太阳能级直拉硅单晶圆棒质量要求
太阳能级多晶硅料等级标准
ICSH 82中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局发布中国国家标准化管理委员会前言本标准是为适应我国光伏产业日益发展的需要，在修改采用SEMI 16-1296《硅多晶规范》标准的基础上，结合我国硅多晶硅生产、试验、使用的实际情况而制定的。
本标准的制定能满足市场及用户对太阳能级多晶硅的质量要求。
本标准考虑了目前市场上的大部分多晶硅料，包括：硅粉、碳头料、棒状料、块状料、颗粒料等，根据不同种类的硅多晶加工、生产太阳能电池其转换率情况，将太阳能级硅多晶纯度指标分为三级。
与SEMI 16-1296相比增加了基体金属杂质内容。
本标准的术语与相关标准协调一致。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司。
本标准主要起草人：杨玉安、袁金满、孙世龙、汪义川。
太阳能级多晶硅1 范围本标准规定了太阳能级硅多晶的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及包装、标志、运输及贮存。
本标准适用于以三氯氢硅或四氯化硅为原料，生产的棒状多晶硅、粒状状多晶硅、包括块状多晶硅、碳头料和生产过程中的硅粉，以及采用物理提纯法提纯生产的多晶硅。
产品主要用于太阳能级单晶硅棒和多晶硅锭的生产。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测试直排四探针法GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 1558 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T 1558 测定硅晶体中代位碳含量红外吸收方法GB/T ××××-200× 硅多晶中基体金属杂质化学分析电感耦合等离子体质谱法GB/T 14264 半导体材料术语ASTM F1389-00 光致荧光光谱测单晶硅中Ⅲ-Ⅴ族杂质ASTM F1724-01 利用原子吸收光谱测量多晶硅表面金属杂质3 要求3.1 分类产品按外型分为块状、粒状、粉状和棒状多晶硅，根据纯度的差别分为3级。
连续直拉单晶硅棒生产制造关键技术创新与应用
连续直拉单晶硅棒是光伏产业中非常重要的一环。
它是太阳能光伏电池的主要原料，并且在半导体电子器件的制造过程中也扮演着重要的角色。
目前，全球能源危机愈演愈烈，清洁能源行业风生水起，光伏产业正在迅速发展壮大。
而单晶硅棒的生产制造技术的创新与应用，将直接影响到光伏产业的发展速度和效率。
在这个背景下，连续直拉单晶硅棒生产制造关键技术的创新与应用问题备受关注。
1. 前言单晶硅棒的生产制造过程中，连续直拉技术是一项非常重要的技术。
传统的单晶硅生产制造工艺中，采用的是坩埚法，这种方法生产出来的硅块需要通过切片后才能得到晶体硅片。
而连续直拉技术可以直接将硅棒拉制成所需要尺寸的硅片，大大提高了生产效率，减少了生产成本，符合了清洁能源产业的要求。
连续直拉单晶硅棒的生产制造关键技术创新与应用一直备受关注。
2. 原材料准备在连续直拉单晶硅棒的生产制造过程中，高纯度硅块是原材料的重要组成部分。
传统的高纯度硅块主要通过坩埚法生产，但是这种方法存在着很多的问题：生产周期长、生产成本高、能耗大等。
研发出一种新的高纯度硅块生产工艺技术至关重要。
目前，一种叫做气相混合法的技术得到了广泛的应用。
