12第四章MS结
12第四章MS结
第四章
金属 — 半导体结
1
安徽大学物理与材料科学学院
半导体器件物理
引言
• 金属—半导体形成的冶金学接触叫做金属—半导体结（M-S结）或金属－半导体 接触。把须状的金属触针压在半导体晶体上或者在高真空下向半导体表面上蒸 镀大面积的金属薄膜都可以实现金属—半导体结，前者称为点接触，后者则相 对地叫做面接触。 • 金属—半导体接触出现两个最重要的效应：其一是整流效应，其二是欧姆效应。 前者称为整流接触，又叫做整流结。后者称为欧姆接触，又叫做非整流结。 • 非整流结不论外加电压的极性如何都具有低的欧姆压降而且不呈整流效应。这 种接触几乎对所有半导体器件的研制和生产都是不可缺少的部分，因为所有半 导体器件都需要用欧姆接触与其它器件或电路元件相连接。
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半导体器件物理
4.1 肖特基势垒
4.1.1 肖特基势垒的形成（考虑金属与N-半导体）
qS －半导体功函数 qS qm
的。
qm －金属的功函数
S －半导体的电子亲和势。
假设半导体表面没有表面态，接触是理想的，半导体能带直到表面都是平直
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• 在实际的M-S接触中，当E0>EF时，界面态的静电荷为正，若E0<EF时 ，界面态的静电荷为负。
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4.3 镜像力对势垒高度的影响 镜像力降低肖特基势垒高度（肖特基效应）：
q2 q2 F 2 16k0 x2 4k0 2x
镜象力引起的电子电势能为：
23
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Ei x EF Ei x Ei 0 Ei 0 EF q ( x ) KT n(x) n i e xp n0e( x ) VT ni e xp n0e KT KT
第四章4统计量的计算分解
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请打开工作文件“上证综指”，进行以下检验。 序列“clsindex”的中位数为3000 序列“retindex”的中位数为0.1
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2.分组齐性检验
选择“View”|“Tests for Descriptive Stats” | “Equality Tests by Classification”选项后弹出如下图所示的对话框，
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1. 简单假设检验
点击“Simple Hypothesis Tests”选项后弹出如下图所 示的对话框。
在左侧文本框中输入待检验的数值，Eviews提供了对 均值、方差、中位数3个统计量是否等于某个给定值 的检验。
然后单击“OK”按钮即可得到输出结果。
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二、序列窗口下描述性统计量的检验
选择“View”/“Descriptive Statistics & Test”/将出现 两个下拉选项：Simple Hypothesis Test（简单假设检验） 和Equality Test of Classification（分组齐性检验）。
其中 是样本标准差。当S=0时，序列的分布是对称的，如 正态分布；当S >0时，序列分布为右偏；当S <0时，序列
分布为左偏。例如上图fdi中的偏度为-0.034<0，所以余额 宝二月年化收益率的分布是不对称的，为左偏分布形态。
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正态分布的偏度为0，两侧尾部长度 对称。
Series/Group for Classify：分类的序列或序列组，填入用 于分类的一个序列或一组序列，这些序列可以把指定序 列划分为不同的组或子序列。
第4章 四谱综合解析(最初)讲解
第四章 四谱综合解析
§4-2 谱图解析的一般方法
一、摩尔质量和化学式的确定 1. MS法 （1）利用高分辨MS的分子离子峰直接测 定精确的摩尔质量并推断出化学式； （2）用低分辨MS中的分子离子峰及同位 素的M+1、M+2峰和贝农表结合获得摩尔 质量和化学式。
（3）用1H谱获得分子中总H原子数目，与13CNMR谱得到的H数目比较，对无对称性的分 子 1H-NMR 谱 中 获 得 的 H 数 目 减 去 13C-NMR 谱得到的H数目既为与杂原子相连的H数。
第四章 四谱综合解析
（4）用重氢交换法验证与杂原子相连的活 泼氢及其数目；
（5）将1H-NMR谱中获得的各组峰的H数 与13C-NMR谱的基团中H数进行对照调 整，结合摩尔质量，推算出O和其它杂 原子比例。
●MS谱
27
PWBD
§4-3 四谱综合解析示例
解：（1）确定化学式
●将上述4个谱图信息汇总
谱学
C数目
H数目
名称 羰C区:sp2:sp3 总C数 羰C区:sp2:sp3 总H数
13CNMR 1:2:4
7
0:3:9
12
1HNMR 谱图有6组峰 ≥6 (面积)1:2:2:2:2:3 12
IR
谱峰1724、1170、1100cm-1三个峰
m/z
§4-3 四谱综合解析示例
（3）确定结构式
●综合上述分析，该化合物为丁酸烯 丙酯，其结构式为：
H
H
O
C=C
CH3CH2CH2C-O-CH2
大学物理复习第四章知识点总结
