哪些原因导致陶瓷高压电容器被击穿
浅谈陶瓷PTC加热器耐压击穿炸片及其预防措施
浅谈陶瓷PTC加热器耐压击穿的原理及其预防措施摘要:介绍了陶瓷PTC加热器引起耐压击穿的原因、分析了陶瓷PTC加热器引起耐压击穿后带来的危害，最后给出几点预防的措施。
关键词：陶瓷PTC加热器；耐压击穿。
1 引言PTC是一种半导体热敏陶瓷，是正温度系数热敏陶瓷的简称，属用途极广的新型材料，应用PTC 陶瓷电阻温度的非线性,可开发应用于各个领域，如陶瓷PTC波纹状加热器在空调器上的使用也越来越广泛，它的一大突出特点在于安全性能上，即遇风机故障停转时，PTC加热器因得不到充分散热，其功率会自动急剧下降，此时加热器的表面温度维持在居里温度左右（一般在250℃上下），从而不致产生如电热管类加热器的表面“发红”现象。
2PTC效应对于BaTiO3半导瓷的PTC效应，有多种理论模型予以解释，较为成熟并为多数研究者承认的有海望Heywang提出的表面势垒模型和丹尼尔斯Daniels等人提出的钡缺位模型。
1963年G.Goodman指出，单晶BaTiO3单半导体掺杂后，不显示PTC效应，而多晶BaTiO3陶瓷掺杂后，则有PTC效应，此后国际上常把PTC归入晶界现象。
海望模型把产生PTC效应的原因归结为在多晶BaTiO3半导体材料的晶粒边界，存在一个由受主表面态引起的势垒层，材料的电阻率是由晶粒体电阻和晶粒表面态势垒两部分组成，随着温度的上升，材料的电阻率将出现几个数量级的变化。
陶瓷PTC热敏电阻是以钛酸钡为基，掺杂其它的多晶陶瓷材料制造的，具有较低的电阻及半导特性。
通过有目的的掺杂一种化学价较高的材料作为晶体的点阵元来达到的：在晶格中钡离子或钛酸盐离子的一部分被较高价的离子所替代，因而得到了一定数量产生导电性的自由电子。
对于PTC 热敏电阻效应，也就是电阻值阶跃增高的原因，在于材料组织是由许多小的微晶构成的，在晶粒的界面上，即所谓的晶粒边界(晶界)上形成势垒，阻碍电子越界进入到相邻区域中去，因此而产生高的电阻，这种效应在温度低时被抵消：在晶界上高的介电常数和自发的极化强度在低温时阻碍了势垒的形成并使电子可以自由地流动。
电容击穿的原因
电容击穿的原因电容击穿是电路行为的一种，当电压提高到足以让电容器的介电常数捍卫的限度之上时，发生的一种现象就叫做电容击穿。
电容击穿是一种电路现象，它由于电压的增加而发生，例如，如果介电常数介于正极性和负极性之间的电容器中的电容在给定的时间内内电压瞬间增加，则可能发生电容击穿现象，从而电流流入电容器或放电。
电容击穿的原因可分为外部原因和内部原因两类。
外部原因可能是电路元件出现故障、电压和电流出现异常，或者由于环境恶劣等原因引起电容击穿。
而内部原因是电容器封装密封密度不足，介电介质受到污染等。
电容器出现短路故障是电容击穿的一种表象，常见的短路故障可能存在于电路多个组件中。
例如电容器元件缺陷，使介质无法完全覆盖金属夹片，会使相邻的金属夹片干涉、产生短路；而相邻针插的电路接触点由于老化、震动及机械冲击等现象而发生短路；此外，由于电路操作条件变化而出现的电源电流增大等现象也会导致电容器击穿。
电容击穿现象还可能受到材料质量、电容器封装、贴片结合及外围环境的影响，这些都会影响到电容器的元件表现。
如果电容器外筐封装比较脆弱，容易受到撞击等外力损害，从而损坏电容器元件。
电容器安装使用前须预热，由于环境变化或长时间处于静止状态改变时，电容器元件膜片封装差异会引起电容弱点变大缺陷，以导致电容击穿现象。
另外，初始电容器的可靠性也会影响击穿。
电容器元件要保证长时间使用的可靠性和耐久性，部件的质量特性也会影响击穿的可能性，例如电容特性、绝缘层特性以及金属夹片的变形和老化等。
