场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜

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Ｗｕａｉｅｓｔｆｃｎｌｇ，Ｗｕａ３００，ｉａｈｎＵｎｖｒｉｙｏｈｏｏｙＴｅｈｎ４０７Ｃｈｎ）
ｅｆＣＳｆｄｆｒｎｌｃｒｉｌｎｃｙｔｌｚｔｎｏｍｏｐｏｓｓｌｏｈｎｆｌｗｅｅｉｖｓｉａｅ．Ｔｈｈｎ．ｌｒｓａｆｅｔｉｅｅｔｅｅｔｉｆｄｏｒｓａｌａｉｆａｒｈｕｉｃｎｔｉｉｏｆｃｅｉｏｉｍｒｎｅｔｇｔｄｅｔｉｆｍｓｃｙｔｌｉｓｒｃｕｅａｄｓｒａｅｍｏｐｏｏｙｗｅｅｃａａｔｒｅｙｍｅｎｆＸＲＤｎＥＭ，ｒｓｅｔｅｙ．Ｅｘｅｉｎａ ∞ｕｒ｝ｔｕｔｒｎｕｆｃｒｈｌｇｒｈｒｃｅｉｄｂａｓｏｚａｄＳｅｐｃｉｌｖｐｒｍｃｔｉｒｓｓ∞ｗｔａｌｃｒｃｆｌａｅｒａｅｔｅａｎａｉｇｔｍｐｒｔｒ，ｈｒｅｈｎｅｌｇｔｈｔｅｅｔｉｉｄｃｎｄｃｅｓｈｎｅｌｅｅａｕｅｓｏｔｎｔｅａｎａｉｉ，ｅｈｎｅｌｇｔｍｐｒｓｅｎｎｍｅｗｈｎｔｅａｎａｉｅｅｄ。ｅｗａｎ
２１００年
第３１卷
第２期
场致铝诱导低温快速晶化非晶硅薄膜
夏林，冬王慧芳，正张石忠，兴良
（汉理工大学硅酸盐工程教育部重点实验室，汉４０７）武武３００
摘要：以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体，利用ＰＣＥＶＤ法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后在非晶硅薄膜上
ｍｅｈ．Ｐｌ — ｓｉｏｈｎｆｌｗｅｅｓｃｅｓｕｌｒｐｒｄｂａｉｈｒｌｎｅｌｄｕｄｒｃｎｉｏｆｅｅｔｉｔｏｄｏｙｉｃｎｔｉ－ｉｌｍｒｕｃｓ［ｌｐｅａｅｙｒｐｄｔｅｍａｎａｅｎｅｏｄｔｎｏｌｃｒｃ‰ ｌｙａｉｄ．Ｔｈｅ
磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下，用快速热处理炉对薄膜样品进行退火，功地把非晶硅薄膜利成
转化成多晶硅薄膜。该文研究了不同外加电场强度条件下对非晶硅薄膜晶化的影响。利用ＸＤ、Ｅ等剥试方洼ＲＳＭ对薄膜样品的晶相结构、面形貌进行了表征。实验结果表明，加电场可以明显地降低退火温度，短退火时间，表外缩退
．
ｍｅｈｄｏｌｓｕｓｒｔｓ，ａｄｔｅｌｍｉｕｔｉｉｗａｒｐｒｄｏｍｏｐｏｓｓｉｏｓｎｇｅｒｎｓｕｌｒｇｔｏｎｇａｓｓｂｔａｅｎｈｎａｕｎｍｈｎｆｍｓｐｅａｅｎａｒｈｕｉｃｎｕｉｇｍａｎｔｏｐｔｅｌｌｌｎ
５０ ℃ ，ｈｎｆｈｅｉｏｃｙｔｌｎ．Ａｎｔｃｅｓｇｔｅｅｅｔｉｆｅｄｔｅｃｙｔｌｎｔｅｒｅｏｍｏｐｏｓｉｏｈｎ０ｔｉｉｎｂｇｎｔｒｓａｌｅｉｄｗｉｈｉｒａｉｈｌｃｒｉｌ，ｈｒｓａｌｉｄｇｅｆｎｎｃｉｙａｒｈｕｉｃｎｒｉｉ
Leabharlann Baidu
ＡｂｔａｔＵｓｎｎｙｒｇｎｄｌｔｄＳｌ４ａｅｃｉｅｇｓｓｒｃ：ｉｇＨ２ａｄｈｄｏｅ－ｉｅｉｓｒａｔａ，ｗｅｄｐｓｅｍｏｐｏｓｓｌｏｈｎｆｍ ’ ｕｖｅｏｉｄａｒｈｕｉｃｎｔｉｉｌＰＥＣＶＤｔｉｌ；ｖ
ＳｌｃｎＴｈｉ－ｉｍｔＬｏ・ｅｐｅａｕｅｉｉｏｎ・ｌａｗ－ｍｆｔｒｔｒ
Ｘ／Ｄｏｇｌｎ，ＷＡＮＧｉａｇ，Ｓｈｎ－ｈｎＡｎ－ｉＨｕ一ｎ／ＨＩＺｅｇｚｏｇ，Ｚ￣ＮＧＸｉｇｌａｇＨ．ｎ－ｉｎ
火温度为５０℃ 时，膜开始晶化。且随着外加电场强度的加大，膜的晶化程度增强，粒尺寸增大。０薄薄晶
关键词：非晶硅薄膜；多晶硅薄膜；金属诱导晶化；等离子体增强化学气相沉积
ＥｌｃｒｃＦｉｌｄｄＡＩｉｄｕｅｙｔｌｉａｉｎｏｅｔｉｅｄＡｉｅ・ｎｃｄＣｒｓａｌｚｔ０ｆＡｍｏｐｈｕｒｏｓ