大学物理复习第四章知识点总结大学物理复习第四章知识点总结一．静电场：1.真空中的静电场库仑定律→电场强度→电场线→电通量→真空中的高斯定理qq⑴库仑定律公式：Fk122err适用范围：真空中静止的两个点电荷F⑵电场强度定义式：Eqo⑶电场线：是引入描述电场强度分布的曲线。
曲线上任一点的切线方向表示该点的场强方向，曲线疏密表示场强的大小。
静电场电场线性质:电场线起于正电荷或无穷远，止于负电荷或无穷远，不闭合，在没有电荷的地方不中断，任意两条电场线不相交。
⑷电通量：通过任一闭合曲面S的电通量为eSdS方向为外法线方向1EdS⑸真空中的高斯定理：eSoEdSqi1int只能适用于高度对称性的问题：球对称、轴对称、面对称应用举例：球对称：0均匀带电的球面EQ4r20(rR)(rR)均匀带电的球体Qr40R3EQ240r(rR)(rR)轴对称：无限长均匀带电线E2or0(rR)无限长均匀带电圆柱面E(rR)20r面对称：无限大均匀带电平面EE⑹安培环路定理：dl0l2o★重点：电场强度、电势的计算电场强度的计算方法：①点电荷场强公式+场强叠加原理②高斯定理电势的计算方法：①电势的定义式②点电荷电势公式+电势叠加原理电势的定义式：UAAPEdl(UP0)B电势差的定义式：UABUAUBA电势能：WpqoPP0EdlEdl(WP00)2.有导体存在时的静电场导体静电平衡条件→导体静电平衡时电荷分布→空腔导体静电平衡时电荷分布⑴导体静电平衡条件:Ⅰ.导体内部处处场强为零,即为等势体。
Ⅱ.导体表面紧邻处的电场强度垂直于导体表面，即导体表面是等势面⑵导体静电平衡时电荷分布:在导体的表面⑶空腔导体静电平衡时电荷分布:Ⅰ.空腔无电荷时的分布：只分布在导体外表面上。
Ⅱ.空腔有电荷时的分布(空腔本身不带电，内部放一个带电量为q的点电荷)：静电平衡时，空腔内表面带-q电荷，空腔外表面带+q。
3.有电介质存在时的静电场⑴电场中放入相对介电常量为r电介质，电介质中的场强为：E⑵有电介质存在时的高斯定理：SDdSq0,intE0r各项同性的均匀介质D0rE⑶电容器内充满相对介电常量为r的电介质后，电容为CrC0★重点：静电场的能量计算①电容：②孤立导体的电容C4R电容器的电容公式C0QQUUU举例：平行板电容器C圆柱形电容器C4oR1R2os球形电容器CR2R1d2oLR2ln()R1Q211QUC(U)2③电容器储能公式We2C22④静电场的能量公式WewedVE2dVVV12二.静磁场：1.真空中的静磁场磁感应强度→磁感应线→磁通量→磁场的高斯定理⑴磁感应强度：大小BF方向：小磁针的N极指向的方向qvsin⑵磁感应线：是引入描述磁感应强度分布的曲线。
《离散数学》课件-第四章 二元关系
R2= R • R={<1,1>，<2,2>，<1,3>，<2,4>， <3,5>}
R3=R2 • R={<1,2>，<2,1>，<1,4>，<2,3>， <2,5>}
R4= R3 • R={<1,1>，<2,2>，<1,5>，<2,4>，
从关系图来看关系的n次幂
R：
1
2
3
4
5
R2：
1
2
3
4
5
R2就是从R的关系图中的任何一个结点x出发，长 为2的路径，如果路径的终点是y，则在R2 的关系 图中有一条从x到y的有向边。其他以次类推：
R3：
1
2
3
4
5
R4：
1
2
3
4
5
定理 设|A|=n，R A×A，则必有i，j∈N， 0≤i＜j≤2n2，使得Ri=Rj。
＝R5，R7＝R6•R＝R5，…，Rn＝R5 (n＞5) 故Rn{R0,R1,R2,R3,R4,R5}。
S0=IA,S1＝S,
S2＝S•S＝{<a,c>,<b,d>,<c,e>,<d,f>}， S3＝S•S•S＝S2•S＝{<a,d>,<b,e>,<c,f>}， S4＝S3•S＝{<a,e>,<b,f>}， S5＝S4•S＝{<a,f>}， S6＝S5•S＝Φ， S7＝Φ， …， 故，Sn{S0,S1,S2,S3,S4,S5,S6}
《电子技术基础》第五版高教康华光版部分课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+ （2）@ （3）you (4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解: (a)为与非， (b)为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+（A ⊕B ）=AB+AB 解：真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
实验心理学第四章——反应时
• RT = lg N是否适用于不同通道？
• 波佩尔通过耳机向被试的右耳呈 15%
现声刺激，并在被试的左视野呈
现光刺激，被试使用右手当见到
光时按一个反应键，听到声时则
按另一个反应键。
10%
• 结到果0.0：4秒多。峰分布，其间距约为0.03
• 反应时包含以下几个时段：
• 外部刺激引起感受器兴奋，其冲动传递到感觉 神经元的时间；
• 神经冲动经感觉神经传至中枢，向效应器官发 出运动信号的时间；
• 效应器官接受冲动后开始效应活动的时间。
反应时的研究历史
• 起源
• 人差方程（贝塞尔，1823）
• 反映了不同个体对同一刺激做出的反应，存在快慢的 区别，即个体差异
• 波佩尔推测脑的周期性震荡，即 由特殊的神经细胞网络产生的电 5% 震荡。
• 只有震荡电流达到某一点后，已
辨别的刺激才能引起某一特定的
反应；但若即使辨别成功了，而 0 震荡电流还未达到这点，那么则
200
300
400
仍必须等待下一轮震荡周期的开
始。
速度－准确性权衡
• 反应时实验的两个基本因变量：
• 速度＋准确性
• 两者之间一般存在相互消长的权衡关系