如果初始材料质量差，相关电容器组件及其他组件表现程度没有达到出厂标准要求，那么电容器就容易击穿。
总之，电容击穿是一种电路中较为常见的现象。
它的发生必须源于故障的电路行为，由于内、外两个因素引起，尤其是相关元件的质量不足，就会使整个电路出现短路、堵塞等现象。
因此，在设计和应用电容器的时候，一定要注意控制相关参数，加强电容器元件的质量控制，有效避免击穿现象的发生，保证电路的正常工作。
陶瓷电容损坏原因
陶瓷电容损坏原因嘿，你问陶瓷电容损坏原因呀？那咱就来唠唠。
这陶瓷电容啊，有时候会莫名其妙就坏了，可让人头疼呢。
一个常见的原因就是过电压。
就好比一个人承受了超出自己能力的压力，时间一长肯定受不了啊。
如果给陶瓷电容加上的电压太高了，超过了它能承受的范围，那它就容易被击穿损坏。
比如说电路里突然出现了一个很高的电压脉冲，陶瓷电容可能就扛不住了。
还有过电流也会让陶瓷电容受伤哦。
电流太大的话，就像水流太急会冲垮堤坝一样，陶瓷电容也会受不了。
如果电路中的电流超过了陶瓷电容的额定电流，它就可能会发热、烧毁。
温度也是个大问题呢。
如果陶瓷电容处在一个很热的环境里，就像人在大太阳底下晒久了会中暑一样，它也会出问题。
高温会让陶瓷电容的性能下降，甚至直接损坏。
反过来，要是温度太低了，也不行。
冷得太厉害，陶瓷电容也会变得很脆弱。
另外，潮湿的环境也对陶瓷电容不友好。
就像东西放在潮湿的地方会发霉生锈一样，陶瓷电容在潮湿的环境里容易受潮，导致绝缘性能下降，从而损坏。
机械损伤也不能忽视哦。
要是不小心把陶瓷电容摔了、碰了，那它可能就会出现裂缝或者内部损坏。
就像一个精致的小杯子，掉地上可能就碎了。
我给你讲个例子哈。
我有个朋友，他在修一个电器的时候，发现里面的陶瓷电容坏了。
他就很纳闷，不知道为啥会坏。
后来他仔细检查了一下电路，发现是有一次电压突然升高，把陶瓷电容给击穿了。
从那以后，他在使用电器的时候就特别注意电压的问题，生怕再把其他的陶瓷电容给弄坏了。
所以啊，陶瓷电容损坏的原因有很多呢。
我们在使用的时候要注意电压、电流、温度、湿度这些因素，还要小心别让它受到机械损伤。
这样才能让陶瓷电容好好地为我们服务哦。
电容器失效模式和失效机理
金属化纸介电容器在高湿环境中工作时,电容器正端引线根部会遭到严重腐蚀,这种电解性腐蚀导致引线机械强度降低,严重时可造成引线断裂失效.
(6)、铝电解电容器的失效机理
铝电解电容器正极是高纯铝,电介质是在金属表面形成的三氧化二铝膜,负极是黏稠状的电解液,工作时相当一个电解槽.铝电解电容器常见失效模式有:漏液、爆炸、开路、击穿、电参数恶化等,有关失效机理分析如下.
产生低电平失效的原因主要在于电容器引出线与电容器极板接触不良,接触电阻增大,造成电容器完全开路或电容量幅度下降.
精密聚苯乙烯薄膜电容器一般采用铝箔作为极板,铜引出线与铝箔极板点焊在一起.铝箔在空气中极易氧化;极板表面生成一层氧化铝半导体薄膜,在低电平条件下氧化膜层上的电压不足以把它击穿,因而铝箔间形成的间隙电容量的串联等效容量,间隙电容量愈小,串联等效容量也愈小.因此,低电平容量取决于极板表面氧化铝层的厚薄,氧化铝层愈厚,低电平条件下电容器的电容量愈小.此外,电容器在交流电路中工作时,其有效电容量会因接触电阻过大而下降,接触电阻很大时有效电容量可减小到开路的程度.即使极板一引线间不存在导电不良的间隔层,也会产生这种后果.
② 电解液沿引线渗漏,使引线遭受化学腐蚀;
③ 引线在电容器制造过程中受到机械损伤;
④ 引线的机械强度不够.
(6) 引起电容器绝缘子破裂的主要原因
① 机械损伤;
② 玻璃粉绝缘子烧结过程中残留热力过大;
③ 焊接温度过高或受热不均匀.
(7) 引起绝缘子表面飞弧的主要原因
① 绝缘了表面受潮,使表面绝缘电阻下降;
⑧ 在机械应力作用下电介质瞬时短路.