这种方法可以将硅气和氢气在适当的温度下进行反应，形成高纯度的硅单质并在载气中传输到下游设备中，大大加快了生产速度，降低了生产成本。
3. 晶体生长连续直拉单晶硅棒的生产制造过程中，晶体生长是非常关键的一步。
要生长出高质量、无缺陷的单晶硅棒，需要精密的控制晶体生长环境和生长速度。
传统的晶体生长方法主要是采用单晶炉来进行，但这种方法存在着生产周期长、生产效率低等问题。
目前，一种叫做悬浮区法的晶体生长技术正在逐渐成熟，这种方法可以不需要借助单晶炉设备，直接在气相中进行晶体生长，大大提高了生产效率，降低了生产成本。
4. 拉晶成型在晶体生长完毕后，需要将晶体拉制成所需的直径和长度，这是整个生产过程中比较关键的一步。
传统的方法是采用拉晶机进行拉制，但是这种方法存在着生产效率低、拉晶成型不均匀等问题。
单晶硅棒检验作业指导书
单晶硅棒检验作业指导书文件编号QEO/NBYC/ZD-01-01-2010 （A/0）文件类别页码1/5编制部门品控分部编制/日期审核/日期批准/日期生效日期20 年月日修改记录版本修改内容摘要编制人审核人批准人日期A 新发布BB/1B/2发布部门份数发布部门份数□总经理部[ ] □财务部[ ] □人事行政部[ ] □设备部[ ] □市场营销部[ ] □品控部[ ] □技术工艺部[ ] □生产部[ ] 文件宣贯签字：文件名岗位作业指导文件编号（A/0）页码2/5书一、目的为指导检验员对本公司生产的直拉单晶硅棒的检测，以确定所检产品是否达到品质要求。
二、范围适用于本公司生产的直拉单晶硅棒的检测。
三、定义无四、职责4.1 品管部负责本检验作业指导书的制定、修订。
4.2 品管部检验员负责依本标准对所送产品进行检验。
五、作业内容5.1 单晶棒加工前检测5.1.1 单晶棒送检确认5.1.1.1 确认所送检的单晶棒是否编号正确，是否附有晶棒随工单，且晶棒随工单的信息是否准确和完全。
5.1.2 直径检测5.1.2.1 从晶棒尾部起，每间隔400mm测量一次，并测量头部终点处直径。
5.1.2.2 用长爪游标卡尺（精度≥0.02mm）测量单晶硅棒的直径，并把测量结果记录在《单晶硅棒检验记录表》上。
5.1.2.3 对于晶棒直径低于标准范围区域，则在晶棒上作标记，用卷尺测量不符合标准的晶棒长度，并把不符合标准的长度记录在《单晶硅棒检验记录表》和晶棒随工单上。
5.1.3P/N导电类型检测5.1.3.1 从晶棒尾部起，每间隔400mm测一点。
5.1.3.2 用P/N型测试仪检测P/N导电类型，并把测量结果记录在《单晶硅棒检验记录表》和随工单上。
5.1.3.3 如存在N型，则在晶棒上作标记，用卷尺测量N型硅棒长度，并把不符合标准的长度记录在《单晶硅棒检验记录表》和晶棒随工单上。
5.1.4 纵向电阻率检测文件名岗位作业指导文件编号（A/0）页码3/5书5.1.4.1 从晶棒尾部起，每间隔400mm测一点，并需对测量点进行打磨后再测。
单晶硅棒进货检验标准
单晶硅棒进货检验标准单晶硅棒是制造集成电路和太阳能电池的重要原材料，其质量对产品的性能和稳定性有着重要影响。
为了确保单晶硅棒的质量，进货前需要进行严格的检验。
下面将介绍单晶硅棒进货检验的标准。
首先要检查单晶硅棒的外观。
单晶硅棒应该呈现出均匀的颜色和光滑的表面，没有明显的裂纹、缺陷和杂质。
颜色均匀表示硅棒的纯度高，光滑的表面有利于后续加工工艺。
同时，没有裂纹和缺陷可以保证硅棒的强度和可靠性，而没有杂质可以提高硅棒的电子性能。
其次要检查单晶硅棒的尺寸和形状。
单晶硅棒应该具有一定的长度、直径和圆度要求。
长度的偏差不能超过规定的范围，直径应该符合制造工艺的要求，而圆度应该保持在一定的误差范围内。