• 忽略其中的任何一个指标都可能导致实验结论 可靠性降低
• 例证：刺激呈现概率对反应时影响（Theios， 1975；Knight & Kantowitz，1974）
反应时和错误率是刺激呈现 概率的函数（Theios，1975）
360
秒 ）
反 应
350 340
• 神经传导速度的测定（赫尔姆霍茨，1850）
图谱分析_质谱MS
CH4 + MH2+ C2H6 + M+
图4-9 肌红蛋白电喷雾质谱图
（1）单聚焦分析器（single focusing mass analyzer）
图4-11 单聚焦质量分析器
结构： 扇形磁场 （可以是 180o、 90o、60of Flight Analyzer）
例如GC-MS： m/z 1-1000所需时间<1s
（3）分辨率R（resolution）：分离相邻质谱峰的 能力
若近似等强度的质量分别为M1及M2的两个相邻峰正好分开，则质谱 仪的分辨率定义为：
R=
M M
;
式中 M =
M1+M2 ; 2M = M2 -M1
例如：CO+ 27.9949
N2+ 28.0061
断裂的大致顺序：N S、O、、R Cl Br I
除少数特殊情况（如化学电离、碰撞活化等）之外， 有机质谱的主要反映为单分子反应。
5. 初级碎裂与次级碎裂
分子被电离的同时，具有过剩的能量，分子离子会 自行碎裂，这就是初级碎裂。碎裂可粗分为简单断 裂和重排。由简单断裂和重排产生的离子（统称为 广义的碎片离子）可进一步碎裂（再次断裂、重 排），这就是次级碎裂。
m H 2r2
(3)
z 2V
当r为仪器设置不变时，改变加速电压或磁场强度，
则不同m/z的离子依次通过狭缝到达检测器，形成
质量谱，简称质谱。
4.2.2 有机质谱中的各种离子
1）分子离子（molecular ion） 样品分子失去一个电子而电离所产生的离子，记为 。
M
2）准分子离子（quasi-molecular ion） 准分子离子常由软电离产生，一般为 M+H +、M-H
有机化合物波谱解析第四章 质谱(MS)
• 特 点：电离温和，碎片少，主要产生分子离 子M+和(M+1)+峰。
2.4 场解吸源(Field desorption, FD)
• 类似于场电离源，它也有一个表面长满 “胡须” (长0.01mm)的阳极发射器 (Emitter)。
电离，形成等离子体。 ➢ 等离子体与样品分子反应，生成[M＋H]+或[M－H]–准分子离子。
APCI特点
➢ 软的电离方式，样品直接从液从中拉出来的，不是蒸发，基本 不产生分解，电离过程属于离子-分子反应，与CI原理相似。
➢ 快速地适合高低含量水溶液的流动相，可作梯度分析。
100,000
Which Ionisation Mode?
40
20
0
20
40
60
80
100
120
140
m/z
60
40
20
0 20
77
51 39
40
60
80
100
120
140
m/z
不同能量下获得的苯甲酸的质谱图
• 样品分子可能有四种不同途径形成离子：
• 1、样品分子被打掉一个电子形成分子离 子(M+)。
• 2、分子离子进一步发生化学键断裂形成 碎片离子。
• 3、分子离子发生结构重排形成重排离子。 • 4、通过分子离子反应生成加合离子。
266nm, 337nm 2.94m,10.6m
266nm 2.94m,10.6m 266nm, 337nm, 355nm
应用 蛋白质 蛋白质 蛋白质 蛋白质 核酸、配糖体 蛋白质、配糖体 蛋白质、核酸 蛋白质 蛋白质 合成高分子
第四章 表面等离子体共振技术总结
第四章表面等离子体共振技术--学习总结通过表面等离子体共振技术的学习，我主要掌握了以下的一些基本知识：一、金属表面的等离子体振动表面等离子体振动，其角频率ωs与体积等离子体的不同，它们之间存在以下关系：则这种特殊表面的等离子体振动的角频率ωms为：Array二、产生表面等离子体共振的方法面等离子体波（Surface plasma wave，SPW）质中逐渐衰减。
表面等离子体波是TM极化波，即横波，其磁场矢量与传播方向垂直，与界面平行，而电场矢量则垂直于界面。
在半无穷电介质和金属界面处，角频率为式中c是真空中的光速，εm和εa分别是金属和电介质的介电常数。
表面等离εm=εmr+iεmi）。
金属的εmr/εmi电磁波在真空中的速度c与在不导电的均匀介质中的速度v之比称为电介质的折射率n：则：Array频率为ω要使光波和（ka）总是在ω（从不交叉，即ω（因此，要设法移动ω（的。
场在金属与棱镜的界面处并不立即消失，而是向金属介质中传输振幅呈指数衰减的消失kev为：通过调节θ共振，有：由上式可见，若入射光的波长一定，即ωa一定时，ns条件；若θ0一定时，ns改变，则必须改变ωa波长λ来实现。
此时θ0和λ分别称为共振角和共振波长。
右图为典型的SPR光谱三、SPR传感器1、基本原理表面等离子体子共振的产生与入射光的角度θ、波长λ、金属薄膜的介电常数εs及电介质的折射率ns有关，发生共振时θ和λ分别称为共振角度和共振波长。
对于同一种金属薄膜，如果固定θ，则λ与ns有关；固定λ，则θ与ns有关。
如果将电介质换成待测样品，测出共振时的θ或λ，就可以得到样品的介电常数εs或折射率ns；如果样品的化学或生物性质发生变化，引起ns的改变，则θ或λ也会发生变化，这样，检测这一变化就可获得样品性质的变化。
固定入射光的波长，改变入射角，可得到角度随反射率变化的SPR光谱；同样地，固定入射光的角度，改变波长，可得到波长随反射率变化的SPR光谱。
第4章 MS-讲稿(09.3)1
4.1 引言
有机质谱已在石油化学、有机合成化学、生物化学、食品 化学、医学、毒物学、法医学、药物代谢、天然产物、地球化 学以及环境科学、空间技术等许多方面都得到广泛应用。