(2) 引起电容器开路的主要失效机理
① 引线部位发生“自愈“,使电极与引出线绝缘;
陶瓷击穿电压
陶瓷击穿电压引言陶瓷是一种常见的材料，具有优异的绝缘性能。
在电气工程中，常常使用陶瓷材料作为绝缘体，以防止电流通过。
然而，当电压升高到一定程度时，陶瓷绝缘体会发生击穿现象。
本文将探讨陶瓷的击穿电压以及影响击穿电压的因素。
什么是击穿电压击穿电压是指在一定条件下，绝缘体中的电场强度达到使绝缘体损坏的临界值时，绝缘体发生击穿的电压。
当电场强度超过击穿电压时，绝缘体将发生击穿现象，导致电流通过绝缘体。
影响击穿电压的因素1.绝缘体材料：不同材料的陶瓷具有不同的击穿电压。
一般来说，绝缘性能好的陶瓷材料其击穿电压较高，而绝缘性能较差的陶瓷材料其击穿电压较低。
2.绝缘体形状：绝缘体的形状对击穿电压有一定的影响。
当绝缘体的形状改变时，电场分布也会相应改变，从而影响击穿电压。
3.绝缘体表面状态：绝缘体表面的状态也会影响击穿电压。
如果绝缘体表面存在缺陷、污染物等，会导致电场集中，从而降低击穿电压。
4.温度：温度是影响击穿电压的重要因素之一。
一般情况下，温度升高会导致击穿电压降低。
陶瓷材料的击穿电压测试方法1.直流电压法：直流电压法是一种常用的测量陶瓷击穿电压的方法。
该方法通过逐渐升高直流电压，观察绝缘体是否发生击穿来确定击穿电压。
2.脉冲电压法：脉冲电压法是一种测量击穿电压的方法之一。
这种方法通过施加一个特定频率和宽度的脉冲电压，观察绝缘体是否发生击穿来确定击穿电压。
陶瓷击穿电压的应用1.绝缘材料选择：根据不同的电气工程需求，可以选择具有合适击穿电压的陶瓷材料作为绝缘体。
2.设备保护：电气设备中常常使用陶瓷绝缘体，合理选择击穿电压可以有效保护设备免受电击等风险。
3.电力系统应用：在电力系统中，合理选择陶瓷击穿电压可以提高电力传输效率，减少能耗。
结论陶瓷击穿电压是衡量陶瓷材料绝缘性能的重要指标之一。
影响击穿电压的因素包括绝缘体材料、形状、表面状态和温度等。
合理选择以及测试陶瓷击穿电压对于电气工程、设备保护以及电力系统应用具有重要意义。
mlcc电容击穿短路原因
mlcc电容击穿短路原因MLCC电容是一种多层陶瓷电容器，具有小体积、大容量、高稳定性等特点，在电子设备中被广泛应用。
然而，有时候我们会遇到MLCC电容击穿短路的情况，导致电子设备无法正常工作。
本文将探讨MLCC电容击穿短路的原因。
了解MLCC电容的结构对于理解击穿短路原因非常重要。
MLCC电容由多个层状电极和介质层组成，电极和介质层交替叠加形成多层结构。
电极通常由银或铜制成，而介质层则由陶瓷材料制成，如二氧化钛或氧化铝。
MLCC电容的击穿短路主要有以下几个原因：1. 动态电压异常：MLCC电容通常用于电子设备的滤波和解耦电路中，其工作电压范围广泛。
然而，当电容器承受超过其额定电压的过电压时，就会发生击穿现象。
过电压可能由于供电电源的故障、电路设计错误或其他因素引起。
因此，确保电容器所承受的电压不超过其额定值是避免击穿短路的重要措施。
2. 温度变化：温度的变化对MLCC电容的性能有很大影响。
当电容器在高温环境下工作时，陶瓷材料会膨胀，可能导致电容器内部应力的集中和破裂。
相反，当电容器在低温环境下工作时，陶瓷材料会收缩，可能导致电容器内部结构的破坏。
因此，在设计电子设备时，应考虑适当的温度范围以避免击穿短路。
3. 设计和制造缺陷：MLCC电容的设计和制造缺陷也可能导致击穿短路。
例如，电极与陶瓷材料之间的黏结可能不够牢固，导致电容器内部结构的不稳定性。
此外，电容器的表面涂层如果不均匀或存在缺陷，也可能导致击穿短路。
因此，在选择和使用MLCC电容时，应选择质量可靠的产品，并确保其符合相关的标准和规范。
4. 电压梯度：电容器的电压梯度是指电容器两个电极之间的电位差。
当电压梯度超过电容器的承受能力时，就会发生击穿短路。
电压梯度的大小与电容器的尺寸和结构有关。
较大的电容器通常能够承受更高的电压梯度，而较小的电容器则容易发生击穿短路。
因此，在设计电子设备时，应根据实际需求选择合适尺寸的电容器，并确保电压梯度在可接受范围内。
氮化硼陶瓷击穿电压
氮化硼陶瓷击穿电压
氮化硼陶瓷是一种具有优异绝缘性能的材料，其击穿电压取决于多种因素。
首先，击穿电压与材料的结构和纯度有关。
氮化硼陶瓷的晶体结构和杂质含量会影响其击穿电压。
其次，材料的加工工艺也会对击穿电压产生影响。
氮化硼陶瓷的制备工艺会影响其微观结构和晶界特性，从而影响其击穿电压。
此外，材料的形状和尺寸也会对击穿电压产生影响，例如氮化硼陶瓷的厚度和表面处理方式等因素都会对其击穿电压产生影响。