尺寸和形状的合格可以保证后续的加工和使用。
然后要检查单晶硅棒的纯度。
单晶硅棒的纯度对其电子性能有着重要影响。
检验纯度可以通过化学分析和光电分析等方法进行。
化学分析可以检测硅棒中是否含有杂质元素，而光电分析可以评估硅棒的光电特性，例如载流子浓度和迁移率等。
当然，保证单晶硅棒的纯度需要在制造过程中严格控制和筛选原料、加工工艺等因素。
还要对单晶硅棒进行机械性能测试。
机械性能测试可以包括硬度、强度、韧性等方面。
硬度是衡量硅棒抗划伤和磨损能力的指标，强度是衡量硅棒抗断裂的能力，韧性是衡量硅棒抗弯曲和变形的能力。
这些机械性能指标的合格可以保证硅棒在加工和使用中的稳定性和可靠性。
最后要对单晶硅棒进行电性能测试。
电性能测试可以包括导电性、电阻率、电介质常数等方面。
导电性是衡量硅棒导电能力的指标，电阻率是衡量硅棒的电阻大小，电介质常数是衡量硅棒对电场的响应能力。
这些电性能指标的合格可以保证硅棒在电子器件中的性能和稳定性。
综上所述，单晶硅棒进货检验标准主要包括外观、尺寸和形状、纯度、机械性能和电性能等方面。
通过严格执行这些标准，可以确保进货的单晶硅棒质量优良，满足后续生产和使用的要求。
1单晶硅片--(企业标准)
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
氧碳对太阳能级直拉单晶硅品质影响初探
太 阳能 级 直拉 单 晶硅 中所 含 杂 质有 三 类 。一 类 是 金 属杂 质 ，如 铜 、铁 、镍 等 ，这 些 杂质 在 晶体 中会 引
起 晶格畸变 ，并在硅晶体 中形成多个杂质能级 ，起到 复合 中心的作用 ，降低单晶硅的少数载流子寿命 ，因
此 这 类 金属 杂 质 的危 害性 很大 。另一 类 对太 阳能 级直 拉 单 晶硅而 言 是必 需 的杂 质 ，即 当利 用 原生 多 晶硅生 产 单 晶硅 时 ，有 意加 入 所需 杂 质来 决 定 太 阳能 级 直拉 单 晶硅 的导 电 型号 ，如 ：在 原 生 多 晶硅 中掺 入 Ｖ族 元
部 ，径 向分 布 为边 缘浓 度 高 而 中心 浓度 低 。由于 碳 与
０４ ．
硅 同是 Ⅳ族 元 素 ，碳 在 硅 中不 会 产 生 施 主 或 受 主效
应 ，但碳原子因原子半径小 ，容易造成晶格畸变。如
尾
果 硅 晶体 中碳 杂 质过 多将 会 与硅 原 子 发生 反 应 ，产 生
不 利 的两个 方 面 。 有 利 方面 ：由于 硅 中氧 的存在 ，增 加 了硅 片 的机
＼ 面１ ５ ＼
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械 强 度 ，同时后 期硅 片 经高 温 热处 理 后 ，能 形 成 氧沉 淀 及 缺 陷 的 络 合 物 ，可 以作 为 电 活 性 杂 质 的 吸 除 中
１１ 太 阳能 级直 拉单 晶硅 中 的杂质 ．
硅 含氧 量 较 高 ，在 １ ０ ～２Ｘｌ ａ ｏ ・１ １” ０ ｔ ｓＯ３ 间 ， Ｘ ｍ ３ 之
熔体中多数氧在熔体 自由表面蒸发 ，而余下的氧通过
单晶硅棒检验和试验规范
⑦把抛光好的薄片放在Sirtl腐蚀液中腐蚀10-15分钟，取出用水冲洗干净；
⑧在白炽灯下能观察到位错排，在金相显微镜下观察四边形的位错坑；
⑨位错密度等于视场内的坑数，个/视场面积，cm2；
7）氧碳含量测试
3.常用工具
游标卡尺、卷尺、划线笔
4、划分标准
4.1单晶长度先切头尾
4.2所有直径大于153mm的晶体按153mm划分；直径大于152mm的按152mm划分；直径大于151按151mm划分；直径大于150mm按150mm划分;