近年来，有机质谱领域的发展极为迅速。迄今，MS 与 IR、UV、NMR 一起成为有机结构分析的四大工具。其中有 机质谱具有特别重要的意义。 ◆ 质谱不属波谱范围 ◆ 质谱图与电磁波的波长和分子内某种物理量的改变无关 ◆ 质谱是分子离子及碎片离子的质量与其相 对强度的谱, 谱图与分子结构有关
④ 特征性强 所得的质谱图是特定的，能表征样品的化学结构。 虽然同类化合物给出很类似的谱图，但通常能提供唯 一的指纹
18
4.2 仪器及原理
2. 化学离子源 ── Chemical Ionization, CI
是一种软电离方法，与 EI 方法互补。
强Lewis 酸容易给出质子或接受电子
R +e
RH + M
4.1 引言
4.1 引言 Introduction 一. 质谱的定义
43
有机分子
M
电子流（束）
57
分子离子
-e
29
e
+
M+
碎片离子
71 85
按质量的大小排列
99
电场
142
图4.1
1
二. 质谱的发展历史
Developping history of Mass Spectrometry
4.1 引言
•1898 年 W. Wion 开始研究质谱 •1913 年 J.J. Thomson 发现氖-22 (22Ne10)同位素 首次将质谱用于同位素研究领域 • 1935 年 Taylor 开始研究有机质谱
第四章贝氏体转变介绍
2、合金元素 凡是降低C扩散速度、阻碍F共格长大、阻碍碳化
物形成的元素，都使B转变速度下降。因此，除Co、Al 以外所有合金元素都降低B转变速度，使B转变的C曲线 右移，但作用不如C显著，同时也使贝氏体转变温度范 围下降，从而使珠光体与贝氏体转变的C曲线分开。
25
3、奥氏体晶粒大小 和奥氏体化温度
31
（1）高温范围的转变（无碳化物贝氏体）
由于温度高，初形成的铁素体的过饱和度很小，且 碳在铁素体和奥氏体中的扩散能力均很强。在贝氏体 铁素体形成后，铁素体中过饱和的碳可以通过界面很 快进入奥氏体而使铁素体的碳含量降低到平衡浓度。 通过界面进入奥氏体的碳也能很快地向奥氏体纵深 扩散，使奥氏体的碳含量都得到提高而不致集聚在界 面附近。 如果奥氏体的含碳量并不高，不会因为贝氏体铁素 体的形成而析出碳化物，因此得到的是贝氏体铁素体 及碳富化了的奥氏体，即无碳化物贝氏体，也包括魏 氏铁素体在内。
在B转变区的较高温度范围内形成，对于中、高碳钢 约在350~550℃范围内形成，所以上贝氏体也称高温贝氏 体。 2、组织形态
上贝氏体是一种两相组织，是由板条铁素体和渗碳体 组成的，成束的大致平行的铁素体板条自A晶粒晶界的一 侧或两侧向A晶粒内部长大，渗碳体（有时还有残余A） 分布于α相板条之间，整体看呈羽毛状。
其组织是由F和富碳的A组成。F呈块状（由F针片 组成），而富碳的A呈条状在F基体上呈不连续分布。F 的C%很低，接近平衡状态，而A的C%确很高。
富碳的A由于冷却条件和其稳定性的不同，在随后的冷却过程中， 可能发生以下三种不同的转变情况： 1、部分或全部分解为F和碳化物； 2、可能部分转变为M，C%很高，属于孪晶片状M，M和残余A统称为 “M—Aˊ”组成物或“M—Aˊ”组织； 3、可能全部保留下来。
计算机组成原理—习题解答(第四章)
第四章题解计算机组成原理习题解答第四章4.2❒4.2在存储系统的层次结构中，设计高速缓冲存储器和虚拟存储器的目的各是什么？对这两个存储层次的管理有何异同点？❒题解:1、设计cache的目的是为了提高存储器的访问速度。
Cache层使得CPU在对存储器进行访问时，速度可以接近Cache的速度，容量可以达到主存的容量。
设计虚存的目的是为了提高存储器的容量。
虚拟存储技术使得用户在使用存储器时，感觉可用容量接近于辅存的容量，而访问速度上接近于主存。
综合上述两个存储层次的作用，从整个存储系统来看，就达到了速度快、容量大、位价低的优化效果。
2、两个存储层次管理的异同点：两个层次的功能均由系统自动实现，对用户来讲都是透明的。
第四章4.2两个存储层次均以信息块作为基本信息的传送单位，Cache存储器每次传送的信息块是定长的，只有几十字节，而虚拟存储器信息块划分方案很多，有页、段等等，长度均在几百~几百K 字节左右。
主存Cache 存储体系中CPU与Cache和主存都建立了直接访问的通道。
一旦不命中时，CPU 就直接访问主存并同时向Cache调度信息块。
而辅助存储器与CPU之间没有直接通路，一旦在主存不命中时，只能从辅存调块到主存。
Cache 存储器存取信息的过程、地址变换和替换策略全部用硬件实现，对程序员均是透明的。
而主存-辅存层次的虚拟存储器基本上是由操作系统的存储管理软件并辅助一些硬件来进行信息块的划分和主存-辅存之间的调度，所以对设计存储管理软件的系统程序员来说，它是不透明的，而对应用程序员，因为虚拟存储路提供了庞大的逻辑空间可以任意使用，是透明的。
第四章4.4❒4.4 图4-3中，如果检索寄存器的值为“**** 1011 **** ****”，屏蔽寄存器的值是什么？检索完成后，匹配寄存器中的值又是什么？❒题解：❒屏蔽寄存器的值是：0000 1111 0000 0000;完成检索后匹配寄存器的值为：01000…第四章4.74.7 将数据Cache和指令Cache分开有什么好处？答：将数据Cache和指令Cache分开有如下好处：1）可支持超前控制和流水线控制，有利于这类控制方式下指令预取操作的完成；2）指令Cache可用ROM实现，以提高指令存取的可靠性；3）数据Cache对不同数据类型的支持更为灵活，既可支持整数（例32位），也可支持浮点数据（如64位）。
(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1。