另外，击穿电压还受到外部环境的影响，例如温度、湿度等因素都会对氮化硼陶瓷的击穿电压产生影响。
在高温、高湿等恶劣环境下，氮化硼陶瓷的击穿电压可能会降低。
总的来说，氮化硼陶瓷的击穿电压是一个综合性能指标，受到多种因素的影响。
针对具体的应用场景和要求，需要综合考虑材料的结构、纯度、加工工艺、形状尺寸以及外部环境等因素，才能准确评估其击穿电压。
如果需要具体数值，建议查阅相关的材料手册或者进行实验测试来获取准确的数据。
瓷片电容芯片断裂击穿的原因
瓷片电容芯片断裂击穿的原因
对中高压瓷片电容了解的人都知道，瓷片电容的寿命还是非常久的，甚至能用10年以上，但有一些人在使用瓷片电容的时候，发现瓷片电容芯片断裂击穿，这是怎么回事呢？
瓷片电容
1、可能是受电压击穿。
瓷片电容芯片被击穿，最可能的原因之一电压击穿，主要表现为表面破碎，陶瓷芯片出现开裂。
可能是瓷片电容质量差，承受的电压能力不够，或者选型不当，电压安全余量把握不够导致的，建议把瓷片电容的安全余量留的足够大。
2、热击穿导致。
一般在高频脉冲电路中容易出现这种问题，出现这种问题，一般都是瓷片电容的频率级别不够，但又被用到了承受能力以外的电源中，电容器本身与电路设计的HZ级别不符导致的，这种一般都是选型不当导致的问题。
3、质量太差导致的。
其实说白了，一般选错、用错瓷片电容的可能性是有，但机率一般不高，多数原因还是买到了质量太差的瓷片电容导致的。
核心原因就是芯片质量太差，产品制造时工艺不严谨，品质控制太差，小芯片替代大芯片，一般都是这些问题导致的。
解决这个问题也很简单，一
分价钱一分货，买口碑好的厂家，就可以避免这种问题出现。
电路板电容击穿的原因
电路板电容击穿的原因电路板上的电容击穿，这事儿就像电路世界里突然闹了一场小“暴动”，好好的电容就这么“罢工”了，原因可不少呢。
我之前在捣鼓一个旧的电子设备，那里面的电路板可把我折腾得够呛。
我发现有个电容击穿了，就开始研究为啥会这样。
首先，电压过高是个很常见的“罪魁祸首”。
这就好比你给一个小气球只适合吹一点点气，你却拼命地往里面打气，那气球肯定会爆掉。
电容也是一样，它有自己能承受的额定电压，如果电路里的电压突然飙升，超过了电容的承受范围，它就会像那个被过度充气的气球一样，“啪”地一下被击穿。
我当时用万用表一测，发现那个电路里的电压在某个瞬间确实高得离谱，可能是因为电源不稳定或者其他元件出了问题，把无辜的电容给连累了。
还有就是温度过高也会导致电容击穿。
我记得有一次，我把那个电子设备放在一个闷热的小角落里，周围还堆着一些发热的东西。
那电路板在里面就像在蒸桑拿一样，电容在这种高温环境下，就像一个在烈日下暴晒的小可怜。
时间一长，它内部的结构可能就会被破坏。
我把设备打开后，都能感觉到里面一股热浪扑面而来，那个击穿的电容摸起来都有点烫手，就像刚从火里拿出来的小铁块。
另外，电容本身的质量问题也不能忽视。
就像我们买东西，有时候会买到劣质产品。
有些电容可能在生产的时候就存在缺陷，材料不好或者工艺不达标。
我有一次买了一批便宜的电容，心想能省点钱，结果在使用过程中，好几个都出现了击穿的情况。
这些电容就像那些中看不中用的“绣花枕头”，外表看起来还行，一到关键时刻就掉链子。
我当时看着那些击穿的电容，心里那个懊悔啊，早知道就不贪便宜了。
在电路板这个大家庭里，电容虽然只是小小的一员，但它要是被击穿了，整个电路板都可能会出问题。
就像一个足球队里，哪怕是一个小后卫出了状况，如果不及时处理，也可能会影响整个球队的比赛结果。
所以我们得了解电容击穿的原因，在设计电路、选择电容以及使用电子设备的时候，都要注意这些问题，给电容创造一个良好的“工作环境”，让它能好好地为我们服务，而不是动不动就“发脾气”罢工，把我们的电路板搞坏，影响整个电子设备的正常运行。
陶瓷击穿电压
陶瓷击穿电压
陶瓷是一种常见的材料，具有优异的耐热、耐腐蚀、绝缘性能等特点，因此被广泛应用于电子、航空、化工等领域。
在电子领域中，陶瓷被
用作电容器、电阻器、压电器件等元器件的基底材料。
然而，陶瓷在
使用过程中也会遇到一些问题，其中之一就是击穿现象。
击穿是指在电场强度达到一定值时，电介质中的电子被加速到足以克
服其束缚力而导致电流突然增大的现象。
对于陶瓷材料来说，击穿电
压是一个重要的物理参数，它决定了陶瓷在电子器件中的使用范围和
可靠性。
陶瓷的击穿电压与其晶体结构、化学成分、制备工艺等因素密切相关。
一般来说，陶瓷的击穿电压越高，其绝缘性能就越好。
因此，提高陶
瓷的击穿电压是一项重要的研究课题。
目前，提高陶瓷击穿电压的方法主要有以下几种：
1. 优化陶瓷的晶体结构。