长度：150mm-500mm切头尾；
500mm-800mm先切305；
800mm-1000mm的按中间切；
5将探头与成品的油石研磨面接触并压下来，使探针与研磨面充分接触；
6将功能开关调至测试，数字显示出成品的电阻率，在一次测量之后，再按一下极性开关，再测量一次，测量结果取两次测量的平均值；
5）分段划线
1、目的：
每一根单晶棒划分清楚、规范，减少不必要的损失。
2、试用范围
2.1适用测试人员
2.2适用于对单晶棒的分段
3）导电型号测试
使用导电型号鉴别仪STZ-8进行测量
操作步骤
1首先将电源打开，预热仪器15分钟；
2手持探头与成品的油石研磨面接触并轻用力按下，使探针与研磨面充分接触；
3采用热探针法时将K2拨向T，用手按一下K3（T）开关，即手放开，经过2-3秒后，即显示“P”或者“N”；
4采用整流法时，将K2拨向R，这是P、N灯会自动显示出正确的型号；
检验员检查单晶车间交送的单晶棒及“作业流程单”，并按单上的单晶编号用油笔写在单晶棒上。
单晶硅企业标准标准
0I CS企业标准硅单晶XXX有限公司发布前言本标准修改采用了Ibis Technology《美国Ibis公司硅单晶产品样本》，其他技术要求执行了GB/T 12962-2005标准。
编写格式按GB/T 1.1-2009《标准化工作导则第1部分：标准结构和编写》标准修订。
本标准于XXX 首次发布。
硅单晶1 范围本标准规定了硅单晶的产品术语、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存。
本标准适用于直拉法制备的硅单晶。
产品主要用于制作太阳能电池及其组件。
2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551 硅锗单晶电阻率测定直流二探针法GB/T1552 硅锗单晶电阻率测定直排四探针法GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12964 硅单晶抛光片GB/T13387 电子材料晶片参考面长度测量方法GB/T14140 （所有部分）硅片直径测量方法GB/T14143 300μm-900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法GB/T14844 半导体材料牌号表示方法Ibis Technology 美国Ibis公司硅单晶产品样本3 术语和定义下列术语和定义适用于本标准。
3.1 径向电阻率变化晶片中心点与偏离中心的某一点或若干对称分布的设定点（典型设定点是晶片半径的1/2处或靠近晶片边缘处）的电阻率之间的差值。
这种电阻率的差值可以表示为中心值的百分数。
又称径向电阻率剃度。
单晶硅棒技术检验要求
缺口：晶棒表面局部缺损，其尺吋由纵向长度和径向深度给出。
裂纹：由晶棒上任意一点向其它位置延伸的贯穿或未贯穿晶棒的裂痕。
发文单位：浙江昱辉阳光能源有限公司页码：2/3
4、技术要求：
特性
反应计划
项目
产品/过程规范/公差
评价测量技术
样本
控制方法
容量
频率
外观
无孪晶、无空洞、无断棱、无硬伤、无裂纹、缺口弧长≤3mm深度≤1.5mm
少子寿命
少子寿命大于10us
WT-2000少子寿命测试仪
100%
每根
单晶硅棒检验标准
不合格反切
掺杂类型
掺硼
供方质量保证书
/
/
/
/
极性
P型
半导体极性仪
100%
每根
单晶硅棒检验标准
不合格拒绝接收
发文单位：浙江昱辉阳光能源有限公司页码：3/3