1.2 图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：(1）周期；(2)频率；（3）占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 （ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数，f=1/T=1/0。
01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms＊100%=10％1。
2数制21.2。
2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4（2）127 （4）2.718解：（2）（127）D=72-1=(10000000）B-1=(1111111）B=（177）O=（7F）H（4)（2。
718）D=(10。
1011)B=（2。
54)O=(2.B)H1。
4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43 （3）254.25解:（43）D=(01000011）BCD1。
4。
3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28（1）+ （2）＠（3）you （4）43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
(1）“+"的ASCⅡ码为0101011,则（00101011）B=(2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,（01000000)B=（40)H（3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F，75(4）43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34，331。
6逻辑函数及其表示方法1。
6.1在图题1。
6。
1中，已知输入信号A,B`的波形，画出各门电路输出L的波形.解: (a）为与非, （b）为同或非，即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 （3）A B AB AB ⊕=+(A ⊕B ）=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
《电子技术基础》数字部分第五版课后答案
第一章数字逻辑习题1．1数字电路与数字信号1.1.2图形代表的二进制数0101101001．1．4一周期性数字波形如图题所示，试计算：（1）周期；（2）频率；（3）占空比例MSB LSB0121112（ms）解：因为图题所示为周期性数字波，所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期，T=10ms 频率为周期的倒数，f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比，q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2−1.2.2将下列十进制数转换为二进制数，八进制数和十六进制数（要求转换误差不大于4（2）127（4）2.718解：（2）（127）D=72-1=（10000000）B-1=（1111111）B=（177）O=（7F）H（4）（2.718）D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码：（1）43（3）254.25解：（43）D=（01000011）BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示：P28（1）+（2）@（3）you(4)43解：首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码，然后将二进制码转换为十六进制数表示。
（1）“+”的ASCⅡ码为0101011，则（00101011）B=（2B）H（2）@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1.6.1中，已知输入信号A，B`的波形，画出各门电路输出L的波形。
解:(a)为与非，(b)为同或非，即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1用真值表证明下列恒等式(3)A B AB AB ⊕=+（A⊕B）=AB+AB 解：真值表如下A B A B⊕ABAB A B⊕AB +AB00010110110000101000011111由最右边2栏可知，A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。
MS
● 贝农表(Beynon表) Beynon将质量在500以下的含碳、氢、 氧、氮原子的各种组合，按质量和同位素丰 度编制成表。
在Beynon表中，（M+1）和（M+2）栏 是表示（M+1）/M和（M+2）/M的百分比。 在一般参考书中，都附有Beynon表。
※ 含Br，Cl，S等元素的化合物，使用 Beynon表注意事项： ① 应从高分辨质谱仪测得的精确分子
● 表图：可表示各峰之间的精确强度 —— 适用于定量分析。 ● 元素图表 —— 仅用于高分辨质谱图。
棒 图（bar graph）
1. 常规质谱图简化的方法：
◆ 选择基峰（base peak） —— 最强峰，规定其丰度为100。 ◆ 求相对丰度（relative abundance） —— 其它离子峰与基峰比较； 求基峰外各峰的相对丰度（I）%。
+ .