陶瓷的晶体结构对其击穿电压有很大影响。
通过控制陶瓷的晶体生长方向、晶粒大小等因素，可以提高其击穿电压。
2. 改变陶瓷的化学成分。
陶瓷的化学成分也会影响其击穿电压。
通过
添加一些特定的元素或化合物，可以改善陶瓷的绝缘性能，提高其击
穿电压。
3. 优化陶瓷的制备工艺。
制备工艺对陶瓷的击穿电压也有很大影响。
通过优化陶瓷的烧结温度、时间、气氛等因素，可以提高其击穿电压。
总之，陶瓷的击穿电压是一个重要的物理参数，对于陶瓷在电子器件
中的应用具有重要意义。
通过优化陶瓷的晶体结构、化学成分和制备
工艺等因素，可以提高其击穿电压，从而提高其绝缘性能和可靠性。
22uf陶瓷电容在使用中漏电原因
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电容器击穿机理
电容器击穿机理一、击穿理论1、热击穿电容器的热击穿是由于介质中某些“弱点”处(或整个绝缘层中)热平衡状态受到破坏，使电容器内部温度不断升高，当超过介质的最高极限温度时，引起的击穿。
电容器的热击穿只有当介质电导(直流下)和损失角正切(交流下)随温度的升高而增大时，才有可能。
根据热击穿理论，可对工作在高温下的电容器进行热计算目前已得出两种理想情下热击穿电压公式，即极板为无限大的平板电容器(当热流方向垂直于极板时)和无限长圆柱形电容嚣(热流为径向)。
这两种电容器结构示于图6--1 7中。
电容器愈是接近这两种理想情况，则按热击穿电压公式计算的结果愈符合实际情况。
Tpad工作温度tkp——临界温度当热流垂直于极板时，平板形电容器的热击穿电压为U =φ(c)?140λαγo(6-31)式中：——电容器介质的导热系数，单位为瓦／厘米·℃。
γo——环境温度时的有效电导，单位为1／欧·厘米。
——介质有效电导的温度系数，它满足下列关系=γ1eα(T?T1)φ(c)——电容器的几何尺寸和冷却条件对击穿电压影响的参数c 的函数，c为c=λc ad2λ(λc+αd c) (6—32)式中：λc——电极材料的导热系数，单位为瓦／厘米·℃。
——散热系数，单位为为瓦／厘米·℃。
——介质厚度，单位为厘米d c——极板厚度单位为厘米在直流电压下，有效电导γ=1ρv，其中ρv为介质的体积电阻率，单位为欧·厘米。
直流下电容器的热击穿场强为E b=U b d=11.8φ(c)d?λρoα (6 33)ρo可按电容器在环境温度时的时间常数计算，即ρo=RC0.884ε×1013(欧·厘米)式中τ=RC以秒或兆欧·微法计。
因为RC与电压有关，这里的应为接近热击穿电压时的数值。
RC与温度的关系可表示为lg(RRRR)2=lg(RC)1?β(t2?t1) (6 3 5)根据两个不同温度(t1和t2)的时间常数(RC)1和(RRRR)2可确定系数，这时=βlge=2.3β。
电容器击穿机理
一、击穿理论1、热击穿电容器的热击穿是由于介质中某些“弱点”处(或整个绝缘层中)热平衡状态受到破坏，使电容器内部温度不断升高，当超过介质的最高极限温度时，引起的击穿。
电容器的热击穿只有当介质电导(直流下)和损失角正切(交流下)随温度的升高而增大时，才有可能。
根据热击穿理论，可对工作在高温下的电容器进行热计算目前已得出两种理想情下热击穿电压公式，即极板为无限大的平板电容器(当热流方向垂直于极板时)和无限长圆柱形电容嚣(热流为径向)。
这两种电容器结构示于图6--1 7中。
电容器愈是接近这两种理想情况，则按热击穿电压公式计算的结果愈符合实际情况。
Tpad工作温度tkp——临界温度当热流垂直于极板时，平板形电容器的热击穿电压为(6-31)U =φ(c)√140λαγo式中：——电容器介质的导热系数，单位为瓦／厘米·℃。
γo——环境温度时的有效电导，单位为1／欧·厘米。
——介质有效电导的温度系数，它满足下列关系=γ1eα(T−T1)φ(c)——电容器的几何尺寸和冷却条件对击穿电压影响的参数c的函数，c为c=λc ad2λ(λc+αd c)(6—32)式中：λc——电极材料的导热系数，单位为瓦／厘米·℃。
——散热系数，单位为为瓦／厘米·℃。
——介质厚度，单位为厘米d c——极板厚度单位为厘米在直流电压下，有效电导γ=1ρv，其中ρv为介质的体积电阻率，单位为欧·厘米。
直流下电容器的热击穿场强为E b=U bd =11.8φ(c)d√λρoα(6 33)ρo可按电容器在环境温度时的时间常数计算，即ρo=RC0.884ε×1013(欧·厘米)式中τ=RC以秒或兆欧·微法计。
因为RC与电压有关，这里的应为接近热击穿电压时的数值。