5、检验规范：Leabharlann ⑴检查与验收：产品由需方过程检验部门负责检验并填写品质检验单，并交质量管理部进行审核。
目测
100%全检
每根
单晶硅棒检验标准
不合格处切除
直径
155mm≥6吋直径≥153mm
172mm≥6.5吋直径≥168mm
206mm≥8吋直径≥203mm
游标卡尺精度0.02mm
100%全检
每根
单晶硅棒检验标准
不合格处切除
无位错长度
去掉位错和直径偏小后圆棒长度大于300mm
卷尺精度1mm
100%全检
每根
⑵检验项目
每根圆棒按照上表中的检验项目和要求进行检验。
⑶检验结果判定
直拉法硅单晶生长中断棱与掉苞问题的探讨
直拉法硅单晶生长中断棱与掉苞问题的探讨摘要：直拉法是硅单晶生长的一种重要方法，但在生长过程中常常会出现中断棱和掉苞等问题，影响了单晶的质量和产量。
本文首先介绍了直拉法的基本原理和生长过程，然后分析了中断棱和掉苞的成因和对单晶生长的影响，最后提出了解决这些问题的方法和建议。
关键词：直拉法；硅单晶生长；中断棱；掉苞；解决方法一、引言硅单晶是半导体工业中最重要的材料之一，广泛应用于集成电路、太阳能电池、LED等领域。
直拉法是硅单晶生长的一种重要方法，具有生长速度快、单晶质量高等优点。
但在实际生产中，常常会出现中断棱和掉苞等问题，影响了单晶的质量和产量。
本文将对这些问题进行探讨，并提出解决方法和建议。
二、直拉法硅单晶生长的基本原理和过程直拉法是一种通过拉伸单晶生长的方法，其基本原理是在熔池中加入硅材料，通过加热和拉伸的方式使硅单晶逐渐生长。
具体过程如下：首先，在石英坩埚中加入硅材料，加热至熔点以上，形成熔池。
然后，将熔池温度控制在适宜的温度范围内，并在熔池表面形成一层稳定的硅晶体。
接着，通过拉伸晶棒的方式，使硅晶体从熔池中逐渐生长。
最后，通过调节拉伸速度和温度等参数，控制单晶的生长速度和质量。
三、中断棱和掉苞的成因和影响中断棱和掉苞是直拉法生长中常见的问题，其成因主要有以下几个方面：1. 晶棒质量不良：晶棒表面不平整、有气泡、夹杂物等缺陷，会导致晶体生长不稳定。
2. 拉伸速度过快：拉伸速度过快会导致晶体生长不稳定，容易出现中断棱和掉苞等问题。
3. 温度不均匀：熔池温度不均匀会影响晶体生长的稳定性，容易出现中断棱和掉苞等问题。
这些问题会对单晶生长产生严重影响，主要表现在以下几个方面： 1. 单晶质量下降：中断棱和掉苞等问题会导致单晶表面不平整、晶界不清晰等质量问题。
2. 产量下降：中断棱和掉苞等问题会使单晶生长的过程不稳定，导致产量下降。
3. 成本增加：为了解决中断棱和掉苞等问题，需要增加人力和物力投入，增加生产成本。
直拉硅单晶生产过程中可能遇到的问题和解决方法
直拉硅单晶生产过程中可能遇到的问题和解决方法摘要：直拉硅单晶生产是一项复杂的工艺，其中可能会出现各种问题。
解决这些问题对于确保生产质量和效率至关重要。
在本文中，将介绍直拉硅单晶生产过程中常见的问题，并提供相应的解决方法。
关键词：直拉硅单晶；生产过程；问题；解决方法引言直拉硅单晶是用于制造太阳能电池和集成电路等高科技产品的重要材料。
在生产过程中，可能会遇到一些问题，影响生产效率和质量。
本文将讨论一些常见的问题，并提供相应的解决方法。
1直拉硅单晶概述1.1直拉硅单晶直拉硅单晶是一种重要的半导体材料，广泛应用于太阳能电池、集成电路和其他高科技产品的制造中。
它具有优异的电学性能和热学特性，因此成为现代电子行业不可或缺的材料之一。
直拉硅单晶的生产是通过熔化高纯度多晶硅，然后在适当的温度和拉力下，将硅熔体从凝固器底部向上拉扯，形成连续的硅单晶柱。