2.分子离子峰的确认
理论上，一般m/z最大即为分子离子峰， 但实际不尽然。
原因如下： ① M+n（n=1，2，3….）同位素峰 ② 杂质峰（样品不纯或仪器污染） ③ 分子离子峰很弱或不出现，常误认碎 片离子峰为分子离子峰。
分子离子峰特征判断原则
● 分子的质量数服从氮律（N律）
① 由C，H，O组成化合物，其分子离子峰的质量 数是偶数；
◆ 电子流轰击（electronimpact source,EI）
轰击的电子的能量 ＞ 分子的电离能 （ΔE≈70ev） （12ev ～20ev） 分子 M + e（高速）→ M++ 2e（低速） －e M ——— M+ + e 适合于易挥发、热稳定的有机化合物
◆ 化学电离法（chemical ionization, CI） 反应气体（CH4，NH3，H2，N2） 50ev电子流轰击 样品（M）
软件工程 第四章 MS概述
软件工程第四章 MS概述什么是MS？MS（Microsoft）是全球领先的软件和技术服务公司，总部位于美国华盛顿州雷德蒙德市。
该公司主要从事计算机软件和硬件开发、生产和销售，以及提供各种与互联网相关的产品和服务。
MS的使命是通过提供先进的技术和创新的产品，以帮助个人和企业在数字化时代取得成功。
MS的产品和服务操作系统MS最知名的产品之一是Windows操作系统。
Windows操作系统是广泛使用的个人电脑操作系统，它提供了直观的用户界面和丰富的应用程序支持。
除了Windows操作系统外，MS还开发了其他操作系统，如Windows Server用于服务器领域。
办公软件MS Office是MS最受欢迎的软件套件之一。
它包括诸如Word、Excel和PowerPoint等应用程序，被广泛用于处理文字、表格和演示文稿等办公任务。
MSOffice还包括一些协作工具，如Outlook和Teams，用于电子邮件、日程安排和团队合作等方面。
开发工具MS提供了一系列开发工具，供开发人员创建各种软件应用程序。
Visual Studio是MS最受欢迎的集成开发环境之一，它支持多种编程语言，如C++、C#和JavaScript等。
此外，MS还提供了Azure云平台，用于构建、部署和管理云上的应用程序和服务。
云服务MS的云服务平台Azure提供了各种云计算服务，包括计算、存储、数据库、和物联网等。
Azure的弹性和可扩展性使得企业可以根据业务需求灵活地使用和调整资源。
此外，MS还提供了一系列其他云服务，如Office 365和Dynamics 365等。
MS的软件工程实践作为一家全球领先的软件公司，MS在软件工程方面拥有丰富的实践经验，并采用各种先进的方法和技术来提高软件开发过程的效率和质量。
敏捷开发MS在软件开发中广泛应用敏捷开发方法。
敏捷开发是一种迭代、增量的开发方式，通过团队协作、快速反馈和频繁交付来实现软件的快速开发和迭代。
质谱-MS.
71
正
H3C CH2 CH2 CH2 CH2 CH3
己
71 57 43 29
15
烷 71 H3C CH2 CH2 CH2 CH2
CH3
57 H3C CH2 CH2 CH2
CH2 CH3
43 H3C CH2 CH2
CH2 CH2 CH3
29 H3C CH2
CH2 CH2 CH2 CH3
15 CH3
CH2 CH2 CH2 CH2 CH3
用高分辨质谱计则可测得小数后3-4位数字，质谱计 分辨率越高，测定越正确,误差越小。
一般高分辨质谱计测定小分子的分子离子质量数的误 差不大于士0.006。能符合这准确数值的可能分子式数目 大为减少，若再配合其它信息，即可从这少数可能化合物 中判断最合理的分子式。
三、质谱表示方法 以质荷比m/z为横座标，以对基
1．条形图（常用） 2. 表格法
峰(最强离子峰，规定相对强度 为100%)相对强度为纵座标所构 成的谱图，称之为质谱图。
丰度：离子的峰高
相对丰度=峰高/最强峰高 ×100%
最强峰为基峰
峰强度与碎片离子的稳定性成正比
正戊烷的电子轰击电离质谱
离子质荷比 （m/z）
15 26 27 28 29 30 39 40
所以化合物c的可能分子式为c13br或cobr由图中的碎片离子可判断其分子式为13br本章总结本章总结本章总结本章总结441质谱法基本原理质谱法基本原理一质谱计及其原理一质谱计及其原理二分辨率二分辨率三质谱表示方法三质谱表示方法442质谱中的离子类型质谱中的离子类型一分子离子及其识别方法一分子离子及其识别方法二同位素离子及分子式的确定二同位素离子及分子式的确定三碎片离子及相应峰三碎片离子及相应峰443质谱中离子断裂类型及断裂规律质谱中离子断裂类型及断裂规律一化学键断裂电子转移方向一化学键断裂电子转移方向二单纯开裂二单纯开裂三麦氏重排三麦氏重排445质谱解析质谱解析一解析步骤一解析步骤二质谱解析实例二质谱解析实例444各类有机化合物的各类有机化合物的msms和开裂规律和开裂规律一烃类一烃类三醚类三醚类五羧酸酯五羧酸酯七有机卤化物七有机卤化物各种图谱解析的主要着眼点uv1共轭体系发色团2从b带精细结构苯环的存在ir判断各种官能团3芳环取代4炔烯类型nmr1积分曲线h个数2化学位移各类质子3从偶合裂分各基团的相互关系4判断活泼h加d2oms1从m
钢结构—第四章课后答案