RC与温度的关系可表示为lg(RC)2=lg(RC)1−β(t2−t1)(6 3 5)根据两个不同温度(t1和t2)的时间常数(RC)1和(RC)2可确定系数，这时=βlge=2.3β。
压电陶瓷失效原因
压电陶瓷失效原因压电陶瓷失效的原因可能有多种，以下是一些常见的因素：1. 机械损坏：压电陶瓷在运输、插拔、安装等过程中，由于操作不当，导致器件受到压力过大、磕碰损坏等原因引起的损坏。
2. 电学损坏：压电陶瓷在工作时，当电压和电流超出其额定值范围时，容易引起电学损坏，例如，电压过高会导致压电陶瓷击穿、氧化、烧坏等。
3. 热失控：压电陶瓷在工作中也容易出现温度过高的情况，导致热膨胀失控，陶瓷发生短路甚至烧坏。
4. 化学损坏：压电陶瓷在特殊环境下也容易发生化学损坏，例如长期暴露在化学药品中或者含有强酸碱物质的液体中。
5. 破裂或断裂：压电陶瓷在受到过大的力或应力时可能会发生破裂或断裂。
解决办法是加强对陶瓷的保护，避免施加过大的力或应力。
此外，还可以采用增加支撑结构或使用更强度的陶瓷材料来提高其强度。
6. 衰减或降低性能：压电陶瓷的性能可能会随着使用时间的增加而衰减或降低。
解决办法是定期检查和维护压电陶瓷元件，避免长时间处于高温或潮湿环境中。
此外，根据具体情况可能需要更换陶瓷元件或进行修复。
7. 粘结问题：压电陶瓷可能会出现与其他材料的粘结问题，例如与电极之间的粘结。
解决办法是在粘结过程中使用适当的粘结剂，并确保粘结表面的清洁和光滑。
另外，粘结过程中的温度和压力也需要控制良好。
8. 电极失效：压电陶瓷的电极可能会出现失效或损坏，导致性能下降。
解决办法是选择高质量的电极材料和合适的电极结构，确保良好的电极与陶瓷的接触。
同时，保持电极的清洁和维护，定期检查并更换损坏的电极。
9. 脱附问题：压电陶瓷与其支撑结构之间可能出现脱附问题，影响其工作效果。
解决办法是优化支撑结构的设计，确保与陶瓷的良好连接和紧密固定。
可以使用适当的粘结剂或夹具来增加连接的稳定性。
了解这些失效原因后，可以采取相应的预防措施来保护压电陶瓷，并提高其工作性能和使用寿命。
适配器中的高压电容损坏原因
适配器中的高压电容损坏原因
高压电容是我们日常中不可缺少的电容器之一，那么本文要小编跟大家说说高压电容与电源适配器的常见问题，高压电容坏掉的原因是由什么引起的，一起了解下！
小编近日在网络中看到有小伙伴分享自己的电源适配器有烧焦的味道，拆开发现源头是高压电容，剩余的电容是完好无损的，那么只要我们只要更换同相同容量的高压电容即可了。
出现这种击穿的情况有可能是高压电容长期工作运行中，电压不够也可能是因为电容的质量没有保障，因此电容的品质也是大家值得关注的点。
东莞市智旭电子制造高压电容，安规电容，压敏电阻，薄膜电容，更多品质电容尽在JEC。
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关键词：高压电容
摘要：电源适配器出现这种击穿的情况有可能是高压电容长期工作运行中，电压不够也可能是因为电容的质量没有保障，因此电容的品质也是大家值得关注的点。
陶瓷支柱绝缘子绝缘击穿原因
陶瓷支柱绝缘子绝缘击穿原因
陶瓷支柱绝缘子是一种常见的高压电力设备，用于支持和绝缘高压导线。
当陶瓷支柱绝缘子发生击穿时，通常有以下几个可能的原因：
1.污秽：陶瓷支柱绝缘子表面积聚了灰尘、油污、盐分等导电杂
质，形成了电晕放电或电弧放电的通道，导致绝缘子的击穿。
特别是在污秽环境或长期未进行清洁和维护的情况下，污秽问
题更加明显。
2.表面缺陷：陶瓷支柱绝缘子的制造过程中可能存在表面缺陷，
如裂纹、气孔等。
这些缺陷会导致电场集中，在高电压作用下
容易引发击穿。
3.机械应力：陶瓷支柱绝缘子在安装和使用过程中可能受到机械
应力的影响，如振动、风力、冲击等。
这些应力会导致绝缘子
的破损或疲劳，从而增加了绝缘子击穿的风险。
4.过电压：过电压是指在电力系统中由于雷击、设备故障、开关
操作等原因导致短暂的电压升高。
如果陶瓷支柱绝缘子无法承
受这样的过电压，就可能发生击穿。
为了防止陶瓷支柱绝缘子的击穿，可以采取以下措施：
1.定期清洁和维护绝缘子表面，保持其干净和光滑。
2.检查绝缘子表面是否存在裂纹或其他缺陷，及时更换有问题的
绝缘子。
3.防止机械应力对绝缘子的影响，例如加装防振器、增强支架等。
4.使用过电压保护装置，及时消除或减小过电压对绝缘子的影响。
综上所述，陶瓷支柱绝缘子击穿的原因主要包括污秽、表面缺陷、机械应力和过电压等因素。
通过定期清洁和维护、检查绝缘子表面、加强支架等措施，可以有效预防击穿事件的发生。
MLCC电容物理应力导致击穿问题案例..
