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的晶体管，于是场效应管就应用而生了。
它的最大特点就是输入阻抗极高，这是三极管无法比拟的，然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样而完全取代三极管，它也不是万能的，在有些方面不如三极管，因此不能笼统的说谁好谁不好，由于它是在三极管的基础上研制而成的，所以它许多方面和三极管有相似的地方，二者珠联璧合应用广泛。
今天通过对比我们全面认识三极管和场效应管，以便更好的利用它们。
•1.电极区别：三极管有基极b、发射极e、集电极c三个电极，场效应管也有G极、源极S、漏极D三个电极，它们二者有对应关系，电极的作用相似，即基极-栅极都是控制极，发射极对应源极，集电极对应漏极，都是被控电极；•2.控制类型：三极管是电流控制型器件，也就是通过基极电流的变化控制集电极电流的变化；场效应管属于电压控制型器件，也就是通过栅极电压的变化来控制源漏极电流大小；二者的工作原理是不同的，三极管是通过基极电流来控制集电极电流大小的，而场效应管是通过栅压改变导电沟道的宽度来控制电流的变化；•3.阻抗差别：三极管输入阻抗较低，在几百欧姆-几千欧姆之间，基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，阻抗不匹配时几乎不能工作；场效应管的输入阻抗极高，达到兆欧以上，MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，和三极管一样输出电阻也较高；•4.载流子差别：三极管有两种载流子参加导电，即少子与多子，属于双极性器件；场效应管只有一种载流子参加导电，属于单极性器件；•5.稳定性差别：三极管由于少子也参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差，故其噪声高，且制造复杂；场效应管由于其由多子导电，热稳定性较好，故噪声小；制造工艺简单，容易集成、功耗低、体积小、安全工作区域广；大规模、超大规模集成电路均大多由场效应管制作；•6.分类差别：晶体管按结构分PNP和NPN型两种；而场效应管种类就多了，按导电沟道分n型和p型，按原理结构分结型场效应管JFET和绝缘栅场效应管MOSFET，mos管又分增强型、耗尽型两种；•7.特性曲线差别：三极管特性曲线分截止区、放大区、饱和区、击穿区；场效应管分截止区、放大区、可变电阻区、击穿区，二者有对应关系；在特性曲线上均有输入、输出特性曲线；从电路分析计算，场效应管较三极管简单；三极管的转移特性（IC-Vbe）是按指数规律变化，场效应管的转移特性是按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管大；•8.放大能力：表征三极管放大能力的重要参数是电流放大倍数β，场效应管用跨导表示gm，其值较小，放大能力差，电压放大倍数小于三极管电路；•9.灵活性差别：三极管的发射极、集电极不能互换，否则β极低，不能正常工作，而场效应管对于一些特定条件的（衬底没有和源极连着一起），源极和漏极是可以互换的。
如何辩别贴片三极管和场效应管
如何辩别贴片三极管和场效应管1、中、小功率三极管的检测A 已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a) 测量极间电阻。
将万用表置于R×100或R×1K挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。
其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。
但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。
(b) 三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。
ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO的增加必然造成ICEO的增大。
而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。
通过用万用表电阻直接测量三极管e-c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下:万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1K挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。
要求测得的电阻越大越好。
e-c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小;反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。
一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。
(c) 测量放大能力(β)。
目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE 的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。
先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。
另外:有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。
场效应管与三极管
场效应管 与 三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
可控硅,场效应管,三极管的区别
2008-08-07 19:40linzy58 | 十二级
这可都是基础啊！一口吃不成胖子，慢慢学吧！
最简单的区别就是:
三级管是电流控制型.
场效应管是电压控制型.
可控硅也称作晶闸管,有单向和双向之分.
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向
可控硅，场效应管，三极管的区别？
2008-08-07 10:37改变司令 | 分类：工程技术科学 | 浏览8652次 | 该问题已经合并到>>
可控硅，场效应管，三极管的区别？
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2008-08-07 12:34提问者采纳
场效应管 VS 三极管
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。
了解下：三极管和场效应管的小同大异
了解下：三极管和场效应管的小同大异三极管(BJT)和场效应管(FET)都有信号放大的作用，也都有3个管脚，且封装大小两者都类似，然而这么如此相似的两种管，无论是材质组成、工作原理、使用方式，它们都不一样。
三极管定义三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，一般在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应优先选用三极管。
场效应管定义场效应晶体管(FET)简称场效应管，也称为单极型晶体管，主要有两种类型，JFET管和MOS-FET管。
和三极管不一样，它是属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者，只允许从信号源取较少电流的情况下应优先选用场效应管。
使用区别1、三极管之所以又被称为双极型管子，是因为管子在工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
主要工作原理是对基极和发射极之间的流过的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极之间的电流源，使基极-发射极间电流的十至数百倍的电流在集电极和发射极之间流动。
换言之，三极管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。
场效应管也被称为单极型管子，因为该管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。