P108 4.1解：示意图要画焊缝承受的剪力V=F=270kN ；弯矩M=Fe=270´300=81kN.m I x =[0.8´(38-2´0.8)3]/12+[(15-2)´1´19.52]´2=13102cm 4= 腹板A e =0.8´(38-2´0.8)=29.12 cm2截面最大正应力s max =M/W= 81´106´200/13102´104=123.65 N/mm 2£f t w =185N/mm2剪力全部由腹板承担t =V/A w =270´103/2912£=92.72 N/mm2 =f v w =125N/mm 2 腹板边缘处”1”的应力s 1=(M/W)(190/200) =123.65(190/200)=210.19 =117.47 腹板边缘处的折算应力应满足2213 1.1w zs tf s s t =+£22117.47392.72=+´=198..97N/mm 2£1.1f t w =203.5N/mm 2 焊缝连接部位满足要求4.2解：(1) 角钢与节点板的连接焊缝“A ”承受轴力N=420kN 连接为不等边角钢长肢相连题意是两侧焊肢背分配的力N 1=0.65 ´420=273 kN 肢背分配的力N 2=0.35 ´420=147 kN h fmin =1.5(t max )1/2=1.5(10)1/2=4.74mm h fmax =1.2(t min )=1.2(6)=7.2mm 取h f =6mm 肢背需要的焊缝长度l w1=273´103/(2´0.7´6´160)+2´6=203.12+12=215.13mm 肢尖需要的焊缝长度l w2=147´103/(2´0.7´6´160)+2´6=109.38+12=121.38mm 端部绕角焊2h f 时，应加h f （书中未加）取肢背的焊缝长度l w1=220mm ；肢尖的焊缝长度l w2=125mm 。
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4.4 肖特基势垒二极管的结构
耗尽层
M
SiO 2
M
SiO 2
p
保护环
M
SiO 2
N
N
N
N
（a ）
N
N
（b ）
（c ）
实用的肖特基二极管结构： （a）简单接触，（b）采用金属搭接，（C）采用保护环二极管。
10
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（4）温度依赖关系的区别：肖特基势垒的温度特性优于PN结。
•
噪声特性也优于PN结。此外，肖特基势垒二极管制造工艺简单。
18
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4.8 肖特基势垒二极管的应用 4.8.1 肖特基势垒检波器或混频器
rs
Cd－结电容，rs－串联电阻。
rd
Cd
rd
dV dI
为二极管结电阻（扩散电阻）。
2
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4.1 肖特基势垒
4.1.1 肖特基势垒的形成（考虑金属与N-半导体）
qS －半导体功函数 qS qm
的。
qm －金属的功函数
S －半导体的电子亲和势。
假设半导体表面没有表面态，接触是理想的，半导体能带直到表面都是平直
3
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N
m s 的金属和N型半导体的接触的能带图：（a）接触之前，（b）接触之后处于平衡态
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m s 的金属和N型半导体的接触的能带图：
（c）在半导体一边加上负电压，（d）在半导体一边加上正电压
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金属－P型半导体：
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VT
总电流密度： J J SM J MS
qN C v th 4
e b
VT
e
V VT
1
15
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J J SM J MS
qN C v th 4
e b
VT
e
3 2
V VT
1
* 导带有效状态密度为 NC 2 2m KT
4.5 肖特基势垒二极管的电流电压特性
热电子和热载流子二极管：当电子来到势垒顶上向金属发射时，它们的能量比 金属电子高出约 q b 。进入金属之后它们在金属中碰撞以给出这份多余的能 量之前，由于它们的等效温度高于金属中的电子，因而把这些电子看成是热的 。由于这个缘故，肖特基势垒二极管有时被称为热载流子二极管。这些载流子 在很短的时间内就会和金属电子达到平衡，这个时间一般情况小于 0.1ns
当肖特基势垒被施加反向偏压-VR时:
J J0 e VR
VT
1
理查森-杜师曼方程
I I0 eV nVT 1
n称为理想化因子，它是由非理想效应引起的。 对于理想的肖特基势垒二极管，n=1。
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4.7 肖特基势垒二极管和PN结二极管之间的比较
20 W qN D
12
4
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4.1.2 加偏压的肖特基势垒（具有单向导电特性）
• • • 正偏压：势垒高度降低到 q(0 V) 反偏压：势垒被提高到 q(0 VR )
2 0 VR W qN D
ns n0e 0
ns n0e0
VT
VT
NceVn
VT
e0
VT
Nceb
VT
即 n S Nc e b
VT
当有外加电压V时
nS Nceb V VT
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由气体动力论，单位时间入射到单位面积上的电子数即进入金属的电子数为