MLCC电容应力失效跟踪报告一、现象 (1)二、问题定义 (1)三、信息收集、跟踪与分析 (1)四、结论 (2)五、改善建议 (2)一、现象2012年5月24日首次接板卡调试段通知，GPS G03H V1.0主板在进行48V高压测试时，出现批量C27/C39电容烧毁的现象。
进一步跟踪发现，后续G03H系列产品各批次都存在这个问题，失效率时高时低，在2%～5%左右浮动。
最后一次生产1000台G03H-T V2.1主板，出现16块C27烧，不良率1.60%；13块C39烧，不良率1.30%。
根据操作员提供的现场描述，主板经过12V上电，工作正常，各测试点电压正常。
然后切换到48V供电，在上电时C27/C39出现电火花，立即下电后发现电容已烧毁。
48V上电时间一般在1秒左右。
二、问题定义涉及该问题的主板包括：G03H V1.0，G03H-T V1.0，G03H V2.0，G03H-T V2.0。
出现该问题的环境：板卡调试段，48V高压测试，在主板电源输入端提供48V电压。
出现失效的器件：电容C27与C39。
三、信息收集、跟踪与分析1.问题共性：G03H各系列主板差异很小，烧毁电容所属的电路环境完全相同。
同时，C27与C39使用同一种物料，并联在同一级电路上，在PCB板上也是并列排放；同一批次中，同时存在C27烧和C39烧的问题。
根据以上信息，基本可以认定属于同一种问题。
2.根据生产记录显示，自2011年10月G03H V1.0首量后，各月均有数百至数千的产量，C27与C37不良率之和一直保持较低水平，多个月份失效率为0%。
在2012年5月底之后，该问题的失效率突然提高至2%以上。
查看5月收到的设计变更通知中，没有G03H相关的项目。
从数据上看，经过了数个月的生产与测试检验，C27、C39的可靠性，以及工装3.C27与C39是104贴片陶瓷电容，耐压为50V，作为滤波电容使用。
48V上电时，实测电容两端波峰最高不超过46V，稳定在36V，下电时不会造成更高的电压冲击。
0805瓷片电容击穿电压
0805瓷片电容击穿电压瓷片电容是一种常见的电子元器件，广泛应用于电子设备中。
而瓷片电容的击穿电压则是评估其电气性能的重要参数之一。
本文将就0805瓷片电容的击穿电压进行详细介绍。
什么是瓷片电容？瓷片电容，也称陶瓷电容，是一种以陶瓷材料为介质的电容器。
它由两块金属电极和介质层组成，其中金属电极被陶瓷材料分隔开来，形成两个电极间的电场。
瓷片电容由于具有体积小、温度稳定性好、频率特性宽、价格低廉等优点，在电子电路中得到了广泛应用。
击穿电压的定义击穿电压是指在电容器两个电极之间施加的电压达到一定程度时，介质无法继续绝缘，电流会沿着介质形成放电通道，导致电容器失去正常的电容特性。
在0805瓷片电容中，击穿电压是评估其绝缘强度和可靠性的重要指标。
0805瓷片电容的击穿电压范围0805瓷片电容是一种常见的规格型号，其尺寸为2.0mm×1.25mm，高度为0.8mm。
根据不同的材料和制造工艺，0805瓷片电容的击穿电压范围可以有所差异。
一般来说，0805瓷片电容的击穿电压可在50V至200V之间，具体数值取决于制造商和产品质量等因素。
影响0805瓷片电容击穿电压的因素0805瓷片电容的击穿电压受到多种因素的影响，主要包括材料特性、结构设计以及制造工艺等。
首先，不同材料的介电常数和绝缘性能不同，会对击穿电压产生影响。
其次，瓷片电容的结构设计也会对击穿电压产生影响，如电极之间的间隔距离、金属电极的材料和形状等。
此外，制造工艺的精度和稳定性也会直接影响瓷片电容的击穿电压。
0805瓷片电容击穿电压的应用场景由于0805瓷片电容在市场上具有多种击穿电压可选，因此可以满足不同应用场景的需求。
一般来说，击穿电压较低的0805瓷片电容适用于对电压要求不高的电子设备，如手机、计算机等；而击穿电压较高的0805瓷片电容则适用于对电压要求较高的电子设备，如电源、通信设备等。