通过G极电压来控制D、S极间的电流放大信号，在电路设计中主要应用的是增强型的NMOS管和PMOS管，其中增强型的NMOS管更加常用，因为NMOS的导通电阻小并且容易制造，在开关电源和马达驱动的应用中，一般采用NMOS，主要原因是NMOS的导通电阻小并且容易制造，另外在MOS管内部，漏极D和源极S之间会寄生一个二极管，这个叫体二极管，当MOS管工作的时候，不管是PMOS还是NMOS，电流流动的方向都是必须与体二极管的方向相反。
场效应管和三极管的区别
場效應管是場效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。
它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。
普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。
場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。
在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區別見下表。
場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。
在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。
而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。
場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。
由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。
場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。
場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。
1．場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2．場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．場效應管柵極幾乎不取電流（ig?0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。
因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。
4．場效應管只有多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。
场效应管与三极管的区别：
場效應管與三极管的區別：三极管是通過基极電流的變化來控制集電极電流的改變，是個電流控制元件。
場效應管工作時不需要從信號源汲取電流，是電壓控制元件，顯現出极高的輸入電阻。
主要應運於大規模集成電路中。
場效應管有兩种類型：(1) 結型場效應管(2) 絕緣柵型場效應管，又稱ＭＯＳ管它的三個工作區：可變電阻區恆流區夾斷區：當柵極電壓ＵGS＜ＵGSOFF之後導電溝道被夾斷，這時漏极電流Ｉd=0三极管分類：NPN型PNP型它的三個工作區:截止區：Ｉ=0Ｕbe＜0ｖＣ-Ｅ极間相當於開路飽和區：Ｉc不再隨Ｉb增加而增加;NPN：Ｖb＞Ｖc＞ＶeＣ—Ｅ相當於開關接通所以常利用三极管作電路中的開關，接通（飽和）斷開（截止）放大區：處在截止與飽和之間主要系數參數：1.電流放大系數β通常使用：β值為20～100大功率：β值較低為20～30β值太小電流放大作用差,β值過高100時管子性能受環境溫度影響大，性能不穩定，所以β值過高過低都不合用。
2.穿透電流ＩCEOＩCEO過大，管子性能下降，溫度升高時，ＩCEO也增大3.极限參數✧集電极最大允許電流Ｉcm，Ｉc過大β值下降✧ＵCE＞ＵBRCE，Ｉc增加表明管子已被擊穿✧集電极最大允許耗散功率Ｐcm。
一般硅管最高允許溫度為150℃，鍺管最高溫度為70℃集成運算放大器的主要技術指標：✧開環差模電壓放大倍數ＡOD是運放在沒有引入反饋情況下所具有的差模放大倍數。
ＡOD般均在100dB，性能較好的集成運放可140dB。
✧共模抑制比K CMR集成運放的K CMR一般在100dB左右。
✧輸入失調電壓ＵIO是指靜態時，為使輸出電壓為零需要在輸入端加的差值電壓（實際工作時，是通過運放外接調零電位器將輸出電壓調為零）。
ＵIO的大小反映運放內部線路對稱性的程度。
✧輸入失調電壓的溫漂d UIo/Dt指在規定的環境溫度範圍內，溫度每變化一度引起輸入失調電壓的變化值。
通常要求d UIo/Dt越小越好。
✧輸入失調電流Ｉio映集成運放輸入級輸入電流不對稱的程度。
三极管和场效应管
三极管和场效应管
三极管和场效应管是电子设备中极其重要的元件。
它们在各种电子设备的控制路径、功率传递和信号处理领域都有着广泛的应用。
三极管由三个极位组成，即正极、负极和中间极。
它的作用是将电容器、电阻器、变压器和其它元件串联起来，形成开关和放大功率传递系统。
由于具有低成本、低耗电、易控制等特点，三极管在许多工业产品和家用电子设备中得到了普遍应用。
场效应管由四个极位组成，包括正极、负极、控制极和集电极。
它是采用导电性材料进行压阻控制，从而改变材料内电荷密度，从而改变电流流通能力的一种电子元件。
在电子设备中，场效应管用来控制电流，可以实现的功能有接收、放大、截获和抑制等，因此也被称为控制管。
总之，三极管和场效应管在电子设备中都扮演着重要的角色。
它们的应用十分广泛，可以帮助我们实现信号控制、能量传递和信号处理等功能。
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场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍
相信很多初学者在进行电路设计时，都曾经遇到过一个选择难题：三极管和场效应管选哪个更好一些呢？其实无论是三极管还是场效应管，它们都有自己的优势，也有各自的弊端，在今天的文章中，华强北IC代购网将会对这两种管子的优缺点和区别，展开简要分析。
场效应管和三极管工作原理区别
尽管场效应管和三极管功能相近，场效应管也是由三极管衍生出来的，但是两者的工作原理是有所区别的。
具体如下：
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；
2、场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；
3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；
4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。
场效应管和三极管的应用区别
就目前三极管和场效应管的应用情况来看，它们两者主要有以下四种区别：
1、三极管是用电流控制，场效应管属于电压控制；
2、从成本上看，三极管要比场效应管便宜；
3、在功耗方面，与场效应管相比，三极管损耗更大一些；
4、最后一种区别就是两者的驱动能力不同，由于场效应管常用应用在开关电路上，因此场效应管的驱动能力要比三极管的好。
相关参数比较表
生产厂家介绍
1、ROHM
Rohm是在系统LSI以及最新半导体技术是首屈一指的主导企业，以“用不坏的零件”为目标，实现了世界最高质量和可靠性。
产品包括大规模集成电路、模块、光学元件、模块组件、分立元件、无源元件等。
2、Toshiba
东芝半导体，拥有先进的加工技术，高精度的产品开发能力以及对全球客户在宽带设备销售方面的经验，将东芝定位于全球半导体市场的持续领导地位。
产品齐全,公司经营主要有TLP光藕系列。
3、ON Semiconductor
安森美半导体(ON Semiconductor，其高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。
4、Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor又称“仙童半导体”，是美国的一家半导体设计与制造公司。
曾经开发了世界上第一款商用集成电路。
当前主要生产逻辑、模拟、混合信号IC和分立元件。
总结
以上就是本文针对三极管与场效应管的区别及厂家，所进行的简要分析和介绍。
相信通过上文对三极管、场效应管的工作原理差异介绍、相关参数的比较，大家在电路设计中对三极管和场效应管的选择心里也有个谱，希望本文的介绍，能够对各位工程师和技术人员的设计研发工作有所帮助。