这个过程中需要精确控制温度、拉力和拉速等参数，以确保晶体的质量和尺寸一致性。
1.2直拉硅单晶特点1.2.1高纯度直拉硅单晶的纯度非常高，其中杂质含量非常低，可以满足高要求的电子器件制造。
1.2.2大尺寸直拉硅单晶可以得到较大尺寸的硅片，可以实现更多的芯片制造和太阳能电池面积。
1.2.3优异的光电特性直拉硅单晶具有良好的光电转换效率和光损耗特性，适用于制造高效的太阳能电池。
1.2.4结构均匀性由于直拉过程的控制和优化，直拉硅单晶的晶体结构相对均匀，减少了晶界和位错等缺陷。
2直拉硅单晶生产过程中遇到的问题2.1晶体断裂或受损在拉晶过程中，晶体可能会因为拉力不均匀、温度变化或材料缺陷等原因而出现断裂或受损。
2.2晶体表面污染晶体的表面可能会受到氧化物、杂质或其他污染物的影响，导致晶体纯度降低或者局部区域的电性能下降。
2.3晶体尺寸和形状不均匀直拉过程中，如果拉力、温度或其他关键参数控制不当，可能导致晶体尺寸和形状的不均匀性，影响后续工序的加工精度和产品一致性。
2.4晶体结构缺陷晶体内部可能存在晶界、位错和点缺陷等问题，这些缺陷可能对晶体的电学性能和可靠性产生不利影响。
简述直拉法制备单晶硅棒的工艺流程
简述直拉法制备单晶硅棒的工艺流程下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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2023年度单晶硅棒标准
2023年度单晶硅棒标准单晶硅棒是太阳能电池制造的关键原材料之一，其纯度和质量对最终太阳能电池的性能有重要影响。
因此，单晶硅棒的标准制定非常重要，旨在确保其质量达到规定的技术要求，为太阳能电池制造提供可靠的原材料。
2023年度单晶硅棒标准的制定需要考虑下面几个方面：一、物理特性单晶硅棒的物理特性是其品质的重要指标。
在制定标准时，需要考虑以下几个方面：1. 直径控制：单晶硅棒的直径是影响电池输出功率的重要因素之一。
标准应该规定单晶硅棒直径的公差范围，并确保直径的绝对误差小于0.05 mm。
2. 晶格完整性：单晶硅棒的晶格完整性也是影响电池性能的重要因素。
标准应该规定单晶硅棒晶格完整性的检测方法和要求。
3. 质量：标准应该规定单晶硅棒质量检测的方法和要求，并确保每段单晶硅棒的质量符合规定的技术要求。
二、化学特性单晶硅棒的化学特性表明了其杂质程度。
在制定标准时，需要考虑以下几个方面：1. 杂质含量：杂质含量是影响电池输出功率的重要因素之一。
标准应该规定单晶硅棒杂质含量检测的方法和要求，并确保每段单晶硅棒的杂质含量符合规定的技术要求。
2. 净化：标准应该规定单晶硅棒净化的方法和要求，并确保最终单晶硅棒的杂质含量低于规定限值。
三、表面特性单晶硅棒的表面质量对太阳能电池制造的影响也很大。
在制定标准时，需要考虑以下几个方面：1. 镜面度：单晶硅棒的表面镜面度直接影响电池输出功率。
标准应该规定单晶硅棒表面镜面度的公差范围，并确保镜面度的绝对误差小于0.1 nm。
2. 粗糙度：标准应该规定单晶硅棒表面粗糙度的公差范围，并确保粗糙度的绝对误差小于0.05 nm。
以上是单晶硅棒标准制定的主要方面，还需考虑其他因素，如驱动力、制备工艺和包装等。
总之，制定2023年度单晶硅棒标准的目标是确保单晶硅棒的质量达到预期要求，为太阳能电池制造提供可靠的原材料。
硅棒检验标准