如何正确选择0805瓷片电容的击穿电压？在选择0805瓷片电容的击穿电压时，需要根据具体应用场景和电路设计要求来确定。
陶瓷电容短路的原因
陶瓷电容短路的原因
陶瓷电容器短路的原因一般有以下几个可能性：
1. 材料缺陷：陶瓷电容器的制造过程中，材料本身存在缺陷或者污染，比如陶瓷材料的结构不均匀，存在气孔或者裂纹等问题，这些都可能导致电容器短路。
2. 外部压力：在电容器使用过程中，如果受到外部压力的作用，例如机械挤压、震动或者碰撞等不良条件，可能会导致电容器内部的陶瓷材料出现破裂、破碎，进而引发短路。
3. 过电压：当电容器承受超过其额定电压的电压时，其内部的陶瓷材料可能会发生电击穿现象，导致短路。
4. 热休克：陶瓷电容器在高温和低温之间的频繁变化，可能导致材料内部产生应力，进而导致短路。
5. 湿度：陶瓷电容器对湿度比较敏感，在高湿度环境下，可能会导致内部绝缘材料变得不可靠，从而引发短路。
要预防陶瓷电容器短路，需要合理选择电容器的使用环境、避免过压和过温，以及注意材料的质量和制备过程等。
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哪些原因导致陶瓷高压电容器被击穿
作为高压电容家族中的重要成员，陶瓷高压电容器是目前被广泛应用的电容器种类之一。
但是，这种高压电容却非常容易出现被击穿的情况。
其实，造成陶瓷高压电容器被击穿的因素有很多，按照其导致的因素，可以将击穿情况分为电压击穿、热击穿、过电流击穿、电磁场强击穿等情况。
在今天的文章中，我们就来与大家一起分析一下，导致陶瓷高压电容器击穿的现像是怎样产生的。
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首先来看电压击穿情况。
这是高压电容最容易出现的一种击穿情况，在应用中通常会表现为电容器表面破碎，陶瓷芯片出现开裂。
导致这种击穿情况出现的原因，就在于高压电容器的承受电压的能力不够。
往往是技术人员对电容器的电压安全余量把握不够，也就是说如果把电压降低一点，或者采用更高电压的高压电容器，这个问题就解
决了。
以国家电网来讲，一般电压的安全余量会超过4倍。
比如在10KV的电站里，所用到的电容器的电压，按国家标准，就必须能达到42KVAC保压2分钟，凡是低于这一标准的都是不合格产品。
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接下来我们再来看一下高压电容中第二大高发的击穿现象，那就是热击穿。
这种击穿情况一般多发生在高频脉冲电路中。
一颗频率级别不够的陶瓷高压电容器用到了承受能力以外的电源里，明显会出现热击穿。
这种击穿没有先兆，往往是一击即穿，或者脉冲几次很快就击穿了。
导致这一问题的根本原因在于，电容器本身与电路设计要求的HZ级别不符，例如原本应该用2GHZ的电容器，却使用了2KKHZ 的电容器。
甚至更低档次的产品。
这样的后果直接是电容器一上机机即击穿。
这种击穿很直接，因为脉冲频很强大，电容器往往被击得粉
碎。
因为这是在一种极短的时间内，陶瓷芯片发生极为急剧的温度变化，这种变化是因为陶瓷不耐受高频引起的。
这种瞬间的高温让技术人员措手不及，往往还容易错误地判断为电压不够。
因为升温时间太短，没有发现升温现像。
其实这时芯片是烫的。
不过，在实际应用的过程中，陶瓷高压电容器发生热击穿时还有一种不容易分辨的假相，需要工程人员特别注意。
比如在产品在环境温度提升过程中，到一定值时，突然断路了。
这时发现电容器外观是好的，极少数可能出现击穿现像，更多的一部分，则表现为电容器并没有击穿，只是换效而已。
在温度降低后，它还会恢复到初始值以下。
相比较上面所提到的陶瓷高压电容的两种击穿现象，磁场击穿尽管发生的频率要低一些，但同样是需要我们认真对待的。
高压电容器在强磁场下，发生击穿的现像也比较多。
这种现像往往采取有效措施后可得到控制。
或者改变电路结构也同样能够加以控制。