12
反向偏压时，金属一边的势垒不随外加电压变化，所以从金属到半导体的电子流是 恒定的。当反向电压提高时，使半导体到金属的电子流可以忽略不计，反向电流将 趋于饱和。
•
5
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4.2 界面态对势垒高度的影响
• 表面态E0，当E0以下的状态空着时，表面带正电，类似于施主；当E0 以上的状态被电子占据时，表面带负电，类似于受主。
• 在实际的M-S接触中，当E0>EF时，界面态的静电荷为正，若E0<EF时 ，界面态的静电荷为负。
6
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4.3 镜像力对势垒高度的影响 镜像力降低肖特基势垒高度（肖特基效应）：
q2 q2 F 2 16k0 x2 4k0 2x
镜象力引起的电子电势能为：
图 4-12 肖特基二极管的等效电路
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4.8.2 肖特基势垒钳位晶体管
20
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4.9 欧姆接触：非整流的M-S结
• 欧姆接触:定义为这样一种接触，它在所使用的结构上不会添加较大的寄生阻抗，且
不足以改变半导体内的平衡载流子浓度使器件特性受到影响。 考虑 m s 的金属和N型半导体对。
p(x) p0eq( x) KT p0e( x) VT
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半导体器件物理 在半导体与金属界面处
n s n 0 e s
VT VT
ps p0es
取半导体内为电势零点，则表面势 s 在 M-S 界面
s 称为表面势。
0
二、电流－电压特性〔李查德－杜师曼（Richardson-dushman）方程〕
设半导体内本征费米能级为 Ei 0 ，热平衡时半导体内部的载流子浓度为
n 0 n i e E F Ei 0 KT p 0 n i e E i 0 EF KT
表面空间电荷区内，本征费米能级为
Ei (x) Ei 0 q(x)
则空间电荷区中载流子浓度为
Ei x EF Ei x Ei 0 Ei 0 EF q ( x ) KT n(x) n i e xp n0e( x ) VT ni e xp n0e KT KT
m s ：欧姆结 m s ：整流结 金属－N型半导体： m s ：整流结 m s ：欧姆结
• 实际半导体由于存在表面态，理想的欧姆接触只能是一种近似，在金 属和半导体之间的直接接触一般不形成欧姆结。 • 金属和重掺杂半导体之间形成欧姆接触：载流子可以隧道穿透而不是 越过势垒。
R* R m * m0 120 m * m0 A cm2 K 2
R 的单位为
A K 2 cm2 ，其数值依赖于有效质量，对于N型硅和P型硅，分别为
110和32；对于N型和P型 GaAs
，分别为8和74。
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J J0 eV VT 1
E1 (x)
x
q2 Fdx 16k 0 x
肖特基效应：镜像力使理想肖特基势垒的电子能量在下降，也就是使肖特基势垒
高度下降。这种效应叫做肖特基效应。
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图4-5 镜像力降低金属半导体势垒
8
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• 空穴也产生镜像力，它的作用是使半导体能带的价带顶附近向上弯曲，如图 所示，但它不象导带底那样有极值，结果使接触处的能带变窄。
h3
v th ，得到： ，代入N C 、
热电子发射论的电流—电压关系：
J RT2e b
VT
e
b
V VT
1 J0 eV VT 1
其中: J 0 R * T2e
VT
R* 4m * qK2 h3
称为有效理查森常数，它是在电子向真空中发射时的理查森常数中，用半导体 电子的有效质量代替自由电子质量而得到的。代入有关常数，最后得到
一、空间电荷区中载流子浓度的变化
对于非简并化情况，导带电子浓度和价带空穴浓度为
n n ie p n ie
E F E i KT E i E F KT
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吺唍咨
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半导体器件物理
当金属和半导体接触，处于热平衡态时：
qS －半导体功函数 qS qm
自建电势差 0 肖特基势垒高度 或 b 0 Vn 其中 Vn Ec EF
qm －金属的功函数
S －半导体的电子亲和势。
0 m s
qb qm s
N N q VTl n C VT ln C n Nd
肖特基势垒二极管是多子器件，PN结二极管是少子器件。
（1）高的工作频率和开关速度 • 在肖特基势垒中，由于没有少数载流子贮存，因此肖特基势垒二极管适于高
频和快速开关的应用。
（2）大的饱和电流 （3）低的正向电压降
•
肖特基势垒上的正向电压降要比 PN结上的低得多。低的接通电压使得肖特
基二极管对于钳位和限辐的应用具有吸引力。
式中
v th
1 n S v th 4
8kT m
m 为电子有效质量。 为热电子的平均热运动速度，