1.有效长度：精确到毫米；2.直径范围：在考虑公司利益的情况下直径尽量小些，但不可以低于151.5mm；如需线切方，直径必须≥153mm；3.电阻率：0.5~1Ω/cm、1~3Ω/cm、3~6Ω/cm；4.型号：P型掺硼；5.少子寿命≥10μs；6.晶向：＜100＞±3°7.氧含量：≤1×1018atoms/cm3；8.碳含量：≤5×1016 atoms/cm3；9.径向电阻率变化：＜25％；10.位错密度＜3000 atoms/cm311.重量精确到0.01千克；12.崩边：1）崩边不能在晶线上，应在晶线10mm以外；2）崩边位置在棒体截面上不影响切方（152mm以外）；3）精确到毫米；13.晶线：晶线上不能有断线。
1、A面A1、A2、A3、A4=125±0.50mm│A1-A3│、│A2-A4│≤0.30mm│B1-B3│、│B2-B4│≤0.30mm│A1-B1│、│A2-B2│≤0.40mm2、对角：150±0.50mm；A面两对角为D1、D2，B面为D3、D4；D1、D3呈平行状态，D2、D4呈平行状态；│D1-D2│、│D3-D4│≤0.30mm│D1-D3│、│D2-D4│≤0.40mm3、电阻率：0.5~3Ω/cm、3~6Ω/cm；4、型号：P型掺硼；5、少子寿命≥10μs；6、晶向：＜100＞±3°；7、氧含量：≤1×1018atoms/cm3；8、碳含量：≤5×1016 atoms/cm3；9、径向电阻率变化：＜25％；10、位错密度＜3000 atoms/cm3；。
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ICS29.045
H 82 DB63 青海省地方标准
DB 63/ T991—2011
太阳能级直拉单晶硅圆棒质量要求
Quality requirments of direct-pull monosilicon stick in solar grade
点击此处添加与国际标准一致性程度的标识
（报批稿）
2011-04-11发布2011-05-01实施
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准由青海华硅能源有限公司提出并负责解释。
本标准由西宁经济技术开发区东川工业园区管委会归口。
本标准起草单位：青海华硅能源有限公司。
本标准主要起草人：张治民、雷光辉、李治明、付亚惠、冯全来、武超。
太阳能级直拉单晶硅圆棒质量要求
1 范围
本标准规定了太阳能级直拉单晶硅圆棒的质量要求。
本标准适用于太阳能级直拉单晶硅圆棒的检验。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。
GB/T 1214.1 游标类卡尺通用技术条件
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
3 术语定义
下列术语和定义适用于本标准。
3.1
崩边
晶棒径向端面呈现局部破损，称为崩边。
在崩边处可以观察到晶体金属光泽的亮点。
3.2
裂痕、裂纹
特征为其晶体内部存在微小的缝隙，裂纹、裂痕容易沿晶体解理面产生。
3.3
气孔
晶体内存在空洞时，在切断面上可以见到无规则、大小不等的小孔。
3.4
位错
晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷。
3.5
位错密度
单位体积内位错线的总长度（cm/cm3）。
通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示。
4 产品分类
直拉单晶硅圆棒根据规格一般分为6英寸圆棒和8英寸圆棒。
5 技术要求
5.1 直径及允许范围（见表1）
表1 硅单晶圆棒的直径及允许范围
5.2 其他参数要求（见表2）
表2 硅单晶圆棒相关参数要求
6 检验方法
6.1 直拉单晶硅圆棒的外型尺寸及允许偏差按GB/T 1214.1进行。
6.2 直拉单晶硅圆棒的导电类型测量按GB/T 1550进行。
6.3 直拉单晶硅圆棒的电阻率四探针法测量按GB/T 1552进行。
6.4 直拉单晶硅圆棒的少数载流子寿命按GB/T 1553进行。
6.5 直拉单晶硅圆棒的晶向及晶向偏离度测量按GB/T 1555进行。
6.6 直拉单晶硅圆棒的间隙氧含量按GB/T 1557进行。
6.7 直拉单晶硅圆棒的代位碳含量按GB/T 1558进行。
6.8 直拉单晶硅圆棒的晶体完整性检验按GB/T 1554进行。
6.9直拉单晶硅圆棒的外观检验为目测。
7 检验规则
7.1 出厂检验
在产品生产工艺不变、原材料基本一致的情况下，产品由质量监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准的规定，并填写产品合格证。
7.1.1 组批
单晶硅圆棒以组批的形式提交验收，每批应由相同规格的单晶硅圆棒组成。
7.1.2 检验项目
a)每根单晶圆棒的检验项目有：导电类型、晶向、外形尺寸、电阻率范围。
b)供需双方协商的检验项目有：间隙氧含量、代位碳含量、少数载流子寿命及晶体完整性。
7.1.3 抽样
每批单晶硅圆棒必须全检（即100%）
7.1.4 取样位置
a)单晶硅圆棒氧含量及碳含量测试样块的取样
氧含量测试样块取样时应在晶棒的头部切取试样。
碳含量测试样块取样时应在晶棒的尾部切取试样。
b)其他测试样块的取样
其他测试样块可在晶棒的任意一端切取试样。
7.1.5 检验结果的判定
导电类型、晶向、电阻率、外形尺寸4项检验，若有一项不合格，则该单晶硅圆棒为不合格。
7.2 型式检验
在生产工艺有较大改变，原材料变动，长期停产恢复生产，或供需双方对交货产品质量有异议时进行，需对产品进行以下检验或可按仲裁或司法鉴定程序进行检验。
7.2.1 组批
单晶硅圆棒以组批的形式提交验收，每批应由相同规格的单晶硅圆棒或需方认为有质量问题的单晶硅圆棒组成。
7.2.2 检验项目
检验项目包括：导电类型、晶向、外形尺寸、电阻率范围、径向电阻率变化、晶体完整、间隙氧含量、代位碳含量、少数载流子寿命。
7.2.3 抽样
型式检验中送检批次产品实行全检（即100%）。
7.2.4 检验结果的判定
对试样进行所有检测项检测后，若有一项不合格，则该单晶硅圆棒为不合格。
若该批次中大于10%数量单晶硅圆棒不合格，则该批次单晶硅圆棒为不合格。
8 标志、包装、运输和存储
8.1 标志、包装
8.1.1 单晶硅圆棒按需方要求，按相同规格和参数范围进行分类，用聚苯烯(泡沫)逐锭包装，然后将经过包装的圆棒装入包装箱内，并装满填充物，防止晶锭松动。
8.1.2 包装箱外侧应有“小心轻放”、“防潮”、“易碎”、“集装箱总高度不大于1米”等标识，并标明：
a)需方名称，地点；
b)产品名称，牌号；
c)产品件数及重量(毛重/净重)；
d)供方名称；
8.2 运输、贮存
8.2.1 产品在运输过程中应轻装轻卸，勿压勿挤，并采取防震防潮措施。
8.2.2 产品应贮存在清沽、干燥的环境中。
8.2.3 每批产品应有产品合格证，并标明：
a)供方名称；
b)产品名称及规格、牌号；
c)产品批号；
d)产品净重及单晶根数；
e)各项参数检验结果和检验部门的印记；
f)本标准编号；
g)厂址、联系电话；
h)出厂日